JP2551102Y2 - 位相シフト層を有するフォトマスク - Google Patents
位相シフト層を有するフォトマスクInfo
- Publication number
- JP2551102Y2 JP2551102Y2 JP9830890U JP9830890U JP2551102Y2 JP 2551102 Y2 JP2551102 Y2 JP 2551102Y2 JP 9830890 U JP9830890 U JP 9830890U JP 9830890 U JP9830890 U JP 9830890U JP 2551102 Y2 JP2551102 Y2 JP 2551102Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- phase shifter
- light
- photomask
- phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、LSI、超LSI等の高密度集積回路の製造に用
いられるフォトマスクに係り、特に、微細なパターンを
高精度に形成する際の位相シフト層を有するフォトマス
クに関する。
いられるフォトマスクに係り、特に、微細なパターンを
高精度に形成する際の位相シフト層を有するフォトマス
クに関する。
例えば64MDRAMクラスの次々世代のデバイスパターン
になると、これまでのレチクルを用いたステッパー露光
方式ではレジストパターンの解像限界となり、この限界
を乗り越えるものとして、例えば、特開昭58-173744号
公報、特公昭62-59296号公報等に示されているような、
位相シフトマスクという新しい考え方のレチクルが提案
されてきている。位相シフトレチクルを用いる位相シフ
トリソグラフィーは、レチクルを透過する光の位相を操
作することによって、投影像の分解能及びコントラスト
を向上させる技術である。
になると、これまでのレチクルを用いたステッパー露光
方式ではレジストパターンの解像限界となり、この限界
を乗り越えるものとして、例えば、特開昭58-173744号
公報、特公昭62-59296号公報等に示されているような、
位相シフトマスクという新しい考え方のレチクルが提案
されてきている。位相シフトレチクルを用いる位相シフ
トリソグラフィーは、レチクルを透過する光の位相を操
作することによって、投影像の分解能及びコントラスト
を向上させる技術である。
位相シフトリソグラフィーを図面に従って簡単に説明
する。第11図は位相シフト法の原理を示す図、第12図は
従来法を示す図であり、第11図（ａ）及び第12図（ａ）
はレチクルの断面図、第11図（ｂ）及び第12図（ｂ）は
レチクル上の光の振幅、第11図（ｃ）及び第12図（ｃ）
はウェハー上の光の振幅、第11図（ｄ）及び第12図
（ｄ）はウェハー上の光強度をそれぞれ示し、１は基
板、２は遮光膜、３は位相シフター、４は入射光を示
す。
する。第11図は位相シフト法の原理を示す図、第12図は
従来法を示す図であり、第11図（ａ）及び第12図（ａ）
はレチクルの断面図、第11図（ｂ）及び第12図（ｂ）は
レチクル上の光の振幅、第11図（ｃ）及び第12図（ｃ）
はウェハー上の光の振幅、第11図（ｄ）及び第12図
（ｄ）はウェハー上の光強度をそれぞれ示し、１は基
板、２は遮光膜、３は位相シフター、４は入射光を示
す。
従来法においては、第12図（ａ）に示すように、ガラ
ス等からなる基板１にクロム等からなる遮光膜２が形成
されて、所定のパターンの光透過部が形成されているだ
けであるが、位相シフトリソグラフィーでは、第11図
（ａ）に示すように、レチクル上の隣接する光透過部の
一方に位相を反転（位相差180°）させるための透過膜
からなる位相シフター３が設けられている。したがっ
て、従来法においては、レチクル上の光の振幅は第12図
（ｂ）に示すように同相となり、ウェハー上の光の振幅
も第12図（ｃ）に示すように同相となるので、その結
果、第12図（ｄ）のようにウェハー上のパターンを分離
することができないのに対して、位相シフトリソグラフ
ィーにおいては、位相シフターを透過した光は、第11図
（ｂ）に示すように、隣接パターンの間で互いに逆位相
になされるため、パターンの境界部で光強度が零にな
り、第11図（ｄ）に示すように隣接するパターンを明瞭
に分離することができる。このように、位相シフトリソ
グラフィーにおいては、従来は分離できなかったパター
ンも分離可能となり、解像度を向上させることができる
ものである。
ス等からなる基板１にクロム等からなる遮光膜２が形成
されて、所定のパターンの光透過部が形成されているだ
けであるが、位相シフトリソグラフィーでは、第11図
（ａ）に示すように、レチクル上の隣接する光透過部の
一方に位相を反転（位相差180°）させるための透過膜
からなる位相シフター３が設けられている。したがっ
て、従来法においては、レチクル上の光の振幅は第12図
（ｂ）に示すように同相となり、ウェハー上の光の振幅
も第12図（ｃ）に示すように同相となるので、その結
果、第12図（ｄ）のようにウェハー上のパターンを分離
することができないのに対して、位相シフトリソグラフ
ィーにおいては、位相シフターを透過した光は、第11図
（ｂ）に示すように、隣接パターンの間で互いに逆位相
になされるため、パターンの境界部で光強度が零にな
り、第11図（ｄ）に示すように隣接するパターンを明瞭
に分離することができる。このように、位相シフトリソ
グラフィーにおいては、従来は分離できなかったパター
ンも分離可能となり、解像度を向上させることができる
ものである。
上記のような位相シフトマスクは、従来のフォトマス
クとは異なり、遮光パターン上に位相シフターパターン
を形成する。このため、位相シフトマスクの製造過程に
おいて、遮光パターンと位相シフターパターンのアライ
メントが必要となる。アライメントを行うには、遮光パ
ターンで形成されたアライメイトマークを読み取り、そ
の位置を基準点として位相シフターパターンの形成を行
うことになる。
クとは異なり、遮光パターン上に位相シフターパターン
を形成する。このため、位相シフトマスクの製造過程に
おいて、遮光パターンと位相シフターパターンのアライ
メントが必要となる。アライメントを行うには、遮光パ
ターンで形成されたアライメイトマークを読み取り、そ
の位置を基準点として位相シフターパターンの形成を行
うことになる。
通常の位相シフトマスクにおいて、そのマスクパター
ンは、アライメントマークと主パターン（デバイスパタ
ーン）から構成される。このため、遮光パターンと位相
シフターパターンのアライメント精度及び位相シフター
の膜厚を直接測定することができないという問題が生じ
ていた。位相シフターによって導入される位相差Φは、 （d:位相シフターの膜厚、n:位相シフターの屈折率、
λ：波長）で与えられる。このように、位相差が位相シ
フターの材料の膜厚に比例し、かつ、位相差の精密制御
が重要であるので、位相シフターの膜厚を精密に測定す
ることが必要である。
ンは、アライメントマークと主パターン（デバイスパタ
ーン）から構成される。このため、遮光パターンと位相
シフターパターンのアライメント精度及び位相シフター
の膜厚を直接測定することができないという問題が生じ
ていた。位相シフターによって導入される位相差Φは、 （d:位相シフターの膜厚、n:位相シフターの屈折率、
λ：波長）で与えられる。このように、位相差が位相シ
フターの材料の膜厚に比例し、かつ、位相差の精密制御
が重要であるので、位相シフターの膜厚を精密に測定す
ることが必要である。
本考案はこのような状況に鑑みてなされたものであ
り、その目的は、位相シフト層を有するフォトマスクに
おいて、遮光パターンと位相シフターパターンのアライ
メント精度及び位相シフターの膜厚を直接測定すること
ができるフォトマスクを提供することである。
り、その目的は、位相シフト層を有するフォトマスクに
おいて、遮光パターンと位相シフターパターンのアライ
メント精度及び位相シフターの膜厚を直接測定すること
ができるフォトマスクを提供することである。
本考案者は、上記の問題点を考慮して、本パターンと
アライメイトマーク以外に、遮光パターンと位相シフタ
ーパターンのアライメイト精度確認用のパターンと、位
相シフター膜厚測定用パターンをマスク上に形成するこ
とにより、アライメント精度及び位相シフターの膜厚を
直接測定できることを見出し、かかる知見に基づいて本
考案を完成したものである。
アライメイトマーク以外に、遮光パターンと位相シフタ
ーパターンのアライメイト精度確認用のパターンと、位
相シフター膜厚測定用パターンをマスク上に形成するこ
とにより、アライメント精度及び位相シフターの膜厚を
直接測定できることを見出し、かかる知見に基づいて本
考案を完成したものである。
以下、本考案を添付の図面を参照して説明する。
第１図は、本考案の１例の位相シフト層を有するフォ
トマスクのパターンの配置を示す図である。図中、１は
石英基板、５は主パターン、６はアライメントマーク、
７はアライメイト精度測定用パターン、８は位相シフタ
ー膜厚測定用パターンを示す。
トマスクのパターンの配置を示す図である。図中、１は
石英基板、５は主パターン、６はアライメントマーク、
７はアライメイト精度測定用パターン、８は位相シフタ
ー膜厚測定用パターンを示す。
第２図は位相シフター膜厚測定用パターン８の１例を
示す説明図であり、図中、９は遮光パターンの一部から
なる補助パターン、10は位相シフターパターンの一部か
らなる膜厚測定用パターン本体を示す。このような位相
シフター膜厚測定用パターン10は、必ずしも遮光パター
ン９上にある必要はないが、膜厚を例えば光学的に測定
する際に、位相シフター10の裏面からの反射率を高くし
てより精密に膜厚を測定できるようにする上で、遮光パ
ターン９上に形成することが有効である。また、この膜
厚測定パターン10は、主パターン５にかからない部分で
あれば、マスク内の位置、その個数、その形、その大き
さは限定されない。このような位相シフター膜厚測定用
パターン８を用い、触針式、光学式、その他の方式に
て、主パターンに影響なく、位相シフター膜厚の測定が
できる。
示す説明図であり、図中、９は遮光パターンの一部から
なる補助パターン、10は位相シフターパターンの一部か
らなる膜厚測定用パターン本体を示す。このような位相
シフター膜厚測定用パターン10は、必ずしも遮光パター
ン９上にある必要はないが、膜厚を例えば光学的に測定
する際に、位相シフター10の裏面からの反射率を高くし
てより精密に膜厚を測定できるようにする上で、遮光パ
ターン９上に形成することが有効である。また、この膜
厚測定パターン10は、主パターン５にかからない部分で
あれば、マスク内の位置、その個数、その形、その大き
さは限定されない。このような位相シフター膜厚測定用
パターン８を用い、触針式、光学式、その他の方式に
て、主パターンに影響なく、位相シフター膜厚の測定が
できる。
第３図はアライメイト精度測定用パターン７の１例を
示す説明図であり、図中、11は遮光パターンの一部から
なるアライメイト精度測定用遮光パターン、12は位相シ
フターパターンの一部からなるアライメイト精度測定用
位相シフターパターンを示す。このアライメイト精度測
定用パターン７は、主パターンにかからない部分であれ
ば、マスクの位置、その個数、その形、その大きさ、ア
ライメイト精度測定原理は限定されない。また、抜けパ
ターン、残しパターンの何れでも、そのパターン端が明
確に形成されている限り有効である。このようなアライ
メイト精度測定パターン７を用いて、外形比較あるいは
バーニア法等により、遮光パターンと位相シフターパタ
ーンの位置合わせ精度（アライメイト精度）を測定でき
る。
示す説明図であり、図中、11は遮光パターンの一部から
なるアライメイト精度測定用遮光パターン、12は位相シ
フターパターンの一部からなるアライメイト精度測定用
位相シフターパターンを示す。このアライメイト精度測
定用パターン７は、主パターンにかからない部分であれ
ば、マスクの位置、その個数、その形、その大きさ、ア
ライメイト精度測定原理は限定されない。また、抜けパ
ターン、残しパターンの何れでも、そのパターン端が明
確に形成されている限り有効である。このようなアライ
メイト精度測定パターン７を用いて、外形比較あるいは
バーニア法等により、遮光パターンと位相シフターパタ
ーンの位置合わせ精度（アライメイト精度）を測定でき
る。
本考案においては、半導体デバイスの配線等を示す主
パターン以外に、この主パターンにかからない部分に位
相シフター膜厚測定用パターンを設けている。このた
め、主パターンを傷つけることなく、位相シフターの膜
厚測定が可能になる。また、同様にアライメイト精度測
定用パターンを設けることにより、位相シフターと遮光
パターンのアライメイト精度の確認が可能になる。
パターン以外に、この主パターンにかからない部分に位
相シフター膜厚測定用パターンを設けている。このた
め、主パターンを傷つけることなく、位相シフターの膜
厚測定が可能になる。また、同様にアライメイト精度測
定用パターンを設けることにより、位相シフターと遮光
パターンのアライメイト精度の確認が可能になる。
つまり、この２種類のパターンにより、個々の位相シ
フトマスクの位相シフターの膜厚、アライメイト精度の
保証が可能となる。さらに、アライメイト精度測定用パ
ターンを観察することにより、遮光パターンと位相パタ
ーンの位置や向きの適否を容易に確認できる。
フトマスクの位相シフターの膜厚、アライメイト精度の
保証が可能となる。さらに、アライメイト精度測定用パ
ターンを観察することにより、遮光パターンと位相パタ
ーンの位置や向きの適否を容易に確認できる。
以下、本考案の実施例について説明する。
実施例１ 光学研磨された５インチ角の高純度合成石英ガラス基
板上に200nm厚の導電層としてのTa薄膜と、遮光層とし
て、800nm厚のクロム薄膜と400nm厚の低反射クロム薄膜
の２層構造を形成したマスク基板上に、クロロメチル化
ポリスチレンのレジスト溶液をスピンコーティング法に
より塗布し、120℃で30分間プリベークし、厚さ0.6μｍ
の均一なレジスト膜を得た。
板上に200nm厚の導電層としてのTa薄膜と、遮光層とし
て、800nm厚のクロム薄膜と400nm厚の低反射クロム薄膜
の２層構造を形成したマスク基板上に、クロロメチル化
ポリスチレンのレジスト溶液をスピンコーティング法に
より塗布し、120℃で30分間プリベークし、厚さ0.6μｍ
の均一なレジスト膜を得た。
次に、加速電圧20KVの電子線により、20μC/cm2の照
射量で露光し、パターン描画を行った。露光後、この基
板を酢酸イソアミルとエチルセロソルブの混合液からな
る現像液で60秒間現像後、イソプロピルアルコールで30
秒間リンスして、レジストパターンを得た。続いて、こ
れを140℃で30分間ポストベークした後、1Torr、100Wの
酸素プラズマで２分間デスカムし、レジストパターンを
マスクとして露出した被加工基板を、出力300Wで、四塩
化炭素と酸素からなるプラズマ中、８分間ドライエッチ
ングした。次に、残存したレジストを2Torr、400Wの酸
素プラズマで灰化除去し、位相シフター形成前のフォト
マスクを得た。
射量で露光し、パターン描画を行った。露光後、この基
板を酢酸イソアミルとエチルセロソルブの混合液からな
る現像液で60秒間現像後、イソプロピルアルコールで30
秒間リンスして、レジストパターンを得た。続いて、こ
れを140℃で30分間ポストベークした後、1Torr、100Wの
酸素プラズマで２分間デスカムし、レジストパターンを
マスクとして露出した被加工基板を、出力300Wで、四塩
化炭素と酸素からなるプラズマ中、８分間ドライエッチ
ングした。次に、残存したレジストを2Torr、400Wの酸
素プラズマで灰化除去し、位相シフター形成前のフォト
マスクを得た。
この時、第５図に示すような位相シフター膜厚測定用
補助パターン９と第６図に示すようなアライメイト精度
測定用遮光パターン11を、第４図に示すように主パター
ンの外部２か所に形成する（第４図において、７がアラ
イメイト精度測定用パターン、８が位相シフター膜厚測
定用パターンを示す。）。こうして製造した位相シフタ
ー形成前のフォトマスクの品質を検査確認した後、この
マスク上にECR-CVDを用いて高純度のSiO2膜を厚さ406nm
になるように堆積させた。この基板に前記と同様にして
クロロメチル化ポリスチレンのレジスト溶液をスピンコ
ーティングにより塗布し、加熱乾燥処理を施して、0.6
μｍ厚の均一なレジスト膜を得た。次に、加速電圧20KV
の電子線描画装置にて、フォトマスク上のアライメイト
マーク６を検出しながら所定の位置にパターン露光し
た。露光後、この基板を前記と同様の溶剤で現像、リン
スして、レジストパターンを得た。続いて、加熱処理、
デスカム処理を行ってから、レジストパターンをマスク
として、露出したSiO2膜を出力250W、CF4、O2の混合ガ
ス（体積比はCF4が95％、O2が５％）からなるプラズマ
中で15分間ドライエッチングした。最後に、残存したレ
ジストを2Torr、400Wの酸素プラズマで灰化除去して、S
iO2からなる位相シフター層を有する位相シフトマスク
を得た。
補助パターン９と第６図に示すようなアライメイト精度
測定用遮光パターン11を、第４図に示すように主パター
ンの外部２か所に形成する（第４図において、７がアラ
イメイト精度測定用パターン、８が位相シフター膜厚測
定用パターンを示す。）。こうして製造した位相シフタ
ー形成前のフォトマスクの品質を検査確認した後、この
マスク上にECR-CVDを用いて高純度のSiO2膜を厚さ406nm
になるように堆積させた。この基板に前記と同様にして
クロロメチル化ポリスチレンのレジスト溶液をスピンコ
ーティングにより塗布し、加熱乾燥処理を施して、0.6
μｍ厚の均一なレジスト膜を得た。次に、加速電圧20KV
の電子線描画装置にて、フォトマスク上のアライメイト
マーク６を検出しながら所定の位置にパターン露光し
た。露光後、この基板を前記と同様の溶剤で現像、リン
スして、レジストパターンを得た。続いて、加熱処理、
デスカム処理を行ってから、レジストパターンをマスク
として、露出したSiO2膜を出力250W、CF4、O2の混合ガ
ス（体積比はCF4が95％、O2が５％）からなるプラズマ
中で15分間ドライエッチングした。最後に、残存したレ
ジストを2Torr、400Wの酸素プラズマで灰化除去して、S
iO2からなる位相シフター層を有する位相シフトマスク
を得た。
この時、第２図に示すような位相シフター膜厚測定用
パターン本体10を位相シフター膜厚測定用補助パターン
９上に形成した。また、第３図に示すように、アライメ
イト精度測定用遮光パターン11上にアライメイト精度測
定用位相シフターパターン12を形成した。
パターン本体10を位相シフター膜厚測定用補助パターン
９上に形成した。また、第３図に示すように、アライメ
イト精度測定用遮光パターン11上にアライメイト精度測
定用位相シフターパターン12を形成した。
次に、位相シフター膜厚測定用パターン本体10を用
い、光学式膜厚計により位相シフター膜厚を測定した。
次いで、アライメイト精度測定用遮光パターン11とアラ
イメイト精度測定用位相シフターパターン12の外形のず
れ量により、アライメイト精度を測定した。さらに、２
組のアライメイト精度測定パターン７を用いることによ
り、遮光パターンと位相シフトパターンの回転の大きさ
も評価した。
い、光学式膜厚計により位相シフター膜厚を測定した。
次いで、アライメイト精度測定用遮光パターン11とアラ
イメイト精度測定用位相シフターパターン12の外形のず
れ量により、アライメイト精度を測定した。さらに、２
組のアライメイト精度測定パターン７を用いることによ
り、遮光パターンと位相シフトパターンの回転の大きさ
も評価した。
実施例２ 光学研磨された５インチ角の高純度合成石英ガラス基
板上に200nm厚の導電層としてのTa薄膜と、遮光層とし
て、800nm厚のクロム薄膜と400nm厚の低反射クロム薄膜
の２層構造を形成したマスク基板上に、クロロメチル化
ポリスチレンのレジスト溶液をスピンコーティング法に
より塗布し、120℃で30分間プリベークし、厚さ0.6μｍ
の均一なレジスト膜を得た。
板上に200nm厚の導電層としてのTa薄膜と、遮光層とし
て、800nm厚のクロム薄膜と400nm厚の低反射クロム薄膜
の２層構造を形成したマスク基板上に、クロロメチル化
ポリスチレンのレジスト溶液をスピンコーティング法に
より塗布し、120℃で30分間プリベークし、厚さ0.6μｍ
の均一なレジスト膜を得た。
次に、加速電圧20KVの電子線により、20μC/cm2の照
射量で露光し、パターン描画を行った。露光後、この基
板を酢酸イソアミルとエチルセロソルブの混合液からな
る現像液で60秒間現像後、イソプロピルアルコールで30
秒間リンスして、レジストパターンを得た。続いて、こ
れを140℃で30分間ポストベークした後、1Torr、100Wの
酸素プラズマで２分間デスカムし、レジストパターンを
マスクとして露出した被加工基板を、出力300Wで、四塩
化炭素と酸素からなるプラズマ中、８分間ドライエッチ
ングした。次に、残存したレジストを2Torr、400Wの酸
素プラズマで灰化除去し、位相シフター形成前のフォト
マスクを得た。
射量で露光し、パターン描画を行った。露光後、この基
板を酢酸イソアミルとエチルセロソルブの混合液からな
る現像液で60秒間現像後、イソプロピルアルコールで30
秒間リンスして、レジストパターンを得た。続いて、こ
れを140℃で30分間ポストベークした後、1Torr、100Wの
酸素プラズマで２分間デスカムし、レジストパターンを
マスクとして露出した被加工基板を、出力300Wで、四塩
化炭素と酸素からなるプラズマ中、８分間ドライエッチ
ングした。次に、残存したレジストを2Torr、400Wの酸
素プラズマで灰化除去し、位相シフター形成前のフォト
マスクを得た。
この時、第８図に示すような遮光バーニアパターン13
を、第７図に示すように主パターン５の外部の２か所
に、アライメイト精度測定用パターン７の遮光パターン
として形成する。こうして製造した位相シフター形成前
のフォトマスクの品質を検査確認した後、このマスク上
にECR-CVDを用いて高純度のSiO2膜を厚さ406nmになるよ
うに堆積させた。この基板に前記と同様にしてクロロメ
チル化ポリスチレンのレジスト溶液をスピンコーティン
グにより塗布し、加熱乾燥処理を施して、0.6μｍ厚の
均一なレジスト膜を得た。次に、加速電圧20KVの電子線
描画装置にて、フォトマスク上のアライメイトマーク６
を検出しながら所定の位置にパターン露光した。露光
後、この基板を前記と同様の溶剤で現像、リンスして、
レジストパターンを得た。続いて、加熱処理、デスカム
処理を行ってから、レジストパターンをマスクとして、
露出したSiO2膜を出力250W、CF4、O2の混合ガス（体積
比はCF4が95％、O2が５％）からなるプラズマ中で15分
間ドライエッチングした。最後に、残存したレジストを
2Torr、400Wの酸素プラズマで灰化除去して、SiO2から
なる位相シフター層を有する位相シフトマスクを得た。
を、第７図に示すように主パターン５の外部の２か所
に、アライメイト精度測定用パターン７の遮光パターン
として形成する。こうして製造した位相シフター形成前
のフォトマスクの品質を検査確認した後、このマスク上
にECR-CVDを用いて高純度のSiO2膜を厚さ406nmになるよ
うに堆積させた。この基板に前記と同様にしてクロロメ
チル化ポリスチレンのレジスト溶液をスピンコーティン
グにより塗布し、加熱乾燥処理を施して、0.6μｍ厚の
均一なレジスト膜を得た。次に、加速電圧20KVの電子線
描画装置にて、フォトマスク上のアライメイトマーク６
を検出しながら所定の位置にパターン露光した。露光
後、この基板を前記と同様の溶剤で現像、リンスして、
レジストパターンを得た。続いて、加熱処理、デスカム
処理を行ってから、レジストパターンをマスクとして、
露出したSiO2膜を出力250W、CF4、O2の混合ガス（体積
比はCF4が95％、O2が５％）からなるプラズマ中で15分
間ドライエッチングした。最後に、残存したレジストを
2Torr、400Wの酸素プラズマで灰化除去して、SiO2から
なる位相シフター層を有する位相シフトマスクを得た。
この時、第９図に示すような位相シフター膜厚測定用
パターン10を第７図に示す位相シフター膜厚測定用パタ
ーン８の位置２か所に形成する。また、第10図に示すよ
うな位相シフターバーニアパターン14を遮光パーニアパ
ターン13上に形成する。遮光パーニアパターン13と位相
シフターバーニアパターン14は、第８図と第10図から明
らかなように直交する２方向に形成され、かつ、位相シ
フターバーニアパターン14の間隙が遮光パーニアパター
ン13の間隙に比べて僅かに大きく形成されている。間隙
のこの関係は逆であってもよい。また、この例の場合
は、位相シフター膜厚測定用の位相シフターパターン10
の下に、遮光パターンは形成されていない。
パターン10を第７図に示す位相シフター膜厚測定用パタ
ーン８の位置２か所に形成する。また、第10図に示すよ
うな位相シフターバーニアパターン14を遮光パーニアパ
ターン13上に形成する。遮光パーニアパターン13と位相
シフターバーニアパターン14は、第８図と第10図から明
らかなように直交する２方向に形成され、かつ、位相シ
フターバーニアパターン14の間隙が遮光パーニアパター
ン13の間隙に比べて僅かに大きく形成されている。間隙
のこの関係は逆であってもよい。また、この例の場合
は、位相シフター膜厚測定用の位相シフターパターン10
の下に、遮光パターンは形成されていない。
このように形成した位相シフター膜厚測定用パターン
８（10）を用いて、触針式膜厚計で位相シフターの膜厚
を測定した。
８（10）を用いて、触針式膜厚計で位相シフターの膜厚
を測定した。
次に、遮光バーニアパターン13と位相シフターバーニ
アパターン14を用いて直交する２方向の位置ずれ精度を
測定した。
アパターン14を用いて直交する２方向の位置ずれ精度を
測定した。
本考案の位相シフト層を有するフォトマスクによる
と、半導体デバイスの配線等を示す主パターン以外に、
この主パターンにかからない部分に位相シフター膜厚測
定用パターンを設けている。このため、主なパターンを
傷つけることなく、位相シフターの膜厚測定が可能にな
る。また、同様にアライメイト精度測定用パターンを設
けることにより、位相シフターと遮光パターンのアライ
メイト精度の確認が可能になる。
と、半導体デバイスの配線等を示す主パターン以外に、
この主パターンにかからない部分に位相シフター膜厚測
定用パターンを設けている。このため、主なパターンを
傷つけることなく、位相シフターの膜厚測定が可能にな
る。また、同様にアライメイト精度測定用パターンを設
けることにより、位相シフターと遮光パターンのアライ
メイト精度の確認が可能になる。
つまり、この２種類のパターンにより、個々の位相シ
フトマスクの位相シフターの膜厚、アライメイト精度の
保証が可能となる。さらに、アライメイト精度測定用パ
ターンを観察することにより、遮光パターンと位相パタ
ーンの位置や向きの適否を容易に確認できる。
フトマスクの位相シフターの膜厚、アライメイト精度の
保証が可能となる。さらに、アライメイト精度測定用パ
ターンを観察することにより、遮光パターンと位相パタ
ーンの位置や向きの適否を容易に確認できる。
第１図は本考案の１実施例の位相シフト層を有するフォ
トマスクのパターンの配置を示す図、第２図は位相シフ
ター膜厚測定用パターンの１例の構成を示す図、第３図
はアライメイト精度測定用パターンの１例の構成を示す
図、第４図は別の実施例のフォトマスクのパターンの配
置を示す図、第５図は第４図における位相シフター膜厚
測定用補助パターンの構成を示す図、第６図は第４図に
おけるアライメイト精度測定用遮光パターンの構成を示
す図、第７図はさらに別の実施例のフォトマスクのパタ
ーンの配置を示す図、第８図は第７図における遮光バー
ニアパターンの平面図、第９図は第７図における位相シ
フター膜厚測定用パターンの構成を示す図、第10図は第
７図における位相シフターバーニアパターンの平面図、
第11図は位相シフト法の原理を示す図、第12図は従来法
を示す図である。 １……基板、２……遮光膜、３……位相シフター、４…
…入射光、５……主パターン、６……アライメイトマー
ク、７……アライメイト精度測定用パターン、８……位
相シフター膜厚測定用パターン、９……位相シフター膜
厚測定用補助パターン、10……位相シフター膜厚測定用
パターン本体、11……アライメイト精度測定用遮光パタ
ーン、12……アライメイト精度測定用位相シフターパタ
ーン、13……遮光バーニアパターン、14……位相シフタ
ーバーニアパターン
トマスクのパターンの配置を示す図、第２図は位相シフ
ター膜厚測定用パターンの１例の構成を示す図、第３図
はアライメイト精度測定用パターンの１例の構成を示す
図、第４図は別の実施例のフォトマスクのパターンの配
置を示す図、第５図は第４図における位相シフター膜厚
測定用補助パターンの構成を示す図、第６図は第４図に
おけるアライメイト精度測定用遮光パターンの構成を示
す図、第７図はさらに別の実施例のフォトマスクのパタ
ーンの配置を示す図、第８図は第７図における遮光バー
ニアパターンの平面図、第９図は第７図における位相シ
フター膜厚測定用パターンの構成を示す図、第10図は第
７図における位相シフターバーニアパターンの平面図、
第11図は位相シフト法の原理を示す図、第12図は従来法
を示す図である。 １……基板、２……遮光膜、３……位相シフター、４…
…入射光、５……主パターン、６……アライメイトマー
ク、７……アライメイト精度測定用パターン、８……位
相シフター膜厚測定用パターン、９……位相シフター膜
厚測定用補助パターン、10……位相シフター膜厚測定用
パターン本体、11……アライメイト精度測定用遮光パタ
ーン、12……アライメイト精度測定用位相シフターパタ
ーン、13……遮光バーニアパターン、14……位相シフタ
ーバーニアパターン
Claims (5)
- 【請求項１】遮光領域によって隔離されかつ相互に隣接
する透明領域間に位相差を与える位相シフターと遮光パ
ターンとを有するフォトマスクにおいて、主パターンに
かからない部分に、位相シフターの膜厚を測定するため
の位相シフター膜厚測定用パターンと、遮光パターンと
位相シフターパターンとのアライメント精度を測定する
ためのアライメント精度測定用パターンとを設けたこと
を特徴とする位相シフト層を有するフォトマスク。 - 【請求項２】前記位相シフター膜厚測定用パターンは、
遮光パターンの一部をなす補助パターン上に形成され、
位相シフターの一部をなす膜厚測定用パターンから構成
されていることを特徴とする請求項１記載の位相シフト
層を有するフォトマスク。 - 【請求項３】前記位相シフター膜厚測定用パターンは、
フォトマスク基板上に直接形成され、位相シフターの一
部をなす膜厚測定用パターンから構成されていることを
特徴とする請求項１記載の位相シフト層を有するフォト
マスク。 - 【請求項４】前記アライメント精度測定用パターンは、
遮光パターンの一部をなすアライメイト精度測定用遮光
パターンと、位相シフターの一部をなすアライメイト精
度測定用位相シフターパターンとからなることを特徴と
する請求項１から３の何れか１項記載の位相シフト層を
有するフォトマスク。 - 【請求項５】前記アライメイト精度測定用遮光パターン
が所定間隔の遮光バーニアパターンからなり、前記アラ
イメイト精度測定用位相シフターパターンが前記間隙と
僅かに異なる間隙の位相シフターバーニアパターンから
なることを特徴とする請求項４記載の位相シフト層を有
するフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9830890U JP2551102Y2 (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 位相シフト層を有するフォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9830890U JP2551102Y2 (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 位相シフト層を有するフォトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0455042U JPH0455042U (ja) | 1992-05-12 |
| JP2551102Y2 true JP2551102Y2 (ja) | 1997-10-22 |
Family
ID=31839385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9830890U Expired - Lifetime JP2551102Y2 (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 位相シフト層を有するフォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2551102Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2500423B2 (ja) * | 1993-02-17 | 1996-05-29 | 日本電気株式会社 | 位相シフトマスクの検査方法 |
-
1990
- 1990-09-19 JP JP9830890U patent/JP2551102Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0455042U (ja) | 1992-05-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5656397A (en) | Mask having a phase shifter and method of manufacturing same | |
| JPH02140743A (ja) | 集積回路装置の製造方法 | |
| JP3160332B2 (ja) | ハーフトーン位相シフトフォトマスク | |
| JPH08297359A (ja) | 位相シフトマスクの製造方法および半導体集積回路装置の製造方法 | |
| KR0172790B1 (ko) | 위상반전 마스크 및 그 제조방법 | |
| JP3312703B2 (ja) | 位相シフトフォトマスクの修正方法 | |
| JPH06289589A (ja) | 位相シフトマスクとその製造方法そしてそれに用いるブランク | |
| JPH04218046A (ja) | ホトマスク及びその製造方法 | |
| JP2551102Y2 (ja) | 位相シフト層を有するフォトマスク | |
| JPH06250376A (ja) | 位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法 | |
| KR0184277B1 (ko) | 위상시프터를 갖는 마스크와 그 제조방법 및 그 마스크를 사용한 패턴형성방법 | |
| JP3251665B2 (ja) | 位相シフト層を有するフォトマスクの修正方法 | |
| JP2652341B2 (ja) | 位相反転マスクの製造方法 | |
| JPH08194303A (ja) | 位相シフトマスクおよびその製造方法 | |
| JP3422054B2 (ja) | 光学マスクおよびその製造方法 | |
| JPH05142745A (ja) | 位相シフトマスク及びマスクの製造方法 | |
| JP3409924B2 (ja) | フォトマスクおよびその製造方法ならびにそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JP2693805B2 (ja) | レチクル及びこれを用いたパターン形成方法 | |
| JPH02247647A (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| JP3072917B2 (ja) | 位相シフト層を有するレクチルの製造方法 | |
| JP3241809B2 (ja) | 位相シフト層を有するフォトマスクの製造方法 | |
| JPH06347993A (ja) | 位相シフトマスクおよびその製造方法 | |
| JP3222531B2 (ja) | 位相シフト層を有するフォトマスクの製造方法 | |
| JP3207913B2 (ja) | 位相シフトフォトマスクの製造方法 | |
| JPH06118619A (ja) | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |