JP2553199Y2 - 力変換素子 - Google Patents
力変換素子Info
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/18—Measuring force or stress, in general using properties of piezo-resistive materials, i.e. materials of which the ohmic resistance varies according to changes in magnitude or direction of force applied to the material
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、圧縮力を電気信号に変
換する、半導体のピエゾ抵抗効果を用いた力変換素子に
関し、特に、Ｓｉ単結晶体に電流を流しながら前記Ｓｉ
単結晶体の結晶面に垂直に圧縮力を作用させて、電流の
流れる方向に直交した方向から圧縮力に対応した電圧出
力を取り出す、π′63型力変換素子に関するものであ
る。
換する、半導体のピエゾ抵抗効果を用いた力変換素子に
関し、特に、Ｓｉ単結晶体に電流を流しながら前記Ｓｉ
単結晶体の結晶面に垂直に圧縮力を作用させて、電流の
流れる方向に直交した方向から圧縮力に対応した電圧出
力を取り出す、π′63型力変換素子に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体のピエゾ抵抗効果を検出原理とし
た力変換素子の構造としては、起歪材にＳｉ，Ｇｅ等の
半導体を接合して起歪材に力を印加するもの、および半
導体に直接力を印加するものに分けられる。また、検出
方法としては、前記半導体への力の印加に伴う抵抗値の
変化を出力として取り出すもの、抵抗変化率の異なるも
のの組合わせによりホイートストンブリッジ出力を得る
もの、また、電流印加方向と電圧検出方向および力の印
加方向が全て直交して設定されたπ′63型といわれるも
の等がある。
た力変換素子の構造としては、起歪材にＳｉ，Ｇｅ等の
半導体を接合して起歪材に力を印加するもの、および半
導体に直接力を印加するものに分けられる。また、検出
方法としては、前記半導体への力の印加に伴う抵抗値の
変化を出力として取り出すもの、抵抗変化率の異なるも
のの組合わせによりホイートストンブリッジ出力を得る
もの、また、電流印加方向と電圧検出方向および力の印
加方向が全て直交して設定されたπ′63型といわれるも
の等がある。
【０００３】本考案の力変換素子は、前記π′63型の素
子、すなわちピエゾ抵抗効果の電流−電圧直交型検知方
式を用いた素子に関するものである。
子、すなわちピエゾ抵抗効果の電流−電圧直交型検知方
式を用いた素子に関するものである。
【０００４】図９に従来の電流−電圧直交型力変換素子
の一例を示す（特願昭６２−１９０４０９号公報参
照）。この力変換素子１０００の構造は、Ｓｉ単結晶体
１の（１１０）面の一方の面１ａに水平断面形状が正方
形である力伝達ブロック体５を接合し、また、（１１
０）面の他方の面１ｂに支持台座４を接合した構造とな
っている。そして、前記Ｓｉ単結晶体１の一方の（１１
０）面１ａ上における〈００１〉方向から〈１−１０〉
方向に＋１３５°回転した方向に一対の入力電極２ａ，
２ｂが、また面１ａ上において前記入力電極２ａ，２ｂ
から９０°回転した方向に一対の出力電極３ａ，３ｂが
形成されている。
の一例を示す（特願昭６２−１９０４０９号公報参
照）。この力変換素子１０００の構造は、Ｓｉ単結晶体
１の（１１０）面の一方の面１ａに水平断面形状が正方
形である力伝達ブロック体５を接合し、また、（１１
０）面の他方の面１ｂに支持台座４を接合した構造とな
っている。そして、前記Ｓｉ単結晶体１の一方の（１１
０）面１ａ上における〈００１〉方向から〈１−１０〉
方向に＋１３５°回転した方向に一対の入力電極２ａ，
２ｂが、また面１ａ上において前記入力電極２ａ，２ｂ
から９０°回転した方向に一対の出力電極３ａ，３ｂが
形成されている。
【０００５】この力変換素子１０００においては、圧縮
力Ｗは前記力伝達ブロック体５を介し、前記Ｓｉ単結晶
体１の（１１０）面１ａに垂直に印加される。そして、
圧縮力Ｗに対応した力変換素子１０００の出力は、入力
電極２ａ，２ｂに直交した出力電極３ａ，３ｂの電極間
電圧として取り出される。
力Ｗは前記力伝達ブロック体５を介し、前記Ｓｉ単結晶
体１の（１１０）面１ａに垂直に印加される。そして、
圧縮力Ｗに対応した力変換素子１０００の出力は、入力
電極２ａ，２ｂに直交した出力電極３ａ，３ｂの電極間
電圧として取り出される。
【考案が解決しようとする課題】上記力変換素子１００
０は、Ｓｉ単結晶体１の（１１０）面１ａに垂直な〈１
１０〉方向への力の印加に伴い発生する、〈１１０〉方
向の垂直応力б3 （б〈110 〉）による出力を得ること
を目的としたものである。この構造の素子１０００にお
いては、支持台座４を剛体であると仮定すると、出力電
圧は力を印加した〈１１０〉方向の応力б3 のみにより
得られ、その場合の出力電圧ΔＶ′は数式１で表され
る。
０は、Ｓｉ単結晶体１の（１１０）面１ａに垂直な〈１
１０〉方向への力の印加に伴い発生する、〈１１０〉方
向の垂直応力б3 （б〈110 〉）による出力を得ること
を目的としたものである。この構造の素子１０００にお
いては、支持台座４を剛体であると仮定すると、出力電
圧は力を印加した〈１１０〉方向の応力б3 のみにより
得られ、その場合の出力電圧ΔＶ′は数式１で表され
る。
【０００６】
【数１】 数式１において、ｂは力伝達ブロック体５の受圧面の出
力電極方向の長さ、ρはＳｉ単結晶体の比抵抗、Ｊは電
流密度、π′63はピエゾ抵抗係数である。
力電極方向の長さ、ρはＳｉ単結晶体の比抵抗、Ｊは電
流密度、π′63はピエゾ抵抗係数である。
【０００７】ところが、実際の力変換素子においては、
必ず＜１１０＞方向の応力б3 以外の応力が発生してし
まう。したがって、実際の素子出力ΔＶは数式１では完
全に表現できず、６応力成分の全てを含めた数式２で表
現される。
必ず＜１１０＞方向の応力б3 以外の応力が発生してし
まう。したがって、実際の素子出力ΔＶは数式１では完
全に表現できず、６応力成分の全てを含めた数式２で表
現される。
【０００８】
【数２】 このように、前記従来の力変換素子では、б3 以外のб
1 , б2 , б4 , б5, б6 の応力が発生しないものと
して取扱っており、これらによる出力ΔＶ2 の影響を考
慮した構造となっていない。このため、実際の素子にお
いては、б3 以外の応力成分による出力ΔＶ2 の負の効
果により、変換効率が低いという問題点を有する。
1 , б2 , б4 , б5, б6 の応力が発生しないものと
して取扱っており、これらによる出力ΔＶ2 の影響を考
慮した構造となっていない。このため、実際の素子にお
いては、б3 以外の応力成分による出力ΔＶ2 の負の効
果により、変換効率が低いという問題点を有する。
【０００９】その理由を具体例を挙げて説明する。表１
および表２は、それぞれ比抵抗７．８Ω・ｃｍのｐ型Ｓ
ｉ単結晶体および比抵抗１１．７Ω・ｃｍのｎ型Ｓｉ単
結晶体の各ピエゾ抵抗効果π′の値、および前記支持台
座が従来型の場合の応力ならびに数式１によって求めた
素子出力の符号を示している。
および表２は、それぞれ比抵抗７．８Ω・ｃｍのｐ型Ｓ
ｉ単結晶体および比抵抗１１．７Ω・ｃｍのｎ型Ｓｉ単
結晶体の各ピエゾ抵抗効果π′の値、および前記支持台
座が従来型の場合の応力ならびに数式１によって求めた
素子出力の符号を示している。
【表１】
【表２】 表１および表２に示すように、前記支持台座の水平断面
形状が正方形の場合には、ｐ型およびｎ型いずれの場合
でもб3 による出力は負であるが、一方その他の応力に
よる出力（б1 およびびб2 の場合は正、б4 ，б5 お
よびб6 の場合は零）の合計はｐ型およびｎ型いずれの
場合においても正となりб3 による出力と逆符号のた
め、全体として素子出力を低下させることとなる。 （考案の目的） 本考案は、従来の電流−電圧直交型力変換素子に比べ、
力−電気変換効率を上げ、簡易な構造でありながら感度
の優れた力変換素子を提供することにある。
形状が正方形の場合には、ｐ型およびｎ型いずれの場合
でもб3 による出力は負であるが、一方その他の応力に
よる出力（б1 およびびб2 の場合は正、б4 ，б5 お
よびб6 の場合は零）の合計はｐ型およびｎ型いずれの
場合においても正となりб3 による出力と逆符号のた
め、全体として素子出力を低下させることとなる。 （考案の目的） 本考案は、従来の電流−電圧直交型力変換素子に比べ、
力−電気変換効率を上げ、簡易な構造でありながら感度
の優れた力変換素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】本考案は、上記目的を達
成するために、圧縮力が加えられる面として（１１０）
面の結晶面を有するように形成されたｎ型Ｓｉ単結晶体
と、前記ｎ型Ｓｉ単結晶体の（１１０）面上に、結晶の
〈００１〉方向より１３５°回転した方向に対向して設
けた一対の第１電極と、その面上において前記入力電極
から９０°回転した方向に設けた一対の第２電極からな
り、前記ｎ型Ｓｉ単結晶体の（１１０）面の結晶面と接
合され、圧縮力をその結晶面に垂直に伝達する力伝達ブ
ロック体と、前記ｎ型Ｓｉ単結晶体の、前記力伝達ブロ
ック体の接合された面に対向する面と接合され、このｎ
型Ｓｉ単結晶体を支持するための支持台座と、を含む力
変換素子において、前記支持台座は、その水平断面形状
が短軸と長軸とを有する偏平形状であることを特徴とす
る。 （考案の着目点および概念） 実際の力変換素子においては、その出力は前述のように
数式２で表現され、また、従来の力変換素子によれば応
力б3 以外の応力による出力が素子出力を低下させるこ
とが判明した。しかし、我々の研究によれば、応力бの
方向によっては素子出力を増大させる場合があることを
見いだした。すなわち、表２に示したｎ型Ｓｉ単結晶体
のπ′66に着目すると、その絶対値が他に比べて顕著に
大きいことがわかる。この現象を積極的に利用し、本来
の応力б3 による出力に他の応力による出力ΔＶ2 を重
畳させることができれば、素子出力を向上させることが
可能である。
成するために、圧縮力が加えられる面として（１１０）
面の結晶面を有するように形成されたｎ型Ｓｉ単結晶体
と、前記ｎ型Ｓｉ単結晶体の（１１０）面上に、結晶の
〈００１〉方向より１３５°回転した方向に対向して設
けた一対の第１電極と、その面上において前記入力電極
から９０°回転した方向に設けた一対の第２電極からな
り、前記ｎ型Ｓｉ単結晶体の（１１０）面の結晶面と接
合され、圧縮力をその結晶面に垂直に伝達する力伝達ブ
ロック体と、前記ｎ型Ｓｉ単結晶体の、前記力伝達ブロ
ック体の接合された面に対向する面と接合され、このｎ
型Ｓｉ単結晶体を支持するための支持台座と、を含む力
変換素子において、前記支持台座は、その水平断面形状
が短軸と長軸とを有する偏平形状であることを特徴とす
る。 （考案の着目点および概念） 実際の力変換素子においては、その出力は前述のように
数式２で表現され、また、従来の力変換素子によれば応
力б3 以外の応力による出力が素子出力を低下させるこ
とが判明した。しかし、我々の研究によれば、応力бの
方向によっては素子出力を増大させる場合があることを
見いだした。すなわち、表２に示したｎ型Ｓｉ単結晶体
のπ′66に着目すると、その絶対値が他に比べて顕著に
大きいことがわかる。この現象を積極的に利用し、本来
の応力б3 による出力に他の応力による出力ΔＶ2 を重
畳させることができれば、素子出力を向上させることが
可能である。
【００１０】次に、具体的にこの出力ΔＶ2 の特徴およ
び大きさについて検討する。
び大きさについて検討する。
【００１１】応力б3 以外の応力成分による出力ΔＶ2
は、数式３に示すように、応力б3以外の引張り，圧縮
応力（垂直応力）成分による出力ΔＶｎｏｒｍａｌと剪
断応力による出力ΔＶｓｈｅａｒとの和で表される。
は、数式３に示すように、応力б3以外の引張り，圧縮
応力（垂直応力）成分による出力ΔＶｎｏｒｍａｌと剪
断応力による出力ΔＶｓｈｅａｒとの和で表される。
【００１２】
【数３】 図９に示す前記力変換素子１０００を例にとって説明す
ると、力伝達ブロック体５に力Ｗを印加したときには、
Ｓｉ単結晶体１の（１１０）面１ａに平行に応力が発生
することが判明した。この応力を、図２に示すように、
（１１０）面１ａに垂直な任意の主応力面Ｓを考えて、
この主応力面Ｓに垂直な応力бb を用いて表現すれば、
前記電極配置からピエゾ抵抗係数π′61= π′62の関係
があるため、ΔＶ2 は数式３より数式４で表現される。
したがって、素子全体の出力ΔＶは数式５で表わされ
る。
ると、力伝達ブロック体５に力Ｗを印加したときには、
Ｓｉ単結晶体１の（１１０）面１ａに平行に応力が発生
することが判明した。この応力を、図２に示すように、
（１１０）面１ａに垂直な任意の主応力面Ｓを考えて、
この主応力面Ｓに垂直な応力бb を用いて表現すれば、
前記電極配置からピエゾ抵抗係数π′61= π′62の関係
があるため、ΔＶ2 は数式３より数式４で表現される。
したがって、素子全体の出力ΔＶは数式５で表わされ
る。
【００１３】
【数４】
【数５】 数式４および数式５において、θは（１１０）面１ａ上
における〈００１〉方向をθ＝０°として反時計周りに
見た角度である。数式４において、（ ）内の第１項が
ΔＶｎｏｒｍａｌに相当し、第２項がΔＶｓｈｅａｒに
相当する。また、бb は支持台座の水平断面積がＳｉ単
結晶体上の受圧面積より大きい場合、通常負の値（圧縮
応力）となる。
における〈００１〉方向をθ＝０°として反時計周りに
見た角度である。数式４において、（ ）内の第１項が
ΔＶｎｏｒｍａｌに相当し、第２項がΔＶｓｈｅａｒに
相当する。また、бb は支持台座の水平断面積がＳｉ単
結晶体上の受圧面積より大きい場合、通常負の値（圧縮
応力）となる。
【００１４】図３は、力変換素子にｐ型Ｓｉ単結晶体お
よびｎ型Ｓｉ単結晶体を用いた場合の、ピエゾ抵抗効果
による出力ΔＶ2 を数式４によって求め、出力ΔＶ2 の
角度θによる依存性を示したものである。この測定にお
いては、図９に示す従来の力変換素子１０００と同様の
構成を有する素子をサンプルとして用いた。すなわち、
入力電極が〈００１〉方向に対して＋１３５°の角度を
なす方向に設けられたものを用いている。
よびｎ型Ｓｉ単結晶体を用いた場合の、ピエゾ抵抗効果
による出力ΔＶ2 を数式４によって求め、出力ΔＶ2 の
角度θによる依存性を示したものである。この測定にお
いては、図９に示す従来の力変換素子１０００と同様の
構成を有する素子をサンプルとして用いた。すなわち、
入力電極が〈００１〉方向に対して＋１３５°の角度を
なす方向に設けられたものを用いている。
【００１５】図３（Ａ）に示すように、ｐ型Ｓｉ単結晶
体の場合、（１１０）面に垂直な応力б3 以外の応力に
よる出力ΔＶ2 は、ほぼ全域にわたり正の値である。し
かしながら、表１に示すように、ｐ型Ｓｉ単結晶体にお
いては、応力б3 による出力ΔＶ′は負の値であるた
め、前記出力ΔＶ2 の重畳により、力変換素子全体とし
ての検出効率は低下することになる。
体の場合、（１１０）面に垂直な応力б3 以外の応力に
よる出力ΔＶ2 は、ほぼ全域にわたり正の値である。し
かしながら、表１に示すように、ｐ型Ｓｉ単結晶体にお
いては、応力б3 による出力ΔＶ′は負の値であるた
め、前記出力ΔＶ2 の重畳により、力変換素子全体とし
ての検出効率は低下することになる。
【００１６】一方、図３（Ｂ）に示すように、ｎ型Ｓｉ
単結晶体を用いた場合、同図中において斜線で示した領
域では、応力б3 以外の応力による出力ΔＶ2 が負の値
となる。したがって、ΔＶ2 が負となるようにｎ型Ｓｉ
単結晶体を用いた力変換素子の素子構造を設定すること
により、この出力ΔＶ2 を応力б3 による出力ΔＶ′
（表２に示すようにΔＶ′は負の値）に重畳させれば両
者は同符号であるため、素子出力を従来の構造の素子よ
りも大きくすることができる。
単結晶体を用いた場合、同図中において斜線で示した領
域では、応力б3 以外の応力による出力ΔＶ2 が負の値
となる。したがって、ΔＶ2 が負となるようにｎ型Ｓｉ
単結晶体を用いた力変換素子の素子構造を設定すること
により、この出力ΔＶ2 を応力б3 による出力ΔＶ′
（表２に示すようにΔＶ′は負の値）に重畳させれば両
者は同符号であるため、素子出力を従来の構造の素子よ
りも大きくすることができる。
【００１７】すなわち、支持台座をその水平断面形状が
短軸と長軸とを有する偏平形状、例えば長方形として、
ΔＶ2 が負の値となる領域のθ方向に長方形の長軸を設
定し、前記応力бb を支持台座の長軸方向へ選択的に合
致させることにより、素子出力を大きくすることができ
る。具体的には、図３（Ｂ）に示すように、бb が圧縮
応力、すなわち負の値の場合、ΔＶ2 が負の値を有しか
つ絶対値が最大となるのはθ＝９０°±１８０ｎ°（ｎ
は整数）のとき、すなわち〈１−１０〉方向に長方形の
長軸が向く場合であること、ならびに＜１−１０＞方向
に対して±約３５°以内、より確実には±約３０°以内
においてΔＶ2 が負の値を有することが判明した。
短軸と長軸とを有する偏平形状、例えば長方形として、
ΔＶ2 が負の値となる領域のθ方向に長方形の長軸を設
定し、前記応力бb を支持台座の長軸方向へ選択的に合
致させることにより、素子出力を大きくすることができ
る。具体的には、図３（Ｂ）に示すように、бb が圧縮
応力、すなわち負の値の場合、ΔＶ2 が負の値を有しか
つ絶対値が最大となるのはθ＝９０°±１８０ｎ°（ｎ
は整数）のとき、すなわち〈１−１０〉方向に長方形の
長軸が向く場合であること、ならびに＜１−１０＞方向
に対して±約３５°以内、より確実には±約３０°以内
においてΔＶ2 が負の値を有することが判明した。
【００１８】また、入力電極が＜００１＞方向から４５
°回転した方向に設けられた力変換素子についても、上
述と同様に出力ΔＶ2 の角度θによる依存性を調べた。
その結果を図４（Ａ）および（Ｂ）に示す。同図（Ａ）
はｐ型Ｓｉ単結晶体について求めたものであり、同図
（Ｂ）はｎ型Ｓｉ単結晶体について求めたものである。
°回転した方向に設けられた力変換素子についても、上
述と同様に出力ΔＶ2 の角度θによる依存性を調べた。
その結果を図４（Ａ）および（Ｂ）に示す。同図（Ａ）
はｐ型Ｓｉ単結晶体について求めたものであり、同図
（Ｂ）はｎ型Ｓｉ単結晶体について求めたものである。
【００１９】ｐ型Ｓｉ単結晶体についてみると、図４
（Ａ）に示すように、応力б3 以外の応力によるΔＶ2
は、ほぼ全域に亘り負の値を示す。そして、表３に示す
ように、応力б3 による出力ΔＶ′は正の値を示すた
め、このΔＶ2 の重畳により、力変換素子全体としての
検出効率は低下することが解る。
（Ａ）に示すように、応力б3 以外の応力によるΔＶ2
は、ほぼ全域に亘り負の値を示す。そして、表３に示す
ように、応力б3 による出力ΔＶ′は正の値を示すた
め、このΔＶ2 の重畳により、力変換素子全体としての
検出効率は低下することが解る。
【００２０】これに対し、ｎ型Ｓｉ単結晶体において
は、図４（Ｂ）に示すように、＜００１＞方向に対し±
約３５゜の範囲で正の値を示し、応力６３による出力Δ
Ｖ′（表４に示すようにΔＶ′は正の値）と前記領域の
出力ΔＶ２を重畳させることにより、素子出力を大きく
することが可能となる。
は、図４（Ｂ）に示すように、＜００１＞方向に対し±
約３５゜の範囲で正の値を示し、応力６３による出力Δ
Ｖ′（表４に示すようにΔＶ′は正の値）と前記領域の
出力ΔＶ２を重畳させることにより、素子出力を大きく
することが可能となる。
【表３】
【表４】（考案の構成） 本考案の主要な力変換素子の構成を図１に示す。同図に
示す力変換素子１００は、ｎ型Ｓｉ単結晶体１０の（１
１０）面１０ａ上における〈００１〉方向から１３５゜
回転した方向に一対の入力電極１２ａ，１２ｂが、また
同一面上において入力電極１２ａ，１２ｂの方向より９
０゜回転した方向に一対の出力電極１４ａ，１４ｂ（一
方のみ図示する）が形成されている。このｎ型Ｓｉ単結
晶体１０の下面には、水平断面形状が長方形の支持台座
３０が、〈００１〉方向をθ＝０゜としたときに、その
長軸Ｘが６０゜±１８０ｎ゜≦θ≦１２０゜±１８０ｎ
゜（ｎは整数）となるように、換言すれば〈１−１０〉
方向に対して±３０゜以内となるように接合されてい
る。ただし、図１では、θ＝９０゜としてある。また、
前記Ｓｉ単結晶体１０の上面には、水平断面形状が正方
形の力伝達ブロック体２０が接合されている。圧縮力Ｗ
は力伝達ブロック体２０の上面から付加され、Ｓｉ単結
晶体１０の（１１０）面１０ａに垂直に印加される。
示す力変換素子１００は、ｎ型Ｓｉ単結晶体１０の（１
１０）面１０ａ上における〈００１〉方向から１３５゜
回転した方向に一対の入力電極１２ａ，１２ｂが、また
同一面上において入力電極１２ａ，１２ｂの方向より９
０゜回転した方向に一対の出力電極１４ａ，１４ｂ（一
方のみ図示する）が形成されている。このｎ型Ｓｉ単結
晶体１０の下面には、水平断面形状が長方形の支持台座
３０が、〈００１〉方向をθ＝０゜としたときに、その
長軸Ｘが６０゜±１８０ｎ゜≦θ≦１２０゜±１８０ｎ
゜（ｎは整数）となるように、換言すれば〈１−１０〉
方向に対して±３０゜以内となるように接合されてい
る。ただし、図１では、θ＝９０゜としてある。また、
前記Ｓｉ単結晶体１０の上面には、水平断面形状が正方
形の力伝達ブロック体２０が接合されている。圧縮力Ｗ
は力伝達ブロック体２０の上面から付加され、Ｓｉ単結
晶体１０の（１１０）面１０ａに垂直に印加される。
【作用】この力変換素子１００の入力電極１２ａ，１２
ｂ間に定電圧を印加、あるいは定電流を流した状態で、
力伝達ブロック体２０の上面に力Ｗを加える。この力Ｗ
に対応した出力は出力電極１４ａ，１４ｂ（一方のみ図
示する）間より取り出される。
ｂ間に定電圧を印加、あるいは定電流を流した状態で、
力伝達ブロック体２０の上面に力Ｗを加える。この力Ｗ
に対応した出力は出力電極１４ａ，１４ｂ（一方のみ図
示する）間より取り出される。
【００２１】本考案で特徴的なことは、この力変換素子
１００の支持台座３０の水平断面形状が短軸と長軸とを
有する偏平形状、例えば長方形であることにより、ｎ型
Ｓｉ単結晶体１０の（１１０）面１０ａに垂直な圧縮力
が加わる時に発生する（１１０）面に平行な応力бb の
最大値は、前記支持台座３０の長軸Ｘ方向に発生する。
また、その長軸Ｘが〈１−１０〉方向から±３０°以内
の範囲にあることにより、数式２および図３（Ｂ）か
ら、б1,2 の垂直応力および剪断応力б6 による出力の
総和ΔＶ2 は、応力б3 による出力と同符号の負の値と
なる。したがって、応力б3 による出力ΔＶ’にこのΔ
Ｖ2 が重畳され、力変換素子の出力が増大する。その結
果、力−電気変換効率が高く、感度の高い力変換素子を
構成することができる。
１００の支持台座３０の水平断面形状が短軸と長軸とを
有する偏平形状、例えば長方形であることにより、ｎ型
Ｓｉ単結晶体１０の（１１０）面１０ａに垂直な圧縮力
が加わる時に発生する（１１０）面に平行な応力бb の
最大値は、前記支持台座３０の長軸Ｘ方向に発生する。
また、その長軸Ｘが〈１−１０〉方向から±３０°以内
の範囲にあることにより、数式２および図３（Ｂ）か
ら、б1,2 の垂直応力および剪断応力б6 による出力の
総和ΔＶ2 は、応力б3 による出力と同符号の負の値と
なる。したがって、応力б3 による出力ΔＶ’にこのΔ
Ｖ2 が重畳され、力変換素子の出力が増大する。その結
果、力−電気変換効率が高く、感度の高い力変換素子を
構成することができる。
【００２２】また、本考案において、図６に示すよう
に、ｎ型Ｓｉ単結晶体１０の（１１０）面１０ａ上にお
ける〈００１〉方向から４５°回転した方向に一対の入
力電極１２ａ，１２ｂを、またこの入力電極１２ａ，１
２ｂから９０°回転した方向に一対の出力電極１４ａ，
１４ｂを形成する場合においても上述の場合と同様な出
力の重畳効果を得ることができる。すなわち、水平断面
形状が長方形の支持台座３０を、その〈００１〉方向に
対して長軸Ｘが−３０°±１８０ｎ°≦θ≦３０°±１
８０ｎ°（ｎは整数）となるように接合する。このよう
な構成とすることにより、数式２および図４（Ｂ）の結
果から明らかなように、応力б3 による出力ΔＶ′と応
力б3 以外による出力ΔＶ2 との符号が同じくなり、上
述の場合と同様に力変換素子の出力を増大させることが
可能となる。
に、ｎ型Ｓｉ単結晶体１０の（１１０）面１０ａ上にお
ける〈００１〉方向から４５°回転した方向に一対の入
力電極１２ａ，１２ｂを、またこの入力電極１２ａ，１
２ｂから９０°回転した方向に一対の出力電極１４ａ，
１４ｂを形成する場合においても上述の場合と同様な出
力の重畳効果を得ることができる。すなわち、水平断面
形状が長方形の支持台座３０を、その〈００１〉方向に
対して長軸Ｘが−３０°±１８０ｎ°≦θ≦３０°±１
８０ｎ°（ｎは整数）となるように接合する。このよう
な構成とすることにより、数式２および図４（Ｂ）の結
果から明らかなように、応力б3 による出力ΔＶ′と応
力б3 以外による出力ΔＶ2 との符号が同じくなり、上
述の場合と同様に力変換素子の出力を増大させることが
可能となる。
【００２３】図５は、上記力変換素子を構成する支持台
座の水平断面（長方形）の短軸と長軸との比（長軸／短
軸）を変化させた場合の出力の変化を示したものであ
る。この場合、入力電極間に電圧５Ｖを印加して電流を
流し、圧縮力Ｗとして１５ｋｇを加えた。図５に示すよ
うに短軸・長軸比が１．０の従来の場合と比較して、本
考案の力変換素子の出力ΔＶは、最大で約２０％程度向
上していることが確認された。本考案において支持台座
の短軸・長軸比は、１．０を越えて４．０以下であるこ
とが好ましい。
座の水平断面（長方形）の短軸と長軸との比（長軸／短
軸）を変化させた場合の出力の変化を示したものであ
る。この場合、入力電極間に電圧５Ｖを印加して電流を
流し、圧縮力Ｗとして１５ｋｇを加えた。図５に示すよ
うに短軸・長軸比が１．０の従来の場合と比較して、本
考案の力変換素子の出力ΔＶは、最大で約２０％程度向
上していることが確認された。本考案において支持台座
の短軸・長軸比は、１．０を越えて４．０以下であるこ
とが好ましい。
【００２４】上記構成の装置においては、水平断面形状
が長方形の支持台座を用いて説明したが、一方向の径が
他方向の径より長い、すなわち短軸と長軸とを有する偏
平形状、例えば楕円形，菱形，平行四辺形等の他の偏平
形状の支持台座を用いてもよい。
が長方形の支持台座を用いて説明したが、一方向の径が
他方向の径より長い、すなわち短軸と長軸とを有する偏
平形状、例えば楕円形，菱形，平行四辺形等の他の偏平
形状の支持台座を用いてもよい。
【００２５】また、本考案においてｎ型Ｓｉ単結晶体と
は、ｎ型Ｓｉ単結晶体の単体のみならず、ｐ型Ｓｉ単結
晶体にリン等の不純物を拡散して部分的に形成したｎ型
結晶部を有する結晶体を含むものとする。
は、ｎ型Ｓｉ単結晶体の単体のみならず、ｐ型Ｓｉ単結
晶体にリン等の不純物を拡散して部分的に形成したｎ型
結晶部を有する結晶体を含むものとする。
【００２６】
【実施例】次に、本考案の実施例について説明する。
【００２７】第１実施例 図１に、本考案の第１実施例にかかる力変換素子１００
の斜視図を示す。
の斜視図を示す。
【００２８】ｎ型Ｓｉ単結晶体１０は、比抵抗が約１２
Ω・ｃｍ、１．５ｃｍ平方で厚さ約１００μｍの直方体
をなし、（１１０）の結晶面１０ａを有する。このＳｉ
単結晶体１０の下面には、高さ０．５ｍｍ、幅３．０ｍ
ｍおよび奥行き１．５ｍｍの結晶化ガラス製の支持台座
３０が接合されている。この支持台座３０は水平断面形
状が長方形をなし、その長軸Ｘは〈１−１０〉方向に延
びている。また、前記Ｓｉ単結晶体１０の上面には、
１．０ｍｍ平方で高さ０．５ｍｍの結晶化ガラス製の力
伝達ブロック体２０が接合されている。そして、前記Ｓ
ｉ単結晶体１０の（１１０）面１０ａ上の〈００１〉方
向から１３５°回転した方向に一対の入力電極１２ａ，
１２ｂが、また面１０ａ上においてそれらから９０°回
転した方向に一対の出力電極１４ａ，１４ｂが、アルミ
ニウムの真空蒸着により設けられている。
Ω・ｃｍ、１．５ｃｍ平方で厚さ約１００μｍの直方体
をなし、（１１０）の結晶面１０ａを有する。このＳｉ
単結晶体１０の下面には、高さ０．５ｍｍ、幅３．０ｍ
ｍおよび奥行き１．５ｍｍの結晶化ガラス製の支持台座
３０が接合されている。この支持台座３０は水平断面形
状が長方形をなし、その長軸Ｘは〈１−１０〉方向に延
びている。また、前記Ｓｉ単結晶体１０の上面には、
１．０ｍｍ平方で高さ０．５ｍｍの結晶化ガラス製の力
伝達ブロック体２０が接合されている。そして、前記Ｓ
ｉ単結晶体１０の（１１０）面１０ａ上の〈００１〉方
向から１３５°回転した方向に一対の入力電極１２ａ，
１２ｂが、また面１０ａ上においてそれらから９０°回
転した方向に一対の出力電極１４ａ，１４ｂが、アルミ
ニウムの真空蒸着により設けられている。
【００２９】この力変換素子１００の力伝達ブロック体
２０に１５ｋｇの力Ｗを印加したときに発生する応力を
ＦＥＭ解析によって求めたところ、支持台座３０の長軸
Ｘ方向の応力成分б1 は負であり、圧縮応力が発生して
いることが確認された。また、このときの素子出力ΔＶ
は、図５に示すように、約１３０ｍＶであり、短軸・長
軸比が１の従来タイプの約１１０ｍＶに比べて格段に大
きい。
２０に１５ｋｇの力Ｗを印加したときに発生する応力を
ＦＥＭ解析によって求めたところ、支持台座３０の長軸
Ｘ方向の応力成分б1 は負であり、圧縮応力が発生して
いることが確認された。また、このときの素子出力ΔＶ
は、図５に示すように、約１３０ｍＶであり、短軸・長
軸比が１の従来タイプの約１１０ｍＶに比べて格段に大
きい。
【００３０】第２実施例 図６に、本考案の第２実施例にかかる力変換素子２００
の斜視図を示す。
の斜視図を示す。
【００３１】ｎ型Ｓｉ単結晶体１０は、比抵抗が約１２
Ω・ｃｍ、１．５ｍｍ平方で厚さ約１００μｍの直方体
をなし、（１１０）の結晶面１０ａを有する。前記Ｓｉ
単結晶体１０の下面には、高さ０．５ｍｍ、幅４．５ｍ
ｍおよび奥行き１．５ｍｍの結晶化ガラス製の支持台座
３０が接合され、その長軸は〈００１〉方向に延びてい
る。また前記Ｓｉ単結晶体１０の上面には、１．０ｍｍ
平方で高さ０．５ｍｍの結晶化ガラス製の力伝達ブロッ
ク体２０が接合されている。また、前記Ｓｉ単結晶体１
０の（１１０）面１０ａ上の〈００１〉方向から４５°
回転した方向に一対の入力電極１２ａ，１２ｂが、また
面上においてそれらから９０°回転した方向に一対の出
力電極１４ａ，１４ｂが、アルミニウムの真空蒸着によ
り設けられている。
Ω・ｃｍ、１．５ｍｍ平方で厚さ約１００μｍの直方体
をなし、（１１０）の結晶面１０ａを有する。前記Ｓｉ
単結晶体１０の下面には、高さ０．５ｍｍ、幅４．５ｍ
ｍおよび奥行き１．５ｍｍの結晶化ガラス製の支持台座
３０が接合され、その長軸は〈００１〉方向に延びてい
る。また前記Ｓｉ単結晶体１０の上面には、１．０ｍｍ
平方で高さ０．５ｍｍの結晶化ガラス製の力伝達ブロッ
ク体２０が接合されている。また、前記Ｓｉ単結晶体１
０の（１１０）面１０ａ上の〈００１〉方向から４５°
回転した方向に一対の入力電極１２ａ，１２ｂが、また
面上においてそれらから９０°回転した方向に一対の出
力電極１４ａ，１４ｂが、アルミニウムの真空蒸着によ
り設けられている。
【００３２】この力変換素子２００の力伝達ブロック体
２０に１５ｋｇの力Ｗを印加したときに発生する応力を
ＦＥＭ解析によって求めたところ、支持台座３０の長軸
Ｘ方向の応力成分б1 は負であり、圧縮応力が発生して
いることが確認された。また、このときの素子出力ΔＶ
は、約１５０ｍＶであり、短軸・長軸比が１の従来タイ
プの約１１０ｍＶに比べて格段に大きい。
２０に１５ｋｇの力Ｗを印加したときに発生する応力を
ＦＥＭ解析によって求めたところ、支持台座３０の長軸
Ｘ方向の応力成分б1 は負であり、圧縮応力が発生して
いることが確認された。また、このときの素子出力ΔＶ
は、約１５０ｍＶであり、短軸・長軸比が１の従来タイ
プの約１１０ｍＶに比べて格段に大きい。
【００３３】第３実施例 図７に、本考案の第３実施例にかかる力変換素子３００
の斜視図を示す。
の斜視図を示す。
【００３４】ｎ型Ｓｉ単結晶体１０は、比抵抗が約１２
Ω・ｃｍ、１．０ｍｍ平方で厚さ約１００μｍの直方体
をなし、（１１０）の結晶面１０ａを有する前記Ｓｉ単
結晶体１０の下面には、高さ０．５ｍｍ、幅２．０ｍｍ
および奥行き１．０ｍｍの結晶化ガラス製の支持台座３
０が接合され、その長軸は〈１−１０〉方向に延びてい
る。また前記Ｓｉ単結晶体１０の上面には、１．０ｍｍ
平方で高さ０．５ｍｍの結晶化ガラス製の力伝達ブロッ
ク体２０が接合されている。また、前記Ｓｉ単結晶体１
０の（１１０）面１０ａ上の〈００１〉方向から１３５
°回転した方向に一対の入力電極１２ａ，１２ｂが、ま
た面上においてそれらから９０°回転した方向に一対の
出力電極１４ａ，１４ｂが、アルミニウムの真空蒸着に
より設けられている。
Ω・ｃｍ、１．０ｍｍ平方で厚さ約１００μｍの直方体
をなし、（１１０）の結晶面１０ａを有する前記Ｓｉ単
結晶体１０の下面には、高さ０．５ｍｍ、幅２．０ｍｍ
および奥行き１．０ｍｍの結晶化ガラス製の支持台座３
０が接合され、その長軸は〈１−１０〉方向に延びてい
る。また前記Ｓｉ単結晶体１０の上面には、１．０ｍｍ
平方で高さ０．５ｍｍの結晶化ガラス製の力伝達ブロッ
ク体２０が接合されている。また、前記Ｓｉ単結晶体１
０の（１１０）面１０ａ上の〈００１〉方向から１３５
°回転した方向に一対の入力電極１２ａ，１２ｂが、ま
た面上においてそれらから９０°回転した方向に一対の
出力電極１４ａ，１４ｂが、アルミニウムの真空蒸着に
より設けられている。
【００３５】本実施例が前記第１実施例と異なるのは、
Ｓｉ単結晶体１０と力伝達ブロック体２０とが同一の水
平断面形状および大きさを有し、Ｓｉ単結晶体１０と力
伝達ブロック体２０とが完全に重なる状態で積層され、
かつ入力電極１２ａ，１２ｂおよび出力電極１４ａ，１
４ｂがＳｉ単結晶体１０の側面に形成されている点にあ
る。このような構成とすることにより、Ｓｉ単結晶体１
０上において、受圧面以外に流れる無効な電流分を少な
くすることができる。このため、素子の変換効率はさら
に向上する。
Ｓｉ単結晶体１０と力伝達ブロック体２０とが同一の水
平断面形状および大きさを有し、Ｓｉ単結晶体１０と力
伝達ブロック体２０とが完全に重なる状態で積層され、
かつ入力電極１２ａ，１２ｂおよび出力電極１４ａ，１
４ｂがＳｉ単結晶体１０の側面に形成されている点にあ
る。このような構成とすることにより、Ｓｉ単結晶体１
０上において、受圧面以外に流れる無効な電流分を少な
くすることができる。このため、素子の変換効率はさら
に向上する。
【００３６】第４実施例 図８に、本考案の第４実施例にかかる力変換素子４００
の斜視図を示す。本実施例においては、幅３．０ｍｍ、
奥行き１．５ｍｍ、高さ０．１０ｍｍのｐ型Ｓｉ単結晶
体４０の結晶面４０ａ上に、リンを拡散することにより
ｎ型の受圧層４２を形成する。前記ｐ型Ｓｉ単結晶体４
０の下面には、高さ０．５ｍｍ、幅３．０ｍｍおよび奥
行き１．５ｍｍの結晶化ガラス製の支持台座３０が接合
され、その長軸は〈１−１０〉方向に延びている。ま
た、前記ｎ型受圧層４２の上面には、１．０ｍｍ平方で
高さ０．５ｍｍの結晶化ガラス製の力伝達ブロック体２
０が接合されている。そして、前記ｐ型Ｓｉ単結晶体４
０の（１１０）面４０ａ上の〈００１〉方向から１３５
°回転した方向に、一対の入力電極１２ａ，１２ｂおよ
びｎ型受圧層４２へのコンタクトホール１６ａ，１６ｂ
が、また面上においてそれらから９０°回転した方向
に、一対の出力電極１４ａ，１４ｂおよびｎ型受圧層４
２へのコンタクトホール１８ａ，１８ｂが、アルミニウ
ムの真空蒸着により設けられている。
の斜視図を示す。本実施例においては、幅３．０ｍｍ、
奥行き１．５ｍｍ、高さ０．１０ｍｍのｐ型Ｓｉ単結晶
体４０の結晶面４０ａ上に、リンを拡散することにより
ｎ型の受圧層４２を形成する。前記ｐ型Ｓｉ単結晶体４
０の下面には、高さ０．５ｍｍ、幅３．０ｍｍおよび奥
行き１．５ｍｍの結晶化ガラス製の支持台座３０が接合
され、その長軸は〈１−１０〉方向に延びている。ま
た、前記ｎ型受圧層４２の上面には、１．０ｍｍ平方で
高さ０．５ｍｍの結晶化ガラス製の力伝達ブロック体２
０が接合されている。そして、前記ｐ型Ｓｉ単結晶体４
０の（１１０）面４０ａ上の〈００１〉方向から１３５
°回転した方向に、一対の入力電極１２ａ，１２ｂおよ
びｎ型受圧層４２へのコンタクトホール１６ａ，１６ｂ
が、また面上においてそれらから９０°回転した方向
に、一対の出力電極１４ａ，１４ｂおよびｎ型受圧層４
２へのコンタクトホール１８ａ，１８ｂが、アルミニウ
ムの真空蒸着により設けられている。
【００３７】本実施例においては、ｎ型Ｓｉ単結晶体と
して、ｐ型Ｓｉ単結晶体にリンなどの不純物を拡散する
ことにより形成したｎ型結晶部を用いた点に特徴を有す
る。このような構成によれば、Ｓｉ単結晶体４０の水平
断面積の大きさによらず、任意の領域に任意の比抵抗の
ｎ型Ｓｉ単結晶部を形成でき、また、電流が流れる領域
を規定することができる。
して、ｐ型Ｓｉ単結晶体にリンなどの不純物を拡散する
ことにより形成したｎ型結晶部を用いた点に特徴を有す
る。このような構成によれば、Ｓｉ単結晶体４０の水平
断面積の大きさによらず、任意の領域に任意の比抵抗の
ｎ型Ｓｉ単結晶部を形成でき、また、電流が流れる領域
を規定することができる。
【００３８】以上、本考案の好適な実施例についてのべ
たが、本考案はこれらに限定されるものではなく、その
要旨の範囲内で種々の変形が可能である。
たが、本考案はこれらに限定されるものではなく、その
要旨の範囲内で種々の変形が可能である。
【００３９】例えば、これらの実施例では水平断面形状
が長方形の支持台座について説明したが、б3 以外の応
力σ1 、σ2 、σ6 による出力ΔＶ2 の効果を大きくす
ることができればよく、その形状は長方形の他に楕円
形、菱形、平行四辺形等の形状であってもよい。また、
支持台座の材質としては、一方向の剛性が大きな材料、
例えばファイバー強化樹脂等を用いても同様な効果が得
られる。
が長方形の支持台座について説明したが、б3 以外の応
力σ1 、σ2 、σ6 による出力ΔＶ2 の効果を大きくす
ることができればよく、その形状は長方形の他に楕円
形、菱形、平行四辺形等の形状であってもよい。また、
支持台座の材質としては、一方向の剛性が大きな材料、
例えばファイバー強化樹脂等を用いても同様な効果が得
られる。
【００４０】
【考案の効果】本考案によれば、支持台座を特定の形状
とすることにより、垂直応力б3 による出力とこの応力
б3 以外の応力による出力とを重畳することができ、従
来の電流−電圧直交型力変換素子に比べ、力−電気変換
効率を上げ、簡易な構造でありながら感度の優れた力変
換素子を提供することができる。
とすることにより、垂直応力б3 による出力とこの応力
б3 以外の応力による出力とを重畳することができ、従
来の電流−電圧直交型力変換素子に比べ、力−電気変換
効率を上げ、簡易な構造でありながら感度の優れた力変
換素子を提供することができる。
【図１】図１は、本考案の第１実施例を概略的に示す斜
視図である。
視図である。
【図２】図２は、結晶軸方向および主応力面の関係を示
す説明図である。
す説明図である。
【図３】図３は、入力電極が〈００１〉方向から１３５
°をなして構成された場合の出力ΔＶ2 のθに対する依
存性を示す図であり、同図（Ａ）はｐ型Ｓｉ単結晶体の
場合を示し、同図（Ｂ）はｎ型Ｓｉ単結晶体の場合を示
す。
°をなして構成された場合の出力ΔＶ2 のθに対する依
存性を示す図であり、同図（Ａ）はｐ型Ｓｉ単結晶体の
場合を示し、同図（Ｂ）はｎ型Ｓｉ単結晶体の場合を示
す。
【図４】図４は、入力電極が〈００１〉方向から４５°
をなして構成された場合の出力ΔＶ2 のθに対する依存
性を示す図であり、同図（Ａ）はｐ型Ｓｉ単結晶体の場
合を示し、同図（Ｂ）はｎ型Ｓｉ単結晶体の場合を示
す。
をなして構成された場合の出力ΔＶ2 のθに対する依存
性を示す図であり、同図（Ａ）はｐ型Ｓｉ単結晶体の場
合を示し、同図（Ｂ）はｎ型Ｓｉ単結晶体の場合を示
す。
【図５】図５は、支持台座の短軸と長軸との比（長軸／
短軸）の変化に伴う出力ΔＶの変化を表す図である。
短軸）の変化に伴う出力ΔＶの変化を表す図である。
【図６】図６は、本考案の第２実施例を概略的に示す斜
視図である。
視図である。
【図７】図７は、本考案の第３実施例を概略的に示す斜
視図である。
視図である。
【図８】図８は、本考案の第４実施例を示し、同図
（Ａ）は斜視図、同図（Ｂ）は正面図、同図（Ｃ）は平
面図である。
（Ａ）は斜視図、同図（Ｂ）は正面図、同図（Ｃ）は平
面図である。
【図９】図９は、従来の力変換素子の一例を示し、同図
（Ａ）は平面図、同図（Ｂ）は正面図である。
（Ａ）は平面図、同図（Ｂ）は正面図である。
１０ ｎ型Ｓｉ単結晶体 １２ａ，１２ｂ 入力電極 １４ａ，１４ｂ 出力電極 ２０ 力伝達ブロック体 ３０ 支持台座 ４０ ｐ型Ｓｉ単結晶体 ４２ ｎ型受圧層 Ｘ 長軸
フロントページの続き (72)考案者 大村 義輝 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41 番地の１ 株式会社豊田中央研究所内 (56)参考文献 特開 平２−36573（ＪＰ，Ａ)
Claims (6)
- 【請求項１】 圧縮力が加えられる面として（１１０）
面の結晶面を有するように形成されたｎ型Ｓｉ単結晶体
と、 前記ｎ型Ｓｉ単結晶体の（１１０）面上に、結晶の〈０
０１〉方向より１３５゜回転した方向に対向して設けた
一対の第１電極と、その面上において前記第１電極から
９０゜回転した方向に設けた一対の第２電極とを有し、
これら第１および第２の電極のいずれか一方を出力電極
とし、他方を入力電極として用いる複数の電極と、 前記ｎ型Ｓｉ単結晶体の（１１０）面の結晶面と接合さ
れ、圧縮力をその結晶面に垂直に伝達する力伝達ブロッ
ク体と、 前記ｎ型Ｓｉ単結晶体の、前記力伝達ブロック体の接合
された面に対向する面と接合され、このｎ型Ｓｉ単結晶
体を支持するための支持台座と、 を含む力変換素子において、 前記支持台座は、その水平断面形状が短軸と長軸とを有
する偏平形状であり、 前記第１電極が入力電極のとき、前記支持台座の長軸は
前記ｎ型Ｓｉ単結晶体の結晶の〈１−１０〉方向に対
し、±３５゜の範囲にあり、および 前記第２電極が入力電極のとき、前記支持台座の長軸は
前記ｎ型Ｓｉ単結晶体の結晶の〈００１〉方向に対し、
±３５゜の範囲にあ ることを特徴とする力変換素子。 - 【請求項２】 請求項１において、 前記支持台座の水平断面形状をなす偏平形状は、その短
軸と長軸との比が１．０を越えて４．０以下である力変
換素子。 - 【請求項３】 請求項１または２において、 前記ｎ型Ｓｉ単結晶体は、平面的に見て前記支持台座よ
り小さい面積を有することを特徴とする力変換素子。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかにおいて、 前記ｎ型Ｓｉ単結晶体は、平面的に見て前記力伝達ブロ
ック体より大きな面積を有し、該ｎ型Ｓｉ単結晶体の上
面に前記第１および第２電極が形成されていることを特
徴とする力変換素子。 - 【請求項５】 請求項１ないし３のいずれかにおいて、 前記ｎ型Ｓｉ単結晶体は、平面的に見て前記力伝達ブロ
ック体と同じ形状および大きさを有していて、両者は重
なる状態で積層され、該ｎ型Ｓｉ単結晶体の側面に前記
第１および第２電極が形成されていることを特徴とする
力変換素子。 - 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれかにおいて、 前記ｎ型Ｓｉ単結晶体は、ｐ型Ｓｉ単結晶体にｎ型の不
純物を拡散することにより形成されたｎ型結晶部から構
成されることを特徴とする力変換素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991113507U JP2553199Y2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 力変換素子 |
| DE69209804T DE69209804T2 (de) | 1991-12-26 | 1992-12-22 | Piezoresistiver Kraftwandler |
| EP92121789A EP0548907B1 (en) | 1991-12-26 | 1992-12-22 | Piezoresistive force transducer |
| US07/995,826 US5341688A (en) | 1991-12-26 | 1992-12-23 | Force transducer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991113507U JP2553199Y2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 力変換素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0557856U JPH0557856U (ja) | 1993-07-30 |
| JP2553199Y2 true JP2553199Y2 (ja) | 1997-11-05 |
Family
ID=14614085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1991113507U Expired - Lifetime JP2553199Y2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 力変換素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
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