JP2550104B2 - マーク位置検出方法 - Google Patents
マーク位置検出方法Info
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- JP2550104B2 JP2550104B2 JP62263773A JP26377387A JP2550104B2 JP 2550104 B2 JP2550104 B2 JP 2550104B2 JP 62263773 A JP62263773 A JP 62263773A JP 26377387 A JP26377387 A JP 26377387A JP 2550104 B2 JP2550104 B2 JP 2550104B2
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- Japan
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- mark
- scanning
- wafer
- signal
- point
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電子ビーム描画装置等のような荷電粒子線
装置における、ウエハーや試料ステージ上に設けられる
マーク位置の検出に最適なマーク位置検出方法に関す
る。
装置における、ウエハーや試料ステージ上に設けられる
マーク位置の検出に最適なマーク位置検出方法に関す
る。
電子ビーム描画装置、特にウエハーにパターンを直接
描画することを目的とした上記装置にあつては、あらか
じめウエハーにマークを付けておき、このマーク位置を
基準にして描画が行なわれる。マーク位置の検出方法に
関連するものには例えば、特願昭53−157417,同61−140
069,同52−78672,同41−53826,同60−48002等がある。
描画することを目的とした上記装置にあつては、あらか
じめウエハーにマークを付けておき、このマーク位置を
基準にして描画が行なわれる。マーク位置の検出方法に
関連するものには例えば、特願昭53−157417,同61−140
069,同52−78672,同41−53826,同60−48002等がある。
ウエハーに直接パターンを形成するいわゆる直描機
は、前回描画したパターンに合わせて定められた位置に
新しいパターンを描画する。したがつて、第１回目のパ
ターンの描画の際、第２回目以降のパターン描画のため
のマーク（基準点を示す図形）を併せて描画するか、も
しくは、あらかじめマークの付されたウエハーを用い
て、該マーク位置を検出し、その情報にもとづいてウエ
ハーを正規の位置に移動させるか、パターン描画のため
の電子ビーム偏向信号を制御することが必要である。
は、前回描画したパターンに合わせて定められた位置に
新しいパターンを描画する。したがつて、第１回目のパ
ターンの描画の際、第２回目以降のパターン描画のため
のマーク（基準点を示す図形）を併せて描画するか、も
しくは、あらかじめマークの付されたウエハーを用い
て、該マーク位置を検出し、その情報にもとづいてウエ
ハーを正規の位置に移動させるか、パターン描画のため
の電子ビーム偏向信号を制御することが必要である。
この目的のために通常第２図に示すようにウエハー１
の周辺にウエハーマークと呼ばれるマーク２が、またウ
エハー内の例えばチツプ３の周辺にチツプマークと呼ば
れるマーク４が設けられる。前者はウエハーの回転や、
XY位置などの補正をするために、後者は前回描画したチ
ツプないしはチツプ群の回転やXY位置などを補正して合
わせ描画をするために使われるマークである。これらマ
ークはたとえば第３図（ａ）に示すようなSi基板に溝を
掘つた構造のものである。
の周辺にウエハーマークと呼ばれるマーク２が、またウ
エハー内の例えばチツプ３の周辺にチツプマークと呼ば
れるマーク４が設けられる。前者はウエハーの回転や、
XY位置などの補正をするために、後者は前回描画したチ
ツプないしはチツプ群の回転やXY位置などを補正して合
わせ描画をするために使われるマークである。これらマ
ークはたとえば第３図（ａ）に示すようなSi基板に溝を
掘つた構造のものである。
いま、このマーク上をＡ点からＢ点に向つて電子ビー
ム５をｘ（μｍ）のステツプで順次走査すると、該マー
クから発生する反射電子の強さは例えば同図（ｂ）の波
形６に示すような変化をする。したがつて、比較レベル
７を設定しておき、該レベルをよぎつた瞬間の電子ビー
ム位置n1,n2を求めることによつて、Ａ点からのマーク
の中心位置は、 として算出することができる。
ム５をｘ（μｍ）のステツプで順次走査すると、該マー
クから発生する反射電子の強さは例えば同図（ｂ）の波
形６に示すような変化をする。したがつて、比較レベル
７を設定しておき、該レベルをよぎつた瞬間の電子ビー
ム位置n1,n2を求めることによつて、Ａ点からのマーク
の中心位置は、 として算出することができる。
上述した如き方法によつてマーク位置を求めるために
は、電子ビーム５の走査範囲はマークの手前から、マー
クを行きすぎる迄であることが必須であるが、たとえば
第２図に示しているようにウエハー１が回転している
と、同図に示している上下２つのウエハーマーク２のう
ち、上のウエハーマークについては、電子ビームの走査
領域（点線で示す）の端部にマーク２があるので、正し
いマーク検出が不能になる。このような場合にはマーク
全域を走査するように走査開始点を右にずらす必要があ
る。
は、電子ビーム５の走査範囲はマークの手前から、マー
クを行きすぎる迄であることが必須であるが、たとえば
第２図に示しているようにウエハー１が回転している
と、同図に示している上下２つのウエハーマーク２のう
ち、上のウエハーマークについては、電子ビームの走査
領域（点線で示す）の端部にマーク２があるので、正し
いマーク検出が不能になる。このような場合にはマーク
全域を走査するように走査開始点を右にずらす必要があ
る。
マーク全域を走査したか否かの判定は、ビーム走査を
した結果のマークのエツジ数（n1,n2）と予想される正
規の数とを比較し、等しかつたらばビームは、マークの
上を正しく走査したと判断できる。
した結果のマークのエツジ数（n1,n2）と予想される正
規の数とを比較し、等しかつたらばビームは、マークの
上を正しく走査したと判断できる。
しかし、このような判定手段を講じているのにも拘ら
ず、従来、電子ビームの走査の終了点にマークの溝があ
る場合には、誤つたマーク検出をすることが多かつた。
ず、従来、電子ビームの走査の終了点にマークの溝があ
る場合には、誤つたマーク検出をすることが多かつた。
上記理由のため、従来はウエハーをウエハーカセツト
にセツトする際のプリアライメントを注意深く精度良く
調整する必要が生じ、きわめて使い難いという問題があ
つた。
にセツトする際のプリアライメントを注意深く精度良く
調整する必要が生じ、きわめて使い難いという問題があ
つた。
本発明においては、マーク信号の発生からマーク信号
として処理する手段迄の回路の応答遅れ時間をＴ秒とす
る時、前記ビーム走査の開始をＴ秒だけ遅らせるかもし
くは、走査が開始してからＴ秒後以降の該マーク信号を
有効とすることを特徴とする。
として処理する手段迄の回路の応答遅れ時間をＴ秒とす
る時、前記ビーム走査の開始をＴ秒だけ遅らせるかもし
くは、走査が開始してからＴ秒後以降の該マーク信号を
有効とすることを特徴とする。
前記従来技術における誤認の原因についての検討結果
を以下説明する。
を以下説明する。
電子ビームの偏向は通常D/A変換器を使い、計算機か
らの描画パターンデータをアナログ電圧に変換してビー
ム偏向器を駆動することによつて行なわれる。たとえば
D/A変換器として12ビツトものとし、ビーム偏向感度が
0.01μm/LSBとすると、最大40μｍのビーム走査幅が得
られる。このD/A変換器は、パターン描画をする時や、
マーク検出をする時に共用するので、出力の変化時間は
非常に早く、例えば100nS程度である。
らの描画パターンデータをアナログ電圧に変換してビー
ム偏向器を駆動することによつて行なわれる。たとえば
D/A変換器として12ビツトものとし、ビーム偏向感度が
0.01μm/LSBとすると、最大40μｍのビーム走査幅が得
られる。このD/A変換器は、パターン描画をする時や、
マーク検出をする時に共用するので、出力の変化時間は
非常に早く、例えば100nS程度である。
一方、ビーム照射によつてマークから発生するマーク
信号のセンサーアンプ帯域は10K〜100KHz程度で、D/A変
換器の動作速度よりも遅い。この理由はアンプ帯域が広
いと、マーク信号に含まれる雑音が大きくなつて所要の
精度が得られないためである。したがつて、ビームの移
動速度は、100μＳ〜10μＳが妥当なところであるが、
これを100μＳとし、ビームの１走査ラインを1LSBステ
ツプで走査すると、12ビツトのD/A変換器を使つていれ
ば4096点であり、ビームの１ライン走査あたり0.4秒も
かかる。実際には、検出精度を上げるために、同一マー
クについて10本以上の走査をし、しかも、Ｘ方向,Y方向
それぞれについて実行するので、上記条件とすれば、１
マーク検出あたり８秒以上を要してしまうことになり、
実用的でない。
信号のセンサーアンプ帯域は10K〜100KHz程度で、D/A変
換器の動作速度よりも遅い。この理由はアンプ帯域が広
いと、マーク信号に含まれる雑音が大きくなつて所要の
精度が得られないためである。したがつて、ビームの移
動速度は、100μＳ〜10μＳが妥当なところであるが、
これを100μＳとし、ビームの１走査ラインを1LSBステ
ツプで走査すると、12ビツトのD/A変換器を使つていれ
ば4096点であり、ビームの１ライン走査あたり0.4秒も
かかる。実際には、検出精度を上げるために、同一マー
クについて10本以上の走査をし、しかも、Ｘ方向,Y方向
それぞれについて実行するので、上記条件とすれば、１
マーク検出あたり８秒以上を要してしまうことになり、
実用的でない。
このような不具合を避けるため、通常においてはビー
ムのステツプ移動速度はアンプの帯域よりは早くしてい
る。なぜ、早くしても問題が生じないのかについて、以
下に述べる。
ムのステツプ移動速度はアンプの帯域よりは早くしてい
る。なぜ、早くしても問題が生じないのかについて、以
下に述べる。
前述したように、描画装置におけるマーク検出方法
は、マーク波形が比較レベルをよぎつた時のビーム位置
からマーク位置を求めるのであるから、波形が消滅しな
い程度にマーク信号に歪が生じてもマーク検出には支障
はない。ただし、アンプの応答遅れがあるため、実際の
マーク位置よりもビーム走査の進行方向にシフトして測
定されてしまうので、ビームを往復走査させてシフトを
除いている。
は、マーク波形が比較レベルをよぎつた時のビーム位置
からマーク位置を求めるのであるから、波形が消滅しな
い程度にマーク信号に歪が生じてもマーク検出には支障
はない。ただし、アンプの応答遅れがあるため、実際の
マーク位置よりもビーム走査の進行方向にシフトして測
定されてしまうので、ビームを往復走査させてシフトを
除いている。
以下、上述した条件すなわち、ビームのステツプ移動
速度がマーク信号のアンプの応答速度よりも早い場合、
なぜビーム走査の端部にマークの溝があるとマーク位置
を誤認するのかについて第４図によつて説明する。
速度がマーク信号のアンプの応答速度よりも早い場合、
なぜビーム走査の端部にマークの溝があるとマーク位置
を誤認するのかについて第４図によつて説明する。
第４図−（ａ）はSiウエハー上のマークと電子ビーム
５の走査との関係の一例を示し、同図（ｂ）の波形は、
走査の結果のマーク信号と、抽出されるマーク位置デー
タ（同図の1n,2n1…）との関係を示している。
５の走査との関係の一例を示し、同図（ｂ）の波形は、
走査の結果のマーク信号と、抽出されるマーク位置デー
タ（同図の1n,2n1…）との関係を示している。
さて、第４図にて、電子ビームをＡ点からＢ点に向つ
て１回目の走査をすると、1nシヨツト後に１つのマーク
エツジが検出される。第１回目の走査が終ると電子ビー
ムはＢ点からＡ点に向つて100nSで急速にフライバツク
し、再びＢ点に向つて走査する（２回目走査）。しか
し、マーク信号のアンプの応答速度は例えば100μＳな
ので、ビームはＡ点にいるのにも拘らず、マークの信号
レベルはあたかもマークの底にビームが当つているかの
ようになつており、100μＳ後すなわち、ビームの移動
ステツプ速度を２μＳとすると、Ａ点からＢ点へ50ステ
ツプ移動後に正常なレベルに戻る。しかし、100μＳの
途中でマーク信号が比較レベル７をよぎるので、偽りの
マークエツジが2n1として検出される。さらに走査が進
むと2n2シヨツト目で真のマークエツジが検出される。
この結果、第２回目の走査では2n1と2n2の２つのマーク
位置データが抽出される。エツジが２つ見つかると、ビ
ーム走査範囲は正しいと判断されるので結局誤つたマー
ク位置（いまの例では走査のほぼ中央）が求められてし
まうことになる。以後何回走査を繰り返しても同じであ
る。
て１回目の走査をすると、1nシヨツト後に１つのマーク
エツジが検出される。第１回目の走査が終ると電子ビー
ムはＢ点からＡ点に向つて100nSで急速にフライバツク
し、再びＢ点に向つて走査する（２回目走査）。しか
し、マーク信号のアンプの応答速度は例えば100μＳな
ので、ビームはＡ点にいるのにも拘らず、マークの信号
レベルはあたかもマークの底にビームが当つているかの
ようになつており、100μＳ後すなわち、ビームの移動
ステツプ速度を２μＳとすると、Ａ点からＢ点へ50ステ
ツプ移動後に正常なレベルに戻る。しかし、100μＳの
途中でマーク信号が比較レベル７をよぎるので、偽りの
マークエツジが2n1として検出される。さらに走査が進
むと2n2シヨツト目で真のマークエツジが検出される。
この結果、第２回目の走査では2n1と2n2の２つのマーク
位置データが抽出される。エツジが２つ見つかると、ビ
ーム走査範囲は正しいと判断されるので結局誤つたマー
ク位置（いまの例では走査のほぼ中央）が求められてし
まうことになる。以後何回走査を繰り返しても同じであ
る。
以上詳述した如く、ビームの走査速度が、マーク信号
アンプの応答よりも早い場合、従来方法では避け得ない
問題であつた。
アンプの応答よりも早い場合、従来方法では避け得ない
問題であつた。
本発明においては前記問題点を、マーク信号アンプの
応答遅れに相当する時間待つてからビーム走査を開始す
るか、ビーム走査を開始してから上記アンプの応答遅れ
時間の間に抽出されるマークエツジデータを棄却する。
応答遅れに相当する時間待つてからビーム走査を開始す
るか、ビーム走査を開始してから上記アンプの応答遅れ
時間の間に抽出されるマークエツジデータを棄却する。
即ち、本発明によれば、電子ビームがマーク部位以外
を照射しているにも拘らず、あたかもマーク部位を照射
しているかの如く抽出される偽りのマークエツジ信号を
除外でき、この結果、ビーム走査の終点にマークの溝が
存在している場合には、ビームの走査範囲がずれている
ということを正しく認識することができる。これによつ
てマーク位置の誤認という問題が解決される。
を照射しているにも拘らず、あたかもマーク部位を照射
しているかの如く抽出される偽りのマークエツジ信号を
除外でき、この結果、ビーム走査の終点にマークの溝が
存在している場合には、ビームの走査範囲がずれている
ということを正しく認識することができる。これによつ
てマーク位置の誤認という問題が解決される。
以下、本発明の一実施例を第５図により説明する。10
は描画制御計算機、11はタイマー、12はビーム偏向信号
発生部、13はビーム偏向器、14は電子ビーム、15はマー
クエツジ位置データメモリー、16はマークエツジ部検出
回路、17はマーク信号アンプ、18は反射電子検出器、19
はマークを有するウエハーである。
は描画制御計算機、11はタイマー、12はビーム偏向信号
発生部、13はビーム偏向器、14は電子ビーム、15はマー
クエツジ位置データメモリー、16はマークエツジ部検出
回路、17はマーク信号アンプ、18は反射電子検出器、19
はマークを有するウエハーである。
描画制御計算機10からビーム走査始点等のマーク検出
条件データがビーム偏向信号発生部12にセツトされる。
しかる後、上記計算機10から起動命令が発行されると、
ビーム偏向信号発生部12は電子ビーム14を偏向し、ウエ
ハー19の所定の位置（例えば第４図のＡ点）にビームを
偏向し、照射する。
条件データがビーム偏向信号発生部12にセツトされる。
しかる後、上記計算機10から起動命令が発行されると、
ビーム偏向信号発生部12は電子ビーム14を偏向し、ウエ
ハー19の所定の位置（例えば第４図のＡ点）にビームを
偏向し、照射する。
同時に線20上にタイマー11の駆動信号を発生し、タイ
マー11はマーク信号アンプ17の応答遅れに相当する時間
（Ｔ秒間）動作する。タイマー11の動作が終了すると、
線21に終了信号が発生し、ビーム偏向信号発生部12は、
あらかじめ設定されている条件に従いビーム14の走査を
開始する。走査の結果ウエハー19から発生する反射電子
は反射電子検出器18で検出され、マーク信号アンプ17は
適当な電圧レベルに増幅をする。
マー11はマーク信号アンプ17の応答遅れに相当する時間
（Ｔ秒間）動作する。タイマー11の動作が終了すると、
線21に終了信号が発生し、ビーム偏向信号発生部12は、
あらかじめ設定されている条件に従いビーム14の走査を
開始する。走査の結果ウエハー19から発生する反射電子
は反射電子検出器18で検出され、マーク信号アンプ17は
適当な電圧レベルに増幅をする。
マーク信号アンプ17の出力は、例えばビーム走査とマ
ークとの関係が第４図−（ａ）のようであれば、第１図
で示す波形となる。同図でＴはマーク信号アンプの応答
遅れ時間に相当するタイマー11で設定される時間で100
μＳに設定してある。TSはビームのステツプ移動時間で
２μＳである。
ークとの関係が第４図−（ａ）のようであれば、第１図
で示す波形となる。同図でＴはマーク信号アンプの応答
遅れ時間に相当するタイマー11で設定される時間で100
μＳに設定してある。TSはビームのステツプ移動時間で
２μＳである。
この結果第１図の波形からあきらかなように、ビーム
がＡ点にＴ秒間止つている間にマーク信号は正しいレベ
ルに復帰することになる。この結果マークエツジ部検出
回路16は１本のビーム走査あたり１ケのマークエツジ
（ｎ）を検出し、エツジデータメモリ15は、マークエツ
ジを検出した時のビーム偏向信号発生部12から出力され
るビーム座標をストアする。
がＡ点にＴ秒間止つている間にマーク信号は正しいレベ
ルに復帰することになる。この結果マークエツジ部検出
回路16は１本のビーム走査あたり１ケのマークエツジ
（ｎ）を検出し、エツジデータメモリ15は、マークエツ
ジを検出した時のビーム偏向信号発生部12から出力され
るビーム座標をストアする。
所定の走査本数について、同様動作の実行が終了する
と、計算機10はエツジデータメモリ15の内容をリードす
る。今の場合、リードされたエツジデータは、１本のビ
ーム走査あたり１ケのエツジデータであるので、計算機
はビーム偏向信号発生部に対して、走査始点をシフトし
たデータを送出し、上記マーク検出動作が続行されるこ
とになる。
と、計算機10はエツジデータメモリ15の内容をリードす
る。今の場合、リードされたエツジデータは、１本のビ
ーム走査あたり１ケのエツジデータであるので、計算機
はビーム偏向信号発生部に対して、走査始点をシフトし
たデータを送出し、上記マーク検出動作が続行されるこ
とになる。
以上詳述した如く、第５図の実施例によれば、マーク
位置の誤認を防止することが可能になる。ただし、ビー
ムは走査始点（Ａ点）を100μＳの間照射するため、レ
ジストがポジ形であると、いわゆるバブリングと呼ばれ
る現象が生じ、マーク検出精度を低下させる可能性があ
る。
位置の誤認を防止することが可能になる。ただし、ビー
ムは走査始点（Ａ点）を100μＳの間照射するため、レ
ジストがポジ形であると、いわゆるバブリングと呼ばれ
る現象が生じ、マーク検出精度を低下させる可能性があ
る。
バブリングを防止できる他の一実施例を第６図に示
す。第５図との相違点は、タイマー11が動作している間
は、マーク検出回路16の動作を禁止するように出力線21
でもつてマーク検出回路を制御することである。すなわ
ち、第１図の期間Ｔ秒の間は、マーク検出動作を禁止す
る働きをするものである。
す。第５図との相違点は、タイマー11が動作している間
は、マーク検出回路16の動作を禁止するように出力線21
でもつてマーク検出回路を制御することである。すなわ
ち、第１図の期間Ｔ秒の間は、マーク検出動作を禁止す
る働きをするものである。
以上詳述した実施例はハードウエアで構成したが、マ
ーク検出処理時間が多少長くなるという欠点を除くなら
ば、従来の構成すなわち、第５図，第６図におけるタイ
マー11が無い状態であつても、ソフトウエア上で本発明
を実施できる。以下実施例を説明する。
ーク検出処理時間が多少長くなるという欠点を除くなら
ば、従来の構成すなわち、第５図，第６図におけるタイ
マー11が無い状態であつても、ソフトウエア上で本発明
を実施できる。以下実施例を説明する。
ビーム走査とマークとの位置関係が第４図のようであ
ると、計算機はマークエツジデータ1n,2n1,2n2,…を認
識する。したがつて前述した如く、従来の処理方法では
マーク位置を誤認する。
ると、計算機はマークエツジデータ1n,2n1,2n2,…を認
識する。したがつて前述した如く、従来の処理方法では
マーク位置を誤認する。
さて、上記ｎはビームが走査方向に何ステツプ移動し
たのかを示す数であり、またビーム１ステツプ移動時間
TSはわかつているのであるから、マーク信号アンプの応
答遅れ時間Ｔ（いまの例では100μＳ）に相当するｎの
値を知ることができる。いま、TS＝２μＳとすると、ｎ
＝50を得る。したがつて、検出されたマークエツジデー
タが50よりも小さいものを無視する処理をすれば、マー
ク位置の誤認を防ぐことが可能になる。
たのかを示す数であり、またビーム１ステツプ移動時間
TSはわかつているのであるから、マーク信号アンプの応
答遅れ時間Ｔ（いまの例では100μＳ）に相当するｎの
値を知ることができる。いま、TS＝２μＳとすると、ｎ
＝50を得る。したがつて、検出されたマークエツジデー
タが50よりも小さいものを無視する処理をすれば、マー
ク位置の誤認を防ぐことが可能になる。
〔発明の効果〕 以上詳述した如く本発明によれば、電子ビーム１本の
走査の終了点がマークの溝の中であつた場合に生じるマ
ーク位置の誤認を確実に防止できる。
走査の終了点がマークの溝の中であつた場合に生じるマ
ーク位置の誤認を確実に防止できる。
この結果、ウエハーをウエハーカセツトにセツトする
際のプリアライメント精度が大幅に緩和されるので、描
画装置の使い勝手がきわめて向上するという効果があ
る。
際のプリアライメント精度が大幅に緩和されるので、描
画装置の使い勝手がきわめて向上するという効果があ
る。
第１図は本発明の方法を説明するためのマーク信号波形
図、第２図はマークの位置関係を示すウエハーの平面
図、第３図はマーク検出の原理を説明する図、第４図は
ビームがマーク領域を正しく走査しなかつた時に、間違
つたマーク検出をすることを説明する図、第５図，第６
図はそれぞれ本発明の実施例を示すマーク検出手段のブ
ロツク図である。 １……ウエハー、2,4……マーク、11……タイマー、17
……マーク信号アンプ、16……マークエツジ部検出回
路。
図、第２図はマークの位置関係を示すウエハーの平面
図、第３図はマーク検出の原理を説明する図、第４図は
ビームがマーク領域を正しく走査しなかつた時に、間違
つたマーク検出をすることを説明する図、第５図，第６
図はそれぞれ本発明の実施例を示すマーク検出手段のブ
ロツク図である。 １……ウエハー、2,4……マーク、11……タイマー、17
……マーク信号アンプ、16……マークエツジ部検出回
路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 実 茨城県勝田市市毛882番地 株式会社日 立製作所那珂工場内 (72)発明者 河崎 勝浩 茨城県勝田市市毛882番地 株式会社日 立製作所那珂工場内 (56)参考文献 特開 昭62−212509（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−265721（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−298114（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】荷電粒子ビームでマークを走査する手段
と、該走査によつて前記マークから発生する反射電子も
しくは二次電子信号をマーク信号として処理する手段と
により、上記マークの位置検出を行なうマーク位置検出
方法において、前記マーク信号の発生からマーク信号と
して処理する手段迄の回路の応答遅れ時間をＴ秒とする
時、前記ビーム走査の開始をＴ秒だけ遅らせるかもしく
は、走査が開始してからＴ秒後以降の該マーク信号を有
効とすることを特徴とするマーク位置検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62263773A JP2550104B2 (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | マーク位置検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62263773A JP2550104B2 (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | マーク位置検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01109203A JPH01109203A (ja) | 1989-04-26 |
| JP2550104B2 true JP2550104B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=17394083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62263773A Expired - Fee Related JP2550104B2 (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | マーク位置検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2550104B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007188174A (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-26 | Hitachi High-Technologies Corp | 画像照合評価装置、画像照合評価方法、及びプログラム |
-
1987
- 1987-10-21 JP JP62263773A patent/JP2550104B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01109203A (ja) | 1989-04-26 |
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