JP2565897B2 - 限界電流式ガスセンサ - Google Patents
限界電流式ガスセンサInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、気体をイオンとして透過する固体電解質膜
を用い、大気雰囲気中の特定ガスの検出、測定を行う限
界電流式ガスセンサに関する。
を用い、大気雰囲気中の特定ガスの検出、測定を行う限
界電流式ガスセンサに関する。
（従来技術） 固体電解質膜を用いたガスセンサには安定化ジルコニ
アセラミックスを隔膜とした濃淡電池型酸素センサや同
じく安定化ジルコニアセラミックスを酸素ポンプとして
作動させる限界電流式ガスセンサ等が知られている。
アセラミックスを隔膜とした濃淡電池型酸素センサや同
じく安定化ジルコニアセラミックスを酸素ポンプとして
作動させる限界電流式ガスセンサ等が知られている。
前者は特定ガスの検出精度も高く、計測器として古く
から用いられているが、固体電解質膜の片側に基準酸素
分圧をもつ気体ないし固体を充填する必要がある。
から用いられているが、固体電解質膜の片側に基準酸素
分圧をもつ気体ないし固体を充填する必要がある。
濃淡電池型酸素センサでの基準酸素分圧を持つ気体を
基準極とする方式ではボンベや大気をセンサ部にまで導
入する必要があり、煙道内のO2測定には向くものの家庭
内や居室内の酸素測定用センサには不向きである。また
基準酸素分圧を持つ固体を基準極とすると固体電解質膜
の寿命という問題が生じてくる。この様な問題は濃淡電
池型酸素センサにおいては常に存在している。
基準極とする方式ではボンベや大気をセンサ部にまで導
入する必要があり、煙道内のO2測定には向くものの家庭
内や居室内の酸素測定用センサには不向きである。また
基準酸素分圧を持つ固体を基準極とすると固体電解質膜
の寿命という問題が生じてくる。この様な問題は濃淡電
池型酸素センサにおいては常に存在している。
一方、限界電流式ガスセンサはこの様な濃淡電池型酸
素センサの問題点を補うもので、一例として従来知られ
ている限界電流式ガスセンサの構造を図面を参照しなが
ら説明していく。
素センサの問題点を補うもので、一例として従来知られ
ている限界電流式ガスセンサの構造を図面を参照しなが
ら説明していく。
第６図は限界電流式ガスセンサの断面図である。
第６図に示すガスセンサにおいて２−１は安定化ジル
コニアセラミックス薄膜で、２−２、２−３は電極、２
−５は空洞である。また２−４は空洞外囲器で一部に外
気との連通孔２−６をもっている。空洞外囲器２−４は
断面凹型に形成され、連通孔２−６を設けた後に安定化
ジルコニアセラミックス薄膜２−１にガラス接着剤２−
７を用いて接着される。２−８、２−９はリード線であ
る。２−10は電極２−３を外囲器２−４外部に導きリー
ド線２−９が接続される引き出し部である。
コニアセラミックス薄膜で、２−２、２−３は電極、２
−５は空洞である。また２−４は空洞外囲器で一部に外
気との連通孔２−６をもっている。空洞外囲器２−４は
断面凹型に形成され、連通孔２−６を設けた後に安定化
ジルコニアセラミックス薄膜２−１にガラス接着剤２−
７を用いて接着される。２−８、２−９はリード線であ
る。２−10は電極２−３を外囲器２−４外部に導きリー
ド線２−９が接続される引き出し部である。
この様に構成される限界電流式ガスセンサを500℃以
上の大気雰囲気で、電極２−２と電極２−３との間に電
圧を印加すると酸素イオンによるイオン電流が薄膜２−
１を通して流れる。電圧をさらに増加させると所定の電
圧以上では電流の増加を示さなくなる。それは連通孔２
−６を通じて外から、もしくは外気へ放出されるO2が制
限を受けるためで、この一定電流値は限界電流と呼ばれ
ている。限界電流値ILは限界電流式ガスセンサの温度を
Ｔ、外気中の酸素分圧をPO2、ファラデー定数をＦ、気
体定数をＲ、連通孔２−６の断面積をＳ、その長さをＬ
とすると、 をもって表すことができる。従って連通孔２−６の形
状、すなわちS/LがILを決定する要因となっている。よ
って連通孔２−６の管路インピーダンスが十分高く、薄
膜２−１を酸素イオンとして通過しうる酸素流に対して
律速となる必要がある。
上の大気雰囲気で、電極２−２と電極２−３との間に電
圧を印加すると酸素イオンによるイオン電流が薄膜２−
１を通して流れる。電圧をさらに増加させると所定の電
圧以上では電流の増加を示さなくなる。それは連通孔２
−６を通じて外から、もしくは外気へ放出されるO2が制
限を受けるためで、この一定電流値は限界電流と呼ばれ
ている。限界電流値ILは限界電流式ガスセンサの温度を
Ｔ、外気中の酸素分圧をPO2、ファラデー定数をＦ、気
体定数をＲ、連通孔２−６の断面積をＳ、その長さをＬ
とすると、 をもって表すことができる。従って連通孔２−６の形
状、すなわちS/LがILを決定する要因となっている。よ
って連通孔２−６の管路インピーダンスが十分高く、薄
膜２−１を酸素イオンとして通過しうる酸素流に対して
律速となる必要がある。
（発明が解決しようとする問題点） しかしならが従来の限界電流式ガスセンサでは薄膜２
−１、外囲器２−４を通常のセラミックスの製法によっ
て製造していた。このため隔膜２−１の厚さは最も薄い
ものでも20μｍ程度で通常は30〜50μｍの厚さとなる。
このため酸素イオンの通過抵抗が大きくなり（Ｌが大き
くなるため）ILが小さくなる。よって所望のILを得るた
めには通過抵抗を低下させる必要があり連通孔２−６の
径を大きくする（Ｓを大きくする）必要がある。
−１、外囲器２−４を通常のセラミックスの製法によっ
て製造していた。このため隔膜２−１の厚さは最も薄い
ものでも20μｍ程度で通常は30〜50μｍの厚さとなる。
このため酸素イオンの通過抵抗が大きくなり（Ｌが大き
くなるため）ILが小さくなる。よって所望のILを得るた
めには通過抵抗を低下させる必要があり連通孔２−６の
径を大きくする（Ｓを大きくする）必要がある。
また、外囲器２−４も通常のセラミックスの製造方法
で作られており、連通孔２−６を設けるためにはレーザ
加工、機械加工、細線の埋め込み法等が用いられてき
た。
で作られており、連通孔２−６を設けるためにはレーザ
加工、機械加工、細線の埋め込み法等が用いられてき
た。
以下に、それら連通孔２−６を形成する手段について
それぞれ説明していく。
それぞれ説明していく。
レーザ加工は焼成後のAl2O3から成る外囲器２−４に
赤外線レーザビームを照射し溶融させる方式である。こ
の方法によって60〜100μｍ程度の直径をもつ連通孔２
−６が得られるが、レーザビームの入射側の穴径が大き
く反対側の穴径が小さくなるため、安定して一定のS/L
をもつ連通孔２−６が得られなかった。
赤外線レーザビームを照射し溶融させる方式である。こ
の方法によって60〜100μｍ程度の直径をもつ連通孔２
−６が得られるが、レーザビームの入射側の穴径が大き
く反対側の穴径が小さくなるため、安定して一定のS/L
をもつ連通孔２−６が得られなかった。
またAl2O3分解蒸発物が連通孔２−６内面に付着する
ため一定のインピーダンスを持つ管路が得られないとい
う欠点もあった。さらに熱衝撃により外囲器２−４の基
材に亀裂が生じるといった難点もあった。
ため一定のインピーダンスを持つ管路が得られないとい
う欠点もあった。さらに熱衝撃により外囲器２−４の基
材に亀裂が生じるといった難点もあった。
また機械加工では焼成前に外囲器２−４に対して細径
のドリルで穴あけ加工を施していた。ドリルでは直径が
約100μｍで比較的長い穴があけられるという利点があ
る。しかしながら穴形成後の焼成によって外囲器２−４
が変形するために連通孔２−６の穴形状の再現性が難し
いという問題がある。
のドリルで穴あけ加工を施していた。ドリルでは直径が
約100μｍで比較的長い穴があけられるという利点があ
る。しかしながら穴形成後の焼成によって外囲器２−４
が変形するために連通孔２−６の穴形状の再現性が難し
いという問題がある。
また細線を用いる方法では外囲器２−４の形成時に金
属等の細線を埋め込み、引き抜いた後で外囲器２−４を
焼成する。この方法では細線のわずかな曲りや歪みによ
り細線の引き抜き時に外囲器２−４にクラックが入った
り、焼成により穴形状の再現性が悪かったりしていた。
焼成により外囲器２−４が変形するのは機械加工と同様
である。
属等の細線を埋め込み、引き抜いた後で外囲器２−４を
焼成する。この方法では細線のわずかな曲りや歪みによ
り細線の引き抜き時に外囲器２−４にクラックが入った
り、焼成により穴形状の再現性が悪かったりしていた。
焼成により外囲器２−４が変形するのは機械加工と同様
である。
この様にして製造される外囲器２−４と固体電解質薄
膜２−１とを気密に封じるためにはガラス接着剤２−７
が用いられてきた。固体電気質薄膜２−１もしくは外囲
器２−４にガラス接着剤を印刷し、両者を重ね合わせて
熱処理を行い、ガラスを溶融させて接着する。この場合
に接着剤２−７が接着部周囲に流れて電極２−３に浸透
すると電極としての機能が失われる可能性がでてくる。
膜２−１とを気密に封じるためにはガラス接着剤２−７
が用いられてきた。固体電気質薄膜２−１もしくは外囲
器２−４にガラス接着剤を印刷し、両者を重ね合わせて
熱処理を行い、ガラスを溶融させて接着する。この場合
に接着剤２−７が接着部周囲に流れて電極２−３に浸透
すると電極としての機能が失われる可能性がでてくる。
また電極２−３の外部への引き出し部２−10には段差
があるため気密封着が困難である。また接着が出来ても
引き出し部２−10が電気的に切断されることが多かっ
た。
があるため気密封着が困難である。また接着が出来ても
引き出し部２−10が電気的に切断されることが多かっ
た。
この様に従来の限界電流式ガスセンサでは、セラミッ
クス技術に起因するところが大きく固体電解質薄膜２−
１の厚さを薄くして抵抗を減少させることに限界があっ
た。そのため連通孔２−６のS/Lを小さくすることがで
きなかった。
クス技術に起因するところが大きく固体電解質薄膜２−
１の厚さを薄くして抵抗を減少させることに限界があっ
た。そのため連通孔２−６のS/Lを小さくすることがで
きなかった。
また電極２−３を外部に効率よく引き出すことができ
ないため工業的に再現性の優れた限界電流式ガスセンサ
を得ることは困難であり、また小型化にも限界があっ
た。
ないため工業的に再現性の優れた限界電流式ガスセンサ
を得ることは困難であり、また小型化にも限界があっ
た。
そこで本発明は上記従来の限界電流式ガスセンサの問
題に鑑みてなされたもので、固体電解質隔膜のイオン通
過抵抗を低くし、素子の小型化を実現した限界電流式ガ
スセンサを提供することを目的とする。
題に鑑みてなされたもので、固体電解質隔膜のイオン通
過抵抗を低くし、素子の小型化を実現した限界電流式ガ
スセンサを提供することを目的とする。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 上記の目的を達成するために本発明の限界電流式ガス
センサは、導電性を持ち空孔部が形成された基板と、前
記基板の一方の側面に前記空孔部を閉塞して設けられる
固体電解質膜と、前記基板の他方の側面に前記空孔部を
閉塞して設けられる支持台と、前記固体電解質膜の前記
支持台に対向する面に設けられる第１電極と、前記固体
電解質膜の前記第１電極に対して反対側の面に設けられ
る第２電極と、前記空孔部内と該空孔部外とを連通する
連通部と、前記第１電極と前記基板とを電気的に接続す
る接続部とから構成されている。
センサは、導電性を持ち空孔部が形成された基板と、前
記基板の一方の側面に前記空孔部を閉塞して設けられる
固体電解質膜と、前記基板の他方の側面に前記空孔部を
閉塞して設けられる支持台と、前記固体電解質膜の前記
支持台に対向する面に設けられる第１電極と、前記固体
電解質膜の前記第１電極に対して反対側の面に設けられ
る第２電極と、前記空孔部内と該空孔部外とを連通する
連通部と、前記第１電極と前記基板とを電気的に接続す
る接続部とから構成されている。
（作用） 本発明の限界電流式ガスセンサでは固体電解質を従来
の焼結体から膜とすることによって、その厚さを従来の
厚さの約1/10以下とすることで固体電解質膜の電気抵抗
を低減させることができ、同時に限界電流式ガスセンサ
の大きさを約1/3以下に小さくすることもできる。
の焼結体から膜とすることによって、その厚さを従来の
厚さの約1/10以下とすることで固体電解質膜の電気抵抗
を低減させることができ、同時に限界電流式ガスセンサ
の大きさを約1/3以下に小さくすることもできる。
また連通部は基板面内に設けられるため断面積と長さ
は従来のＳを小さくする手法に変えて本発明ではＬを大
きくすることもでき、固体電解質膜の電気抵抗に対して
小さなS/L比を得ることができる。
は従来のＳを小さくする手法に変えて本発明ではＬを大
きくすることもでき、固体電解質膜の電気抵抗に対して
小さなS/L比を得ることができる。
さらに電極の外部への引き出しは空洞内にて電極と基
板とを電気的に接続することにより基板自身を端子とす
ることができ、事実上空洞内部から外部へ至る引き出し
線を不要とすることができる。
板とを電気的に接続することにより基板自身を端子とす
ることができ、事実上空洞内部から外部へ至る引き出し
線を不要とすることができる。
また各部の寸法もセラミックスの焼成による変形をな
くすことができ再現性が向上した。また穴の寸法を小さ
くすることで応答速度が向上し、さらに素子の動作温度
も280〜350℃で動作可能となった。
くすことができ再現性が向上した。また穴の寸法を小さ
くすることで応答速度が向上し、さらに素子の動作温度
も280〜350℃で動作可能となった。
（実施例） 以下図面を参照しながら本発明の実施例について説明
していく。
していく。
第１図は限界電流式ガスセンサの第１実施例の断面図
で、第２図は限界電流式ガスセンサの第１実施例の作成
工程を示す説明図である。
で、第２図は限界電流式ガスセンサの第１実施例の作成
工程を示す説明図である。
まずｎ＋のSi基板１−11（厚さ0.2mm、基板）の両面
を鏡面加工し、その片面に固体電解質薄膜１−１（固体
電解質膜）をRFスパッタリング法で約２μｍ堆積する
（第２図の３−１参照）。
を鏡面加工し、その片面に固体電解質薄膜１−１（固体
電解質膜）をRFスパッタリング法で約２μｍ堆積する
（第２図の３−１参照）。
次に上述の固体電解質薄膜１−１の下部のSi基板１−
11をエッチングにより除去し空洞（空孔部）を設ける。
この除去部分（空孔部）に連続して連通孔１−６（連通
部）のための溝を設ける。ここでは空洞の直径は約2mm
φで、連通孔１−６の幅は20μｍ、深さは10μｍ、長さ
は800μｍである（第２図の３−２参照）。
11をエッチングにより除去し空洞（空孔部）を設ける。
この除去部分（空孔部）に連続して連通孔１−６（連通
部）のための溝を設ける。ここでは空洞の直径は約2mm
φで、連通孔１−６の幅は20μｍ、深さは10μｍ、長さ
は800μｍである（第２図の３−２参照）。
このSi基板１−11上の固体電解質薄膜１−１の上面と
下面（空洞内部となるべき面）とに金属電極１−２（第
２電極）と金属電極（第１電極）を蒸着する。本実施例
では金属電極１−２と金属電極とはPtを用いており、金
属電極１−２は外部電極１−２と、金属電極は内部電極
となっている。
下面（空洞内部となるべき面）とに金属電極１−２（第
２電極）と金属電極（第１電極）を蒸着する。本実施例
では金属電極１−２と金属電極とはPtを用いており、金
属電極１−２は外部電極１−２と、金属電極は内部電極
となっている。
またこの工程でSi基板１−11に電極端子１−10を設け
ておく（第２図の３−３参照）。
ておく（第２図の３−３参照）。
次に内部電極とSi基板１−11とを蒸着膜による接続部
１−７にて接続する。この場合接続部１−７には高温で
Siと化合物を作りにくい金属を用いることが好ましく、
本実施例では接続部１−７に例えばAgを用いている（第
２図の３−４参照）。
１−７にて接続する。この場合接続部１−７には高温で
Siと化合物を作りにくい金属を用いることが好ましく、
本実施例では接続部１−７に例えばAgを用いている（第
２図の３−４参照）。
その後ホウケイ酸ガラスを接着剤としてSi基板１−11
と支持台１−４とを静電接着させ、空洞１−５と連通孔
１−６とを形成し（第２図の３−５参照）、リード線１
−８、１−９を設けて限界電流式ガスセンサとした（第
２図の３−６参照）。支持台１−４と固体電解質薄膜１
−１とはSi基板１−11に設けられる空洞１−５部分で対
面に配置されている。この様な工程によって得られた限
界電流式ガスセンサは3.5mm×3.5mm、厚さ約0.4mmとな
っている。
と支持台１−４とを静電接着させ、空洞１−５と連通孔
１−６とを形成し（第２図の３−５参照）、リード線１
−８、１−９を設けて限界電流式ガスセンサとした（第
２図の３−６参照）。支持台１−４と固体電解質薄膜１
−１とはSi基板１−11に設けられる空洞１−５部分で対
面に配置されている。この様な工程によって得られた限
界電流式ガスセンサは3.5mm×3.5mm、厚さ約0.4mmとな
っている。
ここで支持台１−４の材料にはガラス、石英またはSi
を使用しても良く、支持台１−４表面にはSiO2膜を形成
していても構わない。
を使用しても良く、支持台１−４表面にはSiO2膜を形成
していても構わない。
この限界電流式ガスセンサを約350℃の電気炉中で加
熱し、内部電極１−３を負、外部電極１−２を正として
電圧1.2Vを両電極間に印加し、電気炉中の酸素雰囲気を
変化させたところ第３図に示される様な特性が得られ
た。第３図は酸素濃度と限界電流との関係を示すグラフ
である。第３図からも分かる様に酸素濃度が０〜30％で
は、ILはほぼ酸素濃度に比例している。
熱し、内部電極１−３を負、外部電極１−２を正として
電圧1.2Vを両電極間に印加し、電気炉中の酸素雰囲気を
変化させたところ第３図に示される様な特性が得られ
た。第３図は酸素濃度と限界電流との関係を示すグラフ
である。第３図からも分かる様に酸素濃度が０〜30％で
は、ILはほぼ酸素濃度に比例している。
次に本発明の第２実施例を第４図を参照しながら説明
していく。
していく。
第４図は限界電流式ガスセンサの第２実施例の断面図
である。
である。
前述した第１実施例の工程と同様にして、支持台５−
４上に設けられるSi基板５−11には予め2000オングスト
ローム厚のSiO2層５−12を設け、その後エッチングによ
り空洞５−５を設ける。SiO2層５−12を覆うように固体
電解質薄膜５−１を設け、その表面に外部電極５−２を
設け、リード線５−８を接続する。
４上に設けられるSi基板５−11には予め2000オングスト
ローム厚のSiO2層５−12を設け、その後エッチングによ
り空洞５−５を設ける。SiO2層５−12を覆うように固体
電解質薄膜５−１を設け、その表面に外部電極５−２を
設け、リード線５−８を接続する。
また固体電解質薄膜５−１の外部電極５−２とは反対
側に内部電極５−３を設ける。空洞５−５内には内部電
極５−３とSi基板５−11とを電気的に接続するAgからな
る接続部５−７が設けられている。Si基板５−11と支持
台５−４とを接着する際には接触部分の一部に空洞５−
５と外部とを繋ぐ外気が流通可能な連通孔５−６が形成
される。
側に内部電極５−３を設ける。空洞５−５内には内部電
極５−３とSi基板５−11とを電気的に接続するAgからな
る接続部５−７が設けられている。Si基板５−11と支持
台５−４とを接着する際には接触部分の一部に空洞５−
５と外部とを繋ぐ外気が流通可能な連通孔５−６が形成
される。
またSiO2層５−12を一部除去して電極端子５−10を設
け、リード線５−９が接続されている。
け、リード線５−９が接続されている。
この様な構成をしている限界電流式ガスセンサではSi
基板５−11表面にSiO2層５−12を設けることによって、
固体電解質薄膜５−１とSi基板５−11との接着強度を増
加させることができる。
基板５−11表面にSiO2層５−12を設けることによって、
固体電解質薄膜５−１とSi基板５−11との接着強度を増
加させることができる。
また固体電解質薄膜５−１の電気抵抗を減少させ、そ
の結果従来よりも約1/2〜1/3に小型化することが可能と
なる。また空洞５−５や連通孔５−６の形状寸法が正確
であり再現性のある手法によって設けることができるた
め、素子の製造過程で形状の誤差を抑えることができ
る。また内部電極５−３が接続部５−７を介してSi基板
５−11に接続され、その後電極端子５−10へと接続され
ているため、Si基板５−11がリード線５−９との電気的
な接続不良を解消し、従来のリード引き出し部（支持台
５−４とSi基板５−11との接触部）からのガスの漏洩の
ない限界電流式ガスセンサを得ることができる。
の結果従来よりも約1/2〜1/3に小型化することが可能と
なる。また空洞５−５や連通孔５−６の形状寸法が正確
であり再現性のある手法によって設けることができるた
め、素子の製造過程で形状の誤差を抑えることができ
る。また内部電極５−３が接続部５−７を介してSi基板
５−11に接続され、その後電極端子５−10へと接続され
ているため、Si基板５−11がリード線５−９との電気的
な接続不良を解消し、従来のリード引き出し部（支持台
５−４とSi基板５−11との接触部）からのガスの漏洩の
ない限界電流式ガスセンサを得ることができる。
次に限界電流式ガスセンサの第３実施例を第５図を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
第５図は限界電流式ガスセンサの第３実施例の断面図
である。
である。
前述した第４図に示す第２実施例における接続部５−
７において、第５図中の内部電極６−３とSi基板６−10
とを接続する接続部にはSiと化合物を作りにくい金属を
用いる必要があり、その場合には接続部を内部電極６−
３と同一材料の接続部によって接続する。例えば内部電
極６−３にはAg蒸着膜を用いている。
７において、第５図中の内部電極６−３とSi基板６−10
とを接続する接続部にはSiと化合物を作りにくい金属を
用いる必要があり、その場合には接続部を内部電極６−
３と同一材料の接続部によって接続する。例えば内部電
極６−３にはAg蒸着膜を用いている。
この様な構成により接続部を新たに設ける必要もなく
製造工程を減らし同時にコスト低下にも寄与している。
また接続部の接続不良も解消できる。
製造工程を減らし同時にコスト低下にも寄与している。
また接続部の接続不良も解消できる。
以上、本発明の各実施例を説明したが、本発明は上記
実施例に限定されず、その主旨を逸脱しない範囲で種々
変形して実施できることは言うまでもない。
実施例に限定されず、その主旨を逸脱しない範囲で種々
変形して実施できることは言うまでもない。
例えば固体電解質膜の材料にはZrO2−Y2O3系を用いた
が、ZrO2−CaO系、ZrO2−MgO系、Bi2O3−Y2O3系、Bi2O3
−SrO系またはCeO2−La2O3系を用いることも可能であ
る。
が、ZrO2−CaO系、ZrO2−MgO系、Bi2O3−Y2O3系、Bi2O3
−SrO系またはCeO2−La2O3系を用いることも可能であ
る。
またLaF3を用いることによってF2ガスセンサとして使
用が可能となり、SrCe0.95Ｙ0.05O3−α系やSrCe0.95Yb
0.05O3−α系を用いればH2、H2Oのセンサとして作動す
る（ただし、αの範囲は０＜α＜３である）。
用が可能となり、SrCe0.95Ｙ0.05O3−α系やSrCe0.95Yb
0.05O3−α系を用いればH2、H2Oのセンサとして作動す
る（ただし、αの範囲は０＜α＜３である）。
［発明の効果］ 上述の様な本発明では、固体電解質膜の抵抗を減少さ
せ、素子の大きさを小型化することができる。
せ、素子の大きさを小型化することができる。
第１図は本発明の限界電流式ガスセンサの第１実施例の
断面図で、第２図は本発明の限界電流式ガスセンサの第
１実施例の工程の説明図で、第３図は本発明の限界電流
式ガスセンサに係る酸素濃度と限界電流との関係を示す
グラフで、第４図は本発明の限界電流式ガスセンサの第
２実施例の断面図で、第５図は本発明の限界電流式ガス
センサの第３実施例の断面図で、第６図は従来の限界電
流式ガスセンサの断面図である。 １−１……固体電解質薄膜（固体電解質膜） １−２……外部電極（第２電極） １−３……内部電極（第１電極） １−４……支持台 １−５……空洞（空孔部） １−６……連通孔（連通部） １−７……接続部 １−８、１−９……リード線 １−10……電極端子 １−11……Si基板（基板）
断面図で、第２図は本発明の限界電流式ガスセンサの第
１実施例の工程の説明図で、第３図は本発明の限界電流
式ガスセンサに係る酸素濃度と限界電流との関係を示す
グラフで、第４図は本発明の限界電流式ガスセンサの第
２実施例の断面図で、第５図は本発明の限界電流式ガス
センサの第３実施例の断面図で、第６図は従来の限界電
流式ガスセンサの断面図である。 １−１……固体電解質薄膜（固体電解質膜） １−２……外部電極（第２電極） １−３……内部電極（第１電極） １−４……支持台 １−５……空洞（空孔部） １−６……連通孔（連通部） １−７……接続部 １−８、１−９……リード線 １−10……電極端子 １−11……Si基板（基板）
Claims (1)
- 【請求項１】導電性を持ち空孔部が形成された基板と、 前記基板の一方の側面に前記空孔部を閉塞して設けられ
る固体電解質膜と、 前記基板の他方の側面に前記空孔部を閉塞して設けられ
る支持台と、 前記固体電解質膜の前記支持台に対向する面に設けられ
る第１電極と、 前記固体電解質膜の前記第１電極に対して反対側の面に
設けられる第２電極と、 前記空孔部内と該空孔部外とを連通する連通部と、 前記第１電極と前記基板とを電気的に接続する接続部と を具備していることを特徴とする限界電流式ガスセン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62093162A JP2565897B2 (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 限界電流式ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62093162A JP2565897B2 (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 限界電流式ガスセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63259458A JPS63259458A (ja) | 1988-10-26 |
| JP2565897B2 true JP2565897B2 (ja) | 1996-12-18 |
Family
ID=14074870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62093162A Expired - Lifetime JP2565897B2 (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 限界電流式ガスセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2565897B2 (ja) |
-
1987
- 1987-04-17 JP JP62093162A patent/JP2565897B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63259458A (ja) | 1988-10-26 |
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