JP2556574B2 - 光メモリ装置 - Google Patents
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- JP2556574B2 JP2556574B2 JP1012493A JP1249389A JP2556574B2 JP 2556574 B2 JP2556574 B2 JP 2556574B2 JP 1012493 A JP1012493 A JP 1012493A JP 1249389 A JP1249389 A JP 1249389A JP 2556574 B2 JP2556574 B2 JP 2556574B2
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- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
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- Optics & Photonics (AREA)
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- Optical Head (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光学的情報記録媒体に光ビームを照射し
て、情報の記録、再生、および消去等を行う光メモリ装
置に関するものである。
て、情報の記録、再生、および消去等を行う光メモリ装
置に関するものである。
従来の光メモリ装置としては、例えば、光磁気ディス
クに情報を記録する光磁気メモリ装置等が用いられてい
る。上記光磁気メモリ装置に使用される光磁気ディスク
には、膜面に垂直な方向の磁化容易軸を有する磁気異方
性の磁性薄膜が形成され、微小範囲ごとの磁化方向によ
って情報を記録することができるようになっている。
クに情報を記録する光磁気メモリ装置等が用いられてい
る。上記光磁気メモリ装置に使用される光磁気ディスク
には、膜面に垂直な方向の磁化容易軸を有する磁気異方
性の磁性薄膜が形成され、微小範囲ごとの磁化方向によ
って情報を記録することができるようになっている。
このような光磁気ディスクに情報を記録するときに
は、例えば直径約１μｍ程度に集光したレーザビームを
磁性薄膜に照射する。すると、磁性薄膜におけるレーザ
ビームが照射された部分は、局所的に温度が上昇し、保
磁力が低下して磁化方向が変化しやすくなる。そこで、
同時に、外部より磁界を印加して磁化反転させるなど任
意の方向に磁化方向を変化させることにより、光熱磁気
記録による情報の記録や消去を行うことができるように
なっている。
は、例えば直径約１μｍ程度に集光したレーザビームを
磁性薄膜に照射する。すると、磁性薄膜におけるレーザ
ビームが照射された部分は、局所的に温度が上昇し、保
磁力が低下して磁化方向が変化しやすくなる。そこで、
同時に、外部より磁界を印加して磁化反転させるなど任
意の方向に磁化方向を変化させることにより、光熱磁気
記録による情報の記録や消去を行うことができるように
なっている。
また、上記のようにして記録された情報を再生すると
きには、磁性薄膜に、温度を上昇させない程度の強度の
レーザビームを照射する。すると、磁性薄膜に照射され
たレーザビームの透過光や反射光における直線偏光の偏
光面は、ファラデー効果やカー効果等の磁気光学効果に
よって回転する。そこで、この透過光や反射光を検光子
によって検波し、光センサで電気信号に変換することに
よって、パルス状の再生信号が得られる。
きには、磁性薄膜に、温度を上昇させない程度の強度の
レーザビームを照射する。すると、磁性薄膜に照射され
たレーザビームの透過光や反射光における直線偏光の偏
光面は、ファラデー効果やカー効果等の磁気光学効果に
よって回転する。そこで、この透過光や反射光を検光子
によって検波し、光センサで電気信号に変換することに
よって、パルス状の再生信号が得られる。
ところで、上記光センサには、情報の記録時や消去時
にも磁性薄膜に照射されたレーザビームの透過光や反射
光が入射される。しかも、記録時や消去時に照射される
レーザビームは、再生時に比べて、上記のように高強度
のレーザビームなので、光センサは過大なレベルの信号
を出力することになる。
にも磁性薄膜に照射されたレーザビームの透過光や反射
光が入射される。しかも、記録時や消去時に照射される
レーザビームは、再生時に比べて、上記のように高強度
のレーザビームなので、光センサは過大なレベルの信号
を出力することになる。
このような過大なレベルの信号が、光センサに接続さ
れて再生信号の処理を行う再生アナログ回路等に入力さ
れるとダイナミックレンジを大幅に越えてしまい、その
後の通常の再生動作に支障をきたすことになる。
れて再生信号の処理を行う再生アナログ回路等に入力さ
れるとダイナミックレンジを大幅に越えてしまい、その
後の通常の再生動作に支障をきたすことになる。
そこで、従来、例えば第13図に示すようなアナログ信
号切り換え装置10が用いられている。即ち、アナログ信
号切り換え装置10は、アナログスイッチ11における一方
の端子11aに入力端子12が直接接続されるとともに、他
方の端子11bにサンプルホールド回路13を介して入力端
子12が接続されて構成されている。
号切り換え装置10が用いられている。即ち、アナログ信
号切り換え装置10は、アナログスイッチ11における一方
の端子11aに入力端子12が直接接続されるとともに、他
方の端子11bにサンプルホールド回路13を介して入力端
子12が接続されて構成されている。
上記アナログスイッチ11は、切り換えタイミング信号
がローレベルのときに、端子11aが端子11cと接続される
一方、切り換えタイミング信号がハイレベルのときに、
端子11bが端子11cと接続されるようになっている。ま
た、サンプルホールド回路13は、切り換えタイミング信
号がローレベルのときにサンプリング状態になり、入力
端子12から送られる信号をそのまま該回路13に備えられ
たコンデンサ（図示せず）に出力する一方、切り換えタ
イミング信号がハイレベルのときにホールド状態にな
り、切り換えタイミング信号がハイレベルになる直前に
入力端子12から送られた信号レベルを該コンデンサによ
って保持し、出力するようになっている。尚、このよう
なサンプルホールド回路13は、記録時や消去時の過大な
レベル信号を入力させないだけでなく、記録時や消去時
にも再生時と同レベルの信号を入力させることで、アナ
ログスイッチ11の後段に接続された比較電圧発生回路14
にて生成されるスライス信号を安定させるためのもので
あり、その具体的な回路構成については、本発明の実施
例の説明にて後述する。
がローレベルのときに、端子11aが端子11cと接続される
一方、切り換えタイミング信号がハイレベルのときに、
端子11bが端子11cと接続されるようになっている。ま
た、サンプルホールド回路13は、切り換えタイミング信
号がローレベルのときにサンプリング状態になり、入力
端子12から送られる信号をそのまま該回路13に備えられ
たコンデンサ（図示せず）に出力する一方、切り換えタ
イミング信号がハイレベルのときにホールド状態にな
り、切り換えタイミング信号がハイレベルになる直前に
入力端子12から送られた信号レベルを該コンデンサによ
って保持し、出力するようになっている。尚、このよう
なサンプルホールド回路13は、記録時や消去時の過大な
レベル信号を入力させないだけでなく、記録時や消去時
にも再生時と同レベルの信号を入力させることで、アナ
ログスイッチ11の後段に接続された比較電圧発生回路14
にて生成されるスライス信号を安定させるためのもので
あり、その具体的な回路構成については、本発明の実施
例の説明にて後述する。
このようなアナログ信号切り換え装置10を用いること
により、例えば第14図に示すように、情報の記録時や消
去時に再生時の数倍の過大なレベルの信号が入力端子12
から入力されるときには、切り換えタイミング信号をハ
イレベルにすることによって、アナログスイッチ11の端
子11cからは過大なレベルの信号が除去された信号が出
力される。
により、例えば第14図に示すように、情報の記録時や消
去時に再生時の数倍の過大なレベルの信号が入力端子12
から入力されるときには、切り換えタイミング信号をハ
イレベルにすることによって、アナログスイッチ11の端
子11cからは過大なレベルの信号が除去された信号が出
力される。
したがって、例えばアナログスイッチ11に接続される
比較電圧発生回路14やコンパレータ15等は正常に動作
し、２値化された再生ディジタル信号が出力されるよう
になっていた。
比較電圧発生回路14やコンパレータ15等は正常に動作
し、２値化された再生ディジタル信号が出力されるよう
になっていた。
ところが、上記従来の光メモリ装置では、過大なレベ
ルの信号を除去することはできるものの、アナログスイ
ッチの切り換え時にスイッチングノイズが生じがちであ
る。この種のノイズは、例えば比較電圧発生回路14とコ
ンパレータ15とにより２値化して再生ディジタル信号を
発生させた後などでも往々にしてノイズパルスとして残
り、復調回路やPLL回路（Phase Locked Loop回路）等、
ディジタル信号処理回路の誤動作を引き起こし、光メモ
リ装置の信頼性を低下させることになるという問題点を
有していた。
ルの信号を除去することはできるものの、アナログスイ
ッチの切り換え時にスイッチングノイズが生じがちであ
る。この種のノイズは、例えば比較電圧発生回路14とコ
ンパレータ15とにより２値化して再生ディジタル信号を
発生させた後などでも往々にしてノイズパルスとして残
り、復調回路やPLL回路（Phase Locked Loop回路）等、
ディジタル信号処理回路の誤動作を引き起こし、光メモ
リ装置の信頼性を低下させることになるという問題点を
有していた。
本発明に係る光メモリ装置は、上記の問題点を解決す
るために、記録・再生の切り換えのタイミングを示す切
り換えタイミング信号に基づいて、再生信号処理回路に
入力されるアナログ信号を記録時と再生時とで切り換え
るアナログスイッチを備えた光メモリ装置において、少
なくともアナログスイッチの切り換え時からアナログス
イッチの切り換え動作に伴うスイッチングノイズの持続
時間が経過するまでの期間にマスク信号を発生するマス
ク信号発生回路と、上記マスク信号発生回路からマスク
信号が発生されている期間は、アナログスイッチからの
出力信号を上記再生信号処理回路に入力させない阻止手
段とを備えていることを特徴としている。
るために、記録・再生の切り換えのタイミングを示す切
り換えタイミング信号に基づいて、再生信号処理回路に
入力されるアナログ信号を記録時と再生時とで切り換え
るアナログスイッチを備えた光メモリ装置において、少
なくともアナログスイッチの切り換え時からアナログス
イッチの切り換え動作に伴うスイッチングノイズの持続
時間が経過するまでの期間にマスク信号を発生するマス
ク信号発生回路と、上記マスク信号発生回路からマスク
信号が発生されている期間は、アナログスイッチからの
出力信号を上記再生信号処理回路に入力させない阻止手
段とを備えていることを特徴としている。
なお、再生信号処理回路とは、前述の再生アナログ回
路及びディジタル信号処理回路といった、再生信号を処
理する回路のことである。
路及びディジタル信号処理回路といった、再生信号を処
理する回路のことである。
上記の構成によれば、アナログスイッチが切り換わる
とき、マスク信号発生回路からは、少なくともアナログ
スイッチの切り換え時からアナログスイッチの切り換え
動作に伴うスイッチングノイズの持続時間が経過するま
での期間にマスク信号が発生される。そして、マスク信
号発生回路からマスク信号が発生されている期間は、阻
止手段によって、再生信号処理回路へのアナログスイッ
チからの出力信号の入力が阻止される。
とき、マスク信号発生回路からは、少なくともアナログ
スイッチの切り換え時からアナログスイッチの切り換え
動作に伴うスイッチングノイズの持続時間が経過するま
での期間にマスク信号が発生される。そして、マスク信
号発生回路からマスク信号が発生されている期間は、阻
止手段によって、再生信号処理回路へのアナログスイッ
チからの出力信号の入力が阻止される。
上記阻止手段としては、マスク信号が発生していると
き、ゲート回路によってアナログスイッチの出力する信
号をマスクする構成が考えられる。
き、ゲート回路によってアナログスイッチの出力する信
号をマスクする構成が考えられる。
したがって、アナログスイッチの切り換え時に発生す
るスイッチングノイズの影響によってディジタル信号処
理回路等が誤動作するのを防止することができるので、
光メモリ装置の信頼性を容易に向上させることができ
る。
るスイッチングノイズの影響によってディジタル信号処
理回路等が誤動作するのを防止することができるので、
光メモリ装置の信頼性を容易に向上させることができ
る。
本発明の一実施例を第１図ないし第12図に基づいて説
明すれば、以下の通りである。
明すれば、以下の通りである。
本発明に係る光メモリ装置は、例えば第１図に示すよ
うなアナログ信号切り換え装置20を備えており、該アナ
ログ信号切り換え装置20は、切り換えタイミング信号に
基づいてアナログ信号を切り換えるアナログスイッチ21
における一方の端子21aに入力端子22が直接接続される
とともに、他方の端子21bにサンプルホールド回路23を
介して入力端子22が接続されて構成されている。
うなアナログ信号切り換え装置20を備えており、該アナ
ログ信号切り換え装置20は、切り換えタイミング信号に
基づいてアナログ信号を切り換えるアナログスイッチ21
における一方の端子21aに入力端子22が直接接続される
とともに、他方の端子21bにサンプルホールド回路23を
介して入力端子22が接続されて構成されている。
上記切り換えタイミング信号は、第３図に示すよう
に、記録・消去時と再生時との切り換えを行うための記
録・消去ゲート信号をそのまま用いることができる。
に、記録・消去時と再生時との切り換えを行うための記
録・消去ゲート信号をそのまま用いることができる。
例えば光磁気メモリ装置では、半導体レーザ71が光磁
気ディスク72に照射するレーザ光の光強度を、記録時に
は記録データに基づいて強弱変化させ、消去時には消去
信号に基づいて常に強い状態にする必要がある。そこ
で、記録・消去時にのみハイレベルとなる記録・消去用
ゲート信号と記録データ又は消去信号とをANDゲート73
に入力し、このANDゲート73の出力を半導体レーザ駆動
回路74に送るようになっている。
気ディスク72に照射するレーザ光の光強度を、記録時に
は記録データに基づいて強弱変化させ、消去時には消去
信号に基づいて常に強い状態にする必要がある。そこ
で、記録・消去時にのみハイレベルとなる記録・消去用
ゲート信号と記録データ又は消去信号とをANDゲート73
に入力し、このANDゲート73の出力を半導体レーザ駆動
回路74に送るようになっている。
すると、例えば第４図に示すように、記録・消去用ゲ
ート信号がハイレベルとなる記録・消去時の場合に記録
データが半導体レーザ駆動回路74に入力され、半導体レ
ーザ71からのレーザ光の光強度がこの記録データに従っ
て強度変化することになる。そして、本実施例では、こ
の記録・消去用ゲート信号をそのまま切り換えタイミン
グ信号として使用している。
ート信号がハイレベルとなる記録・消去時の場合に記録
データが半導体レーザ駆動回路74に入力され、半導体レ
ーザ71からのレーザ光の光強度がこの記録データに従っ
て強度変化することになる。そして、本実施例では、こ
の記録・消去用ゲート信号をそのまま切り換えタイミン
グ信号として使用している。
アナログ信号切り換え装置20には、また、切り換えタ
イミング信号がハイレベルになっているとき、およびロ
ーレベルに変化してから所定の時間T1経過するまでの期
間、即ち、アナログスイッチ21が切り換わるときに、少
なくともアナログスイッチ21の切り換え動作に伴うスイ
ッチングノイズが発生している期間にマスク信号を発生
するマスク信号発生回路24が設けられている。
イミング信号がハイレベルになっているとき、およびロ
ーレベルに変化してから所定の時間T1経過するまでの期
間、即ち、アナログスイッチ21が切り換わるときに、少
なくともアナログスイッチ21の切り換え動作に伴うスイ
ッチングノイズが発生している期間にマスク信号を発生
するマスク信号発生回路24が設けられている。
ここで、スイッチングノイズは、通常数百ns〜１μｓ
程度持続することになる。したがって、時間T1は、少な
くとも１μｓ以上なければならない。また、例えば光磁
気ディスク72のあるセクタの記録を完了し次のセクタの
ID部を読み出すまでの時間的余裕は、モータの回転変動
等がなかったとして、通常数μｓ〜20μｓ程度である。
したがって、時間T1があまり長期にわたると、次のID部
の再生信号までマスク信号によってマスクされるおそれ
がある。そこで、本実施例においては、この時間T1を１
μｓに設定している。
程度持続することになる。したがって、時間T1は、少な
くとも１μｓ以上なければならない。また、例えば光磁
気ディスク72のあるセクタの記録を完了し次のセクタの
ID部を読み出すまでの時間的余裕は、モータの回転変動
等がなかったとして、通常数μｓ〜20μｓ程度である。
したがって、時間T1があまり長期にわたると、次のID部
の再生信号までマスク信号によってマスクされるおそれ
がある。そこで、本実施例においては、この時間T1を１
μｓに設定している。
上記マスク信号発生回路24の具体的構成を第５図ない
し第10図に基づいて３例示す。
し第10図に基づいて３例示す。
第５図および第６図では、単安定型（モノステーブ
ル）のマルチバイブレータであるワンショットマルチ41
を用いた第１のマスク信号発生回路24の構成例を示す。
ル）のマルチバイブレータであるワンショットマルチ41
を用いた第１のマスク信号発生回路24の構成例を示す。
第５図に示すように、ワンショットマルチ41としてこ
こでは、テキサスインスツルメンツ社製の74LS221を用
いている。このワンショットマルチ41には、発生するパ
ルスの時間幅T1を設定するための抵抗R1とコンデンサC1
とが外付けされている。そして、このワンショットマル
チ41の入力端子Ａに、マスク信号発生回路24の入力信号
である切り換えタイミング信号が入力されるようになっ
ている。また、このワンショットマルチ41の入力端子Ｂ
は、＋5Vに接続されハイレベルに固定されている。した
がって、第６図に示すように、ある期間ハイレベルとな
っていた切り換えタイミング信号がローレベルに立ち下
がると、このワンショットマルチ41の出力端子Ｑから
は、時間幅T1だけハイレベルとなる１個のパルスが発せ
られる。
こでは、テキサスインスツルメンツ社製の74LS221を用
いている。このワンショットマルチ41には、発生するパ
ルスの時間幅T1を設定するための抵抗R1とコンデンサC1
とが外付けされている。そして、このワンショットマル
チ41の入力端子Ａに、マスク信号発生回路24の入力信号
である切り換えタイミング信号が入力されるようになっ
ている。また、このワンショットマルチ41の入力端子Ｂ
は、＋5Vに接続されハイレベルに固定されている。した
がって、第６図に示すように、ある期間ハイレベルとな
っていた切り換えタイミング信号がローレベルに立ち下
がると、このワンショットマルチ41の出力端子Ｑから
は、時間幅T1だけハイレベルとなる１個のパルスが発せ
られる。
上記ワンショットマルチ41の出力信号は、NORゲート4
2の一方の入力に送られるようになっている。このNORゲ
ート42の他方の入力には、前記切り換えタイミング信号
が入力される。このため、NORゲート42は、切り換えタ
イミング信号がハイレベルの期間とワンショットマルチ
41がハイレベルのパルスを発した期間だけローレベルと
なる信号を出力する。ただし、ワンショットマルチ41
は、切り換えタイミング信号が立ち下がってから時間幅
T1のパルスを発するまでに時間遅れが生じるので、NOR
ゲート42の出力信号にはひげ状パルス44が発生する。
2の一方の入力に送られるようになっている。このNORゲ
ート42の他方の入力には、前記切り換えタイミング信号
が入力される。このため、NORゲート42は、切り換えタ
イミング信号がハイレベルの期間とワンショットマルチ
41がハイレベルのパルスを発した期間だけローレベルと
なる信号を出力する。ただし、ワンショットマルチ41
は、切り換えタイミング信号が立ち下がってから時間幅
T1のパルスを発するまでに時間遅れが生じるので、NOR
ゲート42の出力信号にはひげ状パルス44が発生する。
このNORゲート42の出力信号は、抵抗R2とコンデンサC
2とからなるローパスフィルタを介してインバータ43に
入力される。ローパスフィルタでは、ひげ状パルス44が
除去され、インバータ43では、入力波形が反転される。
なお、この際、インバータ43にヒステリシス特性を持た
せ、ローパスフィルタで乱れた波形によりノイズが発生
するのを防止するようにしてもよい。
2とからなるローパスフィルタを介してインバータ43に
入力される。ローパスフィルタでは、ひげ状パルス44が
除去され、インバータ43では、入力波形が反転される。
なお、この際、インバータ43にヒステリシス特性を持た
せ、ローパスフィルタで乱れた波形によりノイズが発生
するのを防止するようにしてもよい。
この結果、本構成例のマスク信号発生回路24によれ
ば、インバータ43の出力から、切り換えタイミング信号
がハイレベルの期間およびこの後時間T1の期間だけハイ
レベルとなる所望のマスク信号を得ることができる。
ば、インバータ43の出力から、切り換えタイミング信号
がハイレベルの期間およびこの後時間T1の期間だけハイ
レベルとなる所望のマスク信号を得ることができる。
第７図および第８図では、Ｎビットのシフトレジスタ
51を用いた第２のマスク信号発生回路24の構成例を示
す。
51を用いた第２のマスク信号発生回路24の構成例を示
す。
第７図に示すように、シフトレジスタ51は、Ｎ個のＤ
型フリップフロップからなる。このシフトレジスタ51の
クロック端子CKには、クロック発生器52からのクロック
信号が入力される。また、このシフトレジスタ51のシリ
アル入力は、＋5Vに接続され常にハイレベルとなってい
る。
型フリップフロップからなる。このシフトレジスタ51の
クロック端子CKには、クロック発生器52からのクロック
信号が入力される。また、このシフトレジスタ51のシリ
アル入力は、＋5Vに接続され常にハイレベルとなってい
る。
上記シフトレジスタ51におけるローアクティブのクリ
ア端子CLには、マスク信号発生回路24の入力信号である
切り換えタイミング信号がインバータ53を介して入力さ
れるようになっている。また、このシフトレジスタ51の
シリアル出力は、インバータ54を介してマスク信号発生
回路24の出力となる。
ア端子CLには、マスク信号発生回路24の入力信号である
切り換えタイミング信号がインバータ53を介して入力さ
れるようになっている。また、このシフトレジスタ51の
シリアル出力は、インバータ54を介してマスク信号発生
回路24の出力となる。
したがって、第８図に示すように、切り換えタイミン
グ信号がハイレベルの期間は、シフトレジスタ51が常に
クリアされ、インバータ54からハイレベルの信号が出力
され続ける。また、この切り換えタイミング信号がロー
レベルになると、シフトレジスタ51がクロック信号ごと
にビットシフトを開始し、Ｎビットのシフトが完了した
時点でインバータ54の出力信号がローレベルに切り換わ
る。
グ信号がハイレベルの期間は、シフトレジスタ51が常に
クリアされ、インバータ54からハイレベルの信号が出力
され続ける。また、この切り換えタイミング信号がロー
レベルになると、シフトレジスタ51がクロック信号ごと
にビットシフトを開始し、Ｎビットのシフトが完了した
時点でインバータ54の出力信号がローレベルに切り換わ
る。
ここで、クロック発生器52からのクロック信号の周波
数をｆとすると、切り換えタイミング信号がローレベル
になってからインバータ54の出力信号がローレベルにな
るまでの時間T1は、次式で示される。
数をｆとすると、切り換えタイミング信号がローレベル
になってからインバータ54の出力信号がローレベルにな
るまでの時間T1は、次式で示される。
T1＝（1/f）×Ｎ したがって、クロック信号の周波数ｆとシフトレジスタ
51のビット数Ｎとによって時間T1を自由に設定すること
ができる。なお、実際の時間T1は、切り換えタイミング
信号の立ち下がりのタイミングにより、最大１クロック
周期分の誤差が生じる。
51のビット数Ｎとによって時間T1を自由に設定すること
ができる。なお、実際の時間T1は、切り換えタイミング
信号の立ち下がりのタイミングにより、最大１クロック
周期分の誤差が生じる。
この結果、本構成例のマスク信号発生回路24において
も、インバータ54の出力から、切り換えタイミング信号
がハイレベルの期間およびこの後時間T1の期間だけハイ
レベルとなる所望のマスク信号を得ることができる。ま
た、本構成例では、第５図の構成例のようにコンデンサ
等を使用する必要がないので、マスク信号発生回路24の
IC化が容易となる。
も、インバータ54の出力から、切り換えタイミング信号
がハイレベルの期間およびこの後時間T1の期間だけハイ
レベルとなる所望のマスク信号を得ることができる。ま
た、本構成例では、第５図の構成例のようにコンデンサ
等を使用する必要がないので、マスク信号発生回路24の
IC化が容易となる。
第９図および第10図では、カウンタ61とフリップフロ
ップ62・63を用いた第３のマスク信号発生回路24の構成
例を示す。
ップ62・63を用いた第３のマスク信号発生回路24の構成
例を示す。
第９図に示すように、カウンタ61としてここでは、テ
キサスインスツルメンツ社製の74LS161を用いている。
また、フリップフロップ62・63としては、同じくテキサ
スインスツルメンツ社製のＤ型フリップフロップを２個
内蔵した74LS74を用いている。
キサスインスツルメンツ社製の74LS161を用いている。
また、フリップフロップ62・63としては、同じくテキサ
スインスツルメンツ社製のＤ型フリップフロップを２個
内蔵した74LS74を用いている。
カウンタ61のクロック端子CKには、クロック発生器64
からのクロック信号が入力される。そして、このカウン
タ61のクリア端子CLに、マスク信号発生回路24の入力信
号である切り換えタイミング信号がインバータ65を介し
て入力されるようになっている。したがって、このカウ
ンタ61は、切り換えタイミング信号がローレベルの場合
にのみクロック信号をカウントすることになる。
からのクロック信号が入力される。そして、このカウン
タ61のクリア端子CLに、マスク信号発生回路24の入力信
号である切り換えタイミング信号がインバータ65を介し
て入力されるようになっている。したがって、このカウ
ンタ61は、切り換えタイミング信号がローレベルの場合
にのみクロック信号をカウントすることになる。
このカウンタ61の４ビットのカウント出力端子QA〜QD
は、適宜インバータ66…を介してそれぞれNANDゲート67
に接続されている。インバータ66…は、カウンタ61のカ
ウント値が所定の値になった際にNANDゲート67がローレ
ベルになるように必要に応じて挿入される。なお、ここ
では、カウンタ61が４ビットであるために、所定の値が
最大16に限定される。しかし、カウンタ61を複数併設し
たりビット数の多いものに替えることにより、この最大
値をさらに増やすこともできる。
は、適宜インバータ66…を介してそれぞれNANDゲート67
に接続されている。インバータ66…は、カウンタ61のカ
ウント値が所定の値になった際にNANDゲート67がローレ
ベルになるように必要に応じて挿入される。なお、ここ
では、カウンタ61が４ビットであるために、所定の値が
最大16に限定される。しかし、カウンタ61を複数併設し
たりビット数の多いものに替えることにより、この最大
値をさらに増やすこともできる。
上記NANDゲート67の出力は、フリップフロップ62のデ
ータ入力端子Ｄに接続されている。このフリップフロッ
プ62のクロック端子CKには、前記クロック発生器64から
のクロック信号が入力される。また、このフリップフロ
ップ62のローアクティブのプリセット端子PRには、前記
インバータ65を介した切り換えタイミング信号が入力さ
れるようになっている。したがって、このフリップフロ
ップ62の出力端子Ｑからは、第10図に示すように、切り
換えタイミング信号がローレベルであり、かつカウンタ
61が所定の値をカウントした際にのみ１クロック周期だ
けローレベルとなる信号が発せられる。
ータ入力端子Ｄに接続されている。このフリップフロッ
プ62のクロック端子CKには、前記クロック発生器64から
のクロック信号が入力される。また、このフリップフロ
ップ62のローアクティブのプリセット端子PRには、前記
インバータ65を介した切り換えタイミング信号が入力さ
れるようになっている。したがって、このフリップフロ
ップ62の出力端子Ｑからは、第10図に示すように、切り
換えタイミング信号がローレベルであり、かつカウンタ
61が所定の値をカウントした際にのみ１クロック周期だ
けローレベルとなる信号が発せられる。
上記フリップフロップ62の出力端子Ｑは、フリップフ
ロップ63のローアクティブのクリア端子CLに接続されて
いる。このフリップフロップ63のローアクティブのプリ
セット端子PRには、前記インバータ65を介した切り換え
タイミング信号が入力されるようになっている。また、
このフリップフロップ63のデータ入力端子Ｄ及びクロッ
ク端子CKは、＋5Vに接続され常にハイレベルに固定され
ている。したがって、フリップフロップ63の出力端子Ｑ
からは、切り換えタイミング信号がハイレベルに切り換
わると共にハイレベルとなり、この切り換えタイミング
信号がローレベルに戻った後にフリップフロップ62から
の出力信号が最初にローレベルになるまでハイレベルを
維持する信号が出力されることになる。なお、このフリ
ップフロップ63の出力信号がローレベルに戻った後は、
フリップフロップ62の出力信号が再度ローレベルとなっ
ても影響はない。
ロップ63のローアクティブのクリア端子CLに接続されて
いる。このフリップフロップ63のローアクティブのプリ
セット端子PRには、前記インバータ65を介した切り換え
タイミング信号が入力されるようになっている。また、
このフリップフロップ63のデータ入力端子Ｄ及びクロッ
ク端子CKは、＋5Vに接続され常にハイレベルに固定され
ている。したがって、フリップフロップ63の出力端子Ｑ
からは、切り換えタイミング信号がハイレベルに切り換
わると共にハイレベルとなり、この切り換えタイミング
信号がローレベルに戻った後にフリップフロップ62から
の出力信号が最初にローレベルになるまでハイレベルを
維持する信号が出力されることになる。なお、このフリ
ップフロップ63の出力信号がローレベルに戻った後は、
フリップフロップ62の出力信号が再度ローレベルとなっ
ても影響はない。
ここで、上記切り換えタイミング信号がローレベルと
なってからフリップフロップ62の出力信号が最初にロー
レベルとなるまでの時間T1は、インバータ66…で設定し
たカウンタ61のカウント値をＮとし、クロック発生器64
からのクロック信号の周波数をｆとすると、次式で示さ
れる。
なってからフリップフロップ62の出力信号が最初にロー
レベルとなるまでの時間T1は、インバータ66…で設定し
たカウンタ61のカウント値をＮとし、クロック発生器64
からのクロック信号の周波数をｆとすると、次式で示さ
れる。
T1＝（1/f）×Ｎ したがって、クロック信号の周波数ｆと所定のカウント
値Ｎとによって時間T1を自由に設定することができる。
なお、フリップフロップ62では１クロック周期分の遅延
が生じるので、インバータ66…は、実際にはＮ−１をカ
ウントすることによりNANDゲート67の出力信号がローレ
ベルになるように設定する。また、実際の時間T1は、切
り換えタイミング信号の立ち下がりのタイミングによ
り、最大１クロック周期分の誤差が生じる。
値Ｎとによって時間T1を自由に設定することができる。
なお、フリップフロップ62では１クロック周期分の遅延
が生じるので、インバータ66…は、実際にはＮ−１をカ
ウントすることによりNANDゲート67の出力信号がローレ
ベルになるように設定する。また、実際の時間T1は、切
り換えタイミング信号の立ち下がりのタイミングによ
り、最大１クロック周期分の誤差が生じる。
この結果、本構成例のマスク信号発生回路24において
も、フリップフロップ63の出力端子Ｑから、切り換えタ
イミング信号がハイレベルの期間およびこの後時間T1の
期間だけハイレベルとなる所望のマスク信号を得ること
ができる。また、本構成例においても、第５図の構成例
のようにコンデンサ等を使用する必要がないので、マス
ク信号発生回路24のIC化が容易となる。
も、フリップフロップ63の出力端子Ｑから、切り換えタ
イミング信号がハイレベルの期間およびこの後時間T1の
期間だけハイレベルとなる所望のマスク信号を得ること
ができる。また、本構成例においても、第５図の構成例
のようにコンデンサ等を使用する必要がないので、マス
ク信号発生回路24のIC化が容易となる。
前記第１図に示すアナログ信号切り換え装置20におけ
るアナログスイッチ21は、切り換えタイミング信号がロ
ーレベルのときに、端子21aが端子21cと接続される一
方、切り換えタイミング信号がハイレベルのときに、端
子21bが端子21cと接続されるようになっている。また、
サンプルホールド回路23は、切り換えタイミング信号が
ローレベルのときにサンプリング状態になり、入力端子
22から送られる信号をそのまま該回路23に備えられたコ
ンデンサ（図示せず）に出力する一方、切り換えタイミ
ング信号がハイレベルのときにホールド状態になり、切
り換えタイミング信号がハイレベルになる直前に入力端
子22から送られた信号レベルを該コンデンサによって保
持し、出力するようになっている。このようなサンプル
ホールド回路23は、記録時や消去時の過大なレベル信号
を入力させないだけでなく、記録時や消去時にも再生時
と同レベルの信号を入力させることで、アナログスイッ
チ21の後段に接続された比較電圧発生回路26にて生成さ
れるスライス信号を安定させるためのものである。
るアナログスイッチ21は、切り換えタイミング信号がロ
ーレベルのときに、端子21aが端子21cと接続される一
方、切り換えタイミング信号がハイレベルのときに、端
子21bが端子21cと接続されるようになっている。また、
サンプルホールド回路23は、切り換えタイミング信号が
ローレベルのときにサンプリング状態になり、入力端子
22から送られる信号をそのまま該回路23に備えられたコ
ンデンサ（図示せず）に出力する一方、切り換えタイミ
ング信号がハイレベルのときにホールド状態になり、切
り換えタイミング信号がハイレベルになる直前に入力端
子22から送られた信号レベルを該コンデンサによって保
持し、出力するようになっている。このようなサンプル
ホールド回路23は、記録時や消去時の過大なレベル信号
を入力させないだけでなく、記録時や消去時にも再生時
と同レベルの信号を入力させることで、アナログスイッ
チ21の後段に接続された比較電圧発生回路26にて生成さ
れるスライス信号を安定させるためのものである。
上記サンプルホールド回路23の具体的構成例を第11図
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
入力端子22からの入力信号は、抵抗R3とアナログスイ
ッチ81とを介してコンデンサC3及びバッファアンプ82に
入力されるようになっている。バッファアンプ82は、演
算増幅器に抵抗R4を介して負帰還をかけたものである。
また、コンデンサC3は、他方の端子が接地され、入力信
号レベルに充電されることになる。
ッチ81とを介してコンデンサC3及びバッファアンプ82に
入力されるようになっている。バッファアンプ82は、演
算増幅器に抵抗R4を介して負帰還をかけたものである。
また、コンデンサC3は、他方の端子が接地され、入力信
号レベルに充電されることになる。
切り換えタイミング信号は、上記アナログスイッチ81
の制御入力となる。そして、この切り換えタイミング信
号がローレベルのときにアナログスイッチ81が閉じ、切
り換えタイミング信号がハイレベルのときにアナログス
イッチ81が開くことになる。
の制御入力となる。そして、この切り換えタイミング信
号がローレベルのときにアナログスイッチ81が閉じ、切
り換えタイミング信号がハイレベルのときにアナログス
イッチ81が開くことになる。
したがって、このサンプルホールド回路23は、前記の
ように、切り換えタイミング信号がローレベルのときに
入力端子22からの入力信号をそのままバッファアンプ82
から出力する一方、切り換えタイミング信号がハイレベ
ルのときには、切り換えタイミング信号がハイレベルに
なる直前の入力端子22からの入力信号レベルをコンデン
サC3を保持し、バッファアンプ82を介してこれを出力し
続けることになる。
ように、切り換えタイミング信号がローレベルのときに
入力端子22からの入力信号をそのままバッファアンプ82
から出力する一方、切り換えタイミング信号がハイレベ
ルのときには、切り換えタイミング信号がハイレベルに
なる直前の入力端子22からの入力信号レベルをコンデン
サC3を保持し、バッファアンプ82を介してこれを出力し
続けることになる。
上記構成例のサンプルホールド回路23は、コンデンサ
C3を除いてIC化した回路を用いることができる。
C3を除いてIC化した回路を用いることができる。
なお、ここでは、サンプルホールド回路23として入力
信号をアナログ信号の状態で保持する構成例を示した
が、例えばA/D変換器とD/A変換器とを用いてディジタル
信号として保持するように構成することも可能である。
信号をアナログ信号の状態で保持する構成例を示した
が、例えばA/D変換器とD/A変換器とを用いてディジタル
信号として保持するように構成することも可能である。
第１図に示すアナログスイッチ21の端子21cは、コン
パレータ25のプラス側端子に接続されるとともに、比較
電圧発生回路26を介してコンパレータ25のマイナス側端
子に接続されている。コンパレータ25、およびマスク信
号発生回路24は、ゲート回路27に接続されている。この
ゲート回路27は、阻止手段を構成するもので、マスク信
号発生回路24から出力されるマスク信号がハイレベルの
ときにコンパレータ25から入力される信号をマスクする
ようになっている。
パレータ25のプラス側端子に接続されるとともに、比較
電圧発生回路26を介してコンパレータ25のマイナス側端
子に接続されている。コンパレータ25、およびマスク信
号発生回路24は、ゲート回路27に接続されている。この
ゲート回路27は、阻止手段を構成するもので、マスク信
号発生回路24から出力されるマスク信号がハイレベルの
ときにコンパレータ25から入力される信号をマスクする
ようになっている。
上記ゲート回路27の具体的構成例を第12図に基づいて
説明する。
説明する。
このゲート回路27は、ANDゲート91とインバータ92と
で構成されている。コンパレータ25からの入力信号は、
このANDゲート91の一方の入力に送られるようになって
いる。また、マスク信号発生回路24から出力されるマス
ク信号は、インバータ92を介してこのANDゲート91の他
方の入力に送られる。そして、このANDゲート91の出力
がゲート回路27の出力となる。
で構成されている。コンパレータ25からの入力信号は、
このANDゲート91の一方の入力に送られるようになって
いる。また、マスク信号発生回路24から出力されるマス
ク信号は、インバータ92を介してこのANDゲート91の他
方の入力に送られる。そして、このANDゲート91の出力
がゲート回路27の出力となる。
したがって、このゲート回路27は、前述のように、マ
スク信号がローレベルのときには、コンパレータ25から
の入力信号がそのまま出力され、マスク信号がハイレベ
ルのときに、このコンパレータ25からの入力信号がマス
クされることになる。
スク信号がローレベルのときには、コンパレータ25から
の入力信号がそのまま出力され、マスク信号がハイレベ
ルのときに、このコンパレータ25からの入力信号がマス
クされることになる。
前記第１図に示したアナログ信号切り換え装置20の構
成において、例えば第２図に示すように、情報の再生時
や記録、消去時に、入力端子22から再生アナログ信号を
入力すると、情報の記録時や消去時には、再生時の数倍
のレベルの信号が入力されることになる。ところが、記
録時や消去時には、切り換えタイミング信号がハイレベ
ルとなるので、アナログスイッチ21における端子21cに
は端子21bが接続されるとともに、サンプルホールド回
路23は切り換えタイミング信号がハイレベルになる直前
に入力端子22から送られた信号を保持し、出力する。そ
こで、アナログスイッチ21の端子21cからは過大なレベ
ルの信号が除去された信号が出力される。
成において、例えば第２図に示すように、情報の再生時
や記録、消去時に、入力端子22から再生アナログ信号を
入力すると、情報の記録時や消去時には、再生時の数倍
のレベルの信号が入力されることになる。ところが、記
録時や消去時には、切り換えタイミング信号がハイレベ
ルとなるので、アナログスイッチ21における端子21cに
は端子21bが接続されるとともに、サンプルホールド回
路23は切り換えタイミング信号がハイレベルになる直前
に入力端子22から送られた信号を保持し、出力する。そ
こで、アナログスイッチ21の端子21cからは過大なレベ
ルの信号が除去された信号が出力される。
ところで、アナログスイッチ21の端子21cから出力さ
れる信号は、過大なレベルの信号は除去されるものの、
アナログスイッチ21が切り換わるときに発生するスイッ
チングノイズ31・32が含まれている。そしてスイッチン
グノイズ31・32が含まれたまま、コンパレータ25によっ
て比較電圧発生回路26の出力信号と比較され、２値化さ
れて再生ディジタル信号となる。そこで、再生ディジタ
ル信号には、上記スイッチングノイズ31・32に基づくノ
イズパルス33・34が含まれたままになる。
れる信号は、過大なレベルの信号は除去されるものの、
アナログスイッチ21が切り換わるときに発生するスイッ
チングノイズ31・32が含まれている。そしてスイッチン
グノイズ31・32が含まれたまま、コンパレータ25によっ
て比較電圧発生回路26の出力信号と比較され、２値化さ
れて再生ディジタル信号となる。そこで、再生ディジタ
ル信号には、上記スイッチングノイズ31・32に基づくノ
イズパルス33・34が含まれたままになる。
ここで、再生アナログ信号を２値化して再生ディジタ
ル信号とする方法として、コンパレータ25と比較電圧発
生回路26とによる方法に換えて、例えばピーク検出法等
を用いたとしても、やはりノイズパルス33・34は同様に
再生ディジタル信号中に含まれ得る。
ル信号とする方法として、コンパレータ25と比較電圧発
生回路26とによる方法に換えて、例えばピーク検出法等
を用いたとしても、やはりノイズパルス33・34は同様に
再生ディジタル信号中に含まれ得る。
一方、マスク信号発生回路24は、切り換えタイミング
信号がハイレベルになっているとき、およびローレベル
に変化してから所定の時間T1経過するまでの期間、即
ち、アナログスイッチ21における端子21cの接続される
端子が端子21aから端子21bに切り換わった後、再度端子
21aに戻ってからさらに時間T1経過するまでの間ハイレ
ベルになるマスク信号を出力する。
信号がハイレベルになっているとき、およびローレベル
に変化してから所定の時間T1経過するまでの期間、即
ち、アナログスイッチ21における端子21cの接続される
端子が端子21aから端子21bに切り換わった後、再度端子
21aに戻ってからさらに時間T1経過するまでの間ハイレ
ベルになるマスク信号を出力する。
ゲート回路27は、このマスク信号がハイレベルになっ
ている間は、コンパレータ25から出力される信号をマス
クする。それゆえ、ノイズパルス33・34は除去され、ゲ
ート回路27からは適正な再生信号だけが出力される。し
たがって、アナログスイッチ21の切り換え時に発生する
スイッチングノイズ31・32の影響によるディジタル信号
処理回路等の誤動作は、容易、かつ、確実に防止され
る。
ている間は、コンパレータ25から出力される信号をマス
クする。それゆえ、ノイズパルス33・34は除去され、ゲ
ート回路27からは適正な再生信号だけが出力される。し
たがって、アナログスイッチ21の切り換え時に発生する
スイッチングノイズ31・32の影響によるディジタル信号
処理回路等の誤動作は、容易、かつ、確実に防止され
る。
また、本発明によれば、上記のように過大なレベルの
再生アナログ信号を除去するために、アナログスイッチ
によって信号を切り換える際に発生するノイズの影響を
防止する場合に特に顕著な効果が得られるが、これに限
らず、例えば複数の入力アナログ信号を切り換える場合
などでも同様の効果を得ることはできる。
再生アナログ信号を除去するために、アナログスイッチ
によって信号を切り換える際に発生するノイズの影響を
防止する場合に特に顕著な効果が得られるが、これに限
らず、例えば複数の入力アナログ信号を切り換える場合
などでも同様の効果を得ることはできる。
本発明に係る光メモリ装置は、以上のように、記録・
再生の切り換えのタイミングを示す切り換えタイミング
信号に基づいて、再生信号処理回路に入力されるアナロ
グ信号を記録時と再生時とで切り換えるアナログスイッ
チを備えた光メモリ装置において、少なくともアナログ
スイッチの切り換え時からアナログスイッチの切り換え
動作に伴うスイッチングノイズの持続時間が経過するま
での期間にマスク信号を発生するマスク信号発生回路
と、上記マスク信号発生回路からマスク信号が発生され
ている期間は、アナログスイッチからの出力信号を上記
再生信号処理回路に入力させない阻止手段とを備えた構
成である。
再生の切り換えのタイミングを示す切り換えタイミング
信号に基づいて、再生信号処理回路に入力されるアナロ
グ信号を記録時と再生時とで切り換えるアナログスイッ
チを備えた光メモリ装置において、少なくともアナログ
スイッチの切り換え時からアナログスイッチの切り換え
動作に伴うスイッチングノイズの持続時間が経過するま
での期間にマスク信号を発生するマスク信号発生回路
と、上記マスク信号発生回路からマスク信号が発生され
ている期間は、アナログスイッチからの出力信号を上記
再生信号処理回路に入力させない阻止手段とを備えた構
成である。
これにより、マスク信号発生回路が発生するマスク信
号によって、阻止手段がアナログスイッチの出力する信
号をマスクして、再生信号処理回路におけるアナログス
イッチからの出力信号の入力を阻止するので、アナログ
スイッチの切り換え時に発生するスイッチングノイズの
影響によるディジタル信号処理回路等の誤動作を防止し
て、光メモリ装置の信頼性を容易に向上させることがで
きるという効果を奏する。
号によって、阻止手段がアナログスイッチの出力する信
号をマスクして、再生信号処理回路におけるアナログス
イッチからの出力信号の入力を阻止するので、アナログ
スイッチの切り換え時に発生するスイッチングノイズの
影響によるディジタル信号処理回路等の誤動作を防止し
て、光メモリ装置の信頼性を容易に向上させることがで
きるという効果を奏する。
第１図ないし第12図は本発明の一実施例を示すものであ
って、第１図はアナログ信号切り換え装置の構成を示す
ブロック図、第２図はアナログ信号切り換え装置におけ
る各部の信号を示すタイミングチャート、第３図は切り
換えタイミング信号を示すための光磁気メモリ装置の要
部ブロック図、第４図は切り換えタイミング信号と記録
データ等との関係を示すタイミングチャート、第５図は
マスク信号発生回路の第１の構成例を示すブロック図、
第６図はマスク信号発生回路の第１の構成例における各
部の信号を示すタイミングチャート、第７図はマスク信
号発生回路の第２の構成例を示すブロック図、第８図は
マスク信号発生回路の第２の構成例における各部の信号
を示すタイミングチャート、第９図はマスク信号発生回
路の第３の構成例を示すブロック図、第10図はマスク信
号発生回路の第３の構成例における各部の信号を示すタ
イミングチャート、第11図はサンプルホールド回路の構
成例を示すブロック図、第12図はゲート回路の構成例を
示すブロック図である。 第13図および第14図は従来例を示すものであって、第13
図は従来のアナログ信号切り換え装置の構成を示すブロ
ック図、第14図は従来のアナログ信号切り換え装置にお
ける各部の信号を示すタイミングチャートである。 21はアナログスイッチ、24はマスク信号発生回路、27は
ゲート回路（阻止手段）である。
って、第１図はアナログ信号切り換え装置の構成を示す
ブロック図、第２図はアナログ信号切り換え装置におけ
る各部の信号を示すタイミングチャート、第３図は切り
換えタイミング信号を示すための光磁気メモリ装置の要
部ブロック図、第４図は切り換えタイミング信号と記録
データ等との関係を示すタイミングチャート、第５図は
マスク信号発生回路の第１の構成例を示すブロック図、
第６図はマスク信号発生回路の第１の構成例における各
部の信号を示すタイミングチャート、第７図はマスク信
号発生回路の第２の構成例を示すブロック図、第８図は
マスク信号発生回路の第２の構成例における各部の信号
を示すタイミングチャート、第９図はマスク信号発生回
路の第３の構成例を示すブロック図、第10図はマスク信
号発生回路の第３の構成例における各部の信号を示すタ
イミングチャート、第11図はサンプルホールド回路の構
成例を示すブロック図、第12図はゲート回路の構成例を
示すブロック図である。 第13図および第14図は従来例を示すものであって、第13
図は従来のアナログ信号切り換え装置の構成を示すブロ
ック図、第14図は従来のアナログ信号切り換え装置にお
ける各部の信号を示すタイミングチャートである。 21はアナログスイッチ、24はマスク信号発生回路、27は
ゲート回路（阻止手段）である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小嶋 邦男 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 出口 敏久 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 寺島 重男 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−205834（ＪＰ，Ａ) 実開 昭59−42513（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】記録・再生の切り換えのタイミングを示す
切り換えタイミング信号に基づいて、再生信号処理回路
に入力されるアナログ信号を記録時と再生時とで切り換
えるアナログスイッチを備えた光メモリ装置において、 少なくともアナログスイッチの切り換え時からアナログ
スイッチの切り換え動作に伴うスイッチングノイズの持
続時間が経過するまでの期間にマスク信号を発生するマ
スク信号発生回路と、 上記マスク信号発生回路からマスク信号が発生されてい
る期間は、アナログスイッチからの出力信号を上記再生
信号処理回路に入力させない阻止手段とを備えているこ
とを特徴とする光メモリ装置。
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