JP2546419B2 - レーザｃｖｄ装置 - Google Patents
レーザｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JP2546419B2 JP2546419B2 JP2221077A JP22107790A JP2546419B2 JP 2546419 B2 JP2546419 B2 JP 2546419B2 JP 2221077 A JP2221077 A JP 2221077A JP 22107790 A JP22107790 A JP 22107790A JP 2546419 B2 JP2546419 B2 JP 2546419B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- sample
- laser
- stage
- cvd apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レーザCVD装置に関し、特に試料を走査す
るためのXYステージ及びチャンバの構造に関する。
るためのXYステージ及びチャンバの構造に関する。
レーザCVD装置では、励起源であるレーザ光を導入す
るためにチャンバ壁面にガラス窓（レーザ光を透過する
材質）が設けられている。また、レーザCVDによる局所
堆積を利用して薄膜のパターニングを行うことを目的と
するレーザCVD装置では、通常レーザ光に対して試料を
走査するための手段としてXYステージが用いられてい
る。
るためにチャンバ壁面にガラス窓（レーザ光を透過する
材質）が設けられている。また、レーザCVDによる局所
堆積を利用して薄膜のパターニングを行うことを目的と
するレーザCVD装置では、通常レーザ光に対して試料を
走査するための手段としてXYステージが用いられてい
る。
従来のレーザCVD装置では、XYステージの設置位置と
して次の２通りの方法が採用されていた。
して次の２通りの方法が採用されていた。
（ｉ）XYステージを全てチャンバ内（化合物気体雰囲気
中）に設置するもの（チャンバ内部型と呼ぶ）。例え
ば、特願昭61−220158号に一例がみられる。今、第３図
にこの従来例の構成を示す。第３図においてはXYステー
ジ１は全てチャンバ２内に配置されており、励起源であ
るレーザ光を導入するためにチャンバ２の上壁面にガラ
ス窓３が設けられている。該ガラス窓３の下側には試料
４が、ガラス窓３の上側には対物レンズ５が配置されて
いる。
中）に設置するもの（チャンバ内部型と呼ぶ）。例え
ば、特願昭61−220158号に一例がみられる。今、第３図
にこの従来例の構成を示す。第３図においてはXYステー
ジ１は全てチャンバ２内に配置されており、励起源であ
るレーザ光を導入するためにチャンバ２の上壁面にガラ
ス窓３が設けられている。該ガラス窓３の下側には試料
４が、ガラス窓３の上側には対物レンズ５が配置されて
いる。
（ii）チャンバ全体をXYステージで移動させるもので、
この場合XYステージは全てチャンバの外部に置かれる
（チャンバ外部型と呼ぶ）。この例としては、文献
（１）J.Vac.Sci.Technol,B5,496（1987） （２）App
l.Phys.Lett,43,946（1983）等にみられる。これらの例
における構成を第４図（Ａ）〜（Ｃ）に示す。同図にお
いて、XYステージ１はその全体がチャンバ２の下側外部
に設置されており、チャンバ２全体をXYステージ１で移
動させると共に試料４（同図Ｂ）にはガラス窓３を介し
て対物レンズ５でレーザ光が集光されるように構成され
ている。なお、対物レンズ５の上方にはダイクロイック
ミラー６が配置されており、第４図（Ａ）、（Ｃ）にお
いてレーザ７からのレーザ光は光学シャッタ８、レンズ
９を経た後、ダイクロイックミラー６に導かれるように
構成されている。また、第４図（Ａ）において、符号9a
はモニタ、9bはコンピュータ、9cはインタフェース、37
は反射光照明器、38は透過光照明器、39は反射ミラー、
36はカメラである。また、第４図（Ｃ）において、符号
9dはフォトダイオード、9eは光導電効果を利用したビジ
コン、9fはモニタ、9gはホストコンピュータ、9hは制御
装置、41は受光部、42はアイピース、43は光源、44は制
御信号を示している。
この場合XYステージは全てチャンバの外部に置かれる
（チャンバ外部型と呼ぶ）。この例としては、文献
（１）J.Vac.Sci.Technol,B5,496（1987） （２）App
l.Phys.Lett,43,946（1983）等にみられる。これらの例
における構成を第４図（Ａ）〜（Ｃ）に示す。同図にお
いて、XYステージ１はその全体がチャンバ２の下側外部
に設置されており、チャンバ２全体をXYステージ１で移
動させると共に試料４（同図Ｂ）にはガラス窓３を介し
て対物レンズ５でレーザ光が集光されるように構成され
ている。なお、対物レンズ５の上方にはダイクロイック
ミラー６が配置されており、第４図（Ａ）、（Ｃ）にお
いてレーザ７からのレーザ光は光学シャッタ８、レンズ
９を経た後、ダイクロイックミラー６に導かれるように
構成されている。また、第４図（Ａ）において、符号9a
はモニタ、9bはコンピュータ、9cはインタフェース、37
は反射光照明器、38は透過光照明器、39は反射ミラー、
36はカメラである。また、第４図（Ｃ）において、符号
9dはフォトダイオード、9eは光導電効果を利用したビジ
コン、9fはモニタ、9gはホストコンピュータ、9hは制御
装置、41は受光部、42はアイピース、43は光源、44は制
御信号を示している。
しかしながら、上述の従来例では、特に大型の試料を
扱う上で、それぞれ次に示すような問題が存在する。
扱う上で、それぞれ次に示すような問題が存在する。
（ｉ）第３図に示すチャンバ内部型の問題 この形式ではXYステージ１全体をチャンバ２内に設置
するため、プロセス上必要な空間以上に、チャンバ２の
内容積が大きくなる欠点が存在する。
するため、プロセス上必要な空間以上に、チャンバ２の
内容積が大きくなる欠点が存在する。
これは、XYステージ１の投影床面積が、試料４の面積
の４倍程度を必要とするためで、避けることができな
い。
の４倍程度を必要とするためで、避けることができな
い。
また、６インチ角のストロークを考えた場合でも、機
構部品が占有する体積を除いて30〜40の空間が発生す
るが、将来の応用が見込まれる450mm角のLCD（液晶ディ
スプレイ）用ガラス基板を試料として考えた場合には、
その容積は数百にものぼってしまう。このため、チャ
ンバ２の内部雰囲気を置換するための排気時間を置換す
るための排気時間、化合物気体の消費量等を考えれば実
用的な装置構成とは言えないことは明らかである。
構部品が占有する体積を除いて30〜40の空間が発生す
るが、将来の応用が見込まれる450mm角のLCD（液晶ディ
スプレイ）用ガラス基板を試料として考えた場合には、
その容積は数百にものぼってしまう。このため、チャ
ンバ２の内部雰囲気を置換するための排気時間を置換す
るための排気時間、化合物気体の消費量等を考えれば実
用的な装置構成とは言えないことは明らかである。
（ii）第４図（Ａ）〜（Ｃ）に示すチャンバ外部型の問
題 この場合はチャンバ２の容積を最小限に小さくできる
利点はあるが、チャンバ２の壁面に、取り付けるガラス
窓３の板厚と対物レンズ５の関係が問題となってくる。
通常チャンバ２内に試料４を設置した後の雰囲気置換に
は、真空排気系が採用されるため、ガラス窓３は１気圧
の圧力差で破壊されないだけの板厚にしなければならな
い。しかしながら、試料４の面積が大きくなり、これを
カバーするためにガラス窓３の面積を広げていくと、こ
れが急速に厚くなってしまう。例えば、有効エリア400m
m角のガラス窓３の場合十数mmの板厚のガラスが必要と
なる。一方で、レーザ光を数μｍ以下の径で集光できる
ような対物レンズ５ではその作動距離を15mm以上とるこ
とが技術的に困難であり、上述のような厚いガラス窓３
を使用した装置は構成できない。
題 この場合はチャンバ２の容積を最小限に小さくできる
利点はあるが、チャンバ２の壁面に、取り付けるガラス
窓３の板厚と対物レンズ５の関係が問題となってくる。
通常チャンバ２内に試料４を設置した後の雰囲気置換に
は、真空排気系が採用されるため、ガラス窓３は１気圧
の圧力差で破壊されないだけの板厚にしなければならな
い。しかしながら、試料４の面積が大きくなり、これを
カバーするためにガラス窓３の面積を広げていくと、こ
れが急速に厚くなってしまう。例えば、有効エリア400m
m角のガラス窓３の場合十数mmの板厚のガラスが必要と
なる。一方で、レーザ光を数μｍ以下の径で集光できる
ような対物レンズ５ではその作動距離を15mm以上とるこ
とが技術的に困難であり、上述のような厚いガラス窓３
を使用した装置は構成できない。
本発明の目的は上述した問題に鑑みなされたもので、
試料の外形寸法によらずガラス窓の板厚を比較的薄いも
のに保つことができ、しかもチャンバ内部型の場合より
もチャンバ容積を小さくでき、装置も小型にできるレー
ザCVD装置を提供するにある。
試料の外形寸法によらずガラス窓の板厚を比較的薄いも
のに保つことができ、しかもチャンバ内部型の場合より
もチャンバ容積を小さくでき、装置も小型にできるレー
ザCVD装置を提供するにある。
本発明は、解離反応により導電性物質を形成する化合
物気体を含む雰囲気中に配置された試料上にレーザ光を
集光照射して、主にこの照射点での局部的な温度上昇に
よる熱CVD作用により、前記照射点近傍に導電性物質を
局所堆積させ、さらに前記レーザ光に対して試料を相対
的に走査することにより、前記試料上に導電性物質を連
続的に堆積して配線を形成するレーザCVD装置におい
て、前記試料をレーザ光に対して相対的に走査する手段
としてXYステージを用い、かつこのXYステージの２軸の
うちの１軸を、試料を前記化合物気体雰囲気中に保持す
るために使用するチャンバ内に設置し、他の１軸をチャ
ンバ全体を動かすようにチャンバ外に設置するように構
成したものである。
物気体を含む雰囲気中に配置された試料上にレーザ光を
集光照射して、主にこの照射点での局部的な温度上昇に
よる熱CVD作用により、前記照射点近傍に導電性物質を
局所堆積させ、さらに前記レーザ光に対して試料を相対
的に走査することにより、前記試料上に導電性物質を連
続的に堆積して配線を形成するレーザCVD装置におい
て、前記試料をレーザ光に対して相対的に走査する手段
としてXYステージを用い、かつこのXYステージの２軸の
うちの１軸を、試料を前記化合物気体雰囲気中に保持す
るために使用するチャンバ内に設置し、他の１軸をチャ
ンバ全体を動かすようにチャンバ外に設置するように構
成したものである。
本発明によれば、XYステージの１軸をチャンバ内に、
もう１軸をチャンバ全体を動かすようにチャンバの外部
に置くことにより、チャンバの外部に置くステージの移
動方向にのみ長さをとった、細長いガラス窓でよいため
板厚が薄くても圧力差に耐えられる。したがって、ガラ
ス窓の板厚を比較的薄くしたままで、大型試料に対応で
きる。さらに、上記構成によりチャンバ内部型の場合よ
りもチャンバ容積を小さくでき、装置も小型化できる。
もう１軸をチャンバ全体を動かすようにチャンバの外部
に置くことにより、チャンバの外部に置くステージの移
動方向にのみ長さをとった、細長いガラス窓でよいため
板厚が薄くても圧力差に耐えられる。したがって、ガラ
ス窓の板厚を比較的薄くしたままで、大型試料に対応で
きる。さらに、上記構成によりチャンバ内部型の場合よ
りもチャンバ容積を小さくでき、装置も小型化できる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明に係るレーザCVD装置の一実施例を示
す全体構成図である。本実施例では、レーザ10としてAr
レーザあるいはＱスイッチNd:YAGレーザの第２高調波
（SH光）等の可視レーザを、原料化合物としてダングス
テンカルボニル（Ｗ（CO）６）を使用して、LSIチップ
上又はLCD用基板上にタングステンの配線をCVDにより形
成する場合を示している。
す全体構成図である。本実施例では、レーザ10としてAr
レーザあるいはＱスイッチNd:YAGレーザの第２高調波
（SH光）等の可視レーザを、原料化合物としてダングス
テンカルボニル（Ｗ（CO）６）を使用して、LSIチップ
上又はLCD用基板上にタングステンの配線をCVDにより形
成する場合を示している。
原料化合物のＷ（CO）６は室温で固体であり、リザー
バ11と呼ぶ容器中で加熱されガス化される。このときの
飽和蒸気圧は65℃で約1.2Torrである。ガス化したＷ（C
O）６はキャリアガス12（本実施例ではアルゴンを用い
た）と混合して１気圧程度で化合物気体13としてチャン
バ14内に送られる。これは、ガス化したＷ（CO）６の蒸
気圧が小さいためである。
バ11と呼ぶ容器中で加熱されガス化される。このときの
飽和蒸気圧は65℃で約1.2Torrである。ガス化したＷ（C
O）６はキャリアガス12（本実施例ではアルゴンを用い
た）と混合して１気圧程度で化合物気体13としてチャン
バ14内に送られる。これは、ガス化したＷ（CO）６の蒸
気圧が小さいためである。
チャンバ14内は、化合物気体13で満たされており、試
料15はこのチャンバ14の中に配置され、載物台16に内蔵
のヒータで雰囲気ガス温度程度に加熱されている。これ
は、Ｗ（CO）６が試料15の表面に再凝集しないためであ
る。この状態で、試料15の表面にレーザ光17を集光する
ことにより、レーザ光照射部近傍にタングステン薄膜が
堆積する。
料15はこのチャンバ14の中に配置され、載物台16に内蔵
のヒータで雰囲気ガス温度程度に加熱されている。これ
は、Ｗ（CO）６が試料15の表面に再凝集しないためであ
る。この状態で、試料15の表面にレーザ光17を集光する
ことにより、レーザ光照射部近傍にタングステン薄膜が
堆積する。
レーザ光の集光径が２μｍ程度のとき、Arレーザの場
合は100mW程度、ＱスイッチNd:YAGレーザのSH光の場合
は平均出力1mW程度とすることで、堆積が行われる。
合は100mW程度、ＱスイッチNd:YAGレーザのSH光の場合
は平均出力1mW程度とすることで、堆積が行われる。
配線を形成するには、XYステージ18、19により試料15
を走査すればよい。このようにすれば、タングステン堆
積が連続して横方向につながっていき、タングステンに
よる配線となる。このときのXYステージ18、19の移動速
度は0.5μm/s〜５μm/s程度である。
を走査すればよい。このようにすれば、タングステン堆
積が連続して横方向につながっていき、タングステンに
よる配線となる。このときのXYステージ18、19の移動速
度は0.5μm/s〜５μm/s程度である。
第２図は本発明によるXYステージ18、19とチャンバ14
との関係を示す斜視図である。同図に示すように、Ｘ軸
のXYステージ18はチャンバ14の下に、一方Ｙ軸のXYステ
ージ19はチャンバ14内に配置されている。したがって、
Ｘ軸ストローク方向（矢印Ａ方向）にはチャンバ14ごと
移動させるので、チャンバ14の上壁面に設けたガラス窓
20は試料15の全面を覆う必要はない。なお、矢印ＢはＹ
軸ストローク方向を示す。ガラス窓20の開口寸法は、短
辺側は20mm程度、長辺側は試料15のＸ方向の寸法と同程
度となっている。このように、短辺側の寸法は試料寸法
によらず20mm程度でよいため、450mm角の試料15の場合
でも厚み３〜4mmのガラス窓20で充分１気圧の差圧に耐
えられる。また、チャンバ14はＹ軸にみを覆えばよいの
で、XYステージ全体を内蔵する場合に比べて小型にで
き、６インチ角の試料15が対象の場合でチャンバ14の内
部空間は10程度（機構部品の占有体積は除く）とな
る。
との関係を示す斜視図である。同図に示すように、Ｘ軸
のXYステージ18はチャンバ14の下に、一方Ｙ軸のXYステ
ージ19はチャンバ14内に配置されている。したがって、
Ｘ軸ストローク方向（矢印Ａ方向）にはチャンバ14ごと
移動させるので、チャンバ14の上壁面に設けたガラス窓
20は試料15の全面を覆う必要はない。なお、矢印ＢはＹ
軸ストローク方向を示す。ガラス窓20の開口寸法は、短
辺側は20mm程度、長辺側は試料15のＸ方向の寸法と同程
度となっている。このように、短辺側の寸法は試料寸法
によらず20mm程度でよいため、450mm角の試料15の場合
でも厚み３〜4mmのガラス窓20で充分１気圧の差圧に耐
えられる。また、チャンバ14はＹ軸にみを覆えばよいの
で、XYステージ全体を内蔵する場合に比べて小型にで
き、６インチ角の試料15が対象の場合でチャンバ14の内
部空間は10程度（機構部品の占有体積は除く）とな
る。
また、第１図に示すように、レーザ光17はビームエキ
スパンダ21で拡大された後、対物レンズ22で試料15上に
集光されるようになっているが、この対物レンズ22とし
ては焦点距離11mm、作動距離14.5mmのものを使用した。
したがって、ガラス窓20の板厚が３〜4mmであれば、対
物レンズ22の上下ストロークの余裕を数mmとることがで
き、充分実用的なシステムとなる。
スパンダ21で拡大された後、対物レンズ22で試料15上に
集光されるようになっているが、この対物レンズ22とし
ては焦点距離11mm、作動距離14.5mmのものを使用した。
したがって、ガラス窓20の板厚が３〜4mmであれば、対
物レンズ22の上下ストロークの余裕を数mmとることがで
き、充分実用的なシステムとなる。
対物レンズ22は接眼23あるいはTVカメラ24での観察用
のレンズを兼ねているため、短焦点（焦点距離11mm）の
ものが必要となる。なお、第１図において、符号25はモ
ニタ、26はヒータ、27はダイクロイックミラー、28は排
ガス処理部、29は排気ガスを示す。また、前記チャンバ
14の左側壁には開閉扉30が設けられている。
のレンズを兼ねているため、短焦点（焦点距離11mm）の
ものが必要となる。なお、第１図において、符号25はモ
ニタ、26はヒータ、27はダイクロイックミラー、28は排
ガス処理部、29は排気ガスを示す。また、前記チャンバ
14の左側壁には開閉扉30が設けられている。
以上説明したように本発明に係るレーザCVD装置によ
れば、XYステージの２軸のうち、１軸をチャンバ内部
に、もう１軸をチャンバ全体を移動するようにチャンバ
外部に設置した構成とすることにより、対象となる試料
の外形寸法によらず、レーザ光導入用のガラス窓の板厚
を比較的薄いものに保つことができ、光学系の設計・製
作を可能とするばかりでなく、XYステージ全体をチャン
バ内に組み込む従来に比べてチャンバ自身の内容積を格
段に小さくすることが可能となり、大型の試料に対して
レーザCVDによる金属薄膜のパターニング技術の適用が
可能になるという種々の優れた効果を有する。
れば、XYステージの２軸のうち、１軸をチャンバ内部
に、もう１軸をチャンバ全体を移動するようにチャンバ
外部に設置した構成とすることにより、対象となる試料
の外形寸法によらず、レーザ光導入用のガラス窓の板厚
を比較的薄いものに保つことができ、光学系の設計・製
作を可能とするばかりでなく、XYステージ全体をチャン
バ内に組み込む従来に比べてチャンバ自身の内容積を格
段に小さくすることが可能となり、大型の試料に対して
レーザCVDによる金属薄膜のパターニング技術の適用が
可能になるという種々の優れた効果を有する。
第１図は本発明に係るレーザCVD装置の一実施例を示す
全体構成図、第２図は第１図に示す実施例のチャンバ及
びXYステージの関係を示す斜視図、第３図及び第４図
（Ａ）、（Ｃ）はそれぞれ従来例の構成を示す模式図、
第４図（Ｂ）は第４図（Ａ）のＢ部の拡大断面図であ
る。 10……レーザ、 14……チャンバ、 15……試料、 17……レーザ光、 18、19……XYステージ、 20……ガラス窓、 21……ビームエキスパンダ、 22……対物レンズ。
全体構成図、第２図は第１図に示す実施例のチャンバ及
びXYステージの関係を示す斜視図、第３図及び第４図
（Ａ）、（Ｃ）はそれぞれ従来例の構成を示す模式図、
第４図（Ｂ）は第４図（Ａ）のＢ部の拡大断面図であ
る。 10……レーザ、 14……チャンバ、 15……試料、 17……レーザ光、 18、19……XYステージ、 20……ガラス窓、 21……ビームエキスパンダ、 22……対物レンズ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3205 Ｈ０１Ｌ 21/88 Ｂ
Claims (2)
- 【請求項１】解離反応により導電性物質を形成する化合
物気体を含む雰囲気中に配置された試料上にレーザ光を
集光照射して、主にこの照射点での局部的な温度上昇に
よる熱CVD作用により、前記照射点近傍に導電性物質を
局所堆積させ、さらに前記レーザ光に対して試料を相対
的に走査することにより、前記試料上に導電性物質を連
続的に堆積して配線を形成するレーザCVD装置におい
て、前記試料をレーザ光に対して相対的に走査する手段
としてXYステージを用い、かつこのXYステージの２軸の
うちの１軸を、試料を前記化合物気体雰囲気中に保持す
るために使用するチャンバ内に設置し、他の１軸をチャ
ンバ全体を動かすようにチャンバ外に設置するようにし
たことを特徴とするレーザCVD装置。 - 【請求項２】レーザ光はビームエキスパンダで拡大され
た後、対物レンズで試料上に集光されて成る請求項１記
載のレーザCVD装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2221077A JP2546419B2 (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | レーザｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2221077A JP2546419B2 (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | レーザｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04103769A JPH04103769A (ja) | 1992-04-06 |
| JP2546419B2 true JP2546419B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=16761127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2221077A Expired - Fee Related JP2546419B2 (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | レーザｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2546419B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19814871A1 (de) * | 1998-04-02 | 1999-10-07 | Max Planck Gesellschaft | Verfahren und Vorrichtung zur gezielten Teilchenmanipulierung und -deposition |
-
1990
- 1990-08-24 JP JP2221077A patent/JP2546419B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04103769A (ja) | 1992-04-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6493423B1 (en) | Method of generating extremely short-wave radiation, method of manufacturing a device by means of said radiation, extremely short-wave radiation source unit and lithographic projection apparatus provided with such a radiation source unit | |
| US5567336A (en) | Laser ablation forward metal deposition with electrostatic assisted bonding | |
| US6341009B1 (en) | Laser delivery system and method for photolithographic mask repair | |
| US4970196A (en) | Method and apparatus for the thin film deposition of materials with a high power pulsed laser | |
| US4340617A (en) | Method and apparatus for depositing a material on a surface | |
| JP2003518729A (ja) | 極短波放射線を発生する方法、前記放射線によって装置を製造する方法、極短波放射線源装置およびこのような放射線源装置が装備されたリソグラフィ投影装置 | |
| JP2733244B2 (ja) | 配線形成方法 | |
| JP2001512568A (ja) | 軟ｘ線顕微透視装置 | |
| US5689327A (en) | Laser processing device | |
| JP2919145B2 (ja) | レーザ光照射装置 | |
| JP2546419B2 (ja) | レーザｃｖｄ装置 | |
| US6862404B1 (en) | Focused photon energy heating chamber | |
| JP2594972B2 (ja) | 配線形成方法およびその装置 | |
| JPH04295851A (ja) | フォトマスク修正装置 | |
| JPH03285339A (ja) | 汚染検出方法とその装置並びに半導体製造ライン | |
| JP2705132B2 (ja) | 配線形成方法および装置 | |
| JPS595621A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPH11274044A (ja) | 荷電ビームによる加工方法およびその加工システム並びに荷電ビームによる観察方法およびその観察システム | |
| JPH062115A (ja) | レーザ加工装置およびレーザ加工装置用遮蔽板の作製方法 | |
| JP2803106B2 (ja) | レーザ加工用光学装置 | |
| JP3668776B2 (ja) | Ｘ線顕微鏡 | |
| JPH08166342A (ja) | 顕微ラマン分光測定装置 | |
| JP2003294900A (ja) | Ｘ線顕微鏡 | |
| JP2713953B2 (ja) | 配線形成方法 | |
| JPH0338833A (ja) | 配線修正装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |