JP2571491Y2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP2571491Y2 JP2571491Y2 JP480592U JP480592U JP2571491Y2 JP 2571491 Y2 JP2571491 Y2 JP 2571491Y2 JP 480592 U JP480592 U JP 480592U JP 480592 U JP480592 U JP 480592U JP 2571491 Y2 JP2571491 Y2 JP 2571491Y2
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- polycrystalline silicon
- resistor
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、半導体装置の構成に関
し、とくに多結晶シリコン膜からなる抵抗体の構成に関
する。
し、とくに多結晶シリコン膜からなる抵抗体の構成に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来例における多結晶シリコン膜からな
る抵抗体を、図２を用いて説明する。
る抵抗体を、図２を用いて説明する。
【０００３】図２は従来例における多結晶シリコンを用
いた抵抗体の断面図である。図２に示すように、半導体
基板２３上に二酸化シリコン膜２５を形成する。その
後、多結晶シリコン膜２７を形成し、この多結晶シリコ
ン膜２７に不純物イオンを導入することにより抵抗体を
形成する。
いた抵抗体の断面図である。図２に示すように、半導体
基板２３上に二酸化シリコン膜２５を形成する。その
後、多結晶シリコン膜２７を形成し、この多結晶シリコ
ン膜２７に不純物イオンを導入することにより抵抗体を
形成する。
【０００４】その後、多結晶シリコン膜２７上に二酸化
シリコン膜を主体とする多層配線用絶縁膜２９を形成す
る。
シリコン膜を主体とする多層配線用絶縁膜２９を形成す
る。
【０００５】さらにその後、二酸化シリコンを主体とす
る第１のパシベ−ション膜３１と、窒化シリコン膜から
なる第２のパシベ−ション膜３３との２層膜からなるパ
シベーション膜を形成し、多結晶シリコン膜２７からな
る抵抗体が得られる。
る第１のパシベ−ション膜３１と、窒化シリコン膜から
なる第２のパシベ−ション膜３３との２層膜からなるパ
シベーション膜を形成し、多結晶シリコン膜２７からな
る抵抗体が得られる。
【０００６】
【考案が解決しようとする課題】多結晶シリコン膜を用
いた抵抗体は、後工程の影響を受けやすく、とくに、パ
シベーション膜形成工程、およびパシベーション膜形成
後の熱処理などの水素ガスの発生する工程では影響を強
く受け、急激な抵抗値の低下を起こす。
いた抵抗体は、後工程の影響を受けやすく、とくに、パ
シベーション膜形成工程、およびパシベーション膜形成
後の熱処理などの水素ガスの発生する工程では影響を強
く受け、急激な抵抗値の低下を起こす。
【０００７】この多結晶シリコン膜からなる抵抗体にお
ける抵抗値の低下の原因を以下に記載する。多結晶シリ
コン膜は、粒界付近に多数のダングリングボンドが存在
しているものと考えられる。このダングリングボンドが
水素と結合することにより、粒界のエネルギーギャップ
の低下が起こり、抵抗値の低下をまねくものと考えられ
る。
ける抵抗値の低下の原因を以下に記載する。多結晶シリ
コン膜は、粒界付近に多数のダングリングボンドが存在
しているものと考えられる。このダングリングボンドが
水素と結合することにより、粒界のエネルギーギャップ
の低下が起こり、抵抗値の低下をまねくものと考えられ
る。
【０００８】よって、従来技術で作製した多結晶シリコ
ン膜を用いた抵抗体では、安定しかつ再現性がよい抵抗
値を得ることは困難である。
ン膜を用いた抵抗体では、安定しかつ再現性がよい抵抗
値を得ることは困難である。
【０００９】本考案の目的は、上記課題を解決して、多
結晶シリコン膜からなる抵抗体の抵抗値が安定し、かつ
再現性が良好な多結晶シリコン膜からなる抵抗体を提供
することである。
結晶シリコン膜からなる抵抗体の抵抗値が安定し、かつ
再現性が良好な多結晶シリコン膜からなる抵抗体を提供
することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本考案の多結晶シリコン膜からなる抵抗体は、下
記記載の構成を採用する。
めに、本考案の多結晶シリコン膜からなる抵抗体は、下
記記載の構成を採用する。
【００１１】本考案の多結晶シリコン膜からなる抵抗体
は、多結晶シリコン膜からなる抵抗体上に多層配線用絶
縁膜を介して、二酸化シリコン膜を主体とする第１のパ
シベ−ション膜と窒化シリコン膜からなる第２のパシベ
−ション膜とを備え、この第２のパシベ−ション膜は、
多結晶シリコン膜からなる抵抗体の対応する位置に開口
を設けることを特徴とする。
は、多結晶シリコン膜からなる抵抗体上に多層配線用絶
縁膜を介して、二酸化シリコン膜を主体とする第１のパ
シベ−ション膜と窒化シリコン膜からなる第２のパシベ
−ション膜とを備え、この第２のパシベ−ション膜は、
多結晶シリコン膜からなる抵抗体の対応する位置に開口
を設けることを特徴とする。
【００１２】
【作用】多結晶シリコン膜からなる抵抗体の対応する位
置の第２のパシベーション膜に形成する開口によって、
多結晶シリコンへの水素の拡散の防止と、既に多結晶シ
リコン膜中に拡散した水素の放出を行なう。
置の第２のパシベーション膜に形成する開口によって、
多結晶シリコンへの水素の拡散の防止と、既に多結晶シ
リコン膜中に拡散した水素の放出を行なう。
【００１３】
【実施例】以下図面を用いて本考案における半導体装置
の構成を説明する。まず、本考案の多結晶シリコン膜か
らなる抵抗体の構造を、図１の断面図を用いて説明す
る。
の構成を説明する。まず、本考案の多結晶シリコン膜か
らなる抵抗体の構造を、図１の断面図を用いて説明す
る。
【００１４】半導体基板１１上に二酸化シリコン１３を
介して抵抗体となる多結晶シリコン膜１５を設ける。さ
らにこの多結晶シリコン膜１５上に多層配線用絶縁膜１
７を設け、さらにこの多層配線用絶縁膜１７上に二酸化
シリコン膜を主体とする第１のパシベ−ション膜１９と
窒化シリコン膜からなる第２のパシベ−ション膜２１と
の２層膜からなるパシベーション膜を設ける。
介して抵抗体となる多結晶シリコン膜１５を設ける。さ
らにこの多結晶シリコン膜１５上に多層配線用絶縁膜１
７を設け、さらにこの多層配線用絶縁膜１７上に二酸化
シリコン膜を主体とする第１のパシベ−ション膜１９と
窒化シリコン膜からなる第２のパシベ−ション膜２１と
の２層膜からなるパシベーション膜を設ける。
【００１５】この多結晶シリコン膜１５からなる抵抗体
に対応する位置の窒化シリコン膜からなる第２のパシベ
−ション膜２１に開口２０を設ける構造とする。
に対応する位置の窒化シリコン膜からなる第２のパシベ
−ション膜２１に開口２０を設ける構造とする。
【００１６】次に上記の構造を形成するための製造方法
を説明する。
を説明する。
【００１７】まず半導体基板１１上に熱酸化法により、
二酸化シリコン膜１３を形成する。その後、膜厚０．４
５μｍの多結晶シリコン膜１５を、モノシラン雰囲気中
で化学気相成長法により形成する。
二酸化シリコン膜１３を形成する。その後、膜厚０．４
５μｍの多結晶シリコン膜１５を、モノシラン雰囲気中
で化学気相成長法により形成する。
【００１８】続いて多結晶シリコン膜１５に、Ｂ、ＢＦ
2 、Ａｓ、Ｐなどの不純物イオンをイオン注入法により
導入し、抵抗値を制御する。
2 、Ａｓ、Ｐなどの不純物イオンをイオン注入法により
導入し、抵抗値を制御する。
【００１９】その後、化学気相成長法により二酸化シリ
コンを主体とする多層配線用絶縁膜１９を膜厚０．６μ
ｍ形成する。その後、多結晶シリコン膜１５中に注入し
た不純物イオンの活性化のために、温度９００〜１００
０℃の窒素雰囲気中で熱処理を行なう。
コンを主体とする多層配線用絶縁膜１９を膜厚０．６μ
ｍ形成する。その後、多結晶シリコン膜１５中に注入し
た不純物イオンの活性化のために、温度９００〜１００
０℃の窒素雰囲気中で熱処理を行なう。
【００２０】その後、図示しないが、通常のＭＯＳトラ
ンジスタやバイポーラトランジスタ作製工程に従って、
配線形成工程を行う。
ンジスタやバイポーラトランジスタ作製工程に従って、
配線形成工程を行う。
【００２１】その後、化学気相成長法によって二酸化シ
リコン膜を主体とする、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ膜などからな
る第１のパシベ−ション膜２１を膜厚０．４μｍ形成す
る。
リコン膜を主体とする、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ膜などからな
る第１のパシベ−ション膜２１を膜厚０．４μｍ形成す
る。
【００２２】その後、モノシランとアンモニアとを用い
たプラズマ気相成長法により、窒化シリコン膜からなる
第２のパシベ−ション膜２３を膜厚０．８μｍ形成し、
第１のパシベーション膜１９と第２のパシベーション膜
２１との２層膜からなるパシベーション膜を形成する。
たプラズマ気相成長法により、窒化シリコン膜からなる
第２のパシベ−ション膜２３を膜厚０．８μｍ形成し、
第１のパシベーション膜１９と第２のパシベーション膜
２１との２層膜からなるパシベーション膜を形成する。
【００２３】その後、ホトエッチング工程により抵抗体
となる多結晶シリコン膜１５の上部の窒化シリコン膜か
らなる第２のパシベーション膜２１を、抵抗体の大きさ
と同程度の大きさで開口２０を形成することによって、
高精度の抵抗値を有する抵抗体を具備した半導体集積回
路が完成する。
となる多結晶シリコン膜１５の上部の窒化シリコン膜か
らなる第２のパシベーション膜２１を、抵抗体の大きさ
と同程度の大きさで開口２０を形成することによって、
高精度の抵抗値を有する抵抗体を具備した半導体集積回
路が完成する。
【００２４】多結晶シリコン膜１５からなる抵抗体に対
応する位置の第２のパシベーション膜２１に開口２０を
有する抵抗体は、第２のパシベーション膜２１の開口に
よって、水素ガスをこの開口部より放出し、多結晶シリ
コン膜１５への拡散を防止する。またさらに、多結晶シ
リコン膜１５中に既に拡散した水素の放出が可能となり
水素による影響を低減する。
応する位置の第２のパシベーション膜２１に開口２０を
有する抵抗体は、第２のパシベーション膜２１の開口に
よって、水素ガスをこの開口部より放出し、多結晶シリ
コン膜１５への拡散を防止する。またさらに、多結晶シ
リコン膜１５中に既に拡散した水素の放出が可能となり
水素による影響を低減する。
【００２５】その結果、従来の技術により作製した多結
晶シリコン膜からなる抵抗体の抵抗値の低下率が９０％
以上であるのに対して、本考案の構造を有する抵抗体で
はその抵抗値の低下率を２０％以内に抑えることが可能
となった。
晶シリコン膜からなる抵抗体の抵抗値の低下率が９０％
以上であるのに対して、本考案の構造を有する抵抗体で
はその抵抗値の低下率を２０％以内に抑えることが可能
となった。
【００２６】また、本考案においてパシベーション膜
を、第１のパシベーション膜１９と第２のパシベーショ
ン膜２１との２層にすることによって、開口２０による
信頼性への影響はない。
を、第１のパシベーション膜１９と第２のパシベーショ
ン膜２１との２層にすることによって、開口２０による
信頼性への影響はない。
【００２７】
【考案の効果】以上説明したように本考案によれば、半
導体基板に形成した多結晶シリコン膜からなる抵抗体上
部のパシベーション膜に開口を設けている。この結果、
水素ガスが発生する工程を有する半導体装置において、
多結晶シリコン膜からなる抵抗体の抵抗値が安定し、か
つ再現性が良好な多結晶シリコン膜からなる抵抗体が得
られるので、半導体集積回路の設計製造に大きな効果が
ある。
導体基板に形成した多結晶シリコン膜からなる抵抗体上
部のパシベーション膜に開口を設けている。この結果、
水素ガスが発生する工程を有する半導体装置において、
多結晶シリコン膜からなる抵抗体の抵抗値が安定し、か
つ再現性が良好な多結晶シリコン膜からなる抵抗体が得
られるので、半導体集積回路の設計製造に大きな効果が
ある。
【図１】本考案の実施例における半導体装置を示す断面
図である。
図である。
【図２】従来例における半導体装置を示す断面図であ
る。
る。
１５ 多結晶シリコン膜 １７ 多層配線用絶縁膜 １９ 第１のパシベ−ション膜 ２０ 開口 ２１ 第２のパシベ−ション膜
Claims (1)
- 【請求項１】 多結晶シリコン膜からなる抵抗体上に多
層配線用絶縁膜を介して、二酸化シリコン膜を主体とす
る第１のパシベ−ション膜と窒化シリコン膜からなる第
２のパシベ−ション膜とを備え、該第２のパシベ−ショ
ン膜は、前記多結晶シリコン膜からなる抵抗体の対応す
る位置に開口を設けることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP480592U JP2571491Y2 (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP480592U JP2571491Y2 (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0559856U JPH0559856U (ja) | 1993-08-06 |
| JP2571491Y2 true JP2571491Y2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=11593984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP480592U Expired - Fee Related JP2571491Y2 (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2571491Y2 (ja) |
-
1992
- 1992-01-14 JP JP480592U patent/JP2571491Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0559856U (ja) | 1993-08-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |