JP2586688B2 - ガラス―金属複合物の電気めっき方法 - Google Patents
ガラス―金属複合物の電気めっき方法Info
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- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
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- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/60—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of tin
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、鉛ガラスを有するガラス−金属複合物に錫
−鉛合金めっき皮膜を形成する電気めっき方法に関す
る。
−鉛合金めっき皮膜を形成する電気めっき方法に関す
る。
従来、錫めっき浴、鉛めっき浴或いは錫や鉛の合金め
っき浴としては、硫酸浴、アルカンスルホン酸浴、アル
カノールスルホン酸浴、ホウフッ酸浴、フェノールスル
ホン酸浴等のめっき浴が知られており、各種電気・電子
部品のめっきに使用されている。
っき浴としては、硫酸浴、アルカンスルホン酸浴、アル
カノールスルホン酸浴、ホウフッ酸浴、フェノールスル
ホン酸浴等のめっき浴が知られており、各種電気・電子
部品のめっきに使用されている。
しかし、アルカンスルホン酸浴、アルカノールスルホ
ン酸浴、ホウフッ酸浴、フェノールスルホン酸浴は、低
融点ガラス封止サーディップ型ICパッケージ等の低融点
鉛ガラスを有するガラス−金属複合物に対するめっきに
使用した場合、低融点鉛ガラスを侵食したり、低融点鉛
ガラス上に錫や半田（錫−鉛合金）めっき皮膜が析出
し、めっきブリッジが起こるといった問題がある。ま
た、これらの酸性浴に限らず、中性浴を用いた場合も鉛
ガラスを侵食し、ガラス上にめっき皮膜が析出するとい
う問題を生じさせることがある。
ン酸浴、ホウフッ酸浴、フェノールスルホン酸浴は、低
融点ガラス封止サーディップ型ICパッケージ等の低融点
鉛ガラスを有するガラス−金属複合物に対するめっきに
使用した場合、低融点鉛ガラスを侵食したり、低融点鉛
ガラス上に錫や半田（錫−鉛合金）めっき皮膜が析出
し、めっきブリッジが起こるといった問題がある。ま
た、これらの酸性浴に限らず、中性浴を用いた場合も鉛
ガラスを侵食し、ガラス上にめっき皮膜が析出するとい
う問題を生じさせることがある。
これに対し、硫酸浴は鉛ガラスを殆んど侵食せず、か
つ鉛ガラス上にめっき皮膜が析出することも殆んどない
ので、鉛ガラスを有するガラス−金属複合物のめっきに
有効に使用されている。しかしながら、硫酸浴は、硫酸
錫浴として錫めっきに対しては適用可能であるが、半田
めっきには適用できない（通常の硫酸錫浴に硫酸鉛を添
加しても良好な半田めっきはできない）。このため、低
融点ガラス封止サーディップ型ICパッケージ等の鉛ガラ
スを有するガラス−金属複合物には良好な半田めっきを
行うことが困難で、半田めっき皮膜の代わりに硫酸錫め
っき浴を用いて錫めっき皮膜を形成しているが、錫めっ
き皮膜にはウイスカー発生の問題があり、電気・電子部
品に適用した場合にはウイスカーによる短絡のおそれが
ある。
つ鉛ガラス上にめっき皮膜が析出することも殆んどない
ので、鉛ガラスを有するガラス−金属複合物のめっきに
有効に使用されている。しかしながら、硫酸浴は、硫酸
錫浴として錫めっきに対しては適用可能であるが、半田
めっきには適用できない（通常の硫酸錫浴に硫酸鉛を添
加しても良好な半田めっきはできない）。このため、低
融点ガラス封止サーディップ型ICパッケージ等の鉛ガラ
スを有するガラス−金属複合物には良好な半田めっきを
行うことが困難で、半田めっき皮膜の代わりに硫酸錫め
っき浴を用いて錫めっき皮膜を形成しているが、錫めっ
き皮膜にはウイスカー発生の問題があり、電気・電子部
品に適用した場合にはウイスカーによる短絡のおそれが
ある。
更に、上述した硫酸浴等のめっき浴は、いずれも強酸
浴であるため、めっき装置、めっき素材等を強く侵食す
るおそれがあり、また作業中に強酸のミストが発生して
作業環境を悪くするといった問題を有する。
浴であるため、めっき装置、めっき素材等を強く侵食す
るおそれがあり、また作業中に強酸のミストが発生して
作業環境を悪くするといった問題を有する。
このため、鉛ガラスを有するガラス−金属複合物に対
し、良好な半田めっきを施すことができ、しかもめっき
装置等の腐食が少なく、作業性が良好なガラス−金属複
合物の電気めっき方法が望まれている。
し、良好な半田めっきを施すことができ、しかもめっき
装置等の腐食が少なく、作業性が良好なガラス−金属複
合物の電気めっき方法が望まれている。
本発明者らは上記要望に応えるため鋭意検討を行った
結果、錫イオン及び鉛イオンと、硫酸イオンとを含むめ
っき浴にトリポリリン酸、テトラポリリン酸、ポリリン
酸、メタリン酸、ヘキサメタリン酸及びウルトラリン酸
から選ばれる重合度３以上の縮合リン酸イオンを含有さ
せた場合、めっき浴がpH1〜４で安定であると共に、こ
のめっき浴を使用して鉛ガラスを有するガラス−金属複
合物のめっきを行った場合、鉛ガラスを侵食することが
なく、かつ鉛ガラス上にめっき皮膜が析出することもな
く、該複合物の金属上に錫−鉛合金めっきを良好に施す
ことができることを見い出した。この場合、従来の縮合
リン酸イオンを含まない硫酸浴では錫イオンと鉛イオン
とを共存させると鉛が溶解せずに沈殿を引き起こすとい
う現象が生じ、良好な錫−鉛合金めっきが行われないも
のであるが、本発明浴ではかかる従来の硫酸浴の如き問
題が生じることなく、縮合リン酸イオンの添加により鉛
が可溶化し、良好な錫−鉛合金めっきを施すことがで
き、またこの場合錫イオンと鉛イオンとの割合を種々変
えることにより、それに応じた合金比率の錫−鉛合金め
っき皮膜が得られることを知見した。そして、本発明浴
はpHを１以上とし得るので、従来の強酸浴に比較してめ
っき装置等を侵食することも少なく、作業性も改善され
ることを知見し、本発明をなすに至った。
結果、錫イオン及び鉛イオンと、硫酸イオンとを含むめ
っき浴にトリポリリン酸、テトラポリリン酸、ポリリン
酸、メタリン酸、ヘキサメタリン酸及びウルトラリン酸
から選ばれる重合度３以上の縮合リン酸イオンを含有さ
せた場合、めっき浴がpH1〜４で安定であると共に、こ
のめっき浴を使用して鉛ガラスを有するガラス−金属複
合物のめっきを行った場合、鉛ガラスを侵食することが
なく、かつ鉛ガラス上にめっき皮膜が析出することもな
く、該複合物の金属上に錫−鉛合金めっきを良好に施す
ことができることを見い出した。この場合、従来の縮合
リン酸イオンを含まない硫酸浴では錫イオンと鉛イオン
とを共存させると鉛が溶解せずに沈殿を引き起こすとい
う現象が生じ、良好な錫−鉛合金めっきが行われないも
のであるが、本発明浴ではかかる従来の硫酸浴の如き問
題が生じることなく、縮合リン酸イオンの添加により鉛
が可溶化し、良好な錫−鉛合金めっきを施すことがで
き、またこの場合錫イオンと鉛イオンとの割合を種々変
えることにより、それに応じた合金比率の錫−鉛合金め
っき皮膜が得られることを知見した。そして、本発明浴
はpHを１以上とし得るので、従来の強酸浴に比較してめ
っき装置等を侵食することも少なく、作業性も改善され
ることを知見し、本発明をなすに至った。
なお、硫酸イオンが鉛ガラスを有するガラス−金属複
合物のめっきに有効である理由は、明確ではないが、鉛
ガラス中のPb2+にSO4 2-が反応して不溶なPbSO4を形成
し、鉛ガラスの侵食を防止するためであると思われる。
合物のめっきに有効である理由は、明確ではないが、鉛
ガラス中のPb2+にSO4 2-が反応して不溶なPbSO4を形成
し、鉛ガラスの侵食を防止するためであると思われる。
従って、本発明は、錫イオン１〜100g/、鉛イオン
１〜80g/、硫酸イオン10〜200g/、トリポリリン
酸、テトラポリリン酸、ポリリン酸、メタリン酸、ヘキ
サメタリン酸及びウルトラリン酸から選ばれる縮合リン
酸イオン５〜400g/を含有し、pHが１〜４である錫−
鉛合金電気めっき浴を用いて鉛ガラスを有するガラス−
金属複合物の該金属に錫−鉛合金電気めっきを施すこと
を特徴とするガラス−金属複合物の電気めっき方法を提
供するものである。
１〜80g/、硫酸イオン10〜200g/、トリポリリン
酸、テトラポリリン酸、ポリリン酸、メタリン酸、ヘキ
サメタリン酸及びウルトラリン酸から選ばれる縮合リン
酸イオン５〜400g/を含有し、pHが１〜４である錫−
鉛合金電気めっき浴を用いて鉛ガラスを有するガラス−
金属複合物の該金属に錫−鉛合金電気めっきを施すこと
を特徴とするガラス−金属複合物の電気めっき方法を提
供するものである。
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明のめっき浴は、金属イオンとして錫イオン及び
鉛イオンを含有する。この場合、錫イオンは２価でも４
価でもよいが、２価であることが好ましい。
鉛イオンを含有する。この場合、錫イオンは２価でも４
価でもよいが、２価であることが好ましい。
これらの錫イオン、鉛イオンは、硫酸錫（鉛）、アル
カンスルホン酸錫（鉛）、アルカノールスルホン酸錫
（鉛）、フェノールスルホン酸錫（鉛）、酸化錫
（鉛）、更に炭酸鉛等の錫化合物、鉛化合物として供給
されるが、これらの中では硫酸錫、酸化第１錫、硫酸
鉛、酸化鉛、炭酸鉛、アルカンスルホン酸鉛が好適に用
いられる。
カンスルホン酸錫（鉛）、アルカノールスルホン酸錫
（鉛）、フェノールスルホン酸錫（鉛）、酸化錫
（鉛）、更に炭酸鉛等の錫化合物、鉛化合物として供給
されるが、これらの中では硫酸錫、酸化第１錫、硫酸
鉛、酸化鉛、炭酸鉛、アルカンスルホン酸鉛が好適に用
いられる。
上記金属イオンの濃度は錫イオン１〜100g/、特に
４〜35g/、鉛イオン１〜80g/、特に１〜20g/とす
ることが好ましい。本発明によれば、錫、鉛イオン比率
を変えることにより錫：鉛比で95:5、9:1、8:2、7:3、
6:4、更に1:9など、いずれの合金比の皮膜を形成するこ
ともできる。
４〜35g/、鉛イオン１〜80g/、特に１〜20g/とす
ることが好ましい。本発明によれば、錫、鉛イオン比率
を変えることにより錫：鉛比で95:5、9:1、8:2、7:3、
6:4、更に1:9など、いずれの合金比の皮膜を形成するこ
ともできる。
また、本発明のめっき浴は、硫酸イオンを含むが、必
要に応じ硫酸イオンに加えて、更に後述する縮合リン酸
イオン、他のアニオン、例えばアルカンスルホン酸イオ
ン、アルカノールスルホン酸イオン、フェノールスルホ
ン酸イオン、スルファミン酸イオン等を含んでもよい。
要に応じ硫酸イオンに加えて、更に後述する縮合リン酸
イオン、他のアニオン、例えばアルカンスルホン酸イオ
ン、アルカノールスルホン酸イオン、フェノールスルホ
ン酸イオン、スルファミン酸イオン等を含んでもよい。
これらのアニオンはめっき浴に導電性を与えるもので
あるが、硫酸イオン濃度は10〜200g/、より好ましく
は10〜100g/であり、これに他のアニオンを添加する
場合、他のアニオンの濃度は０〜100g/、特に０〜50g
/とすることが好ましい。しかし、鉛ガラスを有する
ガラス−金属複合物のめっきには、上述した他のアニオ
ンの濃度は、硫酸イオン濃度の1/10以下であることが、
鉛ガラスの侵食、鉛ガラス上へのめっき付着の点から推
奨される。
あるが、硫酸イオン濃度は10〜200g/、より好ましく
は10〜100g/であり、これに他のアニオンを添加する
場合、他のアニオンの濃度は０〜100g/、特に０〜50g
/とすることが好ましい。しかし、鉛ガラスを有する
ガラス−金属複合物のめっきには、上述した他のアニオ
ンの濃度は、硫酸イオン濃度の1/10以下であることが、
鉛ガラスの侵食、鉛ガラス上へのめっき付着の点から推
奨される。
なお、上記硫酸イオン等のアニオンの対イオンとなる
カチオンとしては、Sn2+,Sn4+,Pb2+,Na+,K+,Li+,NH4 +,M
g2+,Al3+等が挙げられる。この場合、Sn2+,Sn4+,Pb2+は
同時に上記金属イオンの供給源となるが、上記アニオン
は上記金属イオン濃度１モルに対しこれと等モル以上、
特に２モル以上の濃度で使用することが望ましいので、
上記アニオンの対イオンとしてSn2+,Sn4+,Pb2+を用いた
場合は更に他のカチオンとして対イオンに使用したアニ
オンを添加することが好ましい。
カチオンとしては、Sn2+,Sn4+,Pb2+,Na+,K+,Li+,NH4 +,M
g2+,Al3+等が挙げられる。この場合、Sn2+,Sn4+,Pb2+は
同時に上記金属イオンの供給源となるが、上記アニオン
は上記金属イオン濃度１モルに対しこれと等モル以上、
特に２モル以上の濃度で使用することが望ましいので、
上記アニオンの対イオンとしてSn2+,Sn4+,Pb2+を用いた
場合は更に他のカチオンとして対イオンに使用したアニ
オンを添加することが好ましい。
更に、本発明のめっき浴は縮合リン酸イオンを含有す
る。この縮合リン酸イオンは上記錫イオン及び鉛イオン
の錯化剤として作用し、特に上述したように通常の硫酸
錫浴に硫酸鉛を添加しても良好な錫−鉛合金めっきを行
うことができないものであるにも拘らず、この縮合リン
酸イオンを共存させることによって良好な錫−鉛合金め
っきを可能とするものである。
る。この縮合リン酸イオンは上記錫イオン及び鉛イオン
の錯化剤として作用し、特に上述したように通常の硫酸
錫浴に硫酸鉛を添加しても良好な錫−鉛合金めっきを行
うことができないものであるにも拘らず、この縮合リン
酸イオンを共存させることによって良好な錫−鉛合金め
っきを可能とするものである。
縮合リン酸イオンは、縮合リン酸又はその塩として供
給されるが、縮合リン酸としてはトリポリリン酸、テト
ラポリリン酸、ポリリン酸、メタリン酸、ヘキサメタリ
ン酸、ウルトラリン酸から選ばれるものが使用され、ま
た縮合リン酸塩としては、Sn2+,Sn4+,Pb2+,Na+,K+,Li+,
NH4 +,Mg2+,Al3+等を対イオンとした塩が好ましく用いら
れる。この場合、Sn2+,Sn4+,Pb2+は同時に上記金属イオ
ンの供給源となるが、縮合リン酸イオンは上記金属イオ
ン濃度１モルに対しこれと等モル以上、特に1.5モル以
上の濃度で使用することが望ましいので、上記縮合リン
酸イオンの対イオンとしてSn2+,Sn4+,Pb2+を用いた場合
は、更に他のカチオンを対イオンに使用した縮合リン酸
イオンを添加することが好ましい。具体的には、縮合リ
ン酸イオンの濃度は５〜400g/、特に10〜200g/とす
ることが好適である。
給されるが、縮合リン酸としてはトリポリリン酸、テト
ラポリリン酸、ポリリン酸、メタリン酸、ヘキサメタリ
ン酸、ウルトラリン酸から選ばれるものが使用され、ま
た縮合リン酸塩としては、Sn2+,Sn4+,Pb2+,Na+,K+,Li+,
NH4 +,Mg2+,Al3+等を対イオンとした塩が好ましく用いら
れる。この場合、Sn2+,Sn4+,Pb2+は同時に上記金属イオ
ンの供給源となるが、縮合リン酸イオンは上記金属イオ
ン濃度１モルに対しこれと等モル以上、特に1.5モル以
上の濃度で使用することが望ましいので、上記縮合リン
酸イオンの対イオンとしてSn2+,Sn4+,Pb2+を用いた場合
は、更に他のカチオンを対イオンに使用した縮合リン酸
イオンを添加することが好ましい。具体的には、縮合リ
ン酸イオンの濃度は５〜400g/、特に10〜200g/とす
ることが好適である。
本発明のめっき浴には、更に必要に応じ、めっき結晶
の微粒子化剤としてポリエチレングリコール、プルロニ
ック型界面活性剤、アルキルアミンのエチレンオキシド
付加物等の非イオン型や陽イオン型界面活性剤、光沢剤
としてアルデヒド類などを添加することができる。更に
Sn2+の酸化防止等のためにピロカテコール、ヒドロキノ
ン、レゾルミン、アスコルビン酸などを添加することが
できる。
の微粒子化剤としてポリエチレングリコール、プルロニ
ック型界面活性剤、アルキルアミンのエチレンオキシド
付加物等の非イオン型や陽イオン型界面活性剤、光沢剤
としてアルデヒド類などを添加することができる。更に
Sn2+の酸化防止等のためにピロカテコール、ヒドロキノ
ン、レゾルミン、アスコルビン酸などを添加することが
できる。
本発明のめっき浴はpHは１〜10、好ましくは１〜４、
より好ましくは1.5〜４である。pHが１より低いと、Pb
2+が溶解しにくく、また強酸浴としての不利が生じる。
なお、pHがあまり高くなると電流効率が低下することが
あるので、電流効率の点からpH4以下の酸性下で使用す
ることが好適である。
より好ましくは1.5〜４である。pHが１より低いと、Pb
2+が溶解しにくく、また強酸浴としての不利が生じる。
なお、pHがあまり高くなると電流効率が低下することが
あるので、電流効率の点からpH4以下の酸性下で使用す
ることが好適である。
本発明のめっき浴は、鉛ガラスを侵すことがなく、か
つ鉛ガラス上にめっき析出を生じさせず、めっきブリッ
ジがないので、鉛ガラスを有するガラス−金属複合物、
例えばガラス封止サーディップ型ICパッケージ、チップ
コンデンサー、チップ抵抗等の錫−鉛合金めっきにこの
錫−鉛合金めっき浴を使用するものである。
つ鉛ガラス上にめっき析出を生じさせず、めっきブリッ
ジがないので、鉛ガラスを有するガラス−金属複合物、
例えばガラス封止サーディップ型ICパッケージ、チップ
コンデンサー、チップ抵抗等の錫−鉛合金めっきにこの
錫−鉛合金めっき浴を使用するものである。
この場合、めっき方法は被めっき物に応じて適宜選定
され、ラックめっき、バレルめっき、更にめっき浴の流
速を上げることにより高速めっきを採用することができ
る。陰極電流密度はめっき方法、撹拌の程度、被めっき
物の形状等に応じて0.01〜100A/dm2の範囲で選定するこ
とができるが、通常0.1〜5A/dm2である。なお、電源と
しては単相半波、単相全波、３相半波、３相全波、完全
直流、パルス電流等が採用し得る。この場合、電流波形
によってめっきは殆んど影響されない。めっき温度は０
〜90℃位が採用可能であるが、10〜60℃が通常である。
また、撹拌はカソードロッキング、ポンプによる液撹
拌、噴流法、更にバレルめっきにおけるバレル回転など
の公知の液撹拌法が採用できる。陽極はめっき金属と同
じ可溶性金属陽極が使用できるほか、カーボン、白金等
の不溶性陽極も必要により使用できる。
され、ラックめっき、バレルめっき、更にめっき浴の流
速を上げることにより高速めっきを採用することができ
る。陰極電流密度はめっき方法、撹拌の程度、被めっき
物の形状等に応じて0.01〜100A/dm2の範囲で選定するこ
とができるが、通常0.1〜5A/dm2である。なお、電源と
しては単相半波、単相全波、３相半波、３相全波、完全
直流、パルス電流等が採用し得る。この場合、電流波形
によってめっきは殆んど影響されない。めっき温度は０
〜90℃位が採用可能であるが、10〜60℃が通常である。
また、撹拌はカソードロッキング、ポンプによる液撹
拌、噴流法、更にバレルめっきにおけるバレル回転など
の公知の液撹拌法が採用できる。陽極はめっき金属と同
じ可溶性金属陽極が使用できるほか、カーボン、白金等
の不溶性陽極も必要により使用できる。
本発明のめっき浴を用い電気めっきを行った場合の陰
極電流効率は約60〜99％程度であり、陽極電流効率は約
90〜100％程度である。
極電流効率は約60〜99％程度であり、陽極電流効率は約
90〜100％程度である。
上記鉛ガラスを有するガラス−金属複合物をめっきす
る場合の前処理としては公知の前処理方法が採用し得
る。例えば、ICパッケージでは42アロイ、コバールのリ
ードを熱封着しているが、これらを活性化するため熱硫
酸で処理するなどの方法が採用し得る。
る場合の前処理としては公知の前処理方法が採用し得
る。例えば、ICパッケージでは42アロイ、コバールのリ
ードを熱封着しているが、これらを活性化するため熱硫
酸で処理するなどの方法が採用し得る。
本発明によれば、鉛ガラスを侵食することなく、かつ
鉛ガラス上にめっき皮膜を形成する不都合なく、種々の
合金比の錫−鉛合金めっきを行うことができる上、本発
明のめっき浴はpH1以上で安定であり、pHが１以上であ
るため従来の強酸浴に比較してめっき装置やめっき素材
等の侵食が少なくなり、また作業環境上も強酸ミストの
発生が少なくなるので良好となり、作業性が改善され
る。
鉛ガラス上にめっき皮膜を形成する不都合なく、種々の
合金比の錫−鉛合金めっきを行うことができる上、本発
明のめっき浴はpH1以上で安定であり、pHが１以上であ
るため従来の強酸浴に比較してめっき装置やめっき素材
等の侵食が少なくなり、また作業環境上も強酸ミストの
発生が少なくなるので良好となり、作業性が改善され
る。
更に、アニオンは硫酸イオンが主体であり、有機スル
ホン酸やスルファミン酸のようなCOD,BOD負荷物を使用
せず或いは使用量を少なくすることができるので、環境
保全上好ましく、しかもめっき浴を低コストにすること
ができる。
ホン酸やスルファミン酸のようなCOD,BOD負荷物を使用
せず或いは使用量を少なくすることができるので、環境
保全上好ましく、しかもめっき浴を低コストにすること
ができる。
以下、実施例を示すが、本発明は下記の実施例に制限
されるものではない。
されるものではない。
〔実施例１〕 下記のめっき浴を用い、下記のめっき条件で低融点ガ
ラス封止サーディップ型ICパッケージに半田めっきを行
った。
ラス封止サーディップ型ICパッケージに半田めっきを行
った。
その結果、ガラス部分にめっきがつくことはなく、リ
ード間の絶縁抵抗を測定したところ、所定の絶縁抵抗
（即ち、半田めっきを行う前と同じ109Ω・cm以上の絶
縁抵抗）を有し、また所定の半田濡れ性（即ち、このパ
ッケージの半田濡れ性として要求されるメニスコグラフ
法によるゼロクロスタイムで0.5秒以内の半田濡れ性）
を有し、このパッケージのめっきとして合格であった。
ード間の絶縁抵抗を測定したところ、所定の絶縁抵抗
（即ち、半田めっきを行う前と同じ109Ω・cm以上の絶
縁抵抗）を有し、また所定の半田濡れ性（即ち、このパ
ッケージの半田濡れ性として要求されるメニスコグラフ
法によるゼロクロスタイムで0.5秒以内の半田濡れ性）
を有し、このパッケージのめっきとして合格であった。
硫酸ナトリウム 100g/ 硫酸第１錫 50 〃 硫酸鉛 10 〃 ポリリン酸 50 〃 タロウアミンにエチレンオキシドを付加した界面活性剤
1 〃 ピロカテコール 2 〃 pH（アンモニア水で調整） 2.0 陰極電流密度 4A/dm2 撹拌 カソードロッキング（4m/分） 液温 30℃ 陽極 Sn:Pb＝9:1 〔実施例２〕 下記のめっき浴を使用した以外は実施例１と同様にし
てめっきを行った。その結果は実施例１と同様に良好で
あった。
1 〃 ピロカテコール 2 〃 pH（アンモニア水で調整） 2.0 陰極電流密度 4A/dm2 撹拌 カソードロッキング（4m/分） 液温 30℃ 陽極 Sn:Pb＝9:1 〔実施例２〕 下記のめっき浴を使用した以外は実施例１と同様にし
てめっきを行った。その結果は実施例１と同様に良好で
あった。
硫酸アンモニウム 100g/ メタンスルホン酸第１錫 50 〃 炭酸鉛 10 〃 ポリリン酸 50 〃 ピロリン酸ナトリウム 100 〃 ノニルフェノールのエチレンオキシド付加物 1 〃 ヒドロキノン 1 〃 pH（硫酸で調整） 2.5 〔実施例３〕 下記のめっき浴を使用した以外は実施例１と同様にし
てめっきを行った。その結果は実施例１と同様に良好で
あった。
てめっきを行った。その結果は実施例１と同様に良好で
あった。
硫酸アンモニウム 75g/ 硫酸第１錫 40 〃 硫酸鉛 20 〃 トリポリリン酸ナトリウム 75 〃 アデカノールPC−13（旭電化製） １ 〃 ベンズアルデヒド 0.1 〃 pH（アンモニア水で調整） 4.0 〔実施例４〕 下記のめっき浴を使用した以外は実施例１と同様にし
てめっきを行った。その結果は実施例１と同様に良好で
あった。
てめっきを行った。その結果は実施例１と同様に良好で
あった。
硫酸カリウム 50 g/ 硫酸第１錫 30 〃 炭酸鉛 30 〃 テトラポリリン酸ナトリウム 30 〃 ラウリルアミンのエチレンオキシド付加物１ 〃 ベンザルアセトン 0.05 〃 pH ７ 〔実施例５〕 実施例１〜４のめっき浴を使用し、ICパッケージの代
わりにチップコンデンサーをバレルめっき法によりめっ
きを行った。その結果、半田濡れ性も良く、良好なめっ
き皮膜が得られた。
わりにチップコンデンサーをバレルめっき法によりめっ
きを行った。その結果、半田濡れ性も良く、良好なめっ
き皮膜が得られた。
〔実施例６〕 実施例１〜４のめっき浴を使用し、但しめっき条件を
下記のものとして実施例１と同様のめっきを行った。そ
の結果は実施例１と同様に良好であった。
下記のものとして実施例１と同様のめっきを行った。そ
の結果は実施例１と同様に良好であった。
陰極電流密度 2A/dm2 撹拌 カソードロッキング（1cm/分） 液温 20℃ 陰極 白金めっきチタン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特公 昭59−15993（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭61−14240（ＪＰ，Ｂ２) 特公 平１−14319（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭62−19519（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (2)
- 【請求項１】錫イオン１〜100g/、鉛イオン１〜80g/
、硫酸イオン10〜200g/、トリポリリン酸、テトラ
ポリリン酸、ポリリン酸、メタリン酸、ヘキサメタリン
酸及びウルトラリン酸から選ばれる縮合リン酸イオン５
〜400g/を含有し、pHが１〜４である錫−鉛合金電気
めっき浴を用いて鉛ガラスを有するガラス−金属複合物
の該金属に錫−鉛合金電気めっきを施すことを特徴とす
るガラス−金属複合物の電気めっき方法。 - 【請求項２】電気めっきを陰極電流密度0.1〜5A/dm2、
温度10〜60℃において撹拌下に行う請求項１記載の電気
めっき方法。
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|---|---|---|---|
| JP2117078A JP2586688B2 (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 | ガラス―金属複合物の電気めっき方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2117078A JP2586688B2 (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 | ガラス―金属複合物の電気めっき方法 |
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- 1990-05-07 JP JP2117078A patent/JP2586688B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
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- 1991-04-12 US US07/684,321 patent/US5185076A/en not_active Expired - Fee Related
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