JP2573330Y2 - 球検出用フォトインタラプタ - Google Patents
球検出用フォトインタラプタInfo
- Publication number
- JP2573330Y2 JP2573330Y2 JP1990103021U JP10302190U JP2573330Y2 JP 2573330 Y2 JP2573330 Y2 JP 2573330Y2 JP 1990103021 U JP1990103021 U JP 1990103021U JP 10302190 U JP10302190 U JP 10302190U JP 2573330 Y2 JP2573330 Y2 JP 2573330Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- case
- circuit board
- light
- pattern
- conductive
- Prior art date
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Description
【考案の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本考案は球検出用フォトインタラプタに関する。
＜従来の技術＞ 従来例については第７図を参照して説明する。
第７図は従来例によるパチンコ玉検出用の球検出用フ
ォトインタラプタの縦断断面図である。
ォトインタラプタの縦断断面図である。
図中、発光素子21,受発光素子22及び回路基板23は、
外装ケース24内に密閉されている。外装ケース24のホル
ダー部25及び透明樹脂からなる窓部26は２色成形により
形成されている。また、回路基板23の裏面側の基板半田
部27は外装ケース24の内壁とともにエポキシ樹脂28によ
って樹脂封止されている。
外装ケース24内に密閉されている。外装ケース24のホル
ダー部25及び透明樹脂からなる窓部26は２色成形により
形成されている。また、回路基板23の裏面側の基板半田
部27は外装ケース24の内壁とともにエポキシ樹脂28によ
って樹脂封止されている。
このように、外装ケース24の内部は密閉され、パチン
コ玉の静電気から保護される構造となっていた。
コ玉の静電気から保護される構造となっていた。
＜考案が解決しようとする課題＞ ところが、前述の封止用のエポキシ樹脂25は製造工程
上取り扱いに手間をとり、作業性が悪くコストアップの
要因となっているという問題点がある。
上取り扱いに手間をとり、作業性が悪くコストアップの
要因となっているという問題点がある。
また、エポキシ樹脂25の封止が不完全であると静電耐
圧が確実に低下するため、常に完全な封止が行なわれて
いるという確認を要し、作業管理にも手間がかかるとい
う問題点もある。
圧が確実に低下するため、常に完全な封止が行なわれて
いるという確認を要し、作業管理にも手間がかかるとい
う問題点もある。
そこで本考案の目的は、例えばエポキシ樹脂等によっ
て、ケース内を外部から密閉することによって静電気の
影響を排するという方法ではなく、静電気がケース内の
部品等に達する迄にGNDへ放電させるという方法によっ
て確実に静電気から保護される球検出用フォトインタラ
プタを提供することにある。
て、ケース内を外部から密閉することによって静電気の
影響を排するという方法ではなく、静電気がケース内の
部品等に達する迄にGNDへ放電させるという方法によっ
て確実に静電気から保護される球検出用フォトインタラ
プタを提供することにある。
＜課題を解決するための手段＞ 前記目的を達成するために本考案による玉検出用フォ
トインタラプタは、ケース内に、球体の通過を検出する
受発光素子と、前記ケース内の底面に載置するようにし
て収納されるGNDパターンを有する回路基板と、前記ケ
ースに対応するカバーと、を有する球検出用フォトイン
タラプタであって、前記カバーは非導電性の遮光性樹脂
によって形成され、前記ケースは導電性の遮光性樹脂に
よって形成されるとともに、前記ケース内の底面部の
内、前記回路基板のGNDパターンに相当する箇所にケー
スと一体の突起部が形成される一方、前記回路基板のGN
Dパターンに前記突起部が挿通される孔部が形成され、
且つ前記孔部の内周と前記突起部との距離を、前記回路
基板のGNDパターン以外の導電パターンと前記ケースの
内壁との最短距離よりも小さくしてなることを特徴とす
る。
トインタラプタは、ケース内に、球体の通過を検出する
受発光素子と、前記ケース内の底面に載置するようにし
て収納されるGNDパターンを有する回路基板と、前記ケ
ースに対応するカバーと、を有する球検出用フォトイン
タラプタであって、前記カバーは非導電性の遮光性樹脂
によって形成され、前記ケースは導電性の遮光性樹脂に
よって形成されるとともに、前記ケース内の底面部の
内、前記回路基板のGNDパターンに相当する箇所にケー
スと一体の突起部が形成される一方、前記回路基板のGN
Dパターンに前記突起部が挿通される孔部が形成され、
且つ前記孔部の内周と前記突起部との距離を、前記回路
基板のGNDパターン以外の導電パターンと前記ケースの
内壁との最短距離よりも小さくしてなることを特徴とす
る。
＜作用＞ ケースの材料を導電性とするとともに、ケースを回路
基板のGNDパターンに接続するので、パチコン玉の静電
気は、まずケースに放電した後GNDパターンに放電する
のでケース内部の受発光素子や電子部品等は静電気から
完全に保護される。
基板のGNDパターンに接続するので、パチコン玉の静電
気は、まずケースに放電した後GNDパターンに放電する
のでケース内部の受発光素子や電子部品等は静電気から
完全に保護される。
ここで、ケースと回路基板のGNDパターンとの電気的
接続は、ケースと一体の突起部を回路基板のGNDパター
ンに設けた挿入孔に挿入することによって行っているの
で、簡単な構造で実現できる。
接続は、ケースと一体の突起部を回路基板のGNDパター
ンに設けた挿入孔に挿入することによって行っているの
で、簡単な構造で実現できる。
＜実施例＞ 本考案の一実施例について、第１図乃至第６図を参照
して説明する。
して説明する。
ここでは発光素子と受光素子とが球の通過孔を介して
並列に配置され、前記発光素子からの光を前記受光素子
に導くためのオプティカルガイドを備えてなるパチンコ
玉検出用の球検出用フォトインタラプタに本考案を適用
した例を説明する。
並列に配置され、前記発光素子からの光を前記受光素子
に導くためのオプティカルガイドを備えてなるパチンコ
玉検出用の球検出用フォトインタラプタに本考案を適用
した例を説明する。
第１図は本実施例による球検出用フォトインタラプタ
の平面図、第２図及び第３図はそれぞれ、同球検出用フ
ォトインタラプタの縦断断面図及び横断断面図である。
の平面図、第２図及び第３図はそれぞれ、同球検出用フ
ォトインタラプタの縦断断面図及び横断断面図である。
図中、発光素子１からの光がオプィカルガイド２に導
かれ、球の通過孔３を通った後、さらに別にオプティカ
ルガイド２′に導かれ、受光素子４に入射する。ここ
で、受発光素子間には同期式光変調方式を採用してい
る。前記受光素子４の信号は回路基板５に伝達される。
６は回路基板５上の電子部品、7,8,9はそれぞれ本球検
出用フォトインタラプタの外部への電気的接続を行なう
GNDパターン、Voutパターン及びVccパターンである。
かれ、球の通過孔３を通った後、さらに別にオプティカ
ルガイド２′に導かれ、受光素子４に入射する。ここ
で、受発光素子間には同期式光変調方式を採用してい
る。前記受光素子４の信号は回路基板５に伝達される。
６は回路基板５上の電子部品、7,8,9はそれぞれ本球検
出用フォトインタラプタの外部への電気的接続を行なう
GNDパターン、Voutパターン及びVccパターンである。
以上のような構成からなる発光素子1,オプティカルガ
イド２及び２′、受光素子3,回路基板５が導電性の遮光
性樹脂から形成されたケース10に収納されている。11は
前記ケースに対応するカバーであり、このカバー11は非
導電性の遮光性樹脂を使用する。この理由は、カバー11
には部品押させの突起等があり、この突起と一体のカバ
ー11が導電性であると、パリンコ玉の静電気がカバー11
及び前記突起を介して部品等に放電するためである。
イド２及び２′、受光素子3,回路基板５が導電性の遮光
性樹脂から形成されたケース10に収納されている。11は
前記ケースに対応するカバーであり、このカバー11は非
導電性の遮光性樹脂を使用する。この理由は、カバー11
には部品押させの突起等があり、この突起と一体のカバ
ー11が導電性であると、パリンコ玉の静電気がカバー11
及び前記突起を介して部品等に放電するためである。
また、第２図及び第３図中のＡ部は、ケース10と回路
基板５のGNDパターン７とを電気的に接続する接続部で
ある。
基板５のGNDパターン７とを電気的に接続する接続部で
ある。
第４図乃至第６図は前記Ａ部を詳細に説明するための
拡大図である。第４図はケース10の部分斜視図、第５図
は回路基板５の部分斜視図、第６図は回路基板５をケー
ス10に収納した状態を示す部分斜視である。
拡大図である。第４図はケース10の部分斜視図、第５図
は回路基板５の部分斜視図、第６図は回路基板５をケー
ス10に収納した状態を示す部分斜視である。
第４図に示すように、ケース10には、収納する基板５
のGNDパターンに対応する箇所にケース10と一体の導電
性の突起部12を形成している。一方、第５図に示すよう
に、回路基板５のGNDパターン７には前記突起部12を圧
入するための挿入孔13を形成している。そして、第６図
に示すように、回路基板５をケース10に収納する際、突
起部12は挿入穴13に圧入される。
のGNDパターンに対応する箇所にケース10と一体の導電
性の突起部12を形成している。一方、第５図に示すよう
に、回路基板５のGNDパターン７には前記突起部12を圧
入するための挿入孔13を形成している。そして、第６図
に示すように、回路基板５をケース10に収納する際、突
起部12は挿入穴13に圧入される。
以上の様な構造において、ケース10はその材質が導電
性であるとともに、GNDへ導通されているのでパチンコ
玉の静電気はケース10内に放電し、その後GNDへ放電す
るのでケース10内の受発光素子や電子部品６は静電気か
ら完全に保護される。
性であるとともに、GNDへ導通されているのでパチンコ
玉の静電気はケース10内に放電し、その後GNDへ放電す
るのでケース10内の受発光素子や電子部品６は静電気か
ら完全に保護される。
ここで、突起部12及び挿入穴13は密着して接触するの
が望ましく、少なくとも両者の隙間は1mm以内となるよ
うにする。
が望ましく、少なくとも両者の隙間は1mm以内となるよ
うにする。
これは、第３図中Ｂ部の隙間が1.5mmであり、もし突
起部12及び挿入穴13の隙間が1.5mm以上ある場合は、パ
チンコ玉の静電気はケース10から最も近距離にある導電
部Vccパターン９の放電してしまい、静電気保護が不可
能となるためである。
起部12及び挿入穴13の隙間が1.5mm以上ある場合は、パ
チンコ玉の静電気はケース10から最も近距離にある導電
部Vccパターン９の放電してしまい、静電気保護が不可
能となるためである。
そこで、例えば突起部12を挿入穴13に挿入後、突起部
12を熱溶着しGNDパターン７に溶着させる、或いは突起
部12及び挿入穴13の隙間に銀ペースト等の導電性ペース
トを付着させるといった方法によれば、突起部12とGND
パターン７とを確実に接触できる。
12を熱溶着しGNDパターン７に溶着させる、或いは突起
部12及び挿入穴13の隙間に銀ペースト等の導電性ペース
トを付着させるといった方法によれば、突起部12とGND
パターン７とを確実に接触できる。
また、GNDパターン部７の挿入穴13をスルーホール処
理すれば、さらに良好な接触性が得られる。
理すれば、さらに良好な接触性が得られる。
また、本考案の他の実施例として、ケース10の壁面近
傍にGNDパターンをラインで配線してもよい。
傍にGNDパターンをラインで配線してもよい。
＜考案の効果＞ 以上説明したように本考案による球検出用フォトイン
タラプタにおいては、ケース内に、球体の通過を検出す
る受発光素子と、前記ケース内の底面部に載置するよう
にして収納されるGNDパターンを有する回路基板と、前
記ケースに対応するカバーと、を有する球検出用フォト
インタラプタであって、前記カバーは非導電性の遮光性
樹脂によって形成され、前記ケースは導電性の遮光性樹
脂によって形成されてるとともに、前記ケース内の底面
部の内、前記回路基板のGNDパターンに相当する箇所に
ケースと一体の突起部が形成される一方、前記回路基板
のGNDパターンに前記突起部が挿通される孔部が形成さ
れ、且つ前記孔部の内周と前記突起部との距離を、前記
回路基板のGNDパターン以外の導電パターンと前記ケー
スの内壁との最短距離よりも小さくしてなることを特徴
とするものである。前記ケースは導電性の遮光性樹脂か
らなるものを使用し、該ケースをケース内の回路基板の
GNDに接続しているので、パチンコ玉の静電気はまずケ
ースに放電した後、GNDに放電し、ケース内の電子部品
等は静電気から確実に保護され、高信頼性の玉検出用フ
ォトインタラプタを提供できる。
タラプタにおいては、ケース内に、球体の通過を検出す
る受発光素子と、前記ケース内の底面部に載置するよう
にして収納されるGNDパターンを有する回路基板と、前
記ケースに対応するカバーと、を有する球検出用フォト
インタラプタであって、前記カバーは非導電性の遮光性
樹脂によって形成され、前記ケースは導電性の遮光性樹
脂によって形成されてるとともに、前記ケース内の底面
部の内、前記回路基板のGNDパターンに相当する箇所に
ケースと一体の突起部が形成される一方、前記回路基板
のGNDパターンに前記突起部が挿通される孔部が形成さ
れ、且つ前記孔部の内周と前記突起部との距離を、前記
回路基板のGNDパターン以外の導電パターンと前記ケー
スの内壁との最短距離よりも小さくしてなることを特徴
とするものである。前記ケースは導電性の遮光性樹脂か
らなるものを使用し、該ケースをケース内の回路基板の
GNDに接続しているので、パチンコ玉の静電気はまずケ
ースに放電した後、GNDに放電し、ケース内の電子部品
等は静電気から確実に保護され、高信頼性の玉検出用フ
ォトインタラプタを提供できる。
また、ケース及びカバーが遮光性樹脂から構成されて
いるため、フォトインタラプタを構成する受光素子が不
要な外乱光によって乱されることがない。
いるため、フォトインタラプタを構成する受光素子が不
要な外乱光によって乱されることがない。
さらに、前記ケースに対応するカバーは非導電性の遮
光性樹脂によって形成されているため、カバーに部品押
さえの突起等がある場合でも、この突起と一体のカバー
が非導電性であるため、パチンコ玉の静電気がカバー及
び前記突起を介して部品等に放電することがなく、高信
頼性の玉検出用フォトインタラプタを提供できる。
光性樹脂によって形成されているため、カバーに部品押
さえの突起等がある場合でも、この突起と一体のカバー
が非導電性であるため、パチンコ玉の静電気がカバー及
び前記突起を介して部品等に放電することがなく、高信
頼性の玉検出用フォトインタラプタを提供できる。
第１図は本考案の一実施例による球検出用フォトインタ
ラプタの平面図、第２図及び第３図はそれぞれ、同じく
球検出用フォトインタラプタの縦断断面図及び横断断面
図、第４図は本考案の一実施例による球検出用フォトイ
ンタラプタのケース部分斜視図、第５図は同じく回路基
板の部分斜視図、第６図は第４図のケース及び第５図の
回路基板を組み合わせた状態の斜視図、第７図は従来例
による球検出用フォトインタラプタの縦断面図である。 １…発光素子,4…受光素子,5…回路基板,7…GNDパター
ン,10…ケース,12…突起部,13…挿入穴。
ラプタの平面図、第２図及び第３図はそれぞれ、同じく
球検出用フォトインタラプタの縦断断面図及び横断断面
図、第４図は本考案の一実施例による球検出用フォトイ
ンタラプタのケース部分斜視図、第５図は同じく回路基
板の部分斜視図、第６図は第４図のケース及び第５図の
回路基板を組み合わせた状態の斜視図、第７図は従来例
による球検出用フォトインタラプタの縦断面図である。 １…発光素子,4…受光素子,5…回路基板,7…GNDパター
ン,10…ケース,12…突起部,13…挿入穴。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 小鉢 光夫 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−136156（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−45079（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−192764（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】ケース内に、球体の通過を検出する受発光
素子と、前記ケース内の底面部に載置するようにして収
納されるGNDパターンを有する回路基板と、前記ケース
に対応するカバーと、を有する球検出用フォトインタラ
プタであって、 前記カバーは非導電性の遮光性樹脂によって形成され、 前記ケースは導電性の遮光性樹脂によって形成されると
ともに、前記ケース内の底面部の内、前記回路基板のGN
Dパターンに相当する箇所にケースと一体の突起部が形
成される一方、前記回路基板のGNDパターンに前記突起
部が挿通される孔部が形成され、且つ前記孔部の内周と
前記突起部との距離を、前記回路基板のGNDパターン以
外の導電パターンと前記ケースの内壁との最短距離より
も小さくしてなることを特徴とする球検出用フォトイン
タラプタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990103021U JP2573330Y2 (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 球検出用フォトインタラプタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990103021U JP2573330Y2 (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 球検出用フォトインタラプタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0459966U JPH0459966U (ja) | 1992-05-22 |
| JP2573330Y2 true JP2573330Y2 (ja) | 1998-05-28 |
Family
ID=31847741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990103021U Expired - Lifetime JP2573330Y2 (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 球検出用フォトインタラプタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2573330Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4444941B2 (ja) * | 2006-11-22 | 2010-03-31 | 信越化学工業株式会社 | 多孔質ガラス母材の製造装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6042998A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-07 | Sony Corp | カラ−撮像記録装置 |
| JPS6210497U (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-22 | ||
| JPH01117584U (ja) * | 1988-02-02 | 1989-08-08 | ||
| JP2775446B2 (ja) * | 1988-11-17 | 1998-07-16 | 株式会社三共 | 弾球遊技機 |
-
1990
- 1990-09-28 JP JP1990103021U patent/JP2573330Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0459966U (ja) | 1992-05-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |