JP2563428B2 - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JP2563428B2 JP2563428B2 JP63020542A JP2054288A JP2563428B2 JP 2563428 B2 JP2563428 B2 JP 2563428B2 JP 63020542 A JP63020542 A JP 63020542A JP 2054288 A JP2054288 A JP 2054288A JP 2563428 B2 JP2563428 B2 JP 2563428B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic recording
- recording medium
- thin film
- diamond
- hard carbon
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、高密度磁気記録に適する強磁性金属薄膜を
磁気記録層とする磁気記録媒体の製造方法に関する。
磁気記録層とする磁気記録媒体の製造方法に関する。
従来の技術 高分子フィルム上に直接又は下地層を介して、電子ビ
ーム蒸着法で、Co−Niを斜め蒸着した、いわゆる蒸着テ
ープは、蒸着時に外部より酸素ガスを導入し、Co−Niを
部分酸化することで、磁気特性を改善し、C/Nの改善，
耐久性，耐食性等の改善をはかっている〔例えば、外国
論文誌アイイーイーイー トランザクションズ オン
マグネティクス（IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETIC
S）vol.MAG−20,No.5,P.P.824〜826（1984）〕。更に耐
久性の向上をはかる方法として注目されているのは磁気
記録層の微細凹凸化である〔同論文誌、vol.MAG−21,P.
P.1524〜1526（1985）〕が、一般に保護膜と潤滑剤層の
積層は、スペーシング損失として短波長になる程影響が
大きくなることから種々検討されBNや硬質炭素膜などの
硬い膜の有効なことが知られ注目されている〔電子通信
学会、磁気記録研究会資料、MR85−56（1986）〕。
ーム蒸着法で、Co−Niを斜め蒸着した、いわゆる蒸着テ
ープは、蒸着時に外部より酸素ガスを導入し、Co−Niを
部分酸化することで、磁気特性を改善し、C/Nの改善，
耐久性，耐食性等の改善をはかっている〔例えば、外国
論文誌アイイーイーイー トランザクションズ オン
マグネティクス（IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETIC
S）vol.MAG−20,No.5,P.P.824〜826（1984）〕。更に耐
久性の向上をはかる方法として注目されているのは磁気
記録層の微細凹凸化である〔同論文誌、vol.MAG−21,P.
P.1524〜1526（1985）〕が、一般に保護膜と潤滑剤層の
積層は、スペーシング損失として短波長になる程影響が
大きくなることから種々検討されBNや硬質炭素膜などの
硬い膜の有効なことが知られ注目されている〔電子通信
学会、磁気記録研究会資料、MR85−56（1986）〕。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、ダイアモンド状硬質炭素膜の形成速度
は遅く、保護性能が優れていながら、大面積に均一にか
つ高速で形成できる方法が求められ改善が望まれてい
た。
は遅く、保護性能が優れていながら、大面積に均一にか
つ高速で形成できる方法が求められ改善が望まれてい
た。
本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、大面積
に渡り均一でかつ高速条件を満たす製造方法を提供する
ものである。
に渡り均一でかつ高速条件を満たす製造方法を提供する
ものである。
課題を解決するための手段 上記した課題を解決するため、本発明の磁気記録媒体
の製造方法は、回転支持体に沿って移動する強磁性金属
薄膜上にダイアモンド状硬質炭素薄膜形成をグラファイ
トをターゲットにしたスパッタリングで核形成後、炭化
水素系気体の放電プラズマ加速法で行うようにしたもの
である。
の製造方法は、回転支持体に沿って移動する強磁性金属
薄膜上にダイアモンド状硬質炭素薄膜形成をグラファイ
トをターゲットにしたスパッタリングで核形成後、炭化
水素系気体の放電プラズマ加速法で行うようにしたもの
である。
作用 本発明の磁気記録媒体の製造方法は、上記した構成に
より、スパッタリング法で形成される核がその後の炭化
水素系気体の放電プラズマ加速で炭素膜を成長させる時
に、ダイアモンド構造をとり易くさせるために高速化し
てもダイアモンド状硬質炭素薄膜の形成が可能になるも
のである。
より、スパッタリング法で形成される核がその後の炭化
水素系気体の放電プラズマ加速で炭素膜を成長させる時
に、ダイアモンド構造をとり易くさせるために高速化し
てもダイアモンド状硬質炭素薄膜の形成が可能になるも
のである。
実 施 例 以下、図面を参照しながら、本発明の一実施例につい
て詳しく説明する。図は本発明の製造方法を実施するの
に用いた保護膜形成装置の要部断面構成図である。図で
１は保護膜形成用の基板で、ポリエチレンテレフタレー
ト等の高分子フィルム上にCo−Ni−O,Co−Cr等の強磁性
金属薄膜を配したもので２は送り出し軸、３は巻き取り
軸、４は回転支持体、５はスパッタカソード、６はプラ
ズマ管、７は外部高周波コイル、８は加速電極、９はガ
ス導入ポート、10は他のガス導入ポート、11はガス導入
量調節弁、12は絶縁導入端子、13は真空容器、14,15は
真空排気系、16は真空隔壁である。
て詳しく説明する。図は本発明の製造方法を実施するの
に用いた保護膜形成装置の要部断面構成図である。図で
１は保護膜形成用の基板で、ポリエチレンテレフタレー
ト等の高分子フィルム上にCo−Ni−O,Co−Cr等の強磁性
金属薄膜を配したもので２は送り出し軸、３は巻き取り
軸、４は回転支持体、５はスパッタカソード、６はプラ
ズマ管、７は外部高周波コイル、８は加速電極、９はガ
ス導入ポート、10は他のガス導入ポート、11はガス導入
量調節弁、12は絶縁導入端子、13は真空容器、14,15は
真空排気系、16は真空隔壁である。
図の装置を用いて本発明の一実施例により製造した磁
気記録媒体を比較例との対比で説明する。厚み10μｍの
ポリエチレンテレフタレートフィルム上に、直径150Å
のSiO2微粒子を平均10ケ／（μｍ）２塗布し、直径1mの
円筒キャンに沿わせて、最小入射角42度、酸素分圧６×
10-5（Torr）でCo−Ni（Ni20wt％）を0.1μｍ電子ビー
ム蒸着したフィルムを50cmの幅で2500m準備した。この
フィルムを２分割し、一方は、本発明の製造方法で、も
う一方は後述する比較例条件でダイアモンド状硬質炭素
薄膜を形成した。
気記録媒体を比較例との対比で説明する。厚み10μｍの
ポリエチレンテレフタレートフィルム上に、直径150Å
のSiO2微粒子を平均10ケ／（μｍ）２塗布し、直径1mの
円筒キャンに沿わせて、最小入射角42度、酸素分圧６×
10-5（Torr）でCo−Ni（Ni20wt％）を0.1μｍ電子ビー
ム蒸着したフィルムを50cmの幅で2500m準備した。この
フィルムを２分割し、一方は、本発明の製造方法で、も
う一方は後述する比較例条件でダイアモンド状硬質炭素
薄膜を形成した。
直径1mの円筒キャンに沿わせて、曲率半径54cmのグラ
ファイトを周長35cm,幅60cmのダーゲットとして、Ar＋H
2＝８×10-3（Torr）,Ar:H2＝4:1,13.56（MHz）0.6（K
W）で高周波スパッタリングにより、核形成を行い、幅6
0cm,長手方向の開孔長6cmのプラズマ管を５ヘッド並べ
て、円筒キャンから2.4cm離し開孔部を配し、夫々のプ
ラズマ管に13.56（MHz）1.4（KW）を投入し、0.6（/m
in）CH4ガスを導入しながらプラズマを発生させ、加速
電極に、第１のヘッドから第５のヘッドまで段階的に電
圧を変えて、750（Ｖ）500（Ｖ）400（Ｖ）300（Ｖ）24
0（Ｖ）の電圧を付与し、ダイアモンド状硬質炭素薄膜
を形成した。フィルムの送り速度は34（m/min）で、ダ
イアモンド状硬質炭素薄膜は、100Åのものが得られ
た。
ファイトを周長35cm,幅60cmのダーゲットとして、Ar＋H
2＝８×10-3（Torr）,Ar:H2＝4:1,13.56（MHz）0.6（K
W）で高周波スパッタリングにより、核形成を行い、幅6
0cm,長手方向の開孔長6cmのプラズマ管を５ヘッド並べ
て、円筒キャンから2.4cm離し開孔部を配し、夫々のプ
ラズマ管に13.56（MHz）1.4（KW）を投入し、0.6（/m
in）CH4ガスを導入しながらプラズマを発生させ、加速
電極に、第１のヘッドから第５のヘッドまで段階的に電
圧を変えて、750（Ｖ）500（Ｖ）400（Ｖ）300（Ｖ）24
0（Ｖ）の電圧を付与し、ダイアモンド状硬質炭素薄膜
を形成した。フィルムの送り速度は34（m/min）で、ダ
イアモンド状硬質炭素薄膜は、100Åのものが得られ
た。
一方比較例は、５ヘッドのみを用いて、加速電圧500
（Ｖ）一定とし、CH4ガスを0.46（/min）導入し夫々
に13.56（MHz）0.8（KW）を投入し、ダイアモンド硬質
炭素薄膜を100Å形成したが、その時のフィルムの送り
速度は、14（m/min）であった。比較例で高周波のパワ
ーを増大させた時にはダイアモンド状硬質炭素薄膜の硬
さが低下し、100Åでは本実施例と同じ耐久性が得られ
ないことからパワー条件を最適化した結果、成膜速度は
実施例の約半分となったものである。
（Ｖ）一定とし、CH4ガスを0.46（/min）導入し夫々
に13.56（MHz）0.8（KW）を投入し、ダイアモンド硬質
炭素薄膜を100Å形成したが、その時のフィルムの送り
速度は、14（m/min）であった。比較例で高周波のパワ
ーを増大させた時にはダイアモンド状硬質炭素薄膜の硬
さが低下し、100Åでは本実施例と同じ耐久性が得られ
ないことからパワー条件を最適化した結果、成膜速度は
実施例の約半分となったものである。
一方均一性に関する評価は、夫々にパーフルオロポリ
エーテルとしてモンテフルオス社製の“フオンブリンＺ
−25"を約60Å，トリクロロトリフロロエチレン溶液に
溶かし塗布し、８ミリ幅の磁気テープとして、幅方向と
長手方向から任意のテープ30巻を選んで、市販の８ミリ
ビデオによりスチル特性を比較した。その結果本実施例
は、テンションを30gとした状態で出力が初期出力に対
して３（dB）低下するまでの時間は、平均値が44分で最
短が41分，最長が46分と均一であったが、比較例は、平
均値が37分，最短が26分最長が43分とバラツキが大き
く、均一な硬さの膜が得られていないことが推定され
る。
エーテルとしてモンテフルオス社製の“フオンブリンＺ
−25"を約60Å，トリクロロトリフロロエチレン溶液に
溶かし塗布し、８ミリ幅の磁気テープとして、幅方向と
長手方向から任意のテープ30巻を選んで、市販の８ミリ
ビデオによりスチル特性を比較した。その結果本実施例
は、テンションを30gとした状態で出力が初期出力に対
して３（dB）低下するまでの時間は、平均値が44分で最
短が41分，最長が46分と均一であったが、比較例は、平
均値が37分，最短が26分最長が43分とバラツキが大き
く、均一な硬さの膜が得られていないことが推定され
る。
発明の効果 以上のように本発明によれば、高速でかつ均一なダイ
アモンド状硬質炭素薄膜を配した磁気記録媒体を製造で
きるといったすぐれた効果がある。
アモンド状硬質炭素薄膜を配した磁気記録媒体を製造で
きるといったすぐれた効果がある。
図は本発明の製造方法を実施するための装置の要部断面
構成図である。 １……基板、５……スパッタカソード、６……プラズマ
管。
構成図である。 １……基板、５……スパッタカソード、６……プラズマ
管。
Claims (1)
- 【請求項１】回転支持体に沿って移動する強磁性金属薄
膜上にダイアモンド状硬質炭素薄膜形成をグラファイト
をターゲットにしたスパッタリングで核形成後、炭化水
素系気体の放電プラズマ加速法で行うことを特徴とする
磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63020542A JP2563428B2 (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63020542A JP2563428B2 (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01196726A JPH01196726A (ja) | 1989-08-08 |
| JP2563428B2 true JP2563428B2 (ja) | 1996-12-11 |
Family
ID=12030042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63020542A Expired - Lifetime JP2563428B2 (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2563428B2 (ja) |
-
1988
- 1988-01-29 JP JP63020542A patent/JP2563428B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01196726A (ja) | 1989-08-08 |
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