JP2565317Y2 - 表層に封止用のパターンを持ったプラスチックｉｃチップキャリア - Google Patents
表層に封止用のパターンを持ったプラスチックｉｃチップキャリアInfo
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- JP2565317Y2 JP2565317Y2 JP1991114046U JP11404691U JP2565317Y2 JP 2565317 Y2 JP2565317 Y2 JP 2565317Y2 JP 1991114046 U JP1991114046 U JP 1991114046U JP 11404691 U JP11404691 U JP 11404691U JP 2565317 Y2 JP2565317 Y2 JP 2565317Y2
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- JP
- Japan
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- chip carrier
- plastic
- sealing pattern
- bonding
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49109—Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案の目的は、削り出しによって作るＰＧＡ、ＰＬＣ
Ｃ等のプラスチックＩＣチップキャリアの表層のボンデ
ィングパット外側周辺部に封止用のパターンを残し、こ
こに金属キャップをかぶせて、この金属キャップと回路
をハンダ付けまたは溶着等で接台することによって封止
の信頼性を高めるものである。ＩＣの多ピン化のため、
ＰＧＡ、ＬＣＣ等種々のＩＣチップキャリアが使用され
てきたが、封止等の信頼性の面からセラミックのチップ
キャリアが多く使用されてきた。しかし、セラミックは
焼結時の変形等により歩留まりが悪く、コスト高にな
る。そこでセラミックに代えてプラスチックＩＣチップ
キャリアにしようとすると、封止の信頼性の向上が必要
となる。多段のプラスチックＩＣチップキャリアは窓を
明けた基材を張り台わせて作るが、接着層の流動性が良
いとボンディングパット等に接着剤が流れ出し、流動性
が悪いとボイドや隙間ができて問題がある。本考案で
は、多層板の製造工程と同一な高温・高圧の条件下で均
一に積層形成されるので、層間の耐吸湿の信頼性が高
い。また積層後に削り出すので、削り出しを多段に行っ
ても窓部の寸法精度が高く加工できる。表層に封止用の
パターンを残し、ここに金属製のキャップをかぶせてハ
ンダ付け、レーザー等で溶着させれば非常に高い密封性
を示し、プラスチックＩＣチップキャリアの信頼性を高
めることになる。以下、本考案による実施例を示す。ボ
ンディング回路（３），（４）、ダイパット回路（５）
等を形成した基材を内層にして積層した多層基材を作
る。第１図はその断面図である。この基材に、穴明け後
スルーホール銅メッキ（８）して、表層に回路を形成す
ると第２図にようになる。 その後、削り出しによって
内層のボンディングパット（１６），（１７）とダイパ
ット（１８）を露出させ、ニッケル・金メッキ（２０）
後に外形加工をしてピン（１９）立てするＩＣチップ
（１１）を載せてボンディング・ポッテング後、金属キ
ャップ（１４）をかぶせてハンダ付けすると第３図のよ
うになる。金属キャップがあるので、ポッテング樹脂
（１３）を省くことも可能である。また、ボンディング
パットの段数を変えたり、あるいはダイパット部を掘り
下げないなど、その用途によってさまざまに変化させる
ことができるのはもちろんである。
Ｃ等のプラスチックＩＣチップキャリアの表層のボンデ
ィングパット外側周辺部に封止用のパターンを残し、こ
こに金属キャップをかぶせて、この金属キャップと回路
をハンダ付けまたは溶着等で接台することによって封止
の信頼性を高めるものである。ＩＣの多ピン化のため、
ＰＧＡ、ＬＣＣ等種々のＩＣチップキャリアが使用され
てきたが、封止等の信頼性の面からセラミックのチップ
キャリアが多く使用されてきた。しかし、セラミックは
焼結時の変形等により歩留まりが悪く、コスト高にな
る。そこでセラミックに代えてプラスチックＩＣチップ
キャリアにしようとすると、封止の信頼性の向上が必要
となる。多段のプラスチックＩＣチップキャリアは窓を
明けた基材を張り台わせて作るが、接着層の流動性が良
いとボンディングパット等に接着剤が流れ出し、流動性
が悪いとボイドや隙間ができて問題がある。本考案で
は、多層板の製造工程と同一な高温・高圧の条件下で均
一に積層形成されるので、層間の耐吸湿の信頼性が高
い。また積層後に削り出すので、削り出しを多段に行っ
ても窓部の寸法精度が高く加工できる。表層に封止用の
パターンを残し、ここに金属製のキャップをかぶせてハ
ンダ付け、レーザー等で溶着させれば非常に高い密封性
を示し、プラスチックＩＣチップキャリアの信頼性を高
めることになる。以下、本考案による実施例を示す。ボ
ンディング回路（３），（４）、ダイパット回路（５）
等を形成した基材を内層にして積層した多層基材を作
る。第１図はその断面図である。この基材に、穴明け後
スルーホール銅メッキ（８）して、表層に回路を形成す
ると第２図にようになる。 その後、削り出しによって
内層のボンディングパット（１６），（１７）とダイパ
ット（１８）を露出させ、ニッケル・金メッキ（２０）
後に外形加工をしてピン（１９）立てするＩＣチップ
（１１）を載せてボンディング・ポッテング後、金属キ
ャップ（１４）をかぶせてハンダ付けすると第３図のよ
うになる。金属キャップがあるので、ポッテング樹脂
（１３）を省くことも可能である。また、ボンディング
パットの段数を変えたり、あるいはダイパット部を掘り
下げないなど、その用途によってさまざまに変化させる
ことができるのはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
第１図は、ボンディング回路、ダイパット回路を形成し
た基材を内層にして積層した多層基材の断面図。第２図
は、上記基板に穴明け後スルール銅メッキして、表層に
回路形成したものの断面図である。第３図は、第２図の
基材を削り出し、ボンディングパットとダイパットを露
出させ、ニッケル・金メッキ後に外形加工をしてピン立
てしてから、ＩＣチップを載せてボンディング・ポッテ
ング後、金属キャップをかぶせてハンダ付けしたものの
断面図。 【記号の説明】 （１）基材 （２），（６）表層銅箔 （３），（４）
ボンディング回路 （５）ダイパット回路 （７）穴
（８）スルーホール銅メッキ （９）封止用パターン
（１０）裏面回路 （１１）ＩＣチップ（１２）ボンデ
ィングワイヤ （１３）ポッテング樹脂 （１４）金属キャップ （１
５）ハンダ （１６），（１７）ボンディングパット
（１８）ダイパット（１９）ピン （２０）ニッケル・
金メッキ
た基材を内層にして積層した多層基材の断面図。第２図
は、上記基板に穴明け後スルール銅メッキして、表層に
回路形成したものの断面図である。第３図は、第２図の
基材を削り出し、ボンディングパットとダイパットを露
出させ、ニッケル・金メッキ後に外形加工をしてピン立
てしてから、ＩＣチップを載せてボンディング・ポッテ
ング後、金属キャップをかぶせてハンダ付けしたものの
断面図。 【記号の説明】 （１）基材 （２），（６）表層銅箔 （３），（４）
ボンディング回路 （５）ダイパット回路 （７）穴
（８）スルーホール銅メッキ （９）封止用パターン
（１０）裏面回路 （１１）ＩＣチップ（１２）ボンデ
ィングワイヤ （１３）ポッテング樹脂 （１４）金属キャップ （１
５）ハンダ （１６），（１７）ボンディングパット
（１８）ダイパット（１９）ピン （２０）ニッケル・
金メッキ
Claims (1)
- (57)【実用新案登録請求の範囲】 あらかじめエッチングにより回路形成されたボンディン
グパットとダイパットをもつ基材を内層にして積層した
多層基材を、削り出しによってボンディングパットとダ
イパットを露出させて作るプラスチックＩＣチップキャ
リアで、表層の削り込み周辺部に封止用のパターンを有
するもの。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991114046U JP2565317Y2 (ja) | 1991-12-12 | 1991-12-12 | 表層に封止用のパターンを持ったプラスチックｉｃチップキャリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991114046U JP2565317Y2 (ja) | 1991-12-12 | 1991-12-12 | 表層に封止用のパターンを持ったプラスチックｉｃチップキャリア |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0617243U JPH0617243U (ja) | 1994-03-04 |
| JP2565317Y2 true JP2565317Y2 (ja) | 1998-03-18 |
Family
ID=14627680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1991114046U Expired - Fee Related JP2565317Y2 (ja) | 1991-12-12 | 1991-12-12 | 表層に封止用のパターンを持ったプラスチックｉｃチップキャリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2565317Y2 (ja) |
-
1991
- 1991-12-12 JP JP1991114046U patent/JP2565317Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0617243U (ja) | 1994-03-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |