JP2573107B2 - マイクロ波乾燥装置 - Google Patents

マイクロ波乾燥装置

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JP2573107B2
JP2573107B2 JP15332291A JP15332291A JP2573107B2 JP 2573107 B2 JP2573107 B2 JP 2573107B2 JP 15332291 A JP15332291 A JP 15332291A JP 15332291 A JP15332291 A JP 15332291A JP 2573107 B2 JP2573107 B2 JP 2573107B2
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  • Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波乾燥装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種のマイクロ波乾燥装置は、
実公平1−21518号公報に示されている。このもの
は、乾燥室内に供給された被乾燥物にマイクロ波を照射
し、サーミスタの温度検出値に基づいてマイクロ波出力
を制御し、被乾燥物の乾燥温度を一定に保ちながら乾燥
を行うものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】前記従来例において、
被乾燥物の乾燥温度は、低温のものから高温のものまで
あり、広範囲の温度制御が必要となり、それゆえ乾燥温
度を検出するサーミスタも広範囲を要求される。それに
対して、マイクロコンピュータに入力されるデータの分
解能には限界があり、検出精度の高い温度測定を行うた
めには、それだけ温度範囲を分割して測定しなければな
らない。
【0004】そこで、回路の簡素化、経済性を考慮して
乾燥温度を2分割し、低温用サーミスタと高温用サーミ
スタを設けて、乾燥温度の上昇に伴って低温用サーミス
タから高温用サーミスタに、また乾燥温度の下降に伴っ
て高温用サーミスタから低温用サーミスタに切り替えな
がら測定することが考えられる。
【0005】また、一般にサーミスタの温度と抵抗値の
特性は、温度検知範囲の上限値と下限値付近で温度の上
昇に対して抵抗値の変化量が小さくなる。
【0006】このため、温度の上昇に伴って、低温用サ
ーミスタから高温用サーミスタに切り替えるときに高温
用サーミスタが開放故障を起こしていた場合、被乾燥物
の温度が上昇しているにもかかわらず、検知温度は切り
替え時の温度のままであり、過加熱を起こし、発火事故
につながる恐れがある。
【0007】本発明は、斯る課題を解決するものであ
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】課題を解決するための本
発明の手段は、乾燥室と、該乾燥室に被乾燥物を供給す
る材料供給手段と、前記乾燥室に供給された前記被乾燥
物にマイクロ波を供給するマイクロ波供給手段と、前記
被乾燥物の温度のうち低温部を有効動作領域とする低温
検出素子と、前記被乾燥物の温度のうち高温部を有効動
作領域とする高温検出素子と、前記低温検出素子または
前記高温検出素子の検出値に基づいて前記マイクロ波供
給手段を制御する制御手段と、前記両検出素子の夫々の
有効動作領域を重畳する温度領域内の所定温度で前記両
検出素子のいずれかからの検出値を前記制御手段に出力
するよう切り替える切替手段と、前記所定温度付近で前
記両検出素子からの検出値の差を演算する演算手段と、
該演算手段で演算結果が所定値以上であれば前記マイク
ロ波供給手段の動作を停止する停止手段から構成され
る。
【0009】
【作用】乾燥室内に被乾燥物を材料供給手段で供給した
後、マイクロ波供給手段からマイクロ波を被乾燥物に照
射して加熱乾燥する。この被乾燥物の温度上昇を低温部
では低温検出素子で、高温部では高温検出素子で検出す
る。所定温度に達すればマイクロ波供給装置を制御す
る。所定温度に達すれば、高温検出素子の検出値と低温
検出素子の検出値を比較し、所定値以であればマイク
ロ波供給装置の駆動を停止し、安全性を向上する。
【0010】
【実施例】図1及び図2において、乾燥装置本体1は主
要部として開閉自在の上蓋2を有する円筒状乾燥室3が
設けられている。該乾燥室3には左上部に供給パイプ4
が連接されており、該供給パイプ4の先端は、粒状又は
粉状被乾燥物5を貯留する貯槽6内に至っている。この
貯槽6は、被乾燥物の種類毎に設けられており、被乾燥
物を変更する場合、供給パイプ4をその被乾燥物が貯留
されている貯槽6に入れ替える。かかる被乾燥物5とし
ては、例えば樹脂ぺレット、薬品噴流物などがある。樹
脂ぺレットは溶解された後、成形されるものであるが、
斯る溶融成形に先だって樹脂ペレットを乾燥させるとそ
の後の成形が良好になされるのである。
【0011】本実施例では被乾燥物5として樹脂ぺレッ
トが運ばれている。また、前記乾燥室5の上蓋2の中央
には吸引ホッパ7が連接されている。該吸引ホッパ7内
には前記被乾燥物5の材料径より小さいメッシュを有す
るフィルタ金網8a及びフィルタ紙8が配置されて、且
つ該フィルタ紙8の上部に位置してポペット弁9が設け
られている。そして、ポペット弁9において、前記吸引
ホッパ7には吸気パイプ10を介して吸引ブロワー11
が連接されている。この場合、ポペット弁9が開放駆動
された状態で前記ブロワー11を駆動すると、斯るブロ
ワー11の吸引作用が吸気パイプ10、吸引ホッパ7及
び乾燥室3を介して供給パイプ4までおよび、前記貯槽
6内の被乾燥物5が供給パイプ4を通って乾燥室3に至
ると該乾燥室3内に自重により落下して溜る。ここで、
前記の供給パイプ4、吸気ホッパ7、吸気パイプ10、
ブロワー11が、被乾燥物5を前記乾燥室3へ供給する
材料供給手段となる。
【0012】前記乾燥室3において、その内部にはマイ
クロ波供給手段であるマグネトロン12から導波管13
を介してマイクロ波が供給され、底壁部にはモータ14
で駆動し、被乾燥物5を撹拌する撹拌体15が設けられ
ている。前記乾燥室3の側壁部にはレベルセンサー16
及び温度検知部17が配置されている。斯るレベルセン
サー16は乾燥室3内に被乾燥物5が所定量たまったか
否かを検知し、前記温度検知部17は被乾燥物5の温度
を検知する。該温度検知部17は、低温用サーミスタ1
7a、高温用サーミスタ17b、低温用サーミスタ17
aの抵抗値を電圧に変換する低温変換回路27、高温用
サーミスタ17bの抵抗値を電圧に変換する高温変換回
路28から構成されている。
【0013】前記低温変換回路27は、図3に示すよう
に5Vの電源端子とアースとの間に抵抗29と30を直
列接続して構成され、低温用サーミスタ17aは抵抗2
9と並列に接続されている。さらに、抵抗29と30の
接続点には、a端子が接続されており、このa端子より
低温用サーミスタ17aの抵抗値に応じた電圧が得られ
る。
【0014】しかして、低温用サーミスタ17aで検出
される温度が高くなると、それに伴って該サーミスタ1
7aの抵抗値が減少し、低温用サーミスタ17aと抵抗
29とで構成される合成抵抗値が減少するので、a端子
から検出される電圧は高くなる。
【0015】この低温用サーミスタ17aの温度とa端
子の電圧の関係は図5中の特性aで示されるように、ま
ず0℃から60℃の範囲は、温度の変化に対するa端子
の電圧変化量が小さく、さらにこの変化は直線性を示し
ていない。次に60℃から120℃の範囲は温度の変化
に対してa端子の電圧が直線的に変化する。最後に12
0℃以上は、0℃から60℃の範囲と同じようにa端子
の電圧変化量が小さくなり、この変化が直線性を示して
いない。
【0016】また、高温変換回路28は、図4に示すよ
うに5Vの電源端子とアースとの間で高温用サーミスタ
17bと抵抗31が直列に接続され、さらにこの接続点
の電圧を検知するためにb端子が接続されている。
【0017】しかして、高温用サーミスタ17bで検出
される温度が高くなると、それに伴って該サーミスタ1
7bの抵抗値が減少し、高温用サーミスタ17bでの電
圧降下は小さくなり、b端子から検出される電圧は高く
なる。
【0018】この高温用サーミスタ17bの温度とb端
子の電圧の関係は図5中の特性bに示されているよう
に、まず110℃以下では温度に対する抵抗値の変化量
は小さく、変化は直線性を示していない。次に110℃
から180℃は温度の変化に対してb端子の電圧が直線
的に変化する。最後に180℃以上は、110℃以下と
同じようにb端子の電圧変化量が小さく、変化が直線性
を示していない。
【0019】本発明は上記した夫々のサーミスタの特性
を考慮して、低温用サーミスタ17aの有効動作領域を
60℃から120℃とし、また高温用サーミスタ17b
の有効動作領域を110℃から180℃とし、そして、
被乾燥物5の温度の上昇または下降に伴い、低温用サー
ミスタ17aから高温用サーミスタ17bに、または高
温用サーミスタ17bから低温用サーミスタ17aに切
り換える温度を115℃としたものである。
【0020】前記乾燥室3の左底部には、吸気弁18を
介してコンプレッサ19が連結され、前記乾燥室3の上
蓋2に排気弁20が設けられている。これらのコンプレ
ッサ19の駆動と、吸気弁18及び排気弁20の開放
は、被乾燥物5の乾燥時に行われ、発生する水蒸気がコ
ンプレッサ19からの空気とともに排気弁20を通って
外部へ排気されるようにしている。さらに、前記乾燥室
3の右底部には排出装置をなすピストン排出弁21
け、この排出弁21は乾燥終了された被乾燥物5を排出
するときに開放駆動され、斯る被乾燥物5はその予備室
22に落下して溜る。
【0021】その後、予備室22に落下して溜った被乾
燥物5は、移送パイプ23を介して吸引ホッパ24に供
給される。これは、ポペット弁25を開いて前記吸引ブ
ロワー11の吸引力を利用することにより行われる。そ
して、吸引ホッパ24に供給された被乾燥物5は開閉弁
26の解放により、次工程の成形機に移送される。
【0022】32は温度検知部17の低温用サーミスタ
17aの出力をデジタル値に変換する低温用A/D変換
回路、33は高温用サーミスタ17bの出力値をデジタ
ル値に変換する高温用A/D変換回路である。
【0023】34は低温用サーミスタ17aと高温用サ
ーミスタ17bからの信号のどちらかを制御用として使
用するかを切り替える切替回路であり、被乾燥物5の温
度の上昇中に、低温用サーミスタ17aで115℃を検
出したとき、低温用サーミスタ17aの検出値から高温
用サーミスタ17bからの検出値に、また被乾燥物5の
温度の下降中に高温用サーミスタ17bで115℃を検
出したとき、低温用サーミスタ17aからの検出値に測
定値を切り替えるよう動作する。35は、温度検知部1
7の出力値に基づいて、マグネトロン12を動作させる
制御手段、36は低温用サーミスタ17aと高温用サー
ミスタ17bの検出値の差を演算する演算手段、37は
該演算手段36の演算結果が所定値以上であればマグネ
トロン12の発振を停止させる停止手段である。
【0024】38は切替手段34、制御手段35、演算
手段36、停止手段37を含み、ポペット弁9、25、
吸引ブロワー11等を動作させるマイクロコンピュータ
(以下マイコンという)である。
【0025】以下に本発明の実施例を図6乃至図13に
基づいて説明する。
【0026】図6において、マイクロ波乾燥装置の操作
部のスタートキーが押される(S−1)と、まずポペッ
ト弁9が開放され、吸引ブロワー11の吸引力により乾
燥室3内に被乾燥物5が供給される材料搬送工程(S−
2)が実行される。次にレベルセンサ16で所定量が検
知されると、ポペット弁9が閉塞されてマグネトロン1
2からマイクロ波が被乾燥物5に照射されて被乾燥物5
を加熱乾燥する乾燥工程(S−3)が実行される。そし
て、乾燥終了後に乾燥室3から予備室22に排出する排
出工程(S−4)が実行されて、一連の動作が終了す
る。そして、予備室22に排出された被乾燥物5は、吸
引ホッパ24を介して次工程の成形機に移送される。
【0027】上述の工程のうち(S−3)の乾燥工程ル
ーチンの動作を図7に基づいて説明する。
【0028】乾燥工程ルーチンにはいると、まず乾燥工
程が終了したかどうか(S−5)、後述するチェックA
フラグがセットされているかどうか(S−6)、後述す
るチェックBフラグがセットされているかどうか(S−
7)、低温用サーミスタ17aの検出温度TLが36℃
以下かどうか(S−8)が順次判断される。尚、(S−
6)、(S−7)ステップにおいて、最初各フラグはセ
ットされていないので(S−8)のステップに進行する
が、もしチェックAフラグがセットされれば(S−6)
ステップから直接チェックAを実行(S−10)し、ま
たチェックBフラグがセットされれば(S−7)ステッ
プから直接チェックBを実行(S−11)する。
【0029】(S−8)ステップにおいて、乾燥開始時
は検出温度TLが36℃以下なので、チェックAを実行
(S−10)するよう進行する。このチェックAは、低
温用サーミスタ17aの検出温度TLが36℃に達する
まで低温用サーミスタ17aの開放故障をチェックする
ものであり、その動作は図8に示すように、まずチェッ
クAフラグをセットされているかどうか判断され(S−
19)、セットされていなければチェックAフラグをセ
ットするとともにタイマーAをスタートさせ、さらにこ
の時低温用サーミスタ17aの検出温度TLを初期値T
として取り込む(S−20)。その後適宜低温用サーミ
スタ17aで検出温度TLと初期値Tとを比較し、その
差が2℃以上になったかどうか判断する(S−21)。
もし2℃以上になればチェックAフラグとタイマーAを
リセットする(S−22)。また、初期値Tと検知温度
TLの差が2℃以上になる前にタイマーAが5分をカウ
ントすれば(S−23)、チェックAフラグとタイマー
Aをリセットし(S−24)、その後トラブル処理ルー
チンを実行(S−25)する。
【0030】(S−25)ステップのトラブル処理ルー
チンでは図13に示すように、まず加熱動作を停止し
て、後述する加熱フラグをリセットするとともに、アラ
ームを出力する(S−44)。その後操作部のアラーム
解除キーが押されるまでアラームを出力し(S−4
5)、アラーム解除キーが押されるとアラームの出力を
停止する(S−46)。
【0031】上述のチェックAの動作後、即ち図7中の
(S−10)ステップの実行後、低温用サーミスタ17
aの検出温度TLが115℃以下かどうか判断(S−1
4)し、115℃以下であれば低温用サーミスタ17a
の検出温度TLを温度制御用データTDとして(S−1
5)、温度制御ルーチンを実行する(S−18)。
【0032】(S−18)ステップの温度制御ルーチン
では、図12に示すように、まず加熱フラグのセットさ
れているかどうか判断する(S−37)。そして、加熱
フラグがセットされていなければ、温度制御用データT
Dが、乾燥動作前に予め設定された設定温度から1℃差
し引いた温度より低いかどうか判断し(S−38)、低
ければマグネトロン12を発振させて加熱乾燥を開始す
る(S−39)と共に加熱フラグをセットして(S−4
0)、乾燥工程ルーチンに戻す。逆に高くなれば現時点
の状態を保持して乾燥工程ルーチンに戻す。
【0033】また、(S−37)ステップにおいて加熱
フラグがセットしていると判断すると、温度制御用デー
タTDが設定温度に1℃加えた温度より高いかどうか判
断し(S−41)、高ければマグネトロン12の発振を
停止して加熱乾燥を休止する(S−42)と共に加熱フ
ラグをリセットし(S−43)、乾燥工程ルーチンに戻
す。逆に温度制御用データTDが低ければ、現時点の状
態を保持して乾燥工程ルーチンに戻す。
【0034】尚、上述の加熱フラグは、マグネトロン1
2を発振させて被乾燥物5を加熱乾燥しているときセッ
トされ、マグネトロン12の発振が停止しているときリ
セットされており、マグネトロン12の発振状態を示す
ものである。
【0035】加熱乾燥の進行とともに乾燥室3内の被乾
燥物5の温度が上昇し、低温用サーミスタ17aの検出
温度TLが36℃を越えると、(S−8)ステップを経
て、検出温度TLが43℃から123℃の範囲に達した
かどうか判断する(S−9)。もし検出温度TLが達す
れば、まずチェックBを実行する(S−11)。
【0036】このチェックBは、有効動作領域の温度を
検出中に発生した低温用サーミスタ17aの開放故障を
検出するためのものであり、その動作は図9に示すよう
に、まずチェックBフラグをセット状態を判断して(S
−26)、セットされていなければセットし(S−2
7)、その後低温用サーミスタ17aの検出温度TLが
43℃から123℃の温度範囲に達しているかどうか判
断する(S−28)。もし、検出温度TLが上述の温度
範囲から外れていると判断すれば、次にその検出温度T
Lが36℃以下かどうか判断し(S−29)、36℃以
ならチェックBフラグをリセットし(S−30)、乾
燥工程ルーチンに戻す。また、(S−29)ステップで
検出温度TLが36℃以であると判断すれば、チェッ
クBフラグをリセットした(S−31)後、図13のト
ラブル処理ルーチンを実行し(S−32)、乾燥工程ル
ーチンに戻す。
【0037】さらに、被乾燥物5の温度が上昇して、低
温用サーミスタ17aの検出温度TLが113℃から1
21℃の温度範囲に達すると、(S−11)ステップの
チェックBの動作後、チェックCを実行する(S−1
3)。
【0038】このチェックCは、高温用サーミスタ17
bの開放あるいは短絡故障を検出するもので、その動作
は図10に示すように、高温用サーミスタ17bの検出
温度THと低温用サーミスタ17aの検出温度TLの差
の絶対値が20℃以上かどうか判断する(S−33)。
もし20℃以上ならば、高温用サーミスタ17bが開放
あるいは短絡故障を起こしていると判断して、図13の
トラブル処理ルーチンを実行し(S−34)、異常報知
を行う。
【0039】設定温度が115℃以上であり、被乾燥物
5の温度が上昇して低温用サーミスタ17aの検出温度
TLが115℃に達すると、切替手段34により切り替
えて高温用サーミスタ17bの検出温度THを温度制御
用データTDとして(S−16)取り込み、チェックD
を実行した(S−17)後、図12の温度制御ルーチン
を実行する(S−18)。
【0040】(S−17)ステップのチェックDの動作
は、図11に示すように、低温用サーミスタ17aの検
出温度TLから高温用サーミスタ17bの検出温度TH
を差し引いた値が20℃以上かどうか判断し(S−3
5)、20℃以上であれば高温用サーミスタ17bが開
放故障または低温用サーミスタ17aの短絡故障を発生
していると判断して図13のトラブル処理ルーチンを実
行し(S−36)、異常報知を行う。
【0041】この図7の乾燥工程ルーチンは、上述の動
作を所定時間繰り返し継続した後、次工程の排出工程に
移行するものである。
【0042】
【発明の効果】本発明によれば、切替手段により切り替
える所定温度付近で低温検出素子と高温検出素子の検出
値の差を演算し、その差が所定値以上であればマイクロ
波供給手段の動作を停止するので、高温検出素子の異状
が早期に発見でき、装置の安全性が向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のマイクロ波乾燥装置システムの全体図
である。
【図2】本発明のマイクロ波乾燥装置の制御ブロック図
である。
【図3】本発明の低温用サーミスタの周辺回路図であ
る。
【図4】本発明の高温用サーミスタの周辺回路図であ
る。
【図5】本発明の検知温度と図3のa端子または図4の
b端子の出力電圧との関係図である。
【図6】本発明の動作フローチャートである。
【図7】図6中の乾燥行程の動作フローチャートであ
る。
【図8】図7中のチェックAの動作フローチャートであ
る。
【図9】図7中のチェックBの動作フローチャートであ
る。
【図10】図7中のチェックCの動作フローチャートで
ある。
【図11】図7中のチェックDの動作フローチャートで
ある。
【図12】図7中の温度制御の動作フローチャートであ
る。
【図13】図7中のトラブル処理の動作フローチャート
である。
【符号の説明】
1 マイクロ波乾燥装置 3 円筒状乾燥室(乾燥室) 4 供給パイプ 9 ポペット弁 11 吸引ブロワー(供給パイプ、ポペット弁、吸引ブ
ロワーにより材料供給手段を形成する。) 12 マグネトロン(マイクロ波供給手段) 17a 低温用サーミスタ(低温検出素子) 17b 高温用サーミスタ(高温検出素子) 34 切替手段 35 制御手段 36 演算手段 37 停止手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H05B 6/68 320 G01K 7/24 M 330 L (56)参考文献 特開 昭63−297934(JP,A) 特開 昭53−97674(JP,A) 実開 昭58−175415(JP,U) 実開 昭61−164427(JP,U) 実開 昭63−31348(JP,U) 実開 昭61−48356(JP,U)

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 乾燥室と、該乾燥室に被乾燥物を供給す
    る材料供給手段と、前記乾燥室に供給された前記被乾燥
    物にマイクロ波を供給するマイクロ波供給手段と、前記
    被乾燥物の温度のうち低温部を有効動作領域とする低温
    検出素子と、前記被乾燥物の温度のうち高温部を有効動
    作領域とする高温検出素子と、前記低温検出素子または
    前記高温検出素子の検出値に基づいて前記マイクロ波供
    給手段を制御する制御手段と、前記両検出素子の夫々の
    有効動作領域を重畳する温度領域内の所定温度で前記両
    検出素子のいずれかからの検出値を前記制御手段に出力
    するよう切り替える切替手段と、前記所定温度付近で前
    記両検出素子からの検出値の差を演算する演算手段と、
    該演算手段で演算結果が所定値以上であれば前記マイク
    ロ波供給手段の動作を停止する停止手段を備えたことを
    特徴とするマイクロ波乾燥装置。
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