JPS6114240A - 線状低密度ポリエチレン樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は線状低密度ポリエチレン樹脂組成物に関し、詳
しくは高温加工時における黄変や熱劣化の防止された線
状低密度ポリエチレン樹脂組成物に関する。

線状低密度ポリエチレンは機械的特性にすくれているた
め、各種分野、とりわけ包装用資材の分野での使用が期
待されている。

しかしながら、この線状低密度ポリエチレンは、押出成
形、射出成形、中空成形などの高温加工時に黄変や熱劣
化を起こすという問題がある。このため、これを解決す
るものとして、線状低密度ポリエチレンにリン系化合物
を配合することが提案されているが、未だ十分に満足し
うるちのは得られていない。

本発明者らは、上記従来の問題点を解消すべく種々検討
を重ねた結果、特定のリン化合物と分子量が４００以上
のフェノール系酸化防止剤を併用することにより、高温
加工時における黄変や熱劣化が防止され、しかも安定し
て成形加工しうる線状低密度ポリエチレン樹脂組成物が
得られることを見出し、本発明を完成するに到った。

すなわち本発明は、線状低密度ポリエチレンに、ホスフ
ァイト、ホスホナイトおよびホスホン！２誘導体よりな
る群から選ばれた少なくとも１種のリン化合物および分
子量が４００以上のフェノール系酸化防止剤を配合して
なる線状低密度ポリエチレン樹脂組成物を提供するもの
である。

ここで線状低密度ポリエチレンはいわゆるＬ　Ｌ　Ｄ−
Ｐ　Ｅと称されるもので、エチレンと少量（０，２〜２
０モル％程度）の他のα−オレフィン（プロピレン、ブ
テン−１，ペンテン−１，ヘキセン−１，４−メチルペ
ンテン−１１，オクテン−１、デセン−１など）とを、
従来の高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）の製造の際の条
件と類似の条件下で共重合することにより製造されるも
のである。この線状低密度ポリエチレンの密度は一般に
０．９１０〜０．９６０ｇ／■３であり、鎖中の炭素原
子１０００個中に１〜６０個の短脂肪旅分岐を含有する
ものである。またメルトインデックス（ＭＵは一般に０
．０５〜１５０ｇ／１０分のものである。

上記線状低密度ポリエチレンに配合する第１の成分は、
ホスファイト、ホスホナイトおよびホスホン酸誘導体よ
りなる群から選ばれた少なくとも１種のリン化合物であ
る。

ここでホスファイトとしては様々なものが挙げられ、例
えばトリフェニルホスファイト；ジフェニルホスファイ
ト；ジデシルフェニルホスファイト；トリデシルホスフ
ァイト；トリオクチルホスファイト；トリドデシルホス
ファイト；トリオクタデシルホスファイト；トリノニル
フェニルホスファイト；トリドデシルトリチオホスファ
イト；ジステアリルペンタエリスリトールジホスファイ
トｉ４，４’−ブチリデンビス（３−メチル−６−１−
ブチルフェニルジトリデシル）ホスファイト；トリス（
２，４ジーｔ−ブチルフェニル）ホスファイト；ビス（
２，４ジーｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトール
ジホスファイトなどの他、炭素数１２〜１５のアルキル
基を有する４゜４′−イソプロピリデンジフェニルテト
ラアルキルジホスファイトなどを挙げることができる。

よえ２．、．８オケ９１よ、７．よヶえ。、ヶ１．やユ
　　　　°”（２，４−ジアルキルフェニル）−４，４
’−ビフェニレンジホスホナイトなどを挙げることがで
きる。なお、ここでアルキル基は炭素数１〜３゜のもの
である。これらの中でも特にテトラキス（２，４−ジ−
ｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビフェニレンジホス
ホナイトが好ましい。

さらに、ホスホン酸誘導体は一般式 で表わされるものである。式中、ＲＪ　は水素、金属お
よび炭素数１〜２２の直鎖または分岐アルキル基のいず
れかを示し、Ｈｚは炭素数１〜６の低級アルキル基、好
ましくは第三ブチル基を示している。具体的には例えば
、４−ヒドロキシ−３゜５−ジ−ｔ−ブチルベンジルホ
スホン酸；〇−エ　−チル−（４−ヒドロキシ−３，５
−ジ−ｔ−ブチルベンジル）ホスホン酸；０−（２−エ
チルヘキシル）−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−
ブチルベンジル）ホスホン酸；０−エチル−（４−ヒド
ロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルベンジル）ホスホン酸
；０−エチル−（４−ヒドロキシ−３゜５−ｔ−プチル
ベゾジル）ホスホン酸のカルシウム塩などを挙げること
ができる。

本発明においては上記ホスファイト、ホスホナイトおよ
びホスホン酸誘導体よりなる群から選ばれた少なくとも
１種のリン化合物を第１の成分として、上記線状低密度
ポリエチレンに配合する。

なお、該リン化合物の配合割合は、線状低密度ポリエチ
レンｌＯＯ重量部に対して０．０１〜１．０重量部であ
る。ここで該リン化合物の配合割合が０．０１重量部未
満であると、得られる組成物の分子量が低下し、高温加
工時における黄変を十分に防止することができない。一
方、該リン化合物を１．０重量部を超えて配合しても分
子量の低下や黄変に対する効果は改善されず、逆に多量
配合によるブリードアウト等の品質低下を惹き起こすの
で好ましくない。

次に本発明において、前記線状低密度ポリエチレンに配
合する第２の成分は、フェノール系酸化防止剤であり、
分子量が４００以上、好ましくは４００〜５０００のも
のである。ここで分子量４００未満のフェノール系酸化
防止剤を配合すると高温加工時における黄色度が増加し
、品質の低下を惹き起こすので好ましくない。ここで分
子量が４００以上のフェノール系酸化防止剤としては様
々のものが挙げられ、例えばオクタデシル３−（３，５
−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオ
ネート；ペンタエリスリチル−テトラキス（３−（３，
５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピ
オネート）；１，３゜５−トリメチル−２，’４．６−
）リス（３，５−シーｔ−フチルー４−ヒドロキシヘン
シル）ベンゼン；１，３．５−）リス−〔エチレン−５
−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル
）プロピオネート）−３−）リアジン−２゜４．６−（
ＩＨ，３Ｈ，５Ｈ））リオン；１，１゜３−トリス（２
−メチル−４−ヒドロキシ−３−ｔ−ブチルフェノール
ブタン、４．４’−メチレン−ビス（２，６−ジーｔ−
ブチルフェノール）；ヘキサメチレングリコール−ビス
〔β−（３゜５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェ
ノール）プロピオネート）；６−（４−ヒドロキシ−３
゜５−ジ−ｔ−ブチルアニリノ）−２，４−ビス−オク
チル−チオ−ｊ、　　３．　５−）リアゾール；２゜２
′−チオ〔ジエチル−ビス−３（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフェノール）プロピオネート）；２
．２’−メチレン−ビス（４−メチル−６−ｔ−ノニル
フェノール）ｉ２，６−ビス−（２′−ヒドロキシ−３
′−ｔ−ブチル−５−メチルベンゾイル）−４−メチル
フェノール；トリス〔β−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−
４−ヒドロキシフェニル）プロピオニル−オキシエチル
〕イツウアＸｔｚ−）２．（、！：’□。。よヵ、７１
３ゎ　　　　　　　　へらを単独で若しくは混合して用
いることができる。

該フェノール系酸化防止剤の配合割合は、線状低密度ポ
リエチレン１００重量部に対して０．０１〜１．０重量
部である。ここで該フェノール系酸化防止剤の配合割合
が０．０１重量部未満であると、得られる組成物の分子
量が低下し、高温加工時における黄変を十分に防止する
ことができない。一方、該フェノール系酸化防止剤を１
．０重量部を超えて配合しても、分子量の低下や黄変に
対する効果は改善きれず、逆に多量配合によるブリード
アウト等の品質低下を惹き起こすので好ましくない。

本発明の樹脂組成物は上記３成分よりなるものであるが
、さらに必要によりステアリン酸カルシウム、ステアリ
ン酸亜鉛等の金属酸化物；帯電防止剤；耐候剤；発泡剤
；顔料等の他の添加剤を配合してもよい。

本発明の樹脂組成物は上記各成分の所定量を配合し、乾
湿・融混併用法、多段溶融混合法、単純溶融混合法等に
より充分に混練することによって得ることができる。な
お、混練はバンバリーミキサ−、コニーダー、押出機、
二軸混練機等を用いて行なうことができる。

このようにして得られる本発明の樹脂組成物は押出成形
、射出成形、中空成形など各種成形法により適宜形状に
成形して用いられる。

畝上の如き本発明の樹脂組成物によれば、押出成形、射
出成形、中空成形などの高温加工時における黄変を充分
に防止することができ、商品価値を低減せしめるなどの
問題を生ずるおそれがない。

しかも、本発明の樹脂組成物によれば、高温加工時にお
ける熱劣化を充分に防止することができ、高温加工を繰
返しても粘度等が著しく変化するおそれがない。したが
って、本発明の樹脂組成物によれば安定して成形加工す
ることができる。

それ故、本発明の樹脂組成物は包装用資材、フィルムな
どとして有効に利用することができる。

次に、・本発明の実施例を示す。

実施例１〜８および比較例１〜４ 縁状低密度ポリエチレン（密度０．９２０　ｇ　／　ｃ
ｍ”。

ＭＩ５ｇ／１０分のエチレン′−オクテンー１共重合体
；分岐数１４）１００重量部に、第１表に示ずリン化合
物、フェノール系酸化防止剤の所定量およびステアリン
酸カルシウム０．１０重量部を配合し、押出機を用いて
１８０℃の温度で造粒した。

得られたベレットを押出機を用いて２８０℃の温度で５
回造粒を繰返した。

繰返し前後のベレットからそれぞれ２鰭厚のシートを作
製し、黄色度（Ｙ、１．）を測定しくＪＩＳ　　Ｋ７１
０３に準拠）、その変化を△Ｙ。

１、とじて表示した。

また、５回造粒を繰返した後のＭＩを測定しくＪＩＳ　
　Ｋ６７６０に準１祇）、上記線状低密度ポリエチレン
のＭｌ　　（５ｇ／１０分）の値との差をΔＭ１として
表示した。

結果を第１表に示す。

注） Ｐ−１：　テトラキス−（２，４−ジーを一ブチルフェ
ニル）４．４’−ビフ ェニレン・ジホスホナイト Ｐ−２：　　４．４’−ブチリデンビス−（３−メチル
−６−ｔ−ブチルフェニ ルジトリデシル）ホスファイト Ｐ−３：　ジステアリルペンタエリスリ１−一ルジホス
ファイト Ｐ−４＝　ビス＝（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）
ペンタエリスリトー／Ｌ／ ジホスファイト Ｐ−５：、ｌリス−（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル
）ホスファイト Ｐ−６：　　０−工゛チル−（４−ヒドロキシ−３，５
−ｔ−ブチルベンジル）ホ スホン酸のカルシウム塩 Ａ−１：　オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフ ェニル）プロピオネート・・分子 量５３１ Ａ−２：　ペンタエリスリチル−テトラキス（３−（３
，５−ジ−ｔ−ブチル −４−ヒドロキシフェニル）プロ ビオネート〕　・・分子量１１７８ Ａ−３：　　１，３．５−）リスチル−２，４゜６−ト
リス（３，５−ジーｔ−ブ チル−４−ヒドロキシベンジル） ベンゼン・・分子量７７５ Ａ−４：　上記Ａ−１とＡ−２を１対２の割合で混合し
たもの゛ Ａ−５７１，３，５−）リス〔エチレン＝３−．（３，
５−ジーｔ−ブチルー ツクドロキシフェニル）プロピオ ネートツー８−トリアジン−２゜ ４、６−、（ＩＨ，３Ｈ，５Ｈ）　） リオン・・分子量１０４０ Ａ−６−：　　２，６−ジーｔ−ブチル−パラクレゾー
ル・・分子量２２０ Ａ−７：　　２；２’−メチレンビス（４−メチル−６
−ｔ−ブチルフェノール） ・・分子星３４０

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）線状低密度ポリエチレンに、ホスファイト、ホス
   ホナイトおよびホスホン酸誘導体よりなる群から選ばれ
   た少なくとも１種のリン化合物および分子量が４００以
   上のフェノール系酸化防止剤を配合してなる線状低密度
   ポリエチレン樹脂組成物。
2. （２）線状低密度ポリエチレン１００重量部に、ホスフ
   ァイト、ホスホナイトおよびホスホン酸誘導体よりなる
   群から選ばれた少なくとも１種のリン化合物０．０１〜
   １．０重量部および分子量が４００以上のフェノール系
   酸化防止剤０．０１〜１．０重量部を配合してなる特許
   請求の範囲第１項記載の組成物。