JPH0561996U - 高周波加熱装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 記憶回路に内蔵されている記憶素子を差し替
えるだけで、同一のインバータ回路を適用して所定の性
能を発揮させる高周波加熱装置を提供する。 【構成】 マイクロコンピュータ１に外付けした記憶回
路２の複数のアドレスにマグネトロン１１の複数の高周
波出力値の個々に対応する複数の設定出力データを格納
しておき、マグネトロン１１を所定の出力で作動させる
のに必要な設定出力データをマイクロコンピュータ１か
らの信号によって記憶回路２から出力させ、その出力さ
れたデータに従ってインバータ回路４を制御するように
した。 【効果】 特性の異なる他機種へも同一のインバータ回
路を適用して所定の性能を発揮させるとともにインバー
タ回路の共用化もスムースに推進出来る。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、インバータ回路によってマグネトロンの駆動制御を行う高周波加熱 装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】

商用交流電源を整流しこれをスイッチング素子のオンオフにより顧客の設定し た高周波出力値に応じた周波数(数十ｋＨｚ)の交流電力に変換するインバータ回 路を備え、このインバータ回路によってマグネトロンへの電力供給を行なう高周 波加熱装置として、従来、例えば特開昭６２−５５９１号公報記載の発明が知ら れている。このインバータ方式の高周波加熱装置におけるインバータ回路内の制 御部はマイクロコンピュータ及びスイッチング素子をオンオフ制御する素子制御 回路などから構成されており、この素子制御回路に設定出力データを送る手段と しては、マイクロコンピュータが設定出力に基づいて内部のメモリを参照し、設 定出力ごとに格納されているデータを素子制御回路に送る方法がとられている。

【０００３】

【考案が解決しようとする課題】

しかし、この方法では設定出力データはマイクロコンピュータ内のマスクＲＯ Ｍに格納されているため、昇圧トランス４、共振用コンデンサ５、コンデンサ８ 及びダイオード９ａ、９ｂ等一連の回路構成部品の定数のばらつきの影響により 、製品取纏め中の調整段階で高周波加熱装置個々によって加熱効率などが変わる 場合がある。かかる場合には高周波加熱装置の上記データ値の変更を余儀なくさ れ、マイクロコンピュータの再マスクが必要となるとともにこの再マスクのため に莫大な費用と時間がかかってしまう。

【０００４】

【課題を解決するための手段】

本考案は上記の課題を解決するためになされたものであり、マイクロコンピュ ータに外付けした記憶回路の複数のアドレスに複数の設定出力データ(マグネト ロンの複数の高周波出力値の個々に対応する複数のデータ)を格納しておき、マ グネトロンを所定の出力で作動させるのに必要なデータ(設定出力データ)をマイ クロコンピュータからの信号によってこの記憶回路から出力させ、その出力され たデータに従ってインバータ回路を制御する。

【０００５】

【作用】

このようにすることによって、任意の高周波出力値が設定されたとき、マイク ロコンピュータからはその設定された高周波出力値に対応するアドレス値を記憶 素子に送る。するとこの信号を受信した記憶素子からは送信されたアドレスに格 納された出力データが読み出され、それが素子制御回路にデータ送信される。

【０００６】 データ送信された出力データを受信した素子制御回路は、受信したデータに基 づいてインバータ回路内のスイッチング素子をオンオフさせ、設定された高周波 出力でインバータ回路を動作させる。

【０００７】

【実施例】

以下、本考案の一実施例につき説明する。

【０００８】 図１は本考案の一実施例を示す高周波加熱装置の概略の回路図、図２は同各部 の主な信号やデータの流れを示す図である。

【０００９】 図１において、１はマイクロコンピュータで、後述するインバータ回路の動作 を制御するために、同様後述する記憶回路を能動状態にしてそこに格納されたデ ータ群の中から所定の高周波出力(マグネトロンの動作出力)を発生させるのに必 要な設定出力データを出力させるほか、その設定出力データに基づいてインバー タ回路のスイッチング素子をオンオフ制御するものである。

【００１０】 ２は前述した記憶回路であり、２ａはこの記憶回路２に内蔵されている記憶素 子である。この記憶素子２ａはその複数のアドレスに複数の設定出力データ(マ グネトロンの複数の高周波出力値の個々に対応する複数のデータ)Ｄ０〜Ｄ７を 格納し、前述のマイクロコンピュータ１からのチップセレクト信号ＣＳによって 能動状態にされるとともにアドレス信号Ａ０〜Ａ１６が入力された時に該当する アドレスに格納されている設定出力データＤ０〜Ｄ７をの中の所定のデータを出 力するものである。

【００１１】 そして２ｂはフリップフロップで、前述の記憶素子２ａの出力を読み込んで保 持するとともにマイクロコンピュータ１からラッチパルス信号Ｓが入力された時 にその保持しているデータを出力するものである。

【００１２】 ３は後述するインバータ回路のスイッチング素子をオンオフ制御する素子制御 回路で、マイクロコンピュータ１からの起動／停止信号Ｐの入力と前述フリップ フロップ２ｂからの設定出力データに従って動作するものである。

【００１３】 ４は全波整流回路５、高圧トランス６、コンデンサ７、ダイオード８、及びス イッチング素子９等にて構成されたインバータ回路で、前述素子制御回路３を介 してマイクロコンピュータ１に接続されている。

【００１４】 １０はマグネトロン駆動回路で、前述高圧トランス６を介してインバータ回路 ４に接続し、高周波電圧を供給されるものである。そして１１はこの駆動回路１ ０によって駆動されるマグネトロンである。

【００１５】 次に本考案一実施例の動作を説明する。

【００１６】 動作の一例としては、マグネトロンの動作出力を当初５００Ｗで開始させたあ と、途中から３００Ｗに低下させる場合を説明する。

【００１７】 いま図２に示すごとく、マグネトロン１１を高周波出力５００Ｗで動作させる ために、マイクロコンピュータ１は記憶回路２の記憶素子２ａに対してチップセ レクト信号ＣＳを出力して記憶素子２ａを起動状態にするとともに５００Ｗ出力 に対応するアドレス信号Ａ０〜Ａ１６として５Ｈを送って設定出力データ９０Ｈ を出力させ、フリップフロップ２ｂに保持させる。その際マイクロコンピュータ １は起動／停止信号ＰをＨｉｇｈにして素子制御回路３を起動状態にし、さらに フリップフロップ２ｂに対してラッチパルス信号Ｓを出力し、フリップフロップ ２ｂの保持する設定出力データを吐き出させ、素子制御回路３をその設定出力デ ータに基づいて動作させる。それにより、インバータ回路４のスイッチング素子 ９は制御され、結果として高圧トランス６の二次側のマグネトロン１１を所定の 出力で動作させる。

【００１８】 その後マグネトロン出力を３００Ｗに低下させて動作させる場合は、マイクロ コンピュータ１は記憶素子２ａから出力３００Ｗに対応する設定出力データを吐 き出させるために、アドレス信号を３Ｈに変更して記憶素子２ａに出力し、かつ ラッチパルス信号Ｓを出力して、記憶回路２から３００Ｗのための設定出力デー タ６４Ｈを素子制御回路３へ出力させる。するとこれによってそれまで５００Ｗ で制御されていた高周波出力は３００Ｗに切り替えられて動作を継続することに なる。

【００１９】

【考案の効果】

以上のように本考案によれば、記憶回路に格納したデータに基づいてマグネト ロンの高周波出力を制御するので、記憶回路の設定内容さえ変更すれば、つまり 記憶素子を差し替えるだけで、加熱効率他の特性の異なる機種へ同一のインバー タ回路を適用して所定の性能を発揮させることが出来、インバータ回路の共用化 をスムースに推進出来る利点がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の一実施例を示す高周波加熱装置の回路
図を示す。

【図２】同各部の主な信号、データの流れを示す図であ
る。

【符号の説明】

１ マイクロコンピュータ ２ 記憶回路 ２ａ 記憶素子 ３ 素子制御回路 ４ インバータ回路 ９ スイッチング素子 １０ マグネトロン駆動回路 １１ マグネトロン

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 マイクロコンピュータ(１)と、このマイ
   クロコンピュータの指示に従って起動状態になるととも
   に指定されたアドレスに格納されたマグネトロン動作出
   力に関するデータを指定された時点に出力する記憶回路
   (２)と、前記マイクロコンピュータの指示に従って起動
   状態になるとともに前記記憶回路からのマグネトロン動
   作出力に関するデータを入力して動作する素子制御回路
   (３)と、この素子制御回路により制御されるスイッチン
   グ素子(９)によって構成されるインバータ回路(４)と、
   このインバータ回路に接続して駆動されるマグネトロン
   駆動回路(１０)と、そしてこのマグネトロン駆動回路
   (１０)に接続したマグネトロン(１１)とでなる高周波加
   熱装置。