JP2551975B2 - α−置換β−ヒドロキシカルボン酸エステルの製造法 - Google Patents
α−置換β−ヒドロキシカルボン酸エステルの製造法Info
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、必須アミノ酸であるスレオニンの誘導体、
即ち、α−置換β−ヒドロキシカルボン酸エステルの新
規な製造法に関する。
即ち、α−置換β−ヒドロキシカルボン酸エステルの新
規な製造法に関する。
（従来の技術） 従来、α−置換β−ヒドロキシカルボン酸エステル
は、α−置換カルボン酸エステルとアルデヒド又はケト
ン類とを、リチウムアミドのような強い塩基の存在下に
縮合させることにより合成されていた。
は、α−置換カルボン酸エステルとアルデヒド又はケト
ン類とを、リチウムアミドのような強い塩基の存在下に
縮合させることにより合成されていた。
しかしながら、上記方法では、α−置換カルボン酸エ
ステル自体が自己縮合し、目的化合物が低収率でしか得
られない場合がある。又、塩基性の強い条件下に反応が
行なわれるため、塩基等に不安定なエステル化合物に適
用できない。
ステル自体が自己縮合し、目的化合物が低収率でしか得
られない場合がある。又、塩基性の強い条件下に反応が
行なわれるため、塩基等に不安定なエステル化合物に適
用できない。
そこで、自己縮合反応による目的化合物の低収率化を
回避し、かつ、中性条件下での反応を可能とすることに
よる適用化合物の範囲の拡大を目的として、ボロントリ
フレート又は錫トリフレートを用いられることとなっ
た。
回避し、かつ、中性条件下での反応を可能とすることに
よる適用化合物の範囲の拡大を目的として、ボロントリ
フレート又は錫トリフレートを用いられることとなっ
た。
しかしながら、このトリフレート化合物を、カルボキ
シ基を有する化合物に適用する場合には、かかるカルボ
キシ基をチオールエステル体としなければ反応が進行せ
ず、不要な多工程を経る必要があり煩雑であった［フー
ズ等（J.Am.Chem.Soc.,75,6891（1968）及び向山等（Ch
em.Lett.,1903（1982）］。
シ基を有する化合物に適用する場合には、かかるカルボ
キシ基をチオールエステル体としなければ反応が進行せ
ず、不要な多工程を経る必要があり煩雑であった［フー
ズ等（J.Am.Chem.Soc.,75,6891（1968）及び向山等（Ch
em.Lett.,1903（1982）］。
（当該発明が解決しようとする課題） 本発明者等は、ボロントリフレート又は錫トリフレー
トの存在下、α−置換カルボン酸エステル誘導体を出発
原料とした、α−置換β−ヒドロキシカルボン酸エステ
ル誘導体の合成について、永年に亘り鋭意研究を行なっ
た結果、原料として、α位に一般式−XR1を有する基が
置換した新規なα−置換カルボン酸エステル誘導体を使
用することにより、チオールエステル体を経ることな
く、高収率及び簡便性をもって目的化合物を製造できる
ことを見出し本発明を完成した。
トの存在下、α−置換カルボン酸エステル誘導体を出発
原料とした、α−置換β−ヒドロキシカルボン酸エステ
ル誘導体の合成について、永年に亘り鋭意研究を行なっ
た結果、原料として、α位に一般式−XR1を有する基が
置換した新規なα−置換カルボン酸エステル誘導体を使
用することにより、チオールエステル体を経ることな
く、高収率及び簡便性をもって目的化合物を製造できる
ことを見出し本発明を完成した。
［構成］ 本発明のα−置換β−ヒドロキシカルボン酸エステル
の新規な製造法は、 一般式 ［式中、R1は、一般式−XHを有する基の保護基を示し、
R2は、水素原子、低級アルキル基、置換低級アルキル基
（置換基としては、シクロアルキル基、アリル基、アリ
ール基、複素環基若しくは一般式−XR1を有する基を示
す。）、シクロアルキル基、アリール基又は複素環基を
示し、R3は、カルボキシ基の保護基を示し、R4は、R2と
同様の基を示し、R5は、水素原子若しくはR2と同様の基
を示し、Ｘは、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、スル
ホキシド基、スルホン基又はゼレンオキシド基を示
す。］で表わされる化合物を製造するために、 一般式 ［式中、R1、R2、R3及びＸは、前記と同意義を示す。］
で表わされる化合物と 一般式 ［式中、R4及びR5は、前記と同意義を示す。］で表わさ
れる化合物とを、ボロントリフレート若しくは錫トリフ
レート及び塩基の存在下に反応させることを特徴とする
ものである。
の新規な製造法は、 一般式 ［式中、R1は、一般式−XHを有する基の保護基を示し、
R2は、水素原子、低級アルキル基、置換低級アルキル基
（置換基としては、シクロアルキル基、アリル基、アリ
ール基、複素環基若しくは一般式−XR1を有する基を示
す。）、シクロアルキル基、アリール基又は複素環基を
示し、R3は、カルボキシ基の保護基を示し、R4は、R2と
同様の基を示し、R5は、水素原子若しくはR2と同様の基
を示し、Ｘは、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、スル
ホキシド基、スルホン基又はゼレンオキシド基を示
す。］で表わされる化合物を製造するために、 一般式 ［式中、R1、R2、R3及びＸは、前記と同意義を示す。］
で表わされる化合物と 一般式 ［式中、R4及びR5は、前記と同意義を示す。］で表わさ
れる化合物とを、ボロントリフレート若しくは錫トリフ
レート及び塩基の存在下に反応させることを特徴とする
ものである。
上記一般式（Ｉ）、（II）及び（III）において、R1
の定義における「一般式−XHを有する基の保護基」と
は、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ペ
ンチル、ヘキシルのような低級アルキル基；ホルミル、
アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、ペ
ンタノイル、ピバロイル、バレリル、イソバレリル、オ
クタノイル、ラウロイル、ミリストイル、トリデカノイ
ル、パルミトイル、ステアロイルのようなアルキルカル
ボニル基、クロロアセチル、ジクロロアセチル、トリク
ロロアセチル、トリフルオロアセチルのようなハロゲン
化アルキルカルボニル基、メトキシアセチルのような低
級アルコキシアルキルカルボニル基、（Ｅ）−２−メチ
ル−２−ブテノイルのような不飽和アルキルカルボニル
基等の脂肪族アシル基；ベンゾイル、α−ナフトイル、
β−ナフトイルのようなアリールカルボニル基、２−ブ
ロモベンゾイル、４−クロロベンゾイルのようなハロゲ
ン化アリールカルボニル基、2,4,6−トリメチレベンゾ
イル、４−トルオイルのような低級アルキル化アリール
カルボニル基、４−アニソイルのような低級アルコキシ
化アリールカルボニル基、４−ニトロベンゾイル、２−
ニトロベンゾイルのようなニトロ化アリールカルボニル
基、２−（メトキシカルボニル）ベンゾイルのような低
級アルコキシカルボニル化アリールカルボニル基、４−
フェニルベンゾイルのようなアリール化アリールカルボ
ニル基等の芳香族アシル基；テトラヒドロピラン−２−
イル、３−ブロモテトラヒドロピラン−２−イル、４−
メトキシテトラヒドロピラン−４−イル、テトラヒドロ
チオピラン−２−イル、４−メトキシテトラヒドロチオ
ピラン−４−イルのようなテトラヒドロピラニル又はテ
トラヒドロチオピラニル基；テトラヒドロフラン−２−
イル、テトラヒドロチオフラン−２−イルのようなテト
ラヒドロフラニル又はテトラヒドロチオフラニル基；ト
リメチルシリル、トリエチルシリル、イソプロピルジメ
チルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、メチルジイソ
プロピルシリル、メチルジ−ｔ−ブチルシリル、トリイ
ソプロピルシリルのようなトリ低級アルキルシリル基、
ジフェニルメチルシリル、ジフェニルブチルシリル、ジ
フェニルイソプロピルシリル、フェニルジイソプロピル
シリルのような１乃至２個のアリール基で置換されたト
リ低級アルキルシリル基等のシリル基；メトキシメチ
ル、1,1−ジメチル−１−メトキシメチル、エトキシメ
チル、プロポキシメチル、イソプロポキシメチル、ブト
キシメチル、ｔ−ブトキシメチルのような低級アルコキ
シメチル基、２−メトキシエトキシメチルのような低級
アルコキシ化低級アルコキシメチル基、2,2,2−トリク
ロロエトキシメチル、ビス（２−クロロエトキシ）メチ
ルのようなハロゲン化低級アルコキシメチル等のアルコ
キシメチル基;1−エトキシエチル、１−メチル−１−メ
トキシエチル、１−（イソプロポキシ）エチルのような
低級アルコキシ化エチル基、2,2,2−トリクロロエチル
のようなハロゲン化エチル基、２−（フェニルセレニ
ル）エチルのようなアリールセレニル化エチル基等の置
換エチル基；ベンジル、フェネチル、３−フェニルプロ
ピル、α−ナフチルメチル、β−ナフチルメチル、ジフ
ェニルメチル、トリフェニルメチル、α−ナフチルジフ
ェニルメチル、９−アンスリルメチルのような１乃至３
個のアリール基で置換された低級アルキル基、４−メチ
ルベンジル、２、４、６−トリメチルベンジル、3,4,5
−トリメチルベンジル、４−メトキシベンジル、４−メ
トキシフェニルジフェニルメチル、２−ニトロベンジ
ル、４−ニトロベンジル、４−クロロベンジル、４−ブ
ロモベンジル、４−シアノベンジル、４−シアノベンジ
ルジフェニルメチル、ビス（２−ニトロフェニル）メチ
ル、ピペロニルのような低級アルキル、低級アルコキ
シ、ニトロ、ハロゲン、シアノ基でアリール環が置換さ
れた１乃至３個のアリール基で置換された低級アルキル
基等のアラルキル基；メトキシカルボニル、エトキシカ
ルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、イソブトキシカル
ボニルのような低級アルコキシカルボニル基、2,2,2−
トリクロロエトキシカルボニル、２−トリメチルシリル
エトキシカルボニルのようなハロゲン若しくはトリ低級
アルキルシリル基で置換された低級アルコキシカルボニ
ル基等のアルコキシカルボニル基；ビニルオキシカルボ
ニル、アリルオキシカルボニルのようなアルケニルオキ
シカルボニル基又はベンジルオキシカルボニル、４−メ
トキシベンジルオキシカルボニル、3,4−ジメトキシベ
ンジルオキシカルボニル、２−ニトロベンジルオキシカ
ルボニル、４−ニトロベンジルオキシカルボニルのよう
な、１乃至２個の低級アルコキシ又はニトロ基でアリー
ル環が置換されていてもよいアラルキルオキシカルボニ
ル基のような反応における保護基を示す。
の定義における「一般式−XHを有する基の保護基」と
は、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ペ
ンチル、ヘキシルのような低級アルキル基；ホルミル、
アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、ペ
ンタノイル、ピバロイル、バレリル、イソバレリル、オ
クタノイル、ラウロイル、ミリストイル、トリデカノイ
ル、パルミトイル、ステアロイルのようなアルキルカル
ボニル基、クロロアセチル、ジクロロアセチル、トリク
ロロアセチル、トリフルオロアセチルのようなハロゲン
化アルキルカルボニル基、メトキシアセチルのような低
級アルコキシアルキルカルボニル基、（Ｅ）−２−メチ
ル−２−ブテノイルのような不飽和アルキルカルボニル
基等の脂肪族アシル基；ベンゾイル、α−ナフトイル、
β−ナフトイルのようなアリールカルボニル基、２−ブ
ロモベンゾイル、４−クロロベンゾイルのようなハロゲ
ン化アリールカルボニル基、2,4,6−トリメチレベンゾ
イル、４−トルオイルのような低級アルキル化アリール
カルボニル基、４−アニソイルのような低級アルコキシ
化アリールカルボニル基、４−ニトロベンゾイル、２−
ニトロベンゾイルのようなニトロ化アリールカルボニル
基、２−（メトキシカルボニル）ベンゾイルのような低
級アルコキシカルボニル化アリールカルボニル基、４−
フェニルベンゾイルのようなアリール化アリールカルボ
ニル基等の芳香族アシル基；テトラヒドロピラン−２−
イル、３−ブロモテトラヒドロピラン−２−イル、４−
メトキシテトラヒドロピラン−４−イル、テトラヒドロ
チオピラン−２−イル、４−メトキシテトラヒドロチオ
ピラン−４−イルのようなテトラヒドロピラニル又はテ
トラヒドロチオピラニル基；テトラヒドロフラン−２−
イル、テトラヒドロチオフラン−２−イルのようなテト
ラヒドロフラニル又はテトラヒドロチオフラニル基；ト
リメチルシリル、トリエチルシリル、イソプロピルジメ
チルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、メチルジイソ
プロピルシリル、メチルジ−ｔ−ブチルシリル、トリイ
ソプロピルシリルのようなトリ低級アルキルシリル基、
ジフェニルメチルシリル、ジフェニルブチルシリル、ジ
フェニルイソプロピルシリル、フェニルジイソプロピル
シリルのような１乃至２個のアリール基で置換されたト
リ低級アルキルシリル基等のシリル基；メトキシメチ
ル、1,1−ジメチル−１−メトキシメチル、エトキシメ
チル、プロポキシメチル、イソプロポキシメチル、ブト
キシメチル、ｔ−ブトキシメチルのような低級アルコキ
シメチル基、２−メトキシエトキシメチルのような低級
アルコキシ化低級アルコキシメチル基、2,2,2−トリク
ロロエトキシメチル、ビス（２−クロロエトキシ）メチ
ルのようなハロゲン化低級アルコキシメチル等のアルコ
キシメチル基;1−エトキシエチル、１−メチル−１−メ
トキシエチル、１−（イソプロポキシ）エチルのような
低級アルコキシ化エチル基、2,2,2−トリクロロエチル
のようなハロゲン化エチル基、２−（フェニルセレニ
ル）エチルのようなアリールセレニル化エチル基等の置
換エチル基；ベンジル、フェネチル、３−フェニルプロ
ピル、α−ナフチルメチル、β−ナフチルメチル、ジフ
ェニルメチル、トリフェニルメチル、α−ナフチルジフ
ェニルメチル、９−アンスリルメチルのような１乃至３
個のアリール基で置換された低級アルキル基、４−メチ
ルベンジル、２、４、６−トリメチルベンジル、3,4,5
−トリメチルベンジル、４−メトキシベンジル、４−メ
トキシフェニルジフェニルメチル、２−ニトロベンジ
ル、４−ニトロベンジル、４−クロロベンジル、４−ブ
ロモベンジル、４−シアノベンジル、４−シアノベンジ
ルジフェニルメチル、ビス（２−ニトロフェニル）メチ
ル、ピペロニルのような低級アルキル、低級アルコキ
シ、ニトロ、ハロゲン、シアノ基でアリール環が置換さ
れた１乃至３個のアリール基で置換された低級アルキル
基等のアラルキル基；メトキシカルボニル、エトキシカ
ルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、イソブトキシカル
ボニルのような低級アルコキシカルボニル基、2,2,2−
トリクロロエトキシカルボニル、２−トリメチルシリル
エトキシカルボニルのようなハロゲン若しくはトリ低級
アルキルシリル基で置換された低級アルコキシカルボニ
ル基等のアルコキシカルボニル基；ビニルオキシカルボ
ニル、アリルオキシカルボニルのようなアルケニルオキ
シカルボニル基又はベンジルオキシカルボニル、４−メ
トキシベンジルオキシカルボニル、3,4−ジメトキシベ
ンジルオキシカルボニル、２−ニトロベンジルオキシカ
ルボニル、４−ニトロベンジルオキシカルボニルのよう
な、１乃至２個の低級アルコキシ又はニトロ基でアリー
ル環が置換されていてもよいアラルキルオキシカルボニ
ル基のような反応における保護基を示す。
R2の定義における「低級アルキル基」又は「置換低級
アルキル基」の「低級アルキル基」は、前記「低級アル
キル基」と同様の基を示す。
アルキル基」の「低級アルキル基」は、前記「低級アル
キル基」と同様の基を示す。
R2,R4及びR5の定義における「シクロアルキル基」と
は、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、
シクロヘキシル、シクロヘプチル、ノルボルニル、アダ
マンチル、２−インダニルのような３乃至10員環状飽和
炭化水素基を示し、好適には５乃至７員環状飽和炭化水
素基である。
は、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、
シクロヘキシル、シクロヘプチル、ノルボルニル、アダ
マンチル、２−インダニルのような３乃至10員環状飽和
炭化水素基を示し、好適には５乃至７員環状飽和炭化水
素基である。
R2の定義における「アリール基」とは、例えばフェニ
ル、ナフチルのような炭素数５乃至12個の芳香族炭化水
素基を挙げることができ、好適にはフェニル基である。
かかる「アリール基」は、その環上に１乃至４個の下記
より選択される置換基を有していてもよく、該置換基と
しては、アミノ基；ニトロ基；シアノ基；前記低級アル
キル、後記ハロゲン化低級アルキル若しくは前記アラル
キルで置換されていてもよいカルボキシ基；カルバモイ
ル基；弗素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子のよう
なハロゲン原子；前記低級アルキル基；メトキシ、エト
キシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキシルオ
キシのような低級アルコキシ基；トリフルオロメチル、
トリクロロメチル、ジフルオロメチル、ジクロロメチ
ル、ジブロモメチル、フルオロメチル、２、２、２−ト
リクロロエチル、２、２、２−トリフルオロエチル、２
−ブロモエチル、２−クロロエチル、２−フルオロエチ
ル、２、２−ジブロモエチルのようなハロゲン化低級ア
ルキル基；前記脂肪族アシル基及びメチレンジオキシ、
エチレンジオキシ、プロピレンジオキシのような炭素数
１乃至４個のアルキレンジオキシ基を挙げることができ
る。
ル、ナフチルのような炭素数５乃至12個の芳香族炭化水
素基を挙げることができ、好適にはフェニル基である。
かかる「アリール基」は、その環上に１乃至４個の下記
より選択される置換基を有していてもよく、該置換基と
しては、アミノ基；ニトロ基；シアノ基；前記低級アル
キル、後記ハロゲン化低級アルキル若しくは前記アラル
キルで置換されていてもよいカルボキシ基；カルバモイ
ル基；弗素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子のよう
なハロゲン原子；前記低級アルキル基；メトキシ、エト
キシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキシルオ
キシのような低級アルコキシ基；トリフルオロメチル、
トリクロロメチル、ジフルオロメチル、ジクロロメチ
ル、ジブロモメチル、フルオロメチル、２、２、２−ト
リクロロエチル、２、２、２−トリフルオロエチル、２
−ブロモエチル、２−クロロエチル、２−フルオロエチ
ル、２、２−ジブロモエチルのようなハロゲン化低級ア
ルキル基；前記脂肪族アシル基及びメチレンジオキシ、
エチレンジオキシ、プロピレンジオキシのような炭素数
１乃至４個のアルキレンジオキシ基を挙げることができ
る。
R2の定義における「複数環基」とは、例えばフリル、
チエニル、ピロリル、アゼピニル、モルホリニル、チオ
モルホリニル、ピラゾリル、イミダゾリル、オキサゾリ
ル、イソキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、1,
2,3−オキサジアゾリル、トリアゾリル、テトラゾリ
ル、チアジアゾリル、ピラニル、ピリジニル、ピリダジ
ニル、ピリミジニル、ピラジニル及びこれらの基に対応
する、部分若しくは完全還元型の基のような硫黄原子、
酸素原子又は／及び窒素原子を１乃至３個含む５乃至７
員複素環基を示し、好適には、例えば、ピロリル、アゼ
ピニル、モルホリニル、チオモルホリニル、ピラゾリ
ル、イミダゾリル、オキサゾリル、イソキサゾリル、チ
アゾリル、イソチアゾリル、1,2,3−オキサジアゾリ
ル、トリアゾリル、テトラゾリル、チアジアゾリル、ピ
リジニル、ピリダジニル、ピリミジニル、ピラジニル及
びこれらの基に対応する、部分若しくは完全還元型の基
のような窒素原子を少なくとも１個含み、酸素原子又は
硫黄原子を含んでいてもよい５乃至７員複素環基を挙げ
ることができ、さらに好適には、ピリジル、イミダゾリ
ル、オキサゾリル、イソキサゾリル、チアゾリル及びこ
れらの基に対応する、部分若しくは完全還元型の基であ
る。
チエニル、ピロリル、アゼピニル、モルホリニル、チオ
モルホリニル、ピラゾリル、イミダゾリル、オキサゾリ
ル、イソキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、1,
2,3−オキサジアゾリル、トリアゾリル、テトラゾリ
ル、チアジアゾリル、ピラニル、ピリジニル、ピリダジ
ニル、ピリミジニル、ピラジニル及びこれらの基に対応
する、部分若しくは完全還元型の基のような硫黄原子、
酸素原子又は／及び窒素原子を１乃至３個含む５乃至７
員複素環基を示し、好適には、例えば、ピロリル、アゼ
ピニル、モルホリニル、チオモルホリニル、ピラゾリ
ル、イミダゾリル、オキサゾリル、イソキサゾリル、チ
アゾリル、イソチアゾリル、1,2,3−オキサジアゾリ
ル、トリアゾリル、テトラゾリル、チアジアゾリル、ピ
リジニル、ピリダジニル、ピリミジニル、ピラジニル及
びこれらの基に対応する、部分若しくは完全還元型の基
のような窒素原子を少なくとも１個含み、酸素原子又は
硫黄原子を含んでいてもよい５乃至７員複素環基を挙げ
ることができ、さらに好適には、ピリジル、イミダゾリ
ル、オキサゾリル、イソキサゾリル、チアゾリル及びこ
れらの基に対応する、部分若しくは完全還元型の基であ
る。
R3の定義における「カルボキシ基の保護基」とは、例
えば、前記低級アルキル基；前記ハロゲン低級アルキル
基又は前記アラルキル基等の反応における保護基を挙げ
ることができ、好適には低級アルキル基である。
えば、前記低級アルキル基；前記ハロゲン低級アルキル
基又は前記アラルキル基等の反応における保護基を挙げ
ることができ、好適には低級アルキル基である。
本発明に使用されるボロントリフレートとは、一般式 ［式中、R6及びR7は、同一又は異なって、R2で定義され
た基と同様の基を示す。］を有する化合物である。
た基と同様の基を示す。］を有する化合物である。
本発明に使用される錫トリフレートとは、一般式 を有する化合物である。
本発明で使用される塩基としては、生成するトリフル
オロメタンスルホン酸を中和できるものであれば特に限
定はないが、好適にはメチルアミン、エチルアミン、ジ
メチルアミン、ジエチルアミン、トリメチルアミン、ト
リエチルアミン、ピリジン、キノリン、アニリン、N,N
−ジメチルアニリン、ピペリジン、ジイソプロピルエチ
ルアミンのような有機塩基を挙げることができ、更に好
適にはトリエチルアミン、トリメチルアミン、ジイソプ
ロピルエチルアミンのような３級の有機塩基である。
オロメタンスルホン酸を中和できるものであれば特に限
定はないが、好適にはメチルアミン、エチルアミン、ジ
メチルアミン、ジエチルアミン、トリメチルアミン、ト
リエチルアミン、ピリジン、キノリン、アニリン、N,N
−ジメチルアニリン、ピペリジン、ジイソプロピルエチ
ルアミンのような有機塩基を挙げることができ、更に好
適にはトリエチルアミン、トリメチルアミン、ジイソプ
ロピルエチルアミンのような３級の有機塩基である。
本発明の化合物（Ｉ）、（II）及び（III）は、分子
内に不斉炭素を有し、各々がＲ配位、Ｓ配位である立体
異性体が存在するが、その各々、或いはそれらの混合物
のいずれも本発明に包含される。
内に不斉炭素を有し、各々がＲ配位、Ｓ配位である立体
異性体が存在するが、その各々、或いはそれらの混合物
のいずれも本発明に包含される。
本発明の製造法において、好適な基としては、 （１）R1基として、低級アルキル基、 （２）R2基として、アリール基、 （３）R3基として、低級アルキル基、 （４）Ｘとして、硫黄原子又は酸素原子、 （５）R4基として、アリール基又は低級アルキル基、 （６）R5基として、水素原子、 （７）R6及びR7基として、低級アルキル基、 を挙げることができる。
本発明のα−置換β−ヒドロキシカルボン酸エステル
の製造法は、以下に記載する方法によって実施すること
ができる。
の製造法は、以下に記載する方法によって実施すること
ができる。
ボロントリフレート若しくは錫トリフレートの溶液
に、窒素気流下、−100℃〜20℃［好適には、−70℃〜
−40℃］で、塩基を撹拌しながら加え、次にα−置換カ
ルボン酸エステル（Ｉ）の溶液を滴下する。
に、窒素気流下、−100℃〜20℃［好適には、−70℃〜
−40℃］で、塩基を撹拌しながら加え、次にα−置換カ
ルボン酸エステル（Ｉ）の溶液を滴下する。
滴下が終了したら、反応液を、−70℃〜20℃［好適に
は、−60℃〜−20℃］として、30分〜３時間［好適に
は、１〜２時間］撹拌する。特に、エチル フェニルメ
チルチオ酢酸をα−置換カルボン酸エステル（Ｉ）とし
て使用する場合には、−20℃で、1.5時間撹拌するのが
好適である。
は、−60℃〜−20℃］として、30分〜３時間［好適に
は、１〜２時間］撹拌する。特に、エチル フェニルメ
チルチオ酢酸をα−置換カルボン酸エステル（Ｉ）とし
て使用する場合には、−20℃で、1.5時間撹拌するのが
好適である。
次に、カルボニル化合物（II）の溶液を、−100℃〜2
0℃［好適には、−70℃〜−20℃］にて、撹拌しながら
滴下する。このまま、１時間乃至24時間撹拌した後、通
常の後処理、例えばリン酸緩衝液（pH7）を加え、ジエ
チルエーテル抽出を行ない、無水硫酸ナトリウムで乾燥
した後、減圧濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィーで
分離精製する方法等を行なうことにより、目的とするα
−置換β−ヒドロキシカルボン酸エステルを得ることが
できる。
0℃［好適には、−70℃〜−20℃］にて、撹拌しながら
滴下する。このまま、１時間乃至24時間撹拌した後、通
常の後処理、例えばリン酸緩衝液（pH7）を加え、ジエ
チルエーテル抽出を行ない、無水硫酸ナトリウムで乾燥
した後、減圧濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィーで
分離精製する方法等を行なうことにより、目的とするα
−置換β−ヒドロキシカルボン酸エステルを得ることが
できる。
溶媒は、反応を阻害しないものであれば特に限定はな
いが、好適には、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテ
ルのようなエーテル類、メチレンクロリド、ジクロロエ
タンのようなハロゲン化炭化水素類、ヘキサン、トルエ
ン、ペンタンのような炭化水素類、アセトニトリルのよ
うなニトリル類等の極性、非極性の溶媒を挙げることが
でき、更に好適には、エーテル類である。
いが、好適には、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテ
ルのようなエーテル類、メチレンクロリド、ジクロロエ
タンのようなハロゲン化炭化水素類、ヘキサン、トルエ
ン、ペンタンのような炭化水素類、アセトニトリルのよ
うなニトリル類等の極性、非極性の溶媒を挙げることが
でき、更に好適には、エーテル類である。
尚、所望により、−XH基の保護基R1及び／又はカルボ
キシ基の保護基R3を除去することができる。
キシ基の保護基R3を除去することができる。
保護基の除去は、一般にこの分野の技術において周知
の方法によって以下の様に実施される。
の方法によって以下の様に実施される。
R1基が、低級アルキル基の場合には、例えば、酸又は
塩基で処理することにより除去することができる。酸と
しては、塩酸、硫酸、リン酸、臭化水素酸が用いられ、
塩基としては、化合物の他の部分に影響を与えないもの
であれば特に限定はないが、好適には炭酸ナトリウム、
炭酸カリウムのようなアルカリ金属炭酸塩、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウムのようなアルカリ金属水酸化物
又は濃アンモニア−メタノールを用いて実施される。
尚、塩基による加水分解では異性化が起こることがあ
る。使用される溶媒としては通常の加水分解反応に使用
されるものであれば特に限定はなく、水又は水とメタノ
ール、エタノール、ｎ−プロパノールのようなアルコー
ル類若しくはテトラヒドロフラン、ジオキサンのような
エーテル類のような有機溶媒との混合溶媒が好適であ
る。反応温度及び反応時間は出発物質及び用いる塩基等
によって異なり特に限定はないが、副反応を抑制するた
めに、通常は０℃乃至150℃で、１乃至10時間である。
塩基で処理することにより除去することができる。酸と
しては、塩酸、硫酸、リン酸、臭化水素酸が用いられ、
塩基としては、化合物の他の部分に影響を与えないもの
であれば特に限定はないが、好適には炭酸ナトリウム、
炭酸カリウムのようなアルカリ金属炭酸塩、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウムのようなアルカリ金属水酸化物
又は濃アンモニア−メタノールを用いて実施される。
尚、塩基による加水分解では異性化が起こることがあ
る。使用される溶媒としては通常の加水分解反応に使用
されるものであれば特に限定はなく、水又は水とメタノ
ール、エタノール、ｎ−プロパノールのようなアルコー
ル類若しくはテトラヒドロフラン、ジオキサンのような
エーテル類のような有機溶媒との混合溶媒が好適であ
る。反応温度及び反応時間は出発物質及び用いる塩基等
によって異なり特に限定はないが、副反応を抑制するた
めに、通常は０℃乃至150℃で、１乃至10時間である。
R1基が、脂肪族アシル基、芳香族アシル基又はアルコ
キシカルボニル基である場合には、例えば、溶媒の存在
下に、塩基で処理することにより除去することができ
る。塩基としては、化合物の他の部分に影響を与えない
ものであれば特に限定はないが、好適にはナトリウムメ
トキシドのような金属アルコラート類、アンモニア水、
炭酸ナトリウム、炭酸カリウムのようなアルカリ金属炭
酸塩、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムのようなアル
カリ金属水酸化物又は濃アンモニア−メタノールを用い
て実施される。使用される溶媒としては通常の加水分解
反応に使用されるものであれば、特に限定はなく、水、
メタノール、エタノール、ｎ−プロパノールのようなア
ルコール類若しくはテトラヒドロフラン、ジオキサンの
ようなエーテル類のような有機溶媒又は水と有機溶媒と
の混合溶媒が好適である。反応温度及び反応時間は出発
物質及び用いる塩基等によって異なり特に限定はない
が、副反応を抑制するために、通常は０℃乃至150℃
で、１乃至10時間である。
キシカルボニル基である場合には、例えば、溶媒の存在
下に、塩基で処理することにより除去することができ
る。塩基としては、化合物の他の部分に影響を与えない
ものであれば特に限定はないが、好適にはナトリウムメ
トキシドのような金属アルコラート類、アンモニア水、
炭酸ナトリウム、炭酸カリウムのようなアルカリ金属炭
酸塩、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムのようなアル
カリ金属水酸化物又は濃アンモニア−メタノールを用い
て実施される。使用される溶媒としては通常の加水分解
反応に使用されるものであれば、特に限定はなく、水、
メタノール、エタノール、ｎ−プロパノールのようなア
ルコール類若しくはテトラヒドロフラン、ジオキサンの
ようなエーテル類のような有機溶媒又は水と有機溶媒と
の混合溶媒が好適である。反応温度及び反応時間は出発
物質及び用いる塩基等によって異なり特に限定はない
が、副反応を抑制するために、通常は０℃乃至150℃
で、１乃至10時間である。
R1基が、トリ低級アルキルシリル基を使用した場合に
は、通常弗化テトラブチルアンモニウムのような弗素ア
ニオンを生成する化合物で処理することにより除去す
る。反応溶媒は反応を阻害しないものであれば特に限定
はないが、テトラヒドロフラン、ジオキサンのようなエ
ーテル類が好適である。反応温度及び反応時間は特に限
定はないが、通常室温で10乃至18時間反応させる。
は、通常弗化テトラブチルアンモニウムのような弗素ア
ニオンを生成する化合物で処理することにより除去す
る。反応溶媒は反応を阻害しないものであれば特に限定
はないが、テトラヒドロフラン、ジオキサンのようなエ
ーテル類が好適である。反応温度及び反応時間は特に限
定はないが、通常室温で10乃至18時間反応させる。
R1基が、アラルキルオキシカルボニル基又はアラルキ
ル基である場合には、通常、還元剤と接触させることに
より除去することができる。例えば、パラジウム炭素、
白金、ラネーニッケルのような触媒を用い、常温にて接
触還元を行なうことにより達成される。反応は溶媒の存
在下に行なわれ、使用される反応溶媒としては本反応の
関与しないものであれば特に限定はないが、メタノー
ル、エタノールのようなアルコール類、テトラヒドロフ
ラン、ジオキサンのようなエーテル類、酢酸のような脂
肪酸又はこれらの有機溶媒と水との混合溶媒が好適であ
る。反応温度及び反応時間は出発物質及び使用する還元
剤等によって異なるが、通常は０℃乃至室温で、５分乃
至12時間である。
ル基である場合には、通常、還元剤と接触させることに
より除去することができる。例えば、パラジウム炭素、
白金、ラネーニッケルのような触媒を用い、常温にて接
触還元を行なうことにより達成される。反応は溶媒の存
在下に行なわれ、使用される反応溶媒としては本反応の
関与しないものであれば特に限定はないが、メタノー
ル、エタノールのようなアルコール類、テトラヒドロフ
ラン、ジオキサンのようなエーテル類、酢酸のような脂
肪酸又はこれらの有機溶媒と水との混合溶媒が好適であ
る。反応温度及び反応時間は出発物質及び使用する還元
剤等によって異なるが、通常は０℃乃至室温で、５分乃
至12時間である。
又、液体アンモニア中若しくはメタノール、エタノー
ルのようなアルコール中において、−78℃〜−20℃で、
金属リチウム若しくはナトリウムを作用させることによ
っても除去できる。
ルのようなアルコール中において、−78℃〜−20℃で、
金属リチウム若しくはナトリウムを作用させることによ
っても除去できる。
更に、塩化アルミニウム−沃化ナトリウム又はトリメ
チルシリルイオダイドのようなアルキルシリルハライド
類を用いても除去することができる。反応は溶媒の存在
下に行なわれ、使用される反応溶媒としては本反応に関
与しないものであれば特に限定はないが、好適には、ア
セトニトリルのようなニトリル類、メチレンクロリド、
クロロホルムのようなハロゲン化炭化水素類又はこれら
の混合溶媒が使用される。反応温度は出発物質等によっ
て異なるが、通常は０℃乃至50℃である。
チルシリルイオダイドのようなアルキルシリルハライド
類を用いても除去することができる。反応は溶媒の存在
下に行なわれ、使用される反応溶媒としては本反応に関
与しないものであれば特に限定はないが、好適には、ア
セトニトリルのようなニトリル類、メチレンクロリド、
クロロホルムのようなハロゲン化炭化水素類又はこれら
の混合溶媒が使用される。反応温度は出発物質等によっ
て異なるが、通常は０℃乃至50℃である。
尚、反応基質が硫黄原子を有する場合においては、好
適には、塩化アルミニウム−沃化ナトリウムが用いられ
る。
適には、塩化アルミニウム−沃化ナトリウムが用いられ
る。
R1基が、アルコキシメチル基、テトラヒドロピラニル
基、テトラヒドロフラニル基又は置換されたエチル基で
ある場合には、通常溶媒中で酸で処理することにより除
去することができる。使用される酸としては、好適には
塩酸、酢酸−硫酸、ｐ−トルエンスルホン酸又は酢酸等
である。使用される溶媒としては本反応に関与しないも
のであれば特に限定はないが、メタノール、エタノール
のようなアルコール類；テトラヒドロフラン、ジオキサ
ンのようなエーテル類又はこれらの有機溶媒と水との混
合溶媒が好適である。反応温度及び反応時間は出発物質
及び用いる酸の種類等によって異なるが、通常は０℃乃
至50℃で、10分乃至18時間である。
基、テトラヒドロフラニル基又は置換されたエチル基で
ある場合には、通常溶媒中で酸で処理することにより除
去することができる。使用される酸としては、好適には
塩酸、酢酸−硫酸、ｐ−トルエンスルホン酸又は酢酸等
である。使用される溶媒としては本反応に関与しないも
のであれば特に限定はないが、メタノール、エタノール
のようなアルコール類；テトラヒドロフラン、ジオキサ
ンのようなエーテル類又はこれらの有機溶媒と水との混
合溶媒が好適である。反応温度及び反応時間は出発物質
及び用いる酸の種類等によって異なるが、通常は０℃乃
至50℃で、10分乃至18時間である。
R1基が、アルケニルオキシカルボニル基である場合
は、通常R1基が脂肪族アシル基、芳香族アシル基又はア
ルコキシカルボニル基である場合の除去反応の条件と同
様にして塩基と処理することにより脱離させることがで
きる。尚、アリルオキシカルボニルの場合は、特にパラ
ジウム及びトリフェニルホスフィン若しくはニッケルテ
トラカルボニルを使用して除去する方法が簡便で、副反
応が少なく実施することができる。
は、通常R1基が脂肪族アシル基、芳香族アシル基又はア
ルコキシカルボニル基である場合の除去反応の条件と同
様にして塩基と処理することにより脱離させることがで
きる。尚、アリルオキシカルボニルの場合は、特にパラ
ジウム及びトリフェニルホスフィン若しくはニッケルテ
トラカルボニルを使用して除去する方法が簡便で、副反
応が少なく実施することができる。
尚、上記のようなR1基を除去する操作によって、カル
ボキシ基の保護基R3が同時に除去されることもある。
ボキシ基の保護基R3が同時に除去されることもある。
R3基が、低級アルキル基の場合には、R1基が、低級ア
ルキル基の場合と同様に処理する。
ルキル基の場合と同様に処理する。
R3基が、ジフェニルメチルのようなジアリール置換メ
チル基である場合には、通常酸性条件下で除去する。使
用される反応溶媒としてはアニソールのような芳香族炭
化水素類がよく、酸としてはトリフルオロ酸のようなフ
ッ素置換有機酸が用いられる。反応温度及び反応時間は
出発物質等によって異なるが、通常は室温で30分乃至10
時間である。
チル基である場合には、通常酸性条件下で除去する。使
用される反応溶媒としてはアニソールのような芳香族炭
化水素類がよく、酸としてはトリフルオロ酸のようなフ
ッ素置換有機酸が用いられる。反応温度及び反応時間は
出発物質等によって異なるが、通常は室温で30分乃至10
時間である。
R3基が、アラルキル基又はハロゲノ低級アルキル基で
ある場合には、通常還元剤と接触させることにより除去
することができる。還元剤としては、カルボキシ基の保
護基がハロゲノ低級アルキル基である場合には、亜鉛−
酢酸が好適であり、アラルキル基である場合には、パラ
ジウム炭素、白金のような触媒を用い、接触還元を行な
うか、又は硫化カリウム、硫化ナトリウムのようなアル
カリ金属硫化物を用いて実施される。反応は溶媒の存在
下に行なわれ、使用される溶媒としては本反応に関与し
ないものであれば特に限定はないが、メタノール、エタ
ノールのようなアルコール類；テトラヒドロフラン、ジ
オキサンのようなエーテル類；酢酸のような脂肪酸又は
これらの有機溶媒と水との混合溶媒が好適である。反応
温度及び反応時間は出発物質及び用いる還元剤等によっ
て異なるが、通常は０℃乃至室温付近で、５分乃至12時
間である。
ある場合には、通常還元剤と接触させることにより除去
することができる。還元剤としては、カルボキシ基の保
護基がハロゲノ低級アルキル基である場合には、亜鉛−
酢酸が好適であり、アラルキル基である場合には、パラ
ジウム炭素、白金のような触媒を用い、接触還元を行な
うか、又は硫化カリウム、硫化ナトリウムのようなアル
カリ金属硫化物を用いて実施される。反応は溶媒の存在
下に行なわれ、使用される溶媒としては本反応に関与し
ないものであれば特に限定はないが、メタノール、エタ
ノールのようなアルコール類；テトラヒドロフラン、ジ
オキサンのようなエーテル類；酢酸のような脂肪酸又は
これらの有機溶媒と水との混合溶媒が好適である。反応
温度及び反応時間は出発物質及び用いる還元剤等によっ
て異なるが、通常は０℃乃至室温付近で、５分乃至12時
間である。
尚、上記のようなR3基を除去する操作によって、R1基
が同時に除去されることもある。
が同時に除去されることもある。
上記のR1基及びR3基の保護基の除去反応は、順不同で
希望する除去反応を順次実施することができる。
希望する除去反応を順次実施することができる。
［効果］ 本発明の製造法により、 （１）自己縮合反応による目的化合物の低収率化を回避
し、かつ、中性条件下での反応を可能とすることによる
適用化合物の範囲の拡大をすることができた。
し、かつ、中性条件下での反応を可能とすることによる
適用化合物の範囲の拡大をすることができた。
（２）又は、新規なα−置換カルボン酸エステル誘導体
を原料として使用することにより、チオールエステル体
を経ることなく、高収率及び簡便性をもって目的化合物
を製造できることとなった。
を原料として使用することにより、チオールエステル体
を経ることなく、高収率及び簡便性をもって目的化合物
を製造できることとなった。
（３）更に、本願発明の原料化合物（Ｉ）として、R2が
水素原子である化合物を使用した場合にも、通常の縮合
反応条件下では副成する 一般式 を有する化合物が生成しないという特徴を有する。
水素原子である化合物を使用した場合にも、通常の縮合
反応条件下では副成する 一般式 を有する化合物が生成しないという特徴を有する。
次に、実施例により、本発明を更に具体的に説明す
る。
る。
実施例１ 窒素気流下、ジノルマルブチルボリルトリフレート0.
619g（2.3mmol）のジエチルエーテル（5ml）溶液に−78
℃でジイソプロピルエチルアミン0.375g（2.9mmol）を
撹拌しながら加え、更にエチルフェニルメチルチオアセ
テート0.400g（1.9mmol）のジエチルエーテル（5ml）溶
液を加えた。この溶液を−20℃として1.5時間撹拌した
後、ベンズアルデヒド0.202g（1.9mmol）のジエチルエ
ーテル（3ml）溶液を加え1.5時間撹拌した。リン酸緩衝
液（pH7）を加え、ジエチルエーテル抽出を行ない無水
硫酸ナトリウムで乾燥したのち減圧濃縮した。これをシ
リカゲルクロマトグラフィーで分離精製することにより
エチル ２−ヒドロキシ−２−フェニル−１−フェニル
メチルチオプロピオネートを0.545g（91％）得た。
619g（2.3mmol）のジエチルエーテル（5ml）溶液に−78
℃でジイソプロピルエチルアミン0.375g（2.9mmol）を
撹拌しながら加え、更にエチルフェニルメチルチオアセ
テート0.400g（1.9mmol）のジエチルエーテル（5ml）溶
液を加えた。この溶液を−20℃として1.5時間撹拌した
後、ベンズアルデヒド0.202g（1.9mmol）のジエチルエ
ーテル（3ml）溶液を加え1.5時間撹拌した。リン酸緩衝
液（pH7）を加え、ジエチルエーテル抽出を行ない無水
硫酸ナトリウムで乾燥したのち減圧濃縮した。これをシ
リカゲルクロマトグラフィーで分離精製することにより
エチル ２−ヒドロキシ−２−フェニル−１−フェニル
メチルチオプロピオネートを0.545g（91％）得た。
マススペクトラム m+ 316 実施例２ 窒素気流下，ジノルマルブチルボリルトリフレート0.
377g（1.4mmol）のジエチルエーテル（4ml）溶液に、−
78℃でジイソプロピルエチルアミン0.246g（1.9mmol）
を撹拌しながら加え、更に、エチル フェニルメチルチ
オアセテート0.200g（1.0mmol）のジエチルエーテル（5
ml）溶液を加えた。この溶液を−20℃として1.5時間撹
拌した後、イソバレルアルデヒド0.0819g（0.951mmol）
のジエチルエーテル（3ml）溶液を加え1.5時間撹拌し
た。これを前項と同様に処理することでエチル ４−メ
チル−２−ヒドロキシ−１−フェニルメチルチオペンタ
ノエートを0.270g（96％）得た。
377g（1.4mmol）のジエチルエーテル（4ml）溶液に、−
78℃でジイソプロピルエチルアミン0.246g（1.9mmol）
を撹拌しながら加え、更に、エチル フェニルメチルチ
オアセテート0.200g（1.0mmol）のジエチルエーテル（5
ml）溶液を加えた。この溶液を−20℃として1.5時間撹
拌した後、イソバレルアルデヒド0.0819g（0.951mmol）
のジエチルエーテル（3ml）溶液を加え1.5時間撹拌し
た。これを前項と同様に処理することでエチル ４−メ
チル−２−ヒドロキシ−１−フェニルメチルチオペンタ
ノエートを0.270g（96％）得た。
マススペクトラム m+ 296 実施例３ 窒素気流下，ジノルマルブチルボリルトリフレート1.
84g（6.7mmol）のジエチルエーテル（23ml）溶液に−78
℃でジイソプロピルエチルアミン1.08g（8.3mmol）で撹
拌しながら加え さらにメチル フェニルメトキシアセ
テート1.00g（5.6mmol）のジエチルエーテル（8ml）溶
液を加えた。この溶液を−20℃として1.5時間撹拌した
後、ベンズアルデヒド0.589g（5.6mmol）のジエチルエ
ーテル（8ml）溶液を加え1.5時間撹拌した。これを前項
と同様に処理することでメチル ２−ヒドロキシ−２−
フェニル−１−フェニルメトキシプロピオネート1.00g
（63％）を得た。
84g（6.7mmol）のジエチルエーテル（23ml）溶液に−78
℃でジイソプロピルエチルアミン1.08g（8.3mmol）で撹
拌しながら加え さらにメチル フェニルメトキシアセ
テート1.00g（5.6mmol）のジエチルエーテル（8ml）溶
液を加えた。この溶液を−20℃として1.5時間撹拌した
後、ベンズアルデヒド0.589g（5.6mmol）のジエチルエ
ーテル（8ml）溶液を加え1.5時間撹拌した。これを前項
と同様に処理することでメチル ２−ヒドロキシ−２−
フェニル−１−フェニルメトキシプロピオネート1.00g
（63％）を得た。
マススペクトラム m+ 286
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｃ 59/01 Ｃ０７Ｃ 59/01 67/343 67/343 315/04 315/04 317/46 317/46 319/20 319/20 323/52 323/52 391/00 391/00 // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００
Claims (1)
- 【請求項１】一般式 ［式中、 R1は、一般式−XHを有する基の保護基を示し、 R2は、水素原子、低級アルキル基、置換低級アルキル基
（置換基としては、シクロアルキル基、アリール基、複
数環基若しくは一般式−XR1を有する基を示す。）、シ
クロアルキル基、アリル基、アリール基又は複数環基を
示し、 R3は、カルボキシ基の保護基を示し、 Ｘは、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、スルホキシド
基、スルホン基又はセレンオキシド基を示す。］で表わ
される化合物と、 一般式 ［式中、 R4は、上記R2と同様の基を示し、 R5は、水素原子若しくは上記R2と同様の基を示す。］で
表わされる化合物とを、 ボロントリフレート若しくは錫トリフレート及び塩基の
存在下に反応させることを特徴とする、 一般式 ［式中、R1、R2、R3、R4、R5及びＸは、前記と同意義を
示す。］で表わされるα−置換β−ヒドロキシカルボン
酸エステルの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63128005A JP2551975B2 (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | α−置換β−ヒドロキシカルボン酸エステルの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63128005A JP2551975B2 (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | α−置換β−ヒドロキシカルボン酸エステルの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01299256A JPH01299256A (ja) | 1989-12-04 |
| JP2551975B2 true JP2551975B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=14974117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63128005A Expired - Lifetime JP2551975B2 (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | α−置換β−ヒドロキシカルボン酸エステルの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2551975B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5214123A (en) * | 1992-02-25 | 1993-05-25 | Eastman Kodak Company | Preparation of aromatic poly(imide-amide)s from CO, primary diamine and di(trifluoro methane sulfonate) containing phthalimide group |
| US5159057A (en) * | 1992-02-25 | 1992-10-27 | Eastman Kodak Company | Method for the preparation of aromatic polyesters |
| US5210175A (en) * | 1992-02-25 | 1993-05-11 | Eastman Kodak Company | Preparation of aromatic polyamides from CO, aromatic, diamine and di(trifluoromethane sulfonate) |
-
1988
- 1988-05-25 JP JP63128005A patent/JP2551975B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01299256A (ja) | 1989-12-04 |
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