JP2582338Y2 - サーミスタ装置 - Google Patents
サーミスタ装置Info
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- JP2582338Y2 JP2582338Y2 JP1993014844U JP1484493U JP2582338Y2 JP 2582338 Y2 JP2582338 Y2 JP 2582338Y2 JP 1993014844 U JP1993014844 U JP 1993014844U JP 1484493 U JP1484493 U JP 1484493U JP 2582338 Y2 JP2582338 Y2 JP 2582338Y2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
- H01C1/1406—Terminals or electrodes formed on resistive elements having positive temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/01—Mounting; Supporting
- H01C1/014—Mounting; Supporting the resistor being suspended between and being supported by two supporting sections
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、一対のばね端子により
サーミスタ素子を弾力挟持してなる構造を有するサーミ
スタ装置に関し、特に、異常の際のサーミスタ素子の破
壊に起因する事故を防止する構造を備えたサーミスタ装
置に関する。
サーミスタ素子を弾力挟持してなる構造を有するサーミ
スタ装置に関し、特に、異常の際のサーミスタ素子の破
壊に起因する事故を防止する構造を備えたサーミスタ装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は、公知の電子部品の一例として、
正特性サーミスタ（以下、ＰＴＣ）装置を示す断面図で
ある。ＰＴＣ装置１では、上方が開口されたケース本体
２ａと、該開口を閉成する蓋材２ｂとにより構成された
合成樹脂製のケース２内にＰＴＣ素子３が収納されてい
る。ＰＴＣ素子３は、板材のサーミスタ素体３ａの両主
面に電極３ｂ，３ｃを形成した構造を有する。
正特性サーミスタ（以下、ＰＴＣ）装置を示す断面図で
ある。ＰＴＣ装置１では、上方が開口されたケース本体
２ａと、該開口を閉成する蓋材２ｂとにより構成された
合成樹脂製のケース２内にＰＴＣ素子３が収納されてい
る。ＰＴＣ素子３は、板材のサーミスタ素体３ａの両主
面に電極３ｂ，３ｃを形成した構造を有する。
【０００３】電極３ｂ，３ｃには、ばね端子４，５の弾
性部４ａ，５ａが接触することにより、ばね端子４，５
が電気的に接続されている。ばね端子４，５は、弾性部
４ａ，５ａにより、上記電極３ｂ，３ｃに電気的に接続
されているだけでなく、図示のように両主面側からＰＴ
Ｃ素子３を弾力挟持し、ＰＴＣ素子３をケース２内に所
定の位置に位置決めしている。この構造では、弾性部４
ａ，５ａの電極３ｂ，３ｃに接触している部分、すなわ
ち接点部４ｂ，５ｂは、ＰＴＣ素子を介して対向してい
る。
性部４ａ，５ａが接触することにより、ばね端子４，５
が電気的に接続されている。ばね端子４，５は、弾性部
４ａ，５ａにより、上記電極３ｂ，３ｃに電気的に接続
されているだけでなく、図示のように両主面側からＰＴ
Ｃ素子３を弾力挟持し、ＰＴＣ素子３をケース２内に所
定の位置に位置決めしている。この構造では、弾性部４
ａ，５ａの電極３ｂ，３ｃに接触している部分、すなわ
ち接点部４ｂ，５ｂは、ＰＴＣ素子を介して対向してい
る。
【０００４】
【考案が解決しようとする課題】しかしながら、ＰＴＣ
装置１では、何らかの事情により定格電圧を超える異常
電圧がＰＴＣ素子３に印加されることがある。あるい
は、周囲環境の変化等によりＰＴＣ素子３が劣化するこ
とがある。その結果、使用中にＰＴＣ素子３が破壊に至
り、図６に示すように、破壊により形成されたＰＴＣ素
子片３Ａ，３Ｂがケース２内において散乱することがあ
った。
装置１では、何らかの事情により定格電圧を超える異常
電圧がＰＴＣ素子３に印加されることがある。あるい
は、周囲環境の変化等によりＰＴＣ素子３が劣化するこ
とがある。その結果、使用中にＰＴＣ素子３が破壊に至
り、図６に示すように、破壊により形成されたＰＴＣ素
子片３Ａ，３Ｂがケース２内において散乱することがあ
った。
【０００５】ところが、従来のＰＴＣ装置１では、図６
のＰＴＣ素子片３Ａで示すように、破壊したとしてもＰ
ＴＣ素子片３Ａが両側のばね端子４，５で弾力挟持され
たままとなることがあった。すなわち、破壊後、ＰＴＣ
素子片３Ａにおいて通電状態が続行されるおそれがあっ
た。
のＰＴＣ素子片３Ａで示すように、破壊したとしてもＰ
ＴＣ素子片３Ａが両側のばね端子４，５で弾力挟持され
たままとなることがあった。すなわち、破壊後、ＰＴＣ
素子片３Ａにおいて通電状態が続行されるおそれがあっ
た。
【０００６】本考案の目的は、サーミスタ素子をばね端
子により弾力挟持してなる構造を有するサーミスタ装置
において、異常の際にサーミスタ素子が破壊したとして
も、素子片への通電を確実に防止し得るサーミスタ装置
を提供することにある。
子により弾力挟持してなる構造を有するサーミスタ装置
において、異常の際にサーミスタ素子が破壊したとして
も、素子片への通電を確実に防止し得るサーミスタ装置
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本考案は、両主面に電極
が形成されたサーミスタ素子と、前記サーミスタ素子の
電極に電気的に接続されており、かつサーミスタ素子を
弾力挟持している一対のばね端子とを備えるサーミスタ
装置に関し、下記の構造を備えることを特徴とする。
が形成されたサーミスタ素子と、前記サーミスタ素子の
電極に電気的に接続されており、かつサーミスタ素子を
弾力挟持している一対のばね端子とを備えるサーミスタ
装置に関し、下記の構造を備えることを特徴とする。
【０００８】すなわち、本考案に係るサーミスタ装置で
は、一対のばね端子の電極に接触し ている部分が、それ
ぞれ２以上であり、かつサーミスタ素子の両主面側でそ
れぞれ非対向とされており、サーミスタ素子の少なくと
も一方の主面に、素子破壊時にサーミスタ素子の割れる
位置を誘導するために、サーミスタ素子の厚み方向に深
さを有する溝が形成されており、この溝の内周面をも覆
うように前記電極が形成されていることを特徴とする。
は、一対のばね端子の電極に接触し ている部分が、それ
ぞれ２以上であり、かつサーミスタ素子の両主面側でそ
れぞれ非対向とされており、サーミスタ素子の少なくと
も一方の主面に、素子破壊時にサーミスタ素子の割れる
位置を誘導するために、サーミスタ素子の厚み方向に深
さを有する溝が形成されており、この溝の内周面をも覆
うように前記電極が形成されていることを特徴とする。
【０００９】
【作用】本考案では、サーミスタ素子の両主面におい
て、サーミスタ素子を挟持している一対のばね端子の電
極に接触している部分が非対向となるように、上記ばね
端子がサーミスタ素子の電極に接触されている。従っ
て、異常時にサーミスタ素子が破壊した際には、破壊に
より生じたサーミスタ素子片に対してばね端子から加え
られる圧力が、サーミスタ素子の両主面において異なる
位置に作用するために、サーミスタ素子片が一対のばね
端子により弾力挟持され難くなる。その結果、サーミス
タ素子片への通電が確実に遮断される。
て、サーミスタ素子を挟持している一対のばね端子の電
極に接触している部分が非対向となるように、上記ばね
端子がサーミスタ素子の電極に接触されている。従っ
て、異常時にサーミスタ素子が破壊した際には、破壊に
より生じたサーミスタ素子片に対してばね端子から加え
られる圧力が、サーミスタ素子の両主面において異なる
位置に作用するために、サーミスタ素子片が一対のばね
端子により弾力挟持され難くなる。その結果、サーミス
タ素子片への通電が確実に遮断される。
【００１０】また、破壊に際しては、上記サーミスタ素
子の両主面の少なくとも一方にサーミスタ素子の割れる
方向を誘導するための溝が形成されているため、該溝に
沿ってサーミスタ素子が確実に破壊される。従って、異
常時に確実にサーミスタ素子が破壊され、複数のサーミ
スタ素子片に分割される。よって、上記一対のばね端子
の作用とも相まって、サーミスタ素子片への通電を確実
に防止することができる。
子の両主面の少なくとも一方にサーミスタ素子の割れる
方向を誘導するための溝が形成されているため、該溝に
沿ってサーミスタ素子が確実に破壊される。従って、異
常時に確実にサーミスタ素子が破壊され、複数のサーミ
スタ素子片に分割される。よって、上記一対のばね端子
の作用とも相まって、サーミスタ素子片への通電を確実
に防止することができる。
【００１１】
【実施例の説明】以下、本考案の非限定的な実施例を説
明することにより、本考案を明らかにする。
明することにより、本考案を明らかにする。
【００１２】図２は、本考案の一実施例としてのＰＴＣ
装置を示す断面図である。ＰＴＣ装置１１は、上方に開
口を有するケース本体１２ａ及び該開口を閉成している
蓋材１２ｂからなる合成樹脂製のケース１２を備える。
ケース１２内には、ＰＴＣ素子１３が収納されており、
ＰＴＣ素子１３は、円板状のＰＴＣ素体１３ａの両主面
の全面に電極１３ｂ，１３ｃを形成した構造を有する。
装置を示す断面図である。ＰＴＣ装置１１は、上方に開
口を有するケース本体１２ａ及び該開口を閉成している
蓋材１２ｂからなる合成樹脂製のケース１２を備える。
ケース１２内には、ＰＴＣ素子１３が収納されており、
ＰＴＣ素子１３は、円板状のＰＴＣ素体１３ａの両主面
の全面に電極１３ｂ，１３ｃを形成した構造を有する。
【００１３】ＰＴＣ素子１３は、ケース１２内におい
て、ばね端子１４，１５間に弾力挟持されている。ばね
端子１４，１５は、ケース１２内において、電極１３
ｂ，１３ｃに弾性接触される弾性部１４ａ，１５ａを有
する。この弾性部１４ａ，１５ａと、ＰＴＣ素子１３と
の関係を、図１（ａ）及び（ｂ）を参照して説明する。
て、ばね端子１４，１５間に弾力挟持されている。ばね
端子１４，１５は、ケース１２内において、電極１３
ｂ，１３ｃに弾性接触される弾性部１４ａ，１５ａを有
する。この弾性部１４ａ，１５ａと、ＰＴＣ素子１３と
の関係を、図１（ａ）及び（ｂ）を参照して説明する。
【００１４】なお、図１（ａ）は、一方のばね端子１４
の弾性部１４ａ側から見た図であり、ＰＴＣ素子１３の
反対側主面に形成された他方側のばね端子１５の弾性部
１５ａについては斜線のハッチングをしてその位置を示
した図である。
の弾性部１４ａ側から見た図であり、ＰＴＣ素子１３の
反対側主面に形成された他方側のばね端子１５の弾性部
１５ａについては斜線のハッチングをしてその位置を示
した図である。
【００１５】図１（ａ）及び（ｂ）から明らかなよう
に、ばね端子１４，１５の弾性部１４ａ，１５ａは、そ
れぞれ、素子中心から３方向に放射状に延ばされた分岐
部を有し、該分岐部の先端近傍には、電極１３ｂ，１３
ｃに直接接触している接点部１７，１８が形成されてい
る。本実施例では、上記分岐部がＰＴＣ素子の両主面で
非対向とされているので、上記接点部１７，１８もＰＴ
Ｃ素子１３の両主面で非対向とされている。
に、ばね端子１４，１５の弾性部１４ａ，１５ａは、そ
れぞれ、素子中心から３方向に放射状に延ばされた分岐
部を有し、該分岐部の先端近傍には、電極１３ｂ，１３
ｃに直接接触している接点部１７，１８が形成されてい
る。本実施例では、上記分岐部がＰＴＣ素子の両主面で
非対向とされているので、上記接点部１７，１８もＰＴ
Ｃ素子１３の両主面で非対向とされている。
【００１６】なお、図１（ａ）では、弾性部１４ａ，１
５ａは、それぞれ、ＰＴＣ装置の中心から放射状に３方
向に延びる分岐部を有する形状とされていたが、弾性部
１４ａ，１５ａの上記接点部１７，１８が、ＰＴＣ素子
１３を介して対向し合わない位置にあり、かつケース１
２内においてＰＴＣ素子１３をばね端子１４，１５で弾
力挟持し得る限り、他の形状に構成されていてもよい。
５ａは、それぞれ、ＰＴＣ装置の中心から放射状に３方
向に延びる分岐部を有する形状とされていたが、弾性部
１４ａ，１５ａの上記接点部１７，１８が、ＰＴＣ素子
１３を介して対向し合わない位置にあり、かつケース１
２内においてＰＴＣ素子１３をばね端子１４，１５で弾
力挟持し得る限り、他の形状に構成されていてもよい。
【００１７】また、ＰＴＣ素子１３の両主面には、図１
（ａ）に示すように、３本の溝１６ａ〜１６ｃがＰＴＣ
素子１３の主面中心から外周に向かって延びるように形
成されている。なお、一方主面側の溝１６ａ〜１６ｃ
は、他方主面側の溝と表裏対向するように形成されてい
る。溝１６ａ〜１６ｃは、ＰＴＣ素子１３が異常時に破
壊した際に、該溝１６ａ〜１６ｃに沿って分割されるこ
とを確保するために設けられている。
（ａ）に示すように、３本の溝１６ａ〜１６ｃがＰＴＣ
素子１３の主面中心から外周に向かって延びるように形
成されている。なお、一方主面側の溝１６ａ〜１６ｃ
は、他方主面側の溝と表裏対向するように形成されてい
る。溝１６ａ〜１６ｃは、ＰＴＣ素子１３が異常時に破
壊した際に、該溝１６ａ〜１６ｃに沿って分割されるこ
とを確保するために設けられている。
【００１８】本実施例では、ＰＴＣ素子１３の主面を３
等分するように溝１６ａ〜１６ｃが形成されている。こ
のように、ＰＴＣ素子の主面に形成される溝が、ＰＴＣ
素子１３を等しい大きさに分割するように形成されてお
れば、破壊に際し異常に大きなＰＴＣ素子片が残存しな
くなるため、ＰＴＣ素子片への通電を、より確実に遮断
することができる。
等分するように溝１６ａ〜１６ｃが形成されている。こ
のように、ＰＴＣ素子の主面に形成される溝が、ＰＴＣ
素子１３を等しい大きさに分割するように形成されてお
れば、破壊に際し異常に大きなＰＴＣ素子片が残存しな
くなるため、ＰＴＣ素子片への通電を、より確実に遮断
することができる。
【００１９】なお、上記溝１６ａ〜１６ｃは、ＰＴＣ素
体１３の両主面を機械加工することにより形成され、電
極１３ｂ，１３ｃは、該溝の内周面をも覆うように形成
される。もっとも、ＰＴＣ素子１３において、電極１３
ｂ，１３ｃを、Ｎｉよりなる第１の電極層と、Ａｇより
なる第２の電極層とを積層した構造とした場合には、何
れか一方のみを溝１６の内周面を覆うように形成しても
よい。例えば、図３（ａ）に示すように、ＰＴＣ素体１
３ａに形成された溝１６ａ内に下層側のＮｉよりなる第
１の電極層１９のみが至るようにし、Ａｇよりなる第２
の電極層２０は溝１６ａが形成されている部分には至ら
ないように形成してもよい。あるいは、図３（ｂ）に示
すように、第１，第２の電極層１９，２０の何れもが、
ＰＴＣ素体１３ａに形成された上記溝１６ａ内にも至る
ように、第１，第２の電極層１９，２０を積層形成して
もよい。
体１３の両主面を機械加工することにより形成され、電
極１３ｂ，１３ｃは、該溝の内周面をも覆うように形成
される。もっとも、ＰＴＣ素子１３において、電極１３
ｂ，１３ｃを、Ｎｉよりなる第１の電極層と、Ａｇより
なる第２の電極層とを積層した構造とした場合には、何
れか一方のみを溝１６の内周面を覆うように形成しても
よい。例えば、図３（ａ）に示すように、ＰＴＣ素体１
３ａに形成された溝１６ａ内に下層側のＮｉよりなる第
１の電極層１９のみが至るようにし、Ａｇよりなる第２
の電極層２０は溝１６ａが形成されている部分には至ら
ないように形成してもよい。あるいは、図３（ｂ）に示
すように、第１，第２の電極層１９，２０の何れもが、
ＰＴＣ素体１３ａに形成された上記溝１６ａ内にも至る
ように、第１，第２の電極層１９，２０を積層形成して
もよい。
【００２０】本実施例のＰＴＣ装置１１では、仮に異常
電圧の印加等によりＰＴＣ素子１３が破壊したとして
も、ばね端子１４，１５の接点部１７，１８が対向し合
っていないため、ＰＴＣ素子片がばね端子１４，１５間
でずれ落ち、ＰＴＣ素子片をばね端子１４，１５間にお
いて弾力挟持することができなくなる。
電圧の印加等によりＰＴＣ素子１３が破壊したとして
も、ばね端子１４，１５の接点部１７，１８が対向し合
っていないため、ＰＴＣ素子片がばね端子１４，１５間
でずれ落ち、ＰＴＣ素子片をばね端子１４，１５間にお
いて弾力挟持することができなくなる。
【００２１】しかも、上記溝１６ａ〜１６ｃに沿ってＰ
ＴＣ素子１３が破壊されることになるため、異常に大き
なＰＴＣ素子片は形成され難い。よって、確実に、ＰＴ
Ｃ素子片をケース１２内において散乱させることがで
き、ばね端子１４，１５との電気的接続状態を解くこと
が可能となる。
ＴＣ素子１３が破壊されることになるため、異常に大き
なＰＴＣ素子片は形成され難い。よって、確実に、ＰＴ
Ｃ素子片をケース１２内において散乱させることがで
き、ばね端子１４，１５との電気的接続状態を解くこと
が可能となる。
【００２２】図４は、本考案の他の実施例のＰＴＣ装置
における電極とＰＴＣ素子との関係を示す図であり、図
４（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、第１の実施例につい
て示した図１（ａ）及び（ｂ）に相当する図である。
における電極とＰＴＣ素子との関係を示す図であり、図
４（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、第１の実施例につい
て示した図１（ａ）及び（ｂ）に相当する図である。
【００２３】第２の実施例の特徴は、上述したばね端子
の形状及び溝の形状が変更されたことにあり、その他の
点については、第１の実施例と全く同様に構成されてい
るため、ばね端子の形状及びＰＴＣ素子に形成される溝
についてのみ説明する。
の形状及び溝の形状が変更されたことにあり、その他の
点については、第１の実施例と全く同様に構成されてい
るため、ばね端子の形状及びＰＴＣ素子に形成される溝
についてのみ説明する。
【００２４】本実施例では、円板状のＰＴＣ素子１３の
両主面に、図４（ａ）に示すように、互いに直交する十
字状の溝２６が形成されている。図４（ａ）では、一方
主面側の溝２６のみを図示したが、他方主面側にも該溝
２６と対向する位置に同じ形状の溝が形成されている。
従って、ＰＴＣ素子１３では、上記溝２６により割れる
方向が誘導されるので、破壊に際して中心角が約９０度
の扇形の４個のＰＴＣ素子片に分割され得る。
両主面に、図４（ａ）に示すように、互いに直交する十
字状の溝２６が形成されている。図４（ａ）では、一方
主面側の溝２６のみを図示したが、他方主面側にも該溝
２６と対向する位置に同じ形状の溝が形成されている。
従って、ＰＴＣ素子１３では、上記溝２６により割れる
方向が誘導されるので、破壊に際して中心角が約９０度
の扇形の４個のＰＴＣ素子片に分割され得る。
【００２５】他方、ばね端子２４の弾性部２４ａは、図
４（ａ）に示すように、上下方向に延び、他方のばね端
子２５の弾性部２５ａは図面上において横方向に延びる
ように構成されている。従って、弾性部２４ａ，２５ａ
は、それぞれ、両端に接点部２７，２８を有するが、各
接点部２７，２８は、溝２６で区切られた４個の領域の
何れかにおいて電極に接触するように構成されており、
溝２６で区切られた領域の内、何れの領域においても１
個の接点部２７，２８のみが接触されている。
４（ａ）に示すように、上下方向に延び、他方のばね端
子２５の弾性部２５ａは図面上において横方向に延びる
ように構成されている。従って、弾性部２４ａ，２５ａ
は、それぞれ、両端に接点部２７，２８を有するが、各
接点部２７，２８は、溝２６で区切られた４個の領域の
何れかにおいて電極に接触するように構成されており、
溝２６で区切られた領域の内、何れの領域においても１
個の接点部２７，２８のみが接触されている。
【００２６】従って、第２の実施例のＰＴＣ装置では、
ＰＴＣ素子１３が溝２６に沿って破壊した場合、弾性部
２４ａ，２５ａの接点部２７，２８は、それぞれ、異な
るＰＴＣ素子片にのみその加圧力を与えるため、各ＰＴ
Ｃ素子片はばね端子２４，２５間に挟持され得ない。
ＰＴＣ素子１３が溝２６に沿って破壊した場合、弾性部
２４ａ，２５ａの接点部２７，２８は、それぞれ、異な
るＰＴＣ素子片にのみその加圧力を与えるため、各ＰＴ
Ｃ素子片はばね端子２４，２５間に挟持され得ない。
【００２７】上記のように、ＰＴＣ素子１３の両主面に
形成された溝２６によって区切られた各領域に一方側の
ばね端子の接点部２７，２８のみが当接するように、溝
の配置及びばね端子の接点部の接触する部分を選択すれ
ば、より一層確実にＰＴＣ素子片への通電を遮断するこ
とができる。
形成された溝２６によって区切られた各領域に一方側の
ばね端子の接点部２７，２８のみが当接するように、溝
の配置及びばね端子の接点部の接触する部分を選択すれ
ば、より一層確実にＰＴＣ素子片への通電を遮断するこ
とができる。
【００２８】第１，第２の実施例では、ＰＴＣ素子１３
の両主面に、互いに対向するように溝１６ａ〜１６ｃ，
２６を形成していたが、一方主面側にのみ上記のような
溝を形成してもよい。また、両主面に溝を形成する場合
においても、上記のように両主面間で対向するように溝
を形成する必要も必ずしもない。
の両主面に、互いに対向するように溝１６ａ〜１６ｃ，
２６を形成していたが、一方主面側にのみ上記のような
溝を形成してもよい。また、両主面に溝を形成する場合
においても、上記のように両主面間で対向するように溝
を形成する必要も必ずしもない。
【００２９】さらに、図示のようにＰＴＣ素子の中心か
ら外側に向かって延びる形状の溝に限らず、ＰＴＣ素子
をばね端子間に挟持し得ないようにＰＴＣ素子の分割を
誘導し得る限り、任意の平面形状の溝をＰＴＣ素子の少
なくとも一方主面に形成することができる。
ら外側に向かって延びる形状の溝に限らず、ＰＴＣ素子
をばね端子間に挟持し得ないようにＰＴＣ素子の分割を
誘導し得る限り、任意の平面形状の溝をＰＴＣ素子の少
なくとも一方主面に形成することができる。
【００３０】また、上記実施例では、ＰＴＣ素子につい
てのみ説明したが、本考案は、ＰＴＣ素子のほか、例え
ば負特性サーミスタ素子のような他のサーミスタ素子を
収納してなるサーミスタ装置にも同様に適用することが
できる。
てのみ説明したが、本考案は、ＰＴＣ素子のほか、例え
ば負特性サーミスタ素子のような他のサーミスタ素子を
収納してなるサーミスタ装置にも同様に適用することが
できる。
【００３１】
【考案の効果】本発明によれば、ばね端子の電極に接触
している部分が、サーミスタ素子の両側で非対向とされ
ているため、サーミスタ素子が破壊した場合、破壊によ
り形成されたサーミスタ素子片がばね端子により挟持さ
れ難くなる。しかも、サーミスタ素子の少なくとも一方
主面に上記溝が形成されており、それによって素子の破
壊に際してのサーミスタ素子の割れる方向が誘導され
る。
している部分が、サーミスタ素子の両側で非対向とされ
ているため、サーミスタ素子が破壊した場合、破壊によ
り形成されたサーミスタ素子片がばね端子により挟持さ
れ難くなる。しかも、サーミスタ素子の少なくとも一方
主面に上記溝が形成されており、それによって素子の破
壊に際してのサーミスタ素子の割れる方向が誘導され
る。
【００３２】よって、異常電圧が加わったり、環境の変
化等によりサーミスタ素子が破壊した場合、破壊により
生じた複数のサーミスタ素子片と、ばね端子との間の電
気的接続状態が確実に解かれるようになるため、素子破
壊後のサーミスタ素子への通電を確実に防止することが
できる。
化等によりサーミスタ素子が破壊した場合、破壊により
生じた複数のサーミスタ素子片と、ばね端子との間の電
気的接続状態が確実に解かれるようになるため、素子破
壊後のサーミスタ素子への通電を確実に防止することが
できる。
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、第１の実施例
におけるばね端子の弾性部とＰＴＣ素子との関係を説明
するための略図的正面図及び側面図。
におけるばね端子の弾性部とＰＴＣ素子との関係を説明
するための略図的正面図及び側面図。
【図２】第１の実施例のＰＴＣ装置を示す断面図。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、溝と電極との
関係を説明するための各部分切欠拡大断面図。
関係を説明するための各部分切欠拡大断面図。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、第２の実施例
のＰＴＣ装置におけるばね端子とＰＴＣ素子との関係を
説明するための略図的正面図及び側面図。
のＰＴＣ装置におけるばね端子とＰＴＣ素子との関係を
説明するための略図的正面図及び側面図。
【図５】従来のＰＴＣ装置を示す断面図。
【図６】従来のＰＴＣ装置の問題点を説明するための断
面図。
面図。
１１…ＰＴＣ装置 １２…ケース １３…ＰＴＣ素子 １３ｂ，１３ｃ…電極 １４，１５…ばね端子 １４ａ，１５ａ…弾性部 １７，１８…接点部
Claims (1)
- 【請求項１】 対向し合っている両主面に電極が形成さ
れたサーミスタ素子と、 前記サーミスタ素子の電極に電気的に接続されており、
かつサーミスタ素子を弾力挟持している一対のばね端子
とを備えるサーミスタ装置において、 前記一対のばね端子の電極に接触している部分が、それ
ぞれ２以上であり、かつ、サーミスタ素子の両主面側で
それぞれ非対向とされており、かつ前記サーミスタ素子
の少なくとも一方の主面に、素子破壊時にサーミスタ素
子の割れる位置を誘導するために、サーミスタ素子の厚
み方向に深さを有する溝が形成されており、この溝の内
周面をも覆って電極が形成されていることを特徴とす
る、サーミスタ装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1993014844U JP2582338Y2 (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | サーミスタ装置 |
| DE69403982T DE69403982T2 (de) | 1993-03-29 | 1994-03-21 | Überstromschutzkomponente |
| EP94104450A EP0618594B1 (en) | 1993-03-29 | 1994-03-21 | Excess current protective component |
| US08/218,665 US5606302A (en) | 1993-03-29 | 1994-03-28 | PTC circuit protection device with non-opposed spring terminals |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1993014844U JP2582338Y2 (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | サーミスタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677202U JPH0677202U (ja) | 1994-10-28 |
| JP2582338Y2 true JP2582338Y2 (ja) | 1998-09-30 |
Family
ID=11872353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1993014844U Expired - Lifetime JP2582338Y2 (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | サーミスタ装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5606302A (ja) |
| EP (1) | EP0618594B1 (ja) |
| JP (1) | JP2582338Y2 (ja) |
| DE (1) | DE69403982T2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| DE19638631C2 (de) * | 1996-09-20 | 2002-09-26 | Epcos Ag | Kontaktgruppe für Halbleiter-Widerstände, wie Kaltleiter |
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| US3914727A (en) * | 1974-01-02 | 1975-10-21 | Sprague Electric Co | Positive-temperature-coefficient-resistor package |
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-
1993
- 1993-03-29 JP JP1993014844U patent/JP2582338Y2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-03-21 DE DE69403982T patent/DE69403982T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-03-21 EP EP94104450A patent/EP0618594B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-03-28 US US08/218,665 patent/US5606302A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
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| EP0618594B1 (en) | 1997-07-02 |
| US5606302A (en) | 1997-02-25 |
| EP0618594A1 (en) | 1994-10-05 |
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| DE69403982D1 (de) | 1997-08-07 |
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