JP2556672Y2 - 半導体装置の接続構造 - Google Patents
半導体装置の接続構造Info
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- JP2556672Y2 JP2556672Y2 JP12274889U JP12274889U JP2556672Y2 JP 2556672 Y2 JP2556672 Y2 JP 2556672Y2 JP 12274889 U JP12274889 U JP 12274889U JP 12274889 U JP12274889 U JP 12274889U JP 2556672 Y2 JP2556672 Y2 JP 2556672Y2
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- Japan
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- diffusion region
- wiring
- poly
- semiconductor substrate
- polycrystalline silicon
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本考案は、半導体基板内の拡散領域に多結晶シリコン
（Poly−Si）の配線が接続される埋込みコンタクトを有
する半導体装置の接続構造に関する。
（Poly−Si）の配線が接続される埋込みコンタクトを有
する半導体装置の接続構造に関する。
（ロ）従来の技術 第２図に従来の半導体装置の埋込みコンタクト部の平
面を示し、第２図のＸ−Ｙ線断面図を第３図に示す。
面を示し、第２図のＸ−Ｙ線断面図を第３図に示す。
Ｐ型のシリコン（Si）基板（１）上には、ゲート電極
等に連続するPoly−Si配線（２）が形成され、このPoly
−Si配線（２）に信号を供給するＮ型の拡散領域（３）
がPoly−Si配線（２）に交差して設けられる。この拡散
領域（３）は、Poly−Si配線（２）が形成された後にリ
ン等のＮ型不純物をセルフアラインで注入或いは拡散し
て形成されるもので、Poly−Si配線（２）と交差する部
分で不連続となっている。また、Poly−Si配線（２）両
側のSi基板（１）には、Poly−Si配線（２）に沿って溝
部（４）が形成される。この溝部（４）は、Poly−Si配
線（２）をパターニングする際のオーバーエッチングに
依って形成されるもので、拡散領域（３）まで達する。
そして、拡散領域（３）を覆って酸化シリコン（SiO2）
膜５が形成される。このような構造のままでは、拡散領
域（３）とPoly−Si配線（２）との接続が得られないた
め、加熱処理に依ってPoly−Si配線（２）の下の領域に
もＮ型の不純物を拡散して第４図に示す如く新たな拡散
領域（６）を設け、この拡散領域（６）と拡散領域
（３）とをつなげている。即ち、Poly−Si配線（２）に
はリンが含まれており、このリンが加熱処理に依ってＮ
型の不純物としてSi基板（１）内に拡散され、２つの拡
散領域（３）（６）がつなげられる。従って、Poly−Si
配線（２）と拡散領域（３）とが、拡散領域（６）を介
して電気的に接続される。
等に連続するPoly−Si配線（２）が形成され、このPoly
−Si配線（２）に信号を供給するＮ型の拡散領域（３）
がPoly−Si配線（２）に交差して設けられる。この拡散
領域（３）は、Poly−Si配線（２）が形成された後にリ
ン等のＮ型不純物をセルフアラインで注入或いは拡散し
て形成されるもので、Poly−Si配線（２）と交差する部
分で不連続となっている。また、Poly−Si配線（２）両
側のSi基板（１）には、Poly−Si配線（２）に沿って溝
部（４）が形成される。この溝部（４）は、Poly−Si配
線（２）をパターニングする際のオーバーエッチングに
依って形成されるもので、拡散領域（３）まで達する。
そして、拡散領域（３）を覆って酸化シリコン（SiO2）
膜５が形成される。このような構造のままでは、拡散領
域（３）とPoly−Si配線（２）との接続が得られないた
め、加熱処理に依ってPoly−Si配線（２）の下の領域に
もＮ型の不純物を拡散して第４図に示す如く新たな拡散
領域（６）を設け、この拡散領域（６）と拡散領域
（３）とをつなげている。即ち、Poly−Si配線（２）に
はリンが含まれており、このリンが加熱処理に依ってＮ
型の不純物としてSi基板（１）内に拡散され、２つの拡
散領域（３）（６）がつなげられる。従って、Poly−Si
配線（２）と拡散領域（３）とが、拡散領域（６）を介
して電気的に接続される。
（ハ）考案が解決しようとする課題 しかしながら、両拡散領域（３）（６）をつなげるた
めには、Poly−Si配線（２）の下の拡散領域（６）を少
なくとも溝部（４）の深さより深くまで拡散し、溝部
（４）をまわりこむ様にして両拡散領域（３）（６）を
つなげる必要がある。このような、深い拡散領域（６）
を形成するためには、高温で長時間の加熱処理が必要で
あるが、高集積化に依るパターンの微細化に伴なって処
理温度が低下すると、深い拡散領域を形成できないため
に第５図に示すようにPoly−Si配線（２）の下の拡散領
域（６′）が拡散領域（３）につながらず、Poly−Si配
線（２）と拡散領域（３）との十分な接続を得られない
といった問題が生じる。
めには、Poly−Si配線（２）の下の拡散領域（６）を少
なくとも溝部（４）の深さより深くまで拡散し、溝部
（４）をまわりこむ様にして両拡散領域（３）（６）を
つなげる必要がある。このような、深い拡散領域（６）
を形成するためには、高温で長時間の加熱処理が必要で
あるが、高集積化に依るパターンの微細化に伴なって処
理温度が低下すると、深い拡散領域を形成できないため
に第５図に示すようにPoly−Si配線（２）の下の拡散領
域（６′）が拡散領域（３）につながらず、Poly−Si配
線（２）と拡散領域（３）との十分な接続を得られない
といった問題が生じる。
そこで本考案は、Poly−Si配線（２）と拡散領域
（３）との十分な接続を得る埋込みコンタクト構造を提
供することを目的とする。
（３）との十分な接続を得る埋込みコンタクト構造を提
供することを目的とする。
（ニ）課題を解決するための手段 本考案は、上述の課題を解決するためになされたもの
で、一導電型の半導体基板の一主面上に設けられた多結
晶シリコン配線と、上記半導体基板の一主面に上記多結
晶シリコン配線と交差して埋設され信号の入出力線とな
る逆導電型の拡散領域と、を備え、上記多結晶シリコン
配線と上記拡散領域とが交差部で接続されてなる半導体
装置の接続構造に於いて、上記半導体基板は、上記多結
晶シリコン配線の端部に沿って上記拡散領域に達する溝
部を有し、上記多結晶シリコン配線上から上記半導体基
板の溝部内に亘る高融点金属膜を上記交差部に選択的に
被着したことを特徴としている。
で、一導電型の半導体基板の一主面上に設けられた多結
晶シリコン配線と、上記半導体基板の一主面に上記多結
晶シリコン配線と交差して埋設され信号の入出力線とな
る逆導電型の拡散領域と、を備え、上記多結晶シリコン
配線と上記拡散領域とが交差部で接続されてなる半導体
装置の接続構造に於いて、上記半導体基板は、上記多結
晶シリコン配線の端部に沿って上記拡散領域に達する溝
部を有し、上記多結晶シリコン配線上から上記半導体基
板の溝部内に亘る高融点金属膜を上記交差部に選択的に
被着したことを特徴としている。
（ホ）作用 本考案に依れば、多結晶シリコン配線と拡散領域との
交差部に高融点金属膜を被着したことで、多結晶シリコ
ン配線と拡散領域とが高融点金属膜で電気的に接続され
る。
交差部に高融点金属膜を被着したことで、多結晶シリコ
ン配線と拡散領域とが高融点金属膜で電気的に接続され
る。
（ヘ）実施例 本考案の実施例を図面に従って説明する。
第１図は本考案の半導体装置の接続構造を示す断面図
であり、第３乃至第５図と同一部分を示す。この図に於
いて、Si基板（１）、Poly−Si配線（２）、拡散領域
（３）及びSiO2膜（５）は第３図と同一であり、同一部
分に同一符号を付してある。本考案の特徴とするところ
は、Poly−Si配線（２）と拡散領域（３）との交差部に
タングステン（Ｗ）等の高融点金属を選択的に被着して
金属膜（10）を形成したことにある。即ち、Poly−Si配
線（２）と拡散領域（３）とを接続する埋込みコンタク
ト部に於いて、Poly−Si配線（２）からのＮ型不純物拡
散（固相拡散）で形成される拡散領域（６′）と拡散領
域（６）とのつながりに依るPoly−Si配線（２）と拡散
領域（３）との接続に加えて金属膜（10）に依るPoly−
Si配線（２）と拡散領域（３）との接続が得られる。従
って、Poly−Si配線（２）の下の拡散領域（６′）が深
く広がらず、拡散領域（３）と十分につながらなかった
場合でもPoly−Si配線（２）と拡散領域（３）とが確実
に接続される。
であり、第３乃至第５図と同一部分を示す。この図に於
いて、Si基板（１）、Poly−Si配線（２）、拡散領域
（３）及びSiO2膜（５）は第３図と同一であり、同一部
分に同一符号を付してある。本考案の特徴とするところ
は、Poly−Si配線（２）と拡散領域（３）との交差部に
タングステン（Ｗ）等の高融点金属を選択的に被着して
金属膜（10）を形成したことにある。即ち、Poly−Si配
線（２）と拡散領域（３）とを接続する埋込みコンタク
ト部に於いて、Poly−Si配線（２）からのＮ型不純物拡
散（固相拡散）で形成される拡散領域（６′）と拡散領
域（６）とのつながりに依るPoly−Si配線（２）と拡散
領域（３）との接続に加えて金属膜（10）に依るPoly−
Si配線（２）と拡散領域（３）との接続が得られる。従
って、Poly−Si配線（２）の下の拡散領域（６′）が深
く広がらず、拡散領域（３）と十分につながらなかった
場合でもPoly−Si配線（２）と拡散領域（３）とが確実
に接続される。
このような金属膜（10）は、拡散領域（３）上にSiO2
膜（５）を形成した状態で、選択CVD法に依ってPoly−S
i配線（２）上から溝部（４）内にかけて選択的に形成
される。例えば、原料ガスとして６弗化タングステン
（WF6）を用いてSi及びPoly−Siの露出部分にタングス
テンを500Å程度堆積させてＷ膜を形成することで金属
膜（10）を得られる。
膜（５）を形成した状態で、選択CVD法に依ってPoly−S
i配線（２）上から溝部（４）内にかけて選択的に形成
される。例えば、原料ガスとして６弗化タングステン
（WF6）を用いてSi及びPoly−Siの露出部分にタングス
テンを500Å程度堆積させてＷ膜を形成することで金属
膜（10）を得られる。
（ト）考案の効果 本考案に依れば、Poly−Si配線と拡散領域とが金属膜
でも電気的に接続されるために、Poly−Si配線の下の拡
散領域が溝部を隔てた拡散領域と十分につながらず、両
拡散領域の電気的な接続が不十分であってもPoly−Si配
線と拡散領域とが確実に接続される。従って、埋込みコ
ンタクト部の抵抗の低減を図ることができる。
でも電気的に接続されるために、Poly−Si配線の下の拡
散領域が溝部を隔てた拡散領域と十分につながらず、両
拡散領域の電気的な接続が不十分であってもPoly−Si配
線と拡散領域とが確実に接続される。従って、埋込みコ
ンタクト部の抵抗の低減を図ることができる。
また、高温での加熱処理が特に必要なくなるために、
高集積化に依るパターンの微細化に対する処理温度の低
下に対応することができるため、高集積化に有効であ
る。
高集積化に依るパターンの微細化に対する処理温度の低
下に対応することができるため、高集積化に有効であ
る。
第１図は本考案の半導体装置の接続構造を示す断面図、
第２図は従来の半導体装置の接続構造を示す平面図、第
３図乃至第５図は、第２図のＸ−Ｙ線断面図である。
第２図は従来の半導体装置の接続構造を示す平面図、第
３図乃至第５図は、第２図のＸ−Ｙ線断面図である。
Claims (2)
- 【請求項１】一導電型の半導体基板の一主面上に、この
半導体基板に接して設けられた多結晶シリコン配線と、
上記半導体基板の一主面に上記多結晶シリコン配線と交
差して埋設され信号の入出力線となる逆導電型の拡散領
域とを備え、上記多結晶シリコン配線と上記拡散領域と
が交差部で接続されてなる半導体装置の接続構造に於い
て、 上記半導体基板は、上記多結晶シリコン配線の端部に沿
って形成され、少なくとも上記拡散領域まで達して上記
拡散領域の一部を露出させる溝部を有し、上記多結晶シ
リコン配線上から上記拡散領域が露出された上記半導体
基板の溝部内に亘る高融点金属膜を上記交差部に選択的
に被着したことを特徴とする半導体装置の接続構造。 - 【請求項２】上記高融点金属膜はタングステンを主成分
とすることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の接
続構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12274889U JP2556672Y2 (ja) | 1989-10-19 | 1989-10-19 | 半導体装置の接続構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12274889U JP2556672Y2 (ja) | 1989-10-19 | 1989-10-19 | 半導体装置の接続構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0361342U JPH0361342U (ja) | 1991-06-17 |
| JP2556672Y2 true JP2556672Y2 (ja) | 1997-12-08 |
Family
ID=31670741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12274889U Expired - Fee Related JP2556672Y2 (ja) | 1989-10-19 | 1989-10-19 | 半導体装置の接続構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2556672Y2 (ja) |
-
1989
- 1989-10-19 JP JP12274889U patent/JP2556672Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0361342U (ja) | 1991-06-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |