JP2544207B2 - シクロドデカノンの製法 - Google Patents
シクロドデカノンの製法Info
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- JP2544207B2 JP2544207B2 JP1251973A JP25197389A JP2544207B2 JP 2544207 B2 JP2544207 B2 JP 2544207B2 JP 1251973 A JP1251973 A JP 1251973A JP 25197389 A JP25197389 A JP 25197389A JP 2544207 B2 JP2544207 B2 JP 2544207B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C45/00—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds
- C07C45/002—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds by dehydrogenation
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、気体状態のシクロドデカノールを固定触
媒上に供給して、比較的低温で脱水素反応させて、シク
ロドデカノンを高い収率で生成させることができる工業
的な連続製法に係わる。
媒上に供給して、比較的低温で脱水素反応させて、シク
ロドデカノンを高い収率で生成させることができる工業
的な連続製法に係わる。
シクロドデカノンは、12−ナイロン製造用のモノマー
であるラウロラクタムの中間原料として利用されること
が一般に知られている。
であるラウロラクタムの中間原料として利用されること
が一般に知られている。
シクロドデカノールの脱水素反応によってシクロドデ
カノンを製造する方法は、従来、種々の製法が知られて
いる。
カノンを製造する方法は、従来、種々の製法が知られて
いる。
脱水素反応によるシクロドデカノンの公知の製法とし
ては、まず、気体状態のシクロドデカノールを、300〜5
00℃に加熱された亜鉛およびカルシウムを主成分とする
固体触媒上に供給して、シクロドデカノールを脱水素し
て、シクロドデカノンを製造する方法（気相脱水素法；
イギリス特許1055986号参照）が知られている。
ては、まず、気体状態のシクロドデカノールを、300〜5
00℃に加熱された亜鉛およびカルシウムを主成分とする
固体触媒上に供給して、シクロドデカノールを脱水素し
て、シクロドデカノンを製造する方法（気相脱水素法；
イギリス特許1055986号参照）が知られている。
しかし、前記の公知の気相脱水素法では、反応温度が
高いので、シクロドデカノールの転化率が95％以上と高
いけれども、シクロドデセンなどの副反応物の生成が極
めて多く、目的物の選択率が低いという欠点を有してい
る。
高いので、シクロドデカノールの転化率が95％以上と高
いけれども、シクロドデセンなどの副反応物の生成が極
めて多く、目的物の選択率が低いという欠点を有してい
る。
また、脱水素反応によるシクロドデカノンの公知の製
法としては、シクロドデカノールを液状態で、銅を活性
成分として含有する固定触媒上に供給して、シクロドデ
カノールを脱水素して、シクロドデカノンを製造する方
法（固定触媒−液相脱水素法）が提案されている（特公
昭41−19301号、特公昭45−5537号、および、特公昭47
−10383号を参照）。
法としては、シクロドデカノールを液状態で、銅を活性
成分として含有する固定触媒上に供給して、シクロドデ
カノールを脱水素して、シクロドデカノンを製造する方
法（固定触媒−液相脱水素法）が提案されている（特公
昭41−19301号、特公昭45−5537号、および、特公昭47
−10383号を参照）。
しかし、前記の公知の液相脱水素法は、比較的反応温
度が低いので、シクロドデセンなどの副生成物の生成が
著しく低いけれども、シクロドデカノールの転化率が90
％より低く、反応生成物中に未反応のシクロドデカノー
ルを含有しているので、シクロドデカノールとシクロド
デカノンとを分離して回収する必要があり、反応生成物
の精製工程が繁雑となるという欠点、さらに、シクロド
デカノンの空時収率が１〜1.5g/ml（触媒）・時間程度
と低いので、工業的に生産する場合に反応槽を極めて大
きくする必要があるという欠点を有しているのである。
度が低いので、シクロドデセンなどの副生成物の生成が
著しく低いけれども、シクロドデカノールの転化率が90
％より低く、反応生成物中に未反応のシクロドデカノー
ルを含有しているので、シクロドデカノールとシクロド
デカノンとを分離して回収する必要があり、反応生成物
の精製工程が繁雑となるという欠点、さらに、シクロド
デカノンの空時収率が１〜1.5g/ml（触媒）・時間程度
と低いので、工業的に生産する場合に反応槽を極めて大
きくする必要があるという欠点を有しているのである。
さらに、脱水素反応によるシクロドデカノンの公知の
製法としては、シクロドデカノールと、銅およびクロム
を主成分とする粉末状触媒とを混合して、加熱して、液
相の反応条件下で、シクロドデカノールを脱水素して、
シクロドデカノンを製造する方法（粉末触媒−液相脱水
素法）が提案されている（特公昭49−47743号、特公昭5
0−24301号、および、特開昭50−151841号を参照。
製法としては、シクロドデカノールと、銅およびクロム
を主成分とする粉末状触媒とを混合して、加熱して、液
相の反応条件下で、シクロドデカノールを脱水素して、
シクロドデカノンを製造する方法（粉末触媒−液相脱水
素法）が提案されている（特公昭49−47743号、特公昭5
0−24301号、および、特開昭50−151841号を参照。
しかし、前記の粉末触媒−液相脱水素法は、前記の液
相反応における欠点を少なからず有していると共に、粉
末状触媒が反応液中に分散されているので、反応液から
粉末状触媒を分離する必要があり、工業的に実施する場
合にはこの粉末状触媒の分離工程が必要であるという欠
点があり、さらに、前記粉末状触媒が、クロムを含有し
ているので、その適切な処理を行い、環境衛生上無害と
する必要があった。
相反応における欠点を少なからず有していると共に、粉
末状触媒が反応液中に分散されているので、反応液から
粉末状触媒を分離する必要があり、工業的に実施する場
合にはこの粉末状触媒の分離工程が必要であるという欠
点があり、さらに、前記粉末状触媒が、クロムを含有し
ているので、その適切な処理を行い、環境衛生上無害と
する必要があった。
この発明の目的は、触媒の分離を必要としない脱水素
法であって、副生成物の生成が実質的に無く、高い収率
および選択率でシクロドデカノンを製造することができ
るシクロドデカノールの脱水素法を提供することであ
る。
法であって、副生成物の生成が実質的に無く、高い収率
および選択率でシクロドデカノンを製造することができ
るシクロドデカノールの脱水素法を提供することであ
る。
この発明は、気体状態のシクロドデカノールを、銅及
び亜鉛を主成分とする固体触媒上に供給して、反応温度
230〜295℃、および、反応圧0.8〜２気圧下に、前記固
体触媒と接触させて、シクロドデカノールを脱水素し
て、シクロドデカノンを生成させ、その後反応物を冷却
して、シクロドデカノンを含有する反応液を得ることを
特徴とするシクロドデカノンの製法に関する。
び亜鉛を主成分とする固体触媒上に供給して、反応温度
230〜295℃、および、反応圧0.8〜２気圧下に、前記固
体触媒と接触させて、シクロドデカノールを脱水素し
て、シクロドデカノンを生成させ、その後反応物を冷却
して、シクロドデカノンを含有する反応液を得ることを
特徴とするシクロドデカノンの製法に関する。
以下に、この発明を詳しく説明する。
この発明においては、シクロドデカノールを気体状態
で固体触媒上に供給するのであるが、例えば、触媒の充
填された反応管又は反応槽とは別に設置された蒸発器か
らシクロドデカノールをガス状態で供給する方法が好ま
しい。
で固体触媒上に供給するのであるが、例えば、触媒の充
填された反応管又は反応槽とは別に設置された蒸発器か
らシクロドデカノールをガス状態で供給する方法が好ま
しい。
この発明では、脱水素反応に使用されるシクロドデカ
ノールは、例えば、シクロドデカノンの空気酸化によっ
て得られる反応生成物から精製された『シクロドデカノ
ールを主成分とする（好ましくは90重量％以上含有す
る）もの』を用いることができるが、この発明では、脱
水素反応に使用されるシクロドデカノールは、高沸点の
不純物が実質的に除去されていることが、固定触媒の劣
化を防止する上で特に好ましい。
ノールは、例えば、シクロドデカノンの空気酸化によっ
て得られる反応生成物から精製された『シクロドデカノ
ールを主成分とする（好ましくは90重量％以上含有す
る）もの』を用いることができるが、この発明では、脱
水素反応に使用されるシクロドデカノールは、高沸点の
不純物が実質的に除去されていることが、固定触媒の劣
化を防止する上で特に好ましい。
この発明においては、原料のシクロドデカノールを反
応管又は反応槽へ供給する際に、前記シクロドデカノー
ルと共に不活性な気体（例えば、窒素ガスなど）を固定
触媒上に供給することができる。
応管又は反応槽へ供給する際に、前記シクロドデカノー
ルと共に不活性な気体（例えば、窒素ガスなど）を固定
触媒上に供給することができる。
この発明において、シクロドデカノールの供給量は、
触媒1cm3あたり、1.5〜5g/hr程度であることが好まし
い。
触媒1cm3あたり、1.5〜5g/hr程度であることが好まし
い。
この発明の製法においては、反応温度230〜295℃、好
ましくは240〜290℃、および、反応圧0.8〜２気圧、好
ましくは0.9〜1.5気圧下に、固定触媒下でシクロドデカ
ノールの脱水素反応が行われる。
ましくは240〜290℃、および、反応圧0.8〜２気圧、好
ましくは0.9〜1.5気圧下に、固定触媒下でシクロドデカ
ノールの脱水素反応が行われる。
この発明において、反応温度が余りに高い温度である
場合には、シクロドデセンなどの副反応物の生成が大き
くなるので適当ではなく、また、前記の反応温度が余り
に低くなり過ぎると、シクロドデカノールおよび生成物
が高い割合で液状化して、その結果、固定触媒がその液
状物で浸されてしまい、固定触媒の表面の濡れ状態が悪
化し、脱水素反応の反応速度が著しく低下するので適当
ではない。
場合には、シクロドデセンなどの副反応物の生成が大き
くなるので適当ではなく、また、前記の反応温度が余り
に低くなり過ぎると、シクロドデカノールおよび生成物
が高い割合で液状化して、その結果、固定触媒がその液
状物で浸されてしまい、固定触媒の表面の濡れ状態が悪
化し、脱水素反応の反応速度が著しく低下するので適当
ではない。
この発明において、反応圧が余りに高くなるとシクロ
ドデカノールおよび生成物が高い割合で液状化して、固
定触媒がその液状物で浸されてしまって、固定触媒の表
面の濡れ状態が悪化し、脱水素反応の反応速度が著しく
低下するので適当ではなく、また、反応圧が余りに低い
減圧状態になると、空気リークの危険が大きくなるので
工業的に実施する場合に適当ではない。
ドデカノールおよび生成物が高い割合で液状化して、固
定触媒がその液状物で浸されてしまって、固定触媒の表
面の濡れ状態が悪化し、脱水素反応の反応速度が著しく
低下するので適当ではなく、また、反応圧が余りに低い
減圧状態になると、空気リークの危険が大きくなるので
工業的に実施する場合に適当ではない。
前記の固定触媒の組成としては、 （ａ） 触媒中の銅成分の含有割合がCuOとして計算し
て20〜80重量％であって、 （ｂ） 触媒中の亜鉛成分の含有割合がZnOとして計算
して80〜20重量％であって、さらに、 （ｃ） 触媒中の銅成分と亜鉛成分との合計量の含有割
合がCuOとZnOとして計算して全触媒成分に対して50重量
％以上、好ましくは60重量％以上、特に好ましくは80〜
100重量％であることが好ましい。
て20〜80重量％であって、 （ｂ） 触媒中の亜鉛成分の含有割合がZnOとして計算
して80〜20重量％であって、さらに、 （ｃ） 触媒中の銅成分と亜鉛成分との合計量の含有割
合がCuOとZnOとして計算して全触媒成分に対して50重量
％以上、好ましくは60重量％以上、特に好ましくは80〜
100重量％であることが好ましい。
前記の固定触媒は、少量の他の金属化合物（例えば、
SnO、MgO、PbO、FeO、MnO、NiO、Al2O3、SiO2など）を
含有していてもよい。
SnO、MgO、PbO、FeO、MnO、NiO、Al2O3、SiO2など）を
含有していてもよい。
固定触媒の各触媒粒子の形状は、通常の気相固定床反
応に使用されうるものと同様であって、ガス流通抵抗が
小さく機械的強度が大きいものであれば、特に制限され
るものではないが、触媒の粒子径が１〜10mm程度であ
り、また、その嵩比重が1.0〜1.8であり、さらに、機械
的強度（圧壊強度）が4kg/粒以上であることが好まし
い。
応に使用されうるものと同様であって、ガス流通抵抗が
小さく機械的強度が大きいものであれば、特に制限され
るものではないが、触媒の粒子径が１〜10mm程度であ
り、また、その嵩比重が1.0〜1.8であり、さらに、機械
的強度（圧壊強度）が4kg/粒以上であることが好まし
い。
前記の触媒の調製法は、例えば、硝酸銅と硝酸亜鉛と
の水溶液に炭酸ソーダ水溶液を加えて水酸化銅と水酸化
亜鉛との緊密な沈澱物を生成させ、その沈澱物を充分に
水洗した後、加熱乾燥して、沈澱物の粉末を得て、その
粉末を、打錠成型機で成型して、空気中で約350〜500
℃、特に好ましくは約360〜450℃程度の温度で焼成する
方法が好ましい。
の水溶液に炭酸ソーダ水溶液を加えて水酸化銅と水酸化
亜鉛との緊密な沈澱物を生成させ、その沈澱物を充分に
水洗した後、加熱乾燥して、沈澱物の粉末を得て、その
粉末を、打錠成型機で成型して、空気中で約350〜500
℃、特に好ましくは約360〜450℃程度の温度で焼成する
方法が好ましい。
この発明において、粒子状または粉末状の触媒は、脱
水素反応に使用する前に、反応槽内に充填された触媒の
充填層を、水素含有の希釈ガスで、250℃より低い温
度、特に200℃より低い温度で、注意深く予備還元する
ことが好ましい。
水素反応に使用する前に、反応槽内に充填された触媒の
充填層を、水素含有の希釈ガスで、250℃より低い温
度、特に200℃より低い温度で、注意深く予備還元する
ことが好ましい。
この発明では、固体触媒上でシクロドデカノールの脱
水素反応を行った後に、その反応物を約60〜80℃に冷却
して、シクロドデカノンを主として含有する反応液を捕
集することが好ましい。その反応液は、シクロドデカノ
ンの融点より低い温度、例えば常温以下にまで冷却する
と、固化して、取扱いが困難となる。
水素反応を行った後に、その反応物を約60〜80℃に冷却
して、シクロドデカノンを主として含有する反応液を捕
集することが好ましい。その反応液は、シクロドデカノ
ンの融点より低い温度、例えば常温以下にまで冷却する
と、固化して、取扱いが困難となる。
以下、実施例および比較例を示し、この発明をさらに
詳しく説明する。
詳しく説明する。
なお、この発明は、その趣旨を越えない限り以下の実
施例に限定されるものではない。
施例に限定されるものではない。
各実施例および比較例において、略号および各データ
の算出法は、次のようである。
の算出法は、次のようである。
DOL;シクロドデカノール（分子量;184.3） DON;シクロドデカノン（分子量;182.3） DEN;シクロドデセン（分子量;166.3） また、実施例１において使用した銅−亜鉛系触媒（打
錠成型品）の圧壊強度は、木屋式圧壊試験機を用いて測
定した。
錠成型品）の圧壊強度は、木屋式圧壊試験機を用いて測
定した。
実施例１ まず、耐熱性ガラス反応管（内径;30mm、長さ;400m
m）に、銅−亜鉛系触媒25mlを充填し、そして、その充
填層の上部に予熱用ガラスビーズ（径;2mm、嵩比重;1.5
2）を充填し、窒素ガス400ml/分で流通させながら、約8
0℃まで昇温し、次いで、前記窒素ガスに加えて水素ガ
スを100ml/分の供給速度で供給しながら200℃まで５時
間で昇温し、更に、その後、200℃において水素ガスの
みを400ml/分の供給速度で１時間供給して、固定触媒層
の予備還元を行った。
m）に、銅−亜鉛系触媒25mlを充填し、そして、その充
填層の上部に予熱用ガラスビーズ（径;2mm、嵩比重;1.5
2）を充填し、窒素ガス400ml/分で流通させながら、約8
0℃まで昇温し、次いで、前記窒素ガスに加えて水素ガ
スを100ml/分の供給速度で供給しながら200℃まで５時
間で昇温し、更に、その後、200℃において水素ガスの
みを400ml/分の供給速度で１時間供給して、固定触媒層
の予備還元を行った。
銅−亜鉛系触媒 ・日揮化学（株）製、Ｎ−211 ・触媒組成 CuO;50重量％ ZnO;45重量％ ・製法 前記組成の触媒粉末を打錠成型して、得られた打錠成型
品（円柱型、径;5mm、高さ;5mm）を破砕し、 その破砕品を８〜14＃篩で分別して反応管に充填する
破砕品を製造する。
品（円柱型、径;5mm、高さ;5mm）を破砕し、 その破砕品を８〜14＃篩で分別して反応管に充填する
破砕品を製造する。
・打錠成型品の圧壊強度;6kg/粒 ・破砕品 平均粒径;1.8mm、嵩比重;1.52 前述のようにして予備還元を行った反応管へ、触媒充
填層の温度を260℃に保持しながら反応管上部に連結し
たシクロドデカノール蒸発器（温度285℃に加熱）から
窒素ガス20ml/分と共に、シクロドデカノール（114.5
g）を２時間で、触媒充填層へ供給して、シクロドデカ
ノールの脱水素反応を行い、反応管の下部に設置された
冷却部で反応ガスなどを約65℃の温水で冷却して、ほと
んど無色の反応液113.3gを捕集した。
填層の温度を260℃に保持しながら反応管上部に連結し
たシクロドデカノール蒸発器（温度285℃に加熱）から
窒素ガス20ml/分と共に、シクロドデカノール（114.5
g）を２時間で、触媒充填層へ供給して、シクロドデカ
ノールの脱水素反応を行い、反応管の下部に設置された
冷却部で反応ガスなどを約65℃の温水で冷却して、ほと
んど無色の反応液113.3gを捕集した。
前記の反応液を常温まで冷却して固化した反応物をメ
タノールで溶解して、ガスクロマトグラフィー分析をし
て、反応物中の各成分の定量分析を行った。その結果か
ら算出されたシクロドデカノール転化率、シクロドデカ
ノン収率、低沸分副生率、および、空時収率は以下のよ
うであった。
タノールで溶解して、ガスクロマトグラフィー分析をし
て、反応物中の各成分の定量分析を行った。その結果か
ら算出されたシクロドデカノール転化率、シクロドデカ
ノン収率、低沸分副生率、および、空時収率は以下のよ
うであった。
DOL 転化率 ;97.0 ％ DON 収率 ;96.4 ％ 低沸分副生率; 0.9 ％ 空時収率 ; 2.2g−DON/ml触媒/hr 実施例２ 〔触媒の調製〕 硫酸銅122gおよび硫酸亜鉛219gを、水1000mlに溶解し
て均一な溶液となし、その溶液を80℃に加熱撹拌しなが
ら20重量％の炭酸ソーダ水溶液をゆっくり滴下して、水
酸化銅および水酸化亜鉛の析出を行わせ、PHが９〜10と
なった時点で滴下を停止して、１時間熟成した後、生成
した沈澱物を濾過して分離し、水洗後にSO4イオンが無
くなるまで傾斜法で充分に水洗し、最後に、得られたケ
ーキ状物を110℃で18時間乾燥し、さらに、引き続き空
気中で350℃で４時間焼成した。
て均一な溶液となし、その溶液を80℃に加熱撹拌しなが
ら20重量％の炭酸ソーダ水溶液をゆっくり滴下して、水
酸化銅および水酸化亜鉛の析出を行わせ、PHが９〜10と
なった時点で滴下を停止して、１時間熟成した後、生成
した沈澱物を濾過して分離し、水洗後にSO4イオンが無
くなるまで傾斜法で充分に水洗し、最後に、得られたケ
ーキ状物を110℃で18時間乾燥し、さらに、引き続き空
気中で350℃で４時間焼成した。
得られた焼成物を粉砕して、８〜14＃の篩で分別し
て、粉末状触媒を調製した。
て、粉末状触媒を調製した。
この触媒は、次の組成などを有していた。
・触媒組成 CuO;40重量％ ZnO;60重量％ ・破砕品 平均粒径;1.8mm、嵩比重;1.50 〔脱水素反応〕 前述のようにして調製された銅−亜鉛系触媒を使用し
て、反応管に触媒充填層を形成しこと、および、実施例
１と同様の予備還元を行った後、触媒充填層の温度を25
5℃に保持しながら、窒素ガスと共に、シクロドデカノ
ール（93.4g）を触媒充填層へ1.5時間供給して、シクロ
ドデカノールの脱水素反応を行ったことのほかは、実施
例１と同様にして脱水素反応を行い、反応液92.2gを捕
集した。
て、反応管に触媒充填層を形成しこと、および、実施例
１と同様の予備還元を行った後、触媒充填層の温度を25
5℃に保持しながら、窒素ガスと共に、シクロドデカノ
ール（93.4g）を触媒充填層へ1.5時間供給して、シクロ
ドデカノールの脱水素反応を行ったことのほかは、実施
例１と同様にして脱水素反応を行い、反応液92.2gを捕
集した。
前記の反応液のガスクロマトグラフィー分析の結果か
ら算出されたシクロドデカノール転化率、シクロドデカ
ノン収率、低沸分副生率、および、空時収率は以下のよ
うであった。
ら算出されたシクロドデカノール転化率、シクロドデカ
ノン収率、低沸分副生率、および、空時収率は以下のよ
うであった。
DOL 転化率 ;98.6 ％ DON 収率 ;97.7 ％ 低沸分副生率; 0.9 ％ 空時収率 ; 2.4g−DON/ml触媒/hr 比較例１ 〔触媒の調製〕 硝酸亜鉛417gと硝酸カルシウム333gとを水2000mlに均
一に溶解して溶液を調製し、その溶液を80℃に加熱撹拌
しながら、20重量％の炭酸ソーダ水溶液をゆっくり滴下
して、水酸化カルシウムおよび水酸化亜鉛の析出を行わ
せ、PHが９〜10となった時点で滴下を停止して、１時間
熟成した後、生成した沈澱物を濾過して分離し、水洗後
に硝酸イオンが無くなるまで傾斜法で充分に水洗し、最
後に、得られたケーキ状物を110℃で18時間乾燥し、さ
らに、引き続き空気中で350℃で４時間焼成した。
一に溶解して溶液を調製し、その溶液を80℃に加熱撹拌
しながら、20重量％の炭酸ソーダ水溶液をゆっくり滴下
して、水酸化カルシウムおよび水酸化亜鉛の析出を行わ
せ、PHが９〜10となった時点で滴下を停止して、１時間
熟成した後、生成した沈澱物を濾過して分離し、水洗後
に硝酸イオンが無くなるまで傾斜法で充分に水洗し、最
後に、得られたケーキ状物を110℃で18時間乾燥し、さ
らに、引き続き空気中で350℃で４時間焼成した。
・触媒組成 ZnO;37重量％ CaO;26重量％ ・破砕品 平均粒径;1.8mm、嵩比重;1.0 〔脱水素反応〕 前述のようにして調製された亜鉛−カルシウム系触媒
を使用して、反応管に触媒充填層を形成しこと、およ
び、予備還元すること無く、触媒充填層の温度を340℃
に保持しながら、窒素ガスと共に、シクロドデカノール
（137.4g）を触媒充填層へ３時間供給して、シクロドデ
カノールの脱水素反応を行ったことのほかは、実施例１
と同様にして脱水素反応を行い、反応液131gを捕集し
た。
を使用して、反応管に触媒充填層を形成しこと、およ
び、予備還元すること無く、触媒充填層の温度を340℃
に保持しながら、窒素ガスと共に、シクロドデカノール
（137.4g）を触媒充填層へ３時間供給して、シクロドデ
カノールの脱水素反応を行ったことのほかは、実施例１
と同様にして脱水素反応を行い、反応液131gを捕集し
た。
前記の反応液のガスクロマトグラフィー分析の結果か
ら算出されたシクロドデカノール転化率、シクロドデカ
ノン収率、低沸分副生率、および、空時収率は以下のよ
うであった。
ら算出されたシクロドデカノール転化率、シクロドデカ
ノン収率、低沸分副生率、および、空時収率は以下のよ
うであった。
DOL 転化率 ;98.5 ％ DON 収率 ;95.9 ％ 低沸分副生率; 2.6 ％ 空時収率 ; 1.7g−DON/ml触媒/hr 比較例２ 触媒として、下記の銅−クロム系触媒を使用したこ
と、および、実施例１と同様の予備還元を行った後、触
媒充填層の温度を250℃に保持しながら、窒素ガスと共
にシクロドデカノール（56.5g）を触媒充填層へ1.0時間
供給して、シクロドデカノールの脱水素反応を行ったこ
とのほかは、実施例１と同様にして脱水素反応を行い、
反応液53.7gを捕集した。
と、および、実施例１と同様の予備還元を行った後、触
媒充填層の温度を250℃に保持しながら、窒素ガスと共
にシクロドデカノール（56.5g）を触媒充填層へ1.0時間
供給して、シクロドデカノールの脱水素反応を行ったこ
とのほかは、実施例１と同様にして脱水素反応を行い、
反応液53.7gを捕集した。
銅−クロム系触媒 ・堺化学（株）製、ST−205 ・触媒組成 CuO ;44重量％ Cr2O3 ;40重量％ Mn ; 5重量％ ・製法 実施例１と同様の製法 ・破砕品 平均粒径;1.8mm、嵩比重;1.10 前記の反応液のガスクロマトグラフィー分析の結果か
ら算出されたシクロドデカノール転化率、シクロドデカ
ノン収率、低沸分副生率、および、空時収率は以下のよ
うであった。
ら算出されたシクロドデカノール転化率、シクロドデカ
ノン収率、低沸分副生率、および、空時収率は以下のよ
うであった。
DOL 転化率 ;98.1 ％ DON 収率 ;88.3 ％ 低沸分副生率; 9.8 ％ 空時収率 ; 1.9g−DON/ml触媒/hr 〔本発明の作用効果〕 この発明の製法によれば、一般的な気相反応に対して
低い反応温度でシクロドデカノールの脱水素反応が行わ
れているので、シクロドデセンなどの副反応物の生成を
比較的低くことができ、しかも、銅−亜鉛系触媒の活性
が高いので、シクロドデカノールの転化率が95％以上と
極めて高いレベルを維持しており、さらに、空時収率
が、1.5g−DON/ml触媒/hr以上という予想外の結果が得
られるのである。
低い反応温度でシクロドデカノールの脱水素反応が行わ
れているので、シクロドデセンなどの副反応物の生成を
比較的低くことができ、しかも、銅−亜鉛系触媒の活性
が高いので、シクロドデカノールの転化率が95％以上と
極めて高いレベルを維持しており、さらに、空時収率
が、1.5g−DON/ml触媒/hr以上という予想外の結果が得
られるのである。
さらに、この発明では、固定触媒で脱水素反応が行わ
れるので、反応ガス又は反応液から触媒を除去するため
の特別の操作が必要ではない。
れるので、反応ガス又は反応液から触媒を除去するため
の特別の操作が必要ではない。
Claims (1)
- 【請求項１】気体状態のシクロドデカノールを、銅及び
亜鉛を主成分とする固体触媒上に供給して、反応温度23
0〜295℃、および、反応圧0.8〜２気圧下に、前記固定
触媒と接触させて、シクロドデカノールを脱水素して、
シクロドデカノンを生成させ、その後反応物を冷却し
て、シクロドデカノンを含有する反応液を得ることを特
徴とするシクロドデカノンの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1251973A JP2544207B2 (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | シクロドデカノンの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1251973A JP2544207B2 (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | シクロドデカノンの製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03115247A JPH03115247A (ja) | 1991-05-16 |
| JP2544207B2 true JP2544207B2 (ja) | 1996-10-16 |
Family
ID=17230753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1251973A Expired - Lifetime JP2544207B2 (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | シクロドデカノンの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2544207B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6245946B1 (en) | 2000-08-08 | 2001-06-12 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Process for conversion of cyclododecane-1,2-dione to cyclododecanone |
-
1989
- 1989-09-29 JP JP1251973A patent/JP2544207B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03115247A (ja) | 1991-05-16 |
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