JP2578818B2 - 切換え回路 - Google Patents

切換え回路

Info

Publication number
JP2578818B2
JP2578818B2 JP18850187A JP18850187A JP2578818B2 JP 2578818 B2 JP2578818 B2 JP 2578818B2 JP 18850187 A JP18850187 A JP 18850187A JP 18850187 A JP18850187 A JP 18850187A JP 2578818 B2 JP2578818 B2 JP 2578818B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
transistor
input terminal
source
drain
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP18850187A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6432499A (en
Inventor
富浩 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NIPPON DENKI AISHII MAIKON SHISUTEMU KK
Original Assignee
NIPPON DENKI AISHII MAIKON SHISUTEMU KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NIPPON DENKI AISHII MAIKON SHISUTEMU KK filed Critical NIPPON DENKI AISHII MAIKON SHISUTEMU KK
Priority to JP18850187A priority Critical patent/JP2578818B2/ja
Publication of JPS6432499A publication Critical patent/JPS6432499A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2578818B2 publication Critical patent/JP2578818B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は切換え回路に関し、特に消去及び書き込み可
能な読み出し専用記憶装置(以下、EPROMと略記する)
のデータの書き込み及び読み出しを正常に動作させるた
めに書き込み回路へ与える電源電圧を切換える切換え回
路に関する。
〔従来の技術〕
第2図は従来の切換え回路を示す回路図である。端子
5には、ドレイン電源の電圧(以後VDDと略記)を常時
与えておく。EPROMへの書き込み時には、入力端子4に
低レベル信号を入力し、入力端子1に書き込み電源の電
圧(以後VPPと略記)を入力すると、出力端子7は電圧V
PPよりもトランジスタ2のしきい値電圧分だけ低い電圧
を出力する。また読み出し時には、入力端子4に高レベ
ル信号を入力し、入力端子1に電圧VDDよりも低レベル
の信号を入力して、出力端子7に電圧VDDを出力させ
る。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記した従来の切換え回路は、書き込み時における出
力として電圧VPPよりもトランジスタのしきい値電圧分
だけ低い電圧しか得ることができず、それだけ書き込み
時間が長くなってしまうという問題点がある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の回路は、ソース及びドレインを書き込み時に
書き込み電圧が与えられる第1の入力端子及び出力端子
間へ接続してあり且つゲートを前記第1の入力端子へ接
続してある第1のNチャネルユニポーラトランジスタ
と、ソースおよびドレインを読み出し電圧入力端子及び
前記出力端子間へ接続してあり且つゲートを読み出し時
に該ソース及びドレイン間をオン状態に切換えるバイア
ス電圧が与えられる第2の入力端子へ接続してある第2
のNチャネルユニポーラトランジスタとを有する切換え
回路において、ソース及びドレインを前記第1のNチャ
ネルユニポーラトランジスタのソース及びドレイン間に
並列に接続した第3のNチャネルユニポーラトランジス
タと、前記出力端子にスイッチ素子を介して接続してあ
り、書き込み時、該スイッチ素子のオン状態時に与えら
れる電圧を所定値だけ昇圧して前記第3のNチャネルユ
ニポーラトランジスタのゲートへ与える昇圧回路と、前
記読出し時に前記スイッチ素子へオフ状態に切換えるた
めの制御信号を与える制御回路とを、備えていることを
特徴とする。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す回路図である。(以
下では、NチャネルMOSトランジスタのしきい値電圧をV
T1,NチャネルMOSノンドープトランジスタのしきい値電
圧をVT2とする。)EPROMの書き込み時には、第1の入力
端子1に書き込み電源の電圧VPPが入力され、これに応
じて第1のNチャネルMOSトランジス2のソース・ドレ
イン間がオン状態になる。この時、第2の入力端子4に
はソース電源の電圧(以後VSSと略記。第1図では接地
電圧に等しい。)、第5の入力端子5にはドレイン電圧
VDDが入力されており、これに応じてNチャネルMOSディ
プレッショントランジスタ6のソース・ドレイン間はオ
フ状態になり、出力端子7には、最初に(VPP−VT1)の
電圧が出力される。一方、第4の入力端子14には電圧V
SSが入力されており、これに応じてNチャネルMOSトラ
ンジスタ15及び17の各ソース・ドレイン間がオフ状態に
なると共に、昇圧回路19内のNチャネルMOSノンドープ
トランジスタ9及び12もオフ状態となり、第2のNチャ
ネルMOSトランジスタ3のゲートには、最初に(VPP−V
T1−3VT2)の電圧が印加される。この直後、第3の入力
端子10には繰返しパルス信号が入力され、これに応じて
昇圧回路19のNチャネルMOSディプレッショントランジ
スタ11のゲート電位はパルス信号に同期して上下する。
すなわち、最初にトランジスタ11はゲート電位が(VPP
−VT1−2VT2)まで充填されているが、パルス立上り期
間にはこれよりもパルス電圧(VL)分だけ上昇する。こ
の間、トランジスタ9はオフ状態になる。次いでパルス
立下り期間になると、トランジスタ11のゲート電位は
(VPP−VT1−2VT2)へ復帰し、この間、トランジスタ12
がオフ状態になる。このパルス繰返しにより、トランジ
スタ15のソース・ドレイン間の電圧が(VPP−3VT2
VL)になるまで充電され、この電圧がトランジスタ3の
ゲートに印加される。電圧VLを予め適値に設定しておく
ことにより、トランジスタ3のゲートへの印加電圧が電
圧VPPよりも高くでき、出力端子7に電圧VPPをそのまま
出力できる。なお、ダイオードDは、トランジスタ3の
ゲートに過大な電圧がかかるのを防止するための保護用
である。
また読み出し時には、第1の入力端子1には電圧VSS
を印加する。これに応じて第1のNチャネルMOSトラン
ジスタ2はオフ状態になる。第2の入力端子4及び第5
の入力端子5には電圧VDDが入力され、これに応じてN
チャネルMOSディプレッショントランジスタ6がオン状
態となる。この結果、トランジスタ6のソース・ドレイ
ン間は低抵抗になる。一方、第4の入力端子14には電圧
VDDが印加されているので、トランジスタ17はオフ状態
になり、これに応じてトランジスタ16のソース・ドレイ
ン間は高抵抗となり、トランジスタ8はオフ状態にな
る。また第3の入力端子10には電圧VSSが入力されてお
り、第4の入力端子14には電圧VDDが入力されているの
で、トランジスタ15がオン状態となり、これに応じて第
2のNチャネルMOSトランジスタ3はオフ状態になっ
て、出力端子7には電圧VDDが出力される。
書き込み回路21は、出力端子7からの出力電圧を受け
て、EPROMのメモリセル(図示省略)に対し書き込みあ
るいは読み出しを行なう。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、入力および出力端子間
にユニポーラトランジスタを付加接続してそのゲートに
出力電圧を昇圧した電圧を印加することにより、書き込
み時に書き込み電源の電圧をそのまま、すなわちトラン
ジスタのしきい値電圧分の降下を与えずに、出力端子で
得られる切換え回路を実現できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例を示す回路図、第2図は従来の
切換え回路を示す回路図である。 1,4,10,14……入力端子、7……出力端子、2,3,6,8,9,1
1,12,15〜17……トランジスタ、19……昇圧回路、20…
…制御回路、21……書き込み回路、D……ダイオード。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ソース及びドレインを書き込み時に書き込
    み電圧が与えられる第1の入力端子及び出力端子間へ接
    続してあり且つゲートを前記第1の入力端子へ接続して
    ある第1のNチャネルユニポーラトランジスタと、ソー
    スおよびドレインを読み出し電圧入力端子及び前記出力
    端子間へ接続してあり且つゲートを読み出した時に該ソ
    ース及びドレイン間をオン状態に切換えるバイアス電圧
    が与えられる第2の入力端子へ接続してある第2のNチ
    ャネルユニポーラトランジスタとを有する切換え回路に
    おいて、 ソース及びドレインを前記第1のNチャネルユニポーラ
    トランジスタのソース及びドレイン間に並列に接続した
    第3のNチャネルユニポーラトランジスタと、前記出力
    端子にスイッチ素子を介して接続してあり、書き込み
    時、該スイッチ素子のオン状態時に与えられる電圧を所
    定値だけ昇圧して前記第3のNチャネルユニポーラトラ
    ンジスタのゲートへ与える昇圧回路と、前記読み出し時
    に前記スイッチ素子へオフ状態に切換えるための制御信
    号を与える制御回路とを、備えていることを特徴とする
    切換え回路。
JP18850187A 1987-07-27 1987-07-27 切換え回路 Expired - Lifetime JP2578818B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18850187A JP2578818B2 (ja) 1987-07-27 1987-07-27 切換え回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18850187A JP2578818B2 (ja) 1987-07-27 1987-07-27 切換え回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6432499A JPS6432499A (en) 1989-02-02
JP2578818B2 true JP2578818B2 (ja) 1997-02-05

Family

ID=16224832

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP18850187A Expired - Lifetime JP2578818B2 (ja) 1987-07-27 1987-07-27 切換え回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2578818B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6432499A (en) 1989-02-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH07122998B2 (ja) 半導体メモリ素子の高電圧発生回路
EP0211232B1 (en) Semiconductor memory in which data readout operation is carried out over wide power voltage range
JPH01259751A (ja) 昇圧回路
JPH02209763A (ja) 昇圧回路
KR980006526A (ko) 중간 전압 발생 회로 및 이것을 갖는 불휘발성 반도체 메모리
JPH0738274B2 (ja) 不揮発性半導体メモリシステム
US4667312A (en) Charge pump method and apparatus
US4644182A (en) Delay circuit having delay time period determined by discharging operation
JPH0793022B2 (ja) 半導体メモリ集積回路
JPH11308855A (ja) 昇圧回路
KR910003387B1 (ko) 주승압회로의 출력전압승압용 부승압회로
JP3392497B2 (ja) テスト電位転送回路およびこれを用いた半導体記憶装置
JPH02187996A (ja) 半導体記憶装置
US6535427B1 (en) Nonvolatile semiconductor memory device with initialization circuit and control method thereof
JPS63271798A (ja) 消去可能なプログラマブル論理装置
JP2578818B2 (ja) 切換え回路
US5696461A (en) Power-on reset circuit
US20020000840A1 (en) Sense amplifier with extended supply voltage range
JP3094913B2 (ja) 半導体回路
US6069837A (en) Row decoder circuit for an electronic memory device, particularly for low voltage applications
JPH0656719B2 (ja) 半導体記憶装置
JPH0527195B2 (ja)
JP3779403B2 (ja) 半導体メモリ装置の電圧昇圧回路
JP2585530B2 (ja) 半導体集積回路装置
JPH02260299A (ja) 不揮発性半導体記憶装置