JP2557574B2 - はんだの接合構造 - Google Patents
はんだの接合構造Info
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に形成されるは
んだの接合構造に関するものである。
んだの接合構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハイブリッドＩＣの耐環境特性は
高い水準のものが求められるようになってきた。特に、
自動車用のＩＣは種々の温度条件に対する優れた耐久
性、中でも低温状態と高温状態とを繰り返す、いわゆる
ヒートサイクルに対する耐久性能が要求されている。
高い水準のものが求められるようになってきた。特に、
自動車用のＩＣは種々の温度条件に対する優れた耐久
性、中でも低温状態と高温状態とを繰り返す、いわゆる
ヒートサイクルに対する耐久性能が要求されている。
【０００３】従来より、一般に自動車等に用いられるハ
イブリッドＩＣは次のように作成される。すなわち、図
１１に示すように、アルミナ製のハイブリッドＩＣ基板
（以下単に基板という）２２上にパターンの切ってある
図示しないスクリーンマスクを配置し、謄写版印刷の要
領で、基板２２上に後述する導体２３の構成要素を含む
ペーストを塗布して回路パターンを形成し、いわゆるス
クリーン印刷を施す。そして、それを焼成することによ
り、前記基板２２上に導体２３が形成される。
イブリッドＩＣは次のように作成される。すなわち、図
１１に示すように、アルミナ製のハイブリッドＩＣ基板
（以下単に基板という）２２上にパターンの切ってある
図示しないスクリーンマスクを配置し、謄写版印刷の要
領で、基板２２上に後述する導体２３の構成要素を含む
ペーストを塗布して回路パターンを形成し、いわゆるス
クリーン印刷を施す。そして、それを焼成することによ
り、前記基板２２上に導体２３が形成される。
【０００４】この導体２３は、一般的には銀及び白金
〔Ａｇ／Ｐｔ＝９９．０〜９９．３／１．０〜０．７
（重量比）〕により形成される。また、前記基板２２と
導体２３との間には、焼成して導体２３を形成する際
に、ペースト中のビスマスや銅が混入された複合アルミ
ニウム酸化物を主成分とする接合層２５が形成される。
次に、前記導体２３上の所定の位置に、はんだ層２４を
形成するはんだクリームを塗布し、その上から電子部品
２７を配置する。その後、前記はんだクリームを溶融さ
せるいわゆるリフロー工程に供することにより、はんだ
層２４を形成し、はんだ層２４と電子部品２７とを接合
する。前記はんだ層２４は、一般的には銀、錫及び鉛
〔Ａｇ／Ｓｎ／Ｐｂ＝２／６２／３６（重量比）〕によ
り形成されている。また、さらに、リフロー工程の際に
熱履歴を受けることにより、前記導体２３とはんだ層２
４との間には、導体２３中の銀と、はんだ層２４中の錫
とが拡散したことによる銀−錫合金層（金属間化合物）
２６が形成される。
〔Ａｇ／Ｐｔ＝９９．０〜９９．３／１．０〜０．７
（重量比）〕により形成される。また、前記基板２２と
導体２３との間には、焼成して導体２３を形成する際
に、ペースト中のビスマスや銅が混入された複合アルミ
ニウム酸化物を主成分とする接合層２５が形成される。
次に、前記導体２３上の所定の位置に、はんだ層２４を
形成するはんだクリームを塗布し、その上から電子部品
２７を配置する。その後、前記はんだクリームを溶融さ
せるいわゆるリフロー工程に供することにより、はんだ
層２４を形成し、はんだ層２４と電子部品２７とを接合
する。前記はんだ層２４は、一般的には銀、錫及び鉛
〔Ａｇ／Ｓｎ／Ｐｂ＝２／６２／３６（重量比）〕によ
り形成されている。また、さらに、リフロー工程の際に
熱履歴を受けることにより、前記導体２３とはんだ層２
４との間には、導体２３中の銀と、はんだ層２４中の錫
とが拡散したことによる銀−錫合金層（金属間化合物）
２６が形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ように構成されたはんだの接合構造は、前記ヒートサイ
クルの回数が増えれば増えるほど、導体２３を基板２２
から引き剥す際の強度が著しく低下してしまっていた。
この剥離状態を観察した結果、基板２２と接合層２５と
の間での剥離がほとんどであった。
ように構成されたはんだの接合構造は、前記ヒートサイ
クルの回数が増えれば増えるほど、導体２３を基板２２
から引き剥す際の強度が著しく低下してしまっていた。
この剥離状態を観察した結果、基板２２と接合層２５と
の間での剥離がほとんどであった。
【０００６】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであって、その目的は強固な接合力が得られる
とともに、その接合力がヒートサイクルの繰り返しによ
っても低下しにくいはんだの接合構造を、その製造工数
を増加させることなく低コストで成し得るようにするこ
とにある。
れたものであって、その目的は強固な接合力が得られる
とともに、その接合力がヒートサイクルの繰り返しによ
っても低下しにくいはんだの接合構造を、その製造工数
を増加させることなく低コストで成し得るようにするこ
とにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、基板上に導体を形成するとともに、その
上にはんだ層を形成してなる接合構造であって、前記導
体を銀及び白金により形成するとともに、前記はんだ層
を錫及び銀により形成した。
め、本発明は、基板上に導体を形成するとともに、その
上にはんだ層を形成してなる接合構造であって、前記導
体を銀及び白金により形成するとともに、前記はんだ層
を錫及び銀により形成した。
【０００８】
【作用】はんだ層は錫及び銀により形成されているので
延性及び柔軟性を有し、ヒズミ等がはんだ層により吸収
される。導体とはんだ層との間の合金層の成長が少な
く、かつ、均一にでき、この合金層が銀−錫拡散のバリ
ヤとして働く。この合金層は導体上へのはんだ層の形成
の際に自発的に形成されるので、はんだ付けと別の工程
で銀−錫拡散のバリヤを形成する手間がなく、製造工数
の増加を抑えて低コストで強固な接合力が得られるとと
もに、その接合力がヒートサイクルの繰り返しによって
も低下しにくいはんだの接合構造が得られる。
延性及び柔軟性を有し、ヒズミ等がはんだ層により吸収
される。導体とはんだ層との間の合金層の成長が少な
く、かつ、均一にでき、この合金層が銀−錫拡散のバリ
ヤとして働く。この合金層は導体上へのはんだ層の形成
の際に自発的に形成されるので、はんだ付けと別の工程
で銀−錫拡散のバリヤを形成する手間がなく、製造工数
の増加を抑えて低コストで強固な接合力が得られるとと
もに、その接合力がヒートサイクルの繰り返しによって
も低下しにくいはんだの接合構造が得られる。
【０００９】
【実施例】 （実施例及び比較例）以下、本発明を自動車用のハイブ
リッドＩＣに具体化した一実施例を種々の比較例と比較
しつつ、図１〜１０に基づいて説明する。図１は本実施
例におけるハイブリッドＩＣ１を模式的に示す要部断面
図である。同図に示すように、アルミナ製の基板２の上
には導体３が配線されている。前記導体３は、基板２上
にパターンの切ってあるスクリーンマスクを配置し、謄
写版印刷の要領で、導体３の構成要素を含むペーストを
塗布して回路パターンを形成し、スクリーン印刷を施
す。そして、それを焼成することにより形成される。こ
の導体３は、銀及び白金により形成されており、そのう
ち、白金の占める割合は０．８重量％である。なお、白
金の占める割合は０．７〜１．０重量％程度が最も好ま
しい。また、前記基板２と導体３との間には、焼成して
導体３を形成する際に、ペースト中のビスマスや銅が混
入された複合アルミニウム酸化物を主成分とする接合層
５が形成されている。
リッドＩＣに具体化した一実施例を種々の比較例と比較
しつつ、図１〜１０に基づいて説明する。図１は本実施
例におけるハイブリッドＩＣ１を模式的に示す要部断面
図である。同図に示すように、アルミナ製の基板２の上
には導体３が配線されている。前記導体３は、基板２上
にパターンの切ってあるスクリーンマスクを配置し、謄
写版印刷の要領で、導体３の構成要素を含むペーストを
塗布して回路パターンを形成し、スクリーン印刷を施
す。そして、それを焼成することにより形成される。こ
の導体３は、銀及び白金により形成されており、そのう
ち、白金の占める割合は０．８重量％である。なお、白
金の占める割合は０．７〜１．０重量％程度が最も好ま
しい。また、前記基板２と導体３との間には、焼成して
導体３を形成する際に、ペースト中のビスマスや銅が混
入された複合アルミニウム酸化物を主成分とする接合層
５が形成されている。
【００１０】前記導体３の上には、はんだ層４が形成さ
れており、その上にはリード線７が配置されている。前
記はんだ層４は、前記導体３上の所定の位置に、はんだ
層４の成分を含有したはんだクリームを塗布し、その上
からリード線７を配置した後、リフロー工程に供するこ
とにより形成される。前記はんだ層４は、錫及び銀のみ
によって形成されており（実施例１）、そのうち、銀の
占める割合は３．５重量％である。なお、銀の占める割
合は０．１〜５．０重量％程度が最も好ましい。また、
さらに、リフロー工程の際に熱履歴を受けることによ
り、前記導体３とはんだ層４との間には、導体３中の銀
と、はんだ層４中の錫とが拡散したことによる銀−錫合
金層（金属間化合物）６が形成されている。ただし、こ
の合金層（金属間化合物）６は、本実施例の組成の場
合、種々の熱履歴を受けても拡散が起こりにくく、きわ
めて薄いものとなっている。
れており、その上にはリード線７が配置されている。前
記はんだ層４は、前記導体３上の所定の位置に、はんだ
層４の成分を含有したはんだクリームを塗布し、その上
からリード線７を配置した後、リフロー工程に供するこ
とにより形成される。前記はんだ層４は、錫及び銀のみ
によって形成されており（実施例１）、そのうち、銀の
占める割合は３．５重量％である。なお、銀の占める割
合は０．１〜５．０重量％程度が最も好ましい。また、
さらに、リフロー工程の際に熱履歴を受けることによ
り、前記導体３とはんだ層４との間には、導体３中の銀
と、はんだ層４中の錫とが拡散したことによる銀−錫合
金層（金属間化合物）６が形成されている。ただし、こ
の合金層（金属間化合物）６は、本実施例の組成の場
合、種々の熱履歴を受けても拡散が起こりにくく、きわ
めて薄いものとなっている。
【００１１】次に、本実施例と、従来のはんだ接合構造
とを比較した結果について説明する。なお、比較例１と
して錫６２重量％／鉛３６重量％／銀２重量％の組成比
を有するはんだを、比較例２として錫４６重量％／鉛４
６重量％／ビスマス８重量％の組成比を有するはんだ
を、比較例３として錫１０重量％／鉛８８重量％／銀２
重量％の組成比を有するはんだをそれぞれ用いた。前記
比較例１〜３及び実施例１のはんだ組成及び機械的特性
を表１に示す。
とを比較した結果について説明する。なお、比較例１と
して錫６２重量％／鉛３６重量％／銀２重量％の組成比
を有するはんだを、比較例２として錫４６重量％／鉛４
６重量％／ビスマス８重量％の組成比を有するはんだ
を、比較例３として錫１０重量％／鉛８８重量％／銀２
重量％の組成比を有するはんだをそれぞれ用いた。前記
比較例１〜３及び実施例１のはんだ組成及び機械的特性
を表１に示す。
【００１２】
【表１】
【００１３】次に、前記４種類のはんだ接合構造を有す
る基板２をヒートサイクル試験に供した際の、ヒートサ
イクルに対する累積故障率の関係を図２に、また、ヒー
トサイクルに対する引き剥がし強度の関係を図３に示
す。なお、このヒートサイクル試験においては、低温槽
として−５５℃の気槽中に３０分放置した後、高温槽と
して１５０℃の気槽中に３０分放置し、１サイクル
（回）とした。
る基板２をヒートサイクル試験に供した際の、ヒートサ
イクルに対する累積故障率の関係を図２に、また、ヒー
トサイクルに対する引き剥がし強度の関係を図３に示
す。なお、このヒートサイクル試験においては、低温槽
として−５５℃の気槽中に３０分放置した後、高温槽と
して１５０℃の気槽中に３０分放置し、１サイクル
（回）とした。
【００１４】図２に示すように、比較例１，２における
はんだ材料は、２５０サイクル時点で故障率が高くなっ
ている。それに比べ、比較例３及び実施例１におけるは
んだ材料は、故障が発生し始めるのも遅く、その増加度
合も小さい。つまり、故障が起こりにくいことがわか
る。一方、図３に示すように、比較例２，３におけるは
んだ材料は、初期の引き剥がし強度が比較例１及び実施
例１におけるはんだ材料に比べ、３０％程度低い。ま
た、比較例１におけるはんだ材料は、初期の引き剥がし
強度では実施例１におけるはんだ材料と等しいものの、
２５０回のサイクル数を経た場合、当初の４０％程度に
まで引き剥し強度が低下してしまった。ところが、実施
例１におけるはんだ材料は２５０回のサイクル数を経た
後でも当初の９０％程度の引き剥し強度を保持すること
ができた。また、１０００回を経た後でも、当初の強度
の５割以上を保持することができ、優れた耐久性を示し
た。
はんだ材料は、２５０サイクル時点で故障率が高くなっ
ている。それに比べ、比較例３及び実施例１におけるは
んだ材料は、故障が発生し始めるのも遅く、その増加度
合も小さい。つまり、故障が起こりにくいことがわか
る。一方、図３に示すように、比較例２，３におけるは
んだ材料は、初期の引き剥がし強度が比較例１及び実施
例１におけるはんだ材料に比べ、３０％程度低い。ま
た、比較例１におけるはんだ材料は、初期の引き剥がし
強度では実施例１におけるはんだ材料と等しいものの、
２５０回のサイクル数を経た場合、当初の４０％程度に
まで引き剥し強度が低下してしまった。ところが、実施
例１におけるはんだ材料は２５０回のサイクル数を経た
後でも当初の９０％程度の引き剥し強度を保持すること
ができた。また、１０００回を経た後でも、当初の強度
の５割以上を保持することができ、優れた耐久性を示し
た。
【００１５】次に、引き剥がし時における剥離モードに
ついて調べた。図４〜６は引き剥がし時におけるそれぞ
れ異なった剥離モードを示す顕微鏡写真である。図４に
示すモードはリード線７とはんだ層４の接合部で破壊
し、リード線７がはんだから抜けた状態を示す。図５に
示すモードは導体３があった箇所に茶色の膜を残して導
体３全体が剥離している状態を示す。図６に示すモード
は基板２の白い下地が見えた状態で剥離している状態を
示す。
ついて調べた。図４〜６は引き剥がし時におけるそれぞ
れ異なった剥離モードを示す顕微鏡写真である。図４に
示すモードはリード線７とはんだ層４の接合部で破壊
し、リード線７がはんだから抜けた状態を示す。図５に
示すモードは導体３があった箇所に茶色の膜を残して導
体３全体が剥離している状態を示す。図６に示すモード
は基板２の白い下地が見えた状態で剥離している状態を
示す。
【００１６】比較例１，２におけるはんだ材料は、ほと
んどの場合、図５又は図６に示すモードで剥離し、一
方、比較例３及び実施例１におけるはんだ材料は、図４
に示すモードで剥離する場合が多かった。図５又は図６
に示すモードで剥離するということは、導体３と基板２
との接合部が劣化したことを示す。すなわち、実施例１
におけるはんだ材料は、導体３と基板２との接合部の劣
化が少ないといえる。
んどの場合、図５又は図６に示すモードで剥離し、一
方、比較例３及び実施例１におけるはんだ材料は、図４
に示すモードで剥離する場合が多かった。図５又は図６
に示すモードで剥離するということは、導体３と基板２
との接合部が劣化したことを示す。すなわち、実施例１
におけるはんだ材料は、導体３と基板２との接合部の劣
化が少ないといえる。
【００１７】次に、はんだ材料の違いによる接合部の劣
化状況を表２に示す。
化状況を表２に示す。
【００１８】
【表２】
【００１９】同表に示すように、比較例１，２における
はんだ材料は、結晶粒の粗大化、はんだクラック（はん
だ層４に生じる亀裂）、基板クラック（基板２に生じる
亀裂）ともに２５０サイクルの段階で発生するが、比較
例３及び実施例１におけるはんだ材料は、前記結晶粒の
粗大化、はんだクラック、基板クラックが発生し始める
のが遅い。すなわち、実施例１におけるはんだ材料は、
ヒートサイクルに対して優れた耐久性を有しているとい
える。
はんだ材料は、結晶粒の粗大化、はんだクラック（はん
だ層４に生じる亀裂）、基板クラック（基板２に生じる
亀裂）ともに２５０サイクルの段階で発生するが、比較
例３及び実施例１におけるはんだ材料は、前記結晶粒の
粗大化、はんだクラック、基板クラックが発生し始める
のが遅い。すなわち、実施例１におけるはんだ材料は、
ヒートサイクルに対して優れた耐久性を有しているとい
える。
【００２０】さて、前述のような劣化は、あくまで推測
の域を超えないが、銀を主成分とする導体３中にはんだ
材料の錫が拡散し、Ａｇ3Ｓｎ等の銀−錫合金層（金属
間化合物）６を形成し、その時に体積が増加することが
原因で起こり、その結果、接合強度が低下するものと考
えられる。そこで、比較例１におけるはんだ材料と、実
施例１におけるはんだ材料との前記拡散状況の変化を調
べた。
の域を超えないが、銀を主成分とする導体３中にはんだ
材料の錫が拡散し、Ａｇ3Ｓｎ等の銀−錫合金層（金属
間化合物）６を形成し、その時に体積が増加することが
原因で起こり、その結果、接合強度が低下するものと考
えられる。そこで、比較例１におけるはんだ材料と、実
施例１におけるはんだ材料との前記拡散状況の変化を調
べた。
【００２１】図７に実施例１におけるはんだ材料の初期
の状態を、図８に実施例１におけるはんだ材料のヒート
サイクル試験５００回後の状態をそれぞれ示す。また、
図９に比較例１におけるはんだ材料の初期の状態を、図
１０に比較例１におけるはんだ材料のヒートサイクル試
験５００回後の状態をそれぞれ示す。これらの図に示す
ように、比較例１におけるはんだ材料は５００サイクル
後は銀−錫合金層（金属間化合物）６が形成されている
のに対し、実施例１におけるはんだ材料は５００サイク
ル後も銀−錫合金層（金属間化合物）６は初期に比べて
もあまり形成されず、ほとんど変化がない。
の状態を、図８に実施例１におけるはんだ材料のヒート
サイクル試験５００回後の状態をそれぞれ示す。また、
図９に比較例１におけるはんだ材料の初期の状態を、図
１０に比較例１におけるはんだ材料のヒートサイクル試
験５００回後の状態をそれぞれ示す。これらの図に示す
ように、比較例１におけるはんだ材料は５００サイクル
後は銀−錫合金層（金属間化合物）６が形成されている
のに対し、実施例１におけるはんだ材料は５００サイク
ル後も銀−錫合金層（金属間化合物）６は初期に比べて
もあまり形成されず、ほとんど変化がない。
【００２２】さらに、前記各はんだ材料の試験初期と試
験後（５００サイクル終了時）における存在元素の定量
分析を行った。その結果を表３に示す。
験後（５００サイクル終了時）における存在元素の定量
分析を行った。その結果を表３に示す。
【００２３】
【表３】
【００２４】同表に示すように、比較例１，２における
はんだ材料は初期において、構成元素の割合は一定では
なく、位置によって異なっていたが、試験後は錫が導体
３材料内全体に拡散し、その比率はＡｇ：Ｓｎ≒３：１
となっている。一方、比較例３及び実施例１におけるは
んだ材料は、初期及び試験後ともに構成元素の割合はほ
ぼ一定でその比率はＡｇ：Ｓｎ≒３：１となっている。
このことから、実施例１におけるはんだ材料は、初期に
おいて導体３とはんだ層４との間に安定した銀−錫合金
層（金属間化合物）６が薄く形成され、高温下において
導体３への錫の拡散のバリアとして作用し、それ以上の
金属化合物の成長を抑止するものと考えられる。
はんだ材料は初期において、構成元素の割合は一定では
なく、位置によって異なっていたが、試験後は錫が導体
３材料内全体に拡散し、その比率はＡｇ：Ｓｎ≒３：１
となっている。一方、比較例３及び実施例１におけるは
んだ材料は、初期及び試験後ともに構成元素の割合はほ
ぼ一定でその比率はＡｇ：Ｓｎ≒３：１となっている。
このことから、実施例１におけるはんだ材料は、初期に
おいて導体３とはんだ層４との間に安定した銀−錫合金
層（金属間化合物）６が薄く形成され、高温下において
導体３への錫の拡散のバリアとして作用し、それ以上の
金属化合物の成長を抑止するものと考えられる。
【００２５】以上詳述したように、本実施例のハイブリ
ッドＩＣ１（実施例１）は、基板２上の導体３を銀及び
白金により形成するとともに、はんだ層４を錫及び銀の
みにより形成したので、強固にはんだ接合することがで
きるとともに、接合部位はヒートサイクルに対して優れ
た耐久性能を発揮することができ、又、銀−錫拡散のバ
リヤとして作用する合金層６は導体３上へのはんだ層４
の形成の際に自発的に形成されるので、はんだ付けと別
の工程で銀−錫拡散のバリヤを形成する手間がなく、製
造工数の増加を抑えて低コスト化を図ることができる。
ッドＩＣ１（実施例１）は、基板２上の導体３を銀及び
白金により形成するとともに、はんだ層４を錫及び銀の
みにより形成したので、強固にはんだ接合することがで
きるとともに、接合部位はヒートサイクルに対して優れ
た耐久性能を発揮することができ、又、銀−錫拡散のバ
リヤとして作用する合金層６は導体３上へのはんだ層４
の形成の際に自発的に形成されるので、はんだ付けと別
の工程で銀−錫拡散のバリヤを形成する手間がなく、製
造工数の増加を抑えて低コスト化を図ることができる。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、強固な接合力が得られ
るとともに、その接合力がヒートサイクルの繰り返しに
よっても低下しにくいはんだの接合構造を、その製造工
数を増加させることなく低コストで実現することができ
るという効果を奏する。
るとともに、その接合力がヒートサイクルの繰り返しに
よっても低下しにくいはんだの接合構造を、その製造工
数を増加させることなく低コストで実現することができ
るという効果を奏する。
【図１】本実施例のはんだの接合構造を説明するための
ＩＣを模式的に示す部分断面図である。
ＩＣを模式的に示す部分断面図である。
【図２】ヒートサイクルの回数に対する累積故障率の関
係を示すグラフである。
係を示すグラフである。
【図３】ヒートサイクルの回数に対する導体の引き剥し
強度の関係を示すグラフである。
強度の関係を示すグラフである。
【図４】引き剥がし時における剥離モードを示す金属組
織の顕微鏡写真である。
織の顕微鏡写真である。
【図５】図４とは別の剥離モードを示す金属組織の顕微
鏡写真である。
鏡写真である。
【図６】図４，５とは別の剥離モードを示す金属組織の
顕微鏡写真である。
顕微鏡写真である。
【図７】実施例１におけるはんだ材料の初期状態の結晶
の構造を示す顕微鏡写真である。
の構造を示す顕微鏡写真である。
【図８】実施例１におけるはんだ材料のヒートサイクル
試験後状態の結晶の構造を示す顕微鏡写真である。
試験後状態の結晶の構造を示す顕微鏡写真である。
【図９】比較例１におけるはんだ材料の初期状態の結晶
の構造を示す顕微鏡写真である。
の構造を示す顕微鏡写真である。
【図１０】比較例１におけるはんだ材料のヒートサイク
ル試験後状態の結晶の構造を示す顕微鏡写真である。
ル試験後状態の結晶の構造を示す顕微鏡写真である。
【図１１】従来のはんだの接合構造を説明するためのＩ
Ｃを模式的に示す部分断面図である。
Ｃを模式的に示す部分断面図である。
２…基板、３…導体、４…はんだ層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−139995（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−196598（ＪＰ，Ａ) 実開 平３−2673（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】基板（２）上に導体（３）を形成するとと
もに、その上にはんだ層（４）を形成してなる接合構造
であって、前記導体（３）を銀及び白金により形成する
とともに、前記はんだ層（４）を錫及び銀により形成し
たことを特徴とするはんだの接合構造。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3109410A JP2557574B2 (ja) | 1991-03-22 | 1991-05-14 | はんだの接合構造 |
| US08/210,605 US5489803A (en) | 1991-03-22 | 1994-03-18 | Solder-bonded structure |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-59094 | 1991-03-22 | ||
| JP5909491 | 1991-03-22 | ||
| JP3109410A JP2557574B2 (ja) | 1991-03-22 | 1991-05-14 | はんだの接合構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06169160A JPH06169160A (ja) | 1994-06-14 |
| JP2557574B2 true JP2557574B2 (ja) | 1996-11-27 |
Family
ID=26400127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3109410A Expired - Lifetime JP2557574B2 (ja) | 1991-03-22 | 1991-05-14 | はんだの接合構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2557574B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57139995A (en) * | 1981-02-24 | 1982-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | Method of producing hybrid integrated circuit |
| JPH06105828B2 (ja) * | 1985-02-26 | 1994-12-21 | 京セラ株式会社 | 電子部品の実装構造 |
| JP3002673U (ja) * | 1994-04-01 | 1994-09-27 | マルイ包装株式会社 | 魚の変形防止部材の構造 |
-
1991
- 1991-05-14 JP JP3109410A patent/JP2557574B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06169160A (ja) | 1994-06-14 |
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