JP2561927B2 - 半導体レ−ザ駆動回路 - Google Patents
半導体レ−ザ駆動回路Info
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- JP2561927B2 JP2561927B2 JP62205168A JP20516887A JP2561927B2 JP 2561927 B2 JP2561927 B2 JP 2561927B2 JP 62205168 A JP62205168 A JP 62205168A JP 20516887 A JP20516887 A JP 20516887A JP 2561927 B2 JP2561927 B2 JP 2561927B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆
動回路、特に、光学式記録再生装置で使用する半導体レ
ーザ駆動回路に関するものである。
動回路、特に、光学式記録再生装置で使用する半導体レ
ーザ駆動回路に関するものである。
第３図は、例えば本出願人が先に提案した半導体レー
ザ駆動回路（特願昭62−28352号）に示された従来の半
導体レーザ駆動回路を示す回路図であり、図において、
１は入力端子を示し、後述する半導体レーザの出射パワ
ーを制御する自動出力制御回路（Automatic Power Cnto
rol回路：以下、APC回路という。）（図示省略）の制御
電圧（入力電圧）が入力される。
ザ駆動回路（特願昭62−28352号）に示された従来の半
導体レーザ駆動回路を示す回路図であり、図において、
１は入力端子を示し、後述する半導体レーザの出射パワ
ーを制御する自動出力制御回路（Automatic Power Cnto
rol回路：以下、APC回路という。）（図示省略）の制御
電圧（入力電圧）が入力される。
２は電圧・電流変換回路を示し、抵抗R1,R2およびR3
と、ダイオードD1と、第１のトランジスタQ1とで構成さ
れている。
と、ダイオードD1と、第１のトランジスタQ1とで構成さ
れている。
３はカレントミラー回路を示し、抵抗R4,R5と、ダイ
オードD2と、第２のトランジスタQ2とで構成されてい
る。
オードD2と、第２のトランジスタQ2とで構成されてい
る。
４は、例えばレーザ・ダイオード等の半導体レーザを
示す。
示す。
次に、動作について説明する。
入力端子１に入力電圧ｖが印加されると、電圧−電流
変換回路２の第１のトランジスタQ1のコレクタには、 ただし、VD1はダイオードD1のオン電圧の電流（入力
電流）i1が流れ、カレントミラー回路３の入力電流i1と
なる。
変換回路２の第１のトランジスタQ1のコレクタには、 ただし、VD1はダイオードD1のオン電圧の電流（入力
電流）i1が流れ、カレントミラー回路３の入力電流i1と
なる。
そして、カレントミラー回路３には入力電流i1に比例
した出力電流i2が流れ、入，出力電流i1・i2の間には、 の関係があるため、出力電流i2と入力電圧ｖとの間に
は、 の関係式が成立し、この出力電流i2によって半導体レー
ザ４が駆動される。
した出力電流i2が流れ、入，出力電流i1・i2の間には、 の関係があるため、出力電流i2と入力電圧ｖとの間に
は、 の関係式が成立し、この出力電流i2によって半導体レー
ザ４が駆動される。
このように駆動される半導体レーザ４の駆動電流Ｉ
（出力電流i2）対出射パワーＰの関係は、第４図にＩ−
Ｐ特性として示すように、閾値（スレッシュホールド電
流値）以下では出射パワーＰが生じないが、スレッシュ
ホールド電流値を越えると、駆動電流Ｉに比例した出射
パワーＰが得られる。
（出力電流i2）対出射パワーＰの関係は、第４図にＩ−
Ｐ特性として示すように、閾値（スレッシュホールド電
流値）以下では出射パワーＰが生じないが、スレッシュ
ホールド電流値を越えると、駆動電流Ｉに比例した出射
パワーＰが得られる。
したがって、入力端子１への入力電圧ｖを制御するこ
とにより、半導体レーザ４の出射パワーＰを制御するこ
とができる。
とにより、半導体レーザ４の出射パワーＰを制御するこ
とができる。
従来の半導体レーザ駆動回路は以上のように構成され
ているので、さらに、半導体レーザは出射パワーで絶対
最大定格が規定されているが、第４図に示すように、個
々にスレッシュホールド電流値がばらつくため、半導体
レーザに流し得る最大電流値ImaxA,ImaxBには当然にば
らつきが生ずるという問題点があった。
ているので、さらに、半導体レーザは出射パワーで絶対
最大定格が規定されているが、第４図に示すように、個
々にスレッシュホールド電流値がばらつくため、半導体
レーザに流し得る最大電流値ImaxA,ImaxBには当然にば
らつきが生ずるという問題点があった。
また、流し得る最大電流値は第１のトランジスタQ1ま
たは第２のトランジスタQ2の飽和によって制限される
が、抵抗（例えば、R3）の値を可変させて最大電流値
を、使用する半導体レーザの絶対最大定格を越えないよ
うに設定した場合、第（１）式のＶ−Ｉの変換効率が個
々に変わってしまい、APC等のループゲインが変動する
という問題点もあった。
たは第２のトランジスタQ2の飽和によって制限される
が、抵抗（例えば、R3）の値を可変させて最大電流値
を、使用する半導体レーザの絶対最大定格を越えないよ
うに設定した場合、第（１）式のＶ−Ｉの変換効率が個
々に変わってしまい、APC等のループゲインが変動する
という問題点もあった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためにな
されたもので、最大電流値を使用する半導体レーザに合
わせて設定しても、Ｖ−Ｉ変換効率が変化しなくなる半
導体レーザ駆動回路を得ることを目的とする。
されたもので、最大電流値を使用する半導体レーザに合
わせて設定しても、Ｖ−Ｉ変換効率が変化しなくなる半
導体レーザ駆動回路を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体レーザ駆動回路は、電圧−電流
変換回路を構成する第１のトランジスタのコレクタと、
カレントミラー回路を構成する第２のトランジスタのベ
ースとの間に抵抗を挿入したものである。
変換回路を構成する第１のトランジスタのコレクタと、
カレントミラー回路を構成する第２のトランジスタのベ
ースとの間に抵抗を挿入したものである。
この発明における半導体レーザ駆動回路は、挿入した
抵抗によって第１のトランジスタの飽和時にコレクタ電
流を制限し、半導体レーザを駆動する最大電流値を制限
する。
抵抗によって第１のトランジスタの飽和時にコレクタ電
流を制限し、半導体レーザを駆動する最大電流値を制限
する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図において、第３図と同一部分には同一符号が付
してあり、R6は抵抗を示し、電圧−電流変換回路２を構
成する第１のトランジスタQ1のコレクタと、カレントミ
ラー回路３を構成する第２のトランジスタQ2のベースと
の間に挿入される。
してあり、R6は抵抗を示し、電圧−電流変換回路２を構
成する第１のトランジスタQ1のコレクタと、カレントミ
ラー回路３を構成する第２のトランジスタQ2のベースと
の間に挿入される。
第２図は入力電圧対出力電流の関係を示す特性図であ
る。
る。
次に、動作について説明する。
なお、第２のトランジスタQ2は、第１のトランジスタ
Q1が飽和するよりも先に飽和しないように抵抗R4,R5の
値が選定されている。
Q1が飽和するよりも先に飽和しないように抵抗R4,R5の
値が選定されている。
入力端子１に入力電圧ｖが印加されると、電圧−電流
変換回路２の第１のトランジスタQ1のコレクタには、前
述のように、 の電流が流れる。
変換回路２の第１のトランジスタQ1のコレクタには、前
述のように、 の電流が流れる。
そして、入力電流i1は、入力電圧ｖに比例して増加す
るが、第１のトランジスタQ1が飽和した時点で増加しな
くなるので、この値を最大入力電流値i1MAXとすると、 ただし、VCE1(sat):第１のトランジスタQ1の飽和電圧 VD2:ダイオードD2のオン電圧となり、抵抗R6の値を変え
ることによって最大電流値i1MAXの値を決めることがで
きる。
るが、第１のトランジスタQ1が飽和した時点で増加しな
くなるので、この値を最大入力電流値i1MAXとすると、 ただし、VCE1(sat):第１のトランジスタQ1の飽和電圧 VD2:ダイオードD2のオン電圧となり、抵抗R6の値を変え
ることによって最大電流値i1MAXの値を決めることがで
きる。
一方、第1,第２のトランジスタQ1,Q1のコレクタ電
流、すなわち入０出力電流i1,i2には、前述のように、 の関係があるので、出力電流i2と入力電圧ｖとの間に
は、 の第（１）式の関係が成立する。
流、すなわち入０出力電流i1,i2には、前述のように、 の関係があるので、出力電流i2と入力電圧ｖとの間に
は、 の第（１）式の関係が成立する。
また、出力電流i2の最大電流値i2MAXは、 となる（第２図）。
この第（２）式を用いて使用する半導体レーザ４に合
わせた抵抗R6の値を選ぶことにより、最大電流値i2MAX
を設定することができる。
わせた抵抗R6の値を選ぶことにより、最大電流値i2MAX
を設定することができる。
また、Ｖ−Ｉ変換効率は、第（１）式に示すように、
抵抗R6の値には関係しないので、APC等のループゲイン
は変動しなくなる。
抵抗R6の値には関係しないので、APC等のループゲイン
は変動しなくなる。
なお、上記実施例では抵抗R6を固定抵抗とした例を示
したが、抵抗R6を可変抵抗としてもよく、可変抵抗とし
た場合は抵抗の着脱を行なわずに、容易に最大電流値を
設定することができる。
したが、抵抗R6を可変抵抗としてもよく、可変抵抗とし
た場合は抵抗の着脱を行なわずに、容易に最大電流値を
設定することができる。
以上のように、この発明によれば、電圧−電流変換回
路を構成する第１のトランジスタのコレクタと、カレン
トミラー回路を構成する第２のトランジスタのベースと
の間に抵抗を挿入したので、半導体レーザへ流し得る最
大電流値が設定でき、かつ、Ｖ−Ｉ変換効率が変化しな
くなるという優れた効果がある。
路を構成する第１のトランジスタのコレクタと、カレン
トミラー回路を構成する第２のトランジスタのベースと
の間に抵抗を挿入したので、半導体レーザへ流し得る最
大電流値が設定でき、かつ、Ｖ−Ｉ変換効率が変化しな
くなるという優れた効果がある。
第１図はこの発明の一実施例により半導体レーザ駆動回
路を示す回路図、第２図は第１図に示した回路の入力電
圧対出力電流を示す特性図、第３図は従来の半導体レー
ザ駆動回路を示す回路図、第４図は半導体レーザの駆動
電流対出射パワーを示す特性図である。 図において、１は入力端子、２は電圧−電流変換回路、
３はカレントミラー回路、４は半導体レーザ、R1〜R6は
抵抗、D1,D2はダイオード、Q1は第１のトランジスタ、Q
2は第２のトランジスタを示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
路を示す回路図、第２図は第１図に示した回路の入力電
圧対出力電流を示す特性図、第３図は従来の半導体レー
ザ駆動回路を示す回路図、第４図は半導体レーザの駆動
電流対出射パワーを示す特性図である。 図において、１は入力端子、２は電圧−電流変換回路、
３はカレントミラー回路、４は半導体レーザ、R1〜R6は
抵抗、D1,D2はダイオード、Q1は第１のトランジスタ、Q
2は第２のトランジスタを示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (2)
- 【請求項１】第１のトランジスタを用いて構成した電圧
−電流変換回路と、前記第１のトランジスタのコレクタ
にベースが接続された第２のトランジスタを用いて構成
したカレントミラー回路と、このカレントミラー回路が
供給する電流で駆動される半導体レーザとを備えた半導
体レーザ駆動回路において、前記第１のトランジスタの
コレクタと前記第２のトランジスタのベースとの間に抵
抗を挿入したことを特徴とする半導体レーザ駆動回路。 - 【請求項２】抵抗は、可変抵抗であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62205168A JP2561927B2 (ja) | 1987-08-20 | 1987-08-20 | 半導体レ−ザ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62205168A JP2561927B2 (ja) | 1987-08-20 | 1987-08-20 | 半導体レ−ザ駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6449290A JPS6449290A (en) | 1989-02-23 |
| JP2561927B2 true JP2561927B2 (ja) | 1996-12-11 |
Family
ID=16502546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62205168A Expired - Lifetime JP2561927B2 (ja) | 1987-08-20 | 1987-08-20 | 半導体レ−ザ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2561927B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2513313B2 (ja) * | 1989-05-11 | 1996-07-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体発光素子の駆動回路 |
| JP2738969B2 (ja) * | 1990-03-07 | 1998-04-08 | 三菱電機株式会社 | 発光素子駆動回路 |
| EP0924823A1 (en) * | 1997-12-17 | 1999-06-23 | Hewlett-Packard Company | Driver circuit for a solid state optical emitter device |
-
1987
- 1987-08-20 JP JP62205168A patent/JP2561927B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6449290A (en) | 1989-02-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |