JP2541238Y2 - Substrate lifting prevention device for substrate cleaning tank - Google Patents

Substrate lifting prevention device for substrate cleaning tank

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JP2541238Y2
JP2541238Y2 JP1992091952U JP9195292U JP2541238Y2 JP 2541238 Y2 JP2541238 Y2 JP 2541238Y2 JP 1992091952 U JP1992091952 U JP 1992091952U JP 9195292 U JP9195292 U JP 9195292U JP 2541238 Y2 JP2541238 Y2 JP 2541238Y2
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Japan
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substrate
cleaning tank
cleaning
lifting prevention
lid
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哲雄 小柳
弘 山口
勉 上田
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株式会社スガイ
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Description

【考案の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この考案は基板洗浄槽の基板浮き
上がり防止装置に関し、さらに詳細には、半導体基板や
液晶ガラス基板等の薄板状の基板を複数枚まとめて洗浄
処理する際に、洗浄液の沸騰による基板の浮き上がりを
防止する技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a device for preventing a substrate from being lifted in a substrate cleaning tank, and more particularly to a cleaning liquid for cleaning a plurality of thin substrates such as a semiconductor substrate and a liquid crystal glass substrate. The present invention relates to a technique for preventing a substrate from floating due to boiling.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置の性能や信頼性を高く保持す
るためには、半導体基板(以下、ウェハと称する)の表
面の汚染物質を極力低減させて高い清浄度を保つことが
必須であり、この目的から、従来種々のウェハ洗浄処理
技術が開発されており、その一例として硫酸処理の場合
を図4に示す。
2. Description of the Related Art In order to maintain the performance and reliability of a semiconductor device at a high level, it is essential to maintain a high cleanliness by minimizing contaminants on the surface of a semiconductor substrate (hereinafter referred to as a wafer). Conventionally, various wafer cleaning techniques have been developed for this purpose. As an example, FIG. 4 shows a case of sulfuric acid treatment.

【0003】ここに示される硫酸処理装置は、複数枚の
ウェハW,W,…をまとめて処理(バッチ処理)するた
めのもので、硫酸(H2 SO4 ) と過酸化水素水(H2
2)との混合液が満たされている洗浄槽aと、この洗
浄槽aからオーバフローする洗浄液Cを集める外槽bと
を備えている。
The sulfuric acid processing apparatus shown here is for processing a plurality of wafers W, W,... Collectively (batch processing), and includes sulfuric acid (H 2 SO 4 ) and a hydrogen peroxide solution (H 2
A cleaning tank a filled with a mixed solution of O 2 ) and an outer tank b for collecting a cleaning liquid C overflowing from the cleaning tank a.

【0004】上記洗浄槽aの底部には、2本の給液パイ
プd,dが設けられるとともに、これら給液パイプd,
dの上側には、複数枚のウェハW,W,…を保持するウ
ェハ保持部eが設けられている。
At the bottom of the washing tank a, two liquid supply pipes d, d are provided, and these liquid supply pipes d, d are provided.
Above d, a wafer holder e for holding a plurality of wafers W, W,... is provided.

【0005】そして、洗浄槽a内に満たされた洗浄液C
中に、複数枚のウェハW,W,…をウェハ保持部eに載
置保持して浸漬し、循環ポンプPにより、ヒータ(熱交
換器)Hと濾過フィルタFを介して洗浄液Cを循環させ
る。つまり、この洗浄液Cは、上記給液パイプd,dか
ら洗浄槽a内へ供給され、この供給量に対応した量の洗
浄液Cが洗浄槽aの上部開口を乗り越えオーバフローし
て、外槽bへ流れ込む。
The cleaning liquid C filled in the cleaning tank a
Are placed and held in the wafer holder e, and the cleaning liquid C is circulated by the circulation pump P through the heater (heat exchanger) H and the filter F. . That is, the cleaning liquid C is supplied from the liquid supply pipes d and d into the cleaning tank a, and the cleaning liquid C in an amount corresponding to the supplied amount flows over the upper opening of the cleaning tank a and overflows to the outer tank b. Flow in.

【0006】この時、洗浄槽a内には洗浄液Cの上昇流
(アップフロー)が生じて、この上昇流は各ウェハW,
W間を流れ、各ウェハWの表面に付着したダスト(塵
埃)を剥離して、オーバフローする洗浄液Cと共に洗浄
槽aの外へ運び出し、このダストが濾過フィルタFで除
去された後、再び洗浄液Cのみが洗浄槽a内へ戻る。以
上のように洗浄液Cが所定時間循環されることにより、
各ウェハWの表面が清浄化されることとなる。
At this time, an upward flow (upflow) of the cleaning liquid C is generated in the cleaning tank a, and the upward flow is generated for each wafer W,
W, the dust (dust) adhering to the surface of each wafer W is peeled off and carried out of the cleaning tank a together with the overflowing cleaning liquid C. After the dust is removed by the filter F, the cleaning liquid C is re-transmitted. Only returns to the inside of the cleaning tank a. By circulating the cleaning liquid C for a predetermined time as described above,
The surface of each wafer W will be cleaned.

【0007】[0007]

【考案が解決しようとする課題】ところで、近時は半導
体装置もサブミクロン時代を迎え、このような装置構造
の微細化、高集積化に伴って、ウェハWの表面にも非常
に高い清浄度が要求されているが、上記のような従来の
洗浄槽においては次のような問題があって、さらなる改
良が要望されていた。
Recently, semiconductor devices have entered the submicron era, and with the miniaturization and high integration of such device structures, the surface of the wafer W has very high cleanliness. However, the conventional cleaning tank as described above has the following problems, and further improvement has been demanded.

【0008】すなわち、硫酸処理においては、硫酸およ
び過酸化水素水が混ざる時の反応熱とヒータHによる加
熱とにより、洗浄液Cが150℃〜160℃ぐらいまで
温度上昇して沸騰するところ、上記ウェハW,W,…
は、ウェハ保持部eに単に載置保持された状態で洗浄液
C中に浸漬されていることから、これらウェハW,W,
…が洗浄液Cの沸騰圧力により浮き上がって、上下左右
にガタガタと微振動してしまう。
That is, in the sulfuric acid treatment, the cleaning liquid C rises to a temperature of about 150 ° C. to 160 ° C. and boils due to the reaction heat when the sulfuric acid and the hydrogen peroxide solution are mixed and the heating by the heater H. W, W, ...
Are immersed in the cleaning liquid C while being simply placed and held on the wafer holding unit e.
Are raised by the boiling pressure of the cleaning liquid C and vibrate slightly in the vertical and horizontal directions.

【0009】これがため、洗浄液Cの上昇流はウェハ
W,W,…間に均等に流れることができず、よって均一
な表面処理が行えないなど種々の不具合が発生して、ウ
ェハW表面に所期の清浄度が得られず、歩留りを大幅に
低下させるという問題が生じていた。このような状況
は、リン酸(H3 PO4 )と純水の混合液によるリン酸
処理などにおいても同様に生じていた。
As a result, the rising flow of the cleaning liquid C cannot flow evenly between the wafers W, W,... However, there has been a problem that the final cleanliness cannot be obtained and the yield is greatly reduced. Such a situation also occurs in a phosphoric acid treatment with a mixed solution of phosphoric acid (H 3 PO 4 ) and pure water.

【0010】本考案は、かかる従来の問題点に鑑みてな
されたものであって、その目的とするところは、洗浄液
の沸騰によるウェハの浮き上がりを防止して、半導体装
置構造の微細化、高集積化に応じた高い清浄度を得るこ
とができる基板洗浄槽の基板浮き上がり防止装置を提供
することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such conventional problems, and has as its object to prevent the wafer from being lifted by the boiling of the cleaning liquid, thereby miniaturizing the structure of the semiconductor device and achieving high integration. It is an object of the present invention to provide an apparatus for preventing a substrate from being lifted in a substrate cleaning tank, which can obtain a high degree of cleanliness according to the development.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本考案の基板浮き上がり防止装置は、洗浄処理時に
おいて基板に洗浄液の沸騰圧力が作用する基板洗浄槽に
備えられるものであって、上記洗浄槽の上部開口に開閉
蓋が開閉可能に設けられるとともに、この開閉蓋の内側
に基板浮き上がり防止部材が取付固定されてなり、この
基板浮き上がり防止部材は、上記洗浄槽内に浸漬される
複数枚の基板の配列方向へ平行に延びて設けられるとと
もに、上記開閉蓋の閉塞時において、上記基板の上部縁
に当接または近接して位置するように設定されているこ
とを特徴とする。
In order to achieve the above-mentioned object, the apparatus for preventing the substrate from being lifted according to the present invention is used in a cleaning process.
In the substrate cleaning tank where the boiling pressure of the cleaning liquid acts on the substrate.
Be those provided, together with the closing lid on the top opening of the cleaning tank is provided to be opened and closed, preventing member floating board inside the lid is fixedly attached, the substrate lift preventing member, the washing Immersed in the tank
If it is provided to extend in parallel to the arrangement direction of a plurality of substrates,
In addition, it is characterized in that it is set so as to be in contact with or close to the upper edge of the substrate when the lid is closed.

【0012】[0012]

【作用】洗浄槽の洗浄液例えば硫酸洗浄液にウェハを浸
漬して硫酸処理するに際して、開閉蓋を閉塞することに
より、洗浄槽の上部開口全体が閉塞されるとともに、
閉蓋の内側に設けられた基板浮き上がり防止部材、各
ウェハの上部縁に当接または近接して位置する。
[Action] the cleaning solution such as sulfuric cleaning liquid in the cleaning bath by immersing the wafer during processing sulphate, in particular closing the lid
More, the whole upper opening of the cleaning tank while being closed, the substrate lifting prevention member provided on the inner side of the lid is positioned abutting or in proximity to the upper edge of each wafer.

【0013】したがって、硫酸処理時、硫酸と過酸化水
素水の混合時の反応熱およびヒータによる加熱により、
洗浄液が温度上昇して沸騰することになるが、洗浄槽の
上部開口が開閉蓋により閉塞されており、洗浄液の蒸気
やミストの洗浄槽外部への飛散等を有効に防止する。
たこの際に、洗浄液の沸騰圧力がウェハに作用して、
ェハはウェハ保持部から浮き上がろうとするが、上記基
板浮き上がり防止部材が各ウェハの浮き上がりを上側か
ら抑えて、そのガタつきを有効に防止する。基板浮き上
がり防止部材を開閉蓋に取付固定して一体に設けること
により、開閉蓋の開閉機構を基板浮き上がり防止部材の
駆動機構として共用することができ、機構の簡素化が図
られる。
Therefore, during the sulfuric acid treatment, the reaction heat at the time of mixing the sulfuric acid and the hydrogen peroxide solution and the heating by the heater,
The cleaning solution will rise in temperature and boil.
The upper opening is closed by the opening / closing lid,
And mist are effectively prevented from scattering outside the cleaning tank. Ma
At this time, the boiling pressure of the cleaning liquid acts on the wafer, so that the wafer tends to float from the wafer holding portion. To prevent. Board floating
Attach the anti-slip member to the opening / closing lid and provide it integrally.
The opening / closing mechanism of the opening / closing lid
Can be shared as a drive mechanism, simplifying the mechanism
Can be

【0014】[0014]

【実施例】以下、本考案の実施例を、図面に基づいて詳
細に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0015】本考案に係る基板浮き上がり防止装置を備
えた洗浄槽装置を図1に示す。この洗浄槽装置は、具体
的には半導体基板(ウェハ)Wの表面に硫酸処理を施す
ものであって、洗浄液Cが満たされる洗浄槽1と、この
洗浄槽1からオーバーフローする洗浄液Cを集める外槽
2と、洗浄槽1に設けられた浮き上がり防止装置3とを
主要部として備えてなる。
FIG. 1 shows a cleaning tank device provided with a substrate lifting prevention device according to the present invention. The cleaning tank apparatus specifically performs a sulfuric acid treatment on the surface of a semiconductor substrate (wafer) W. The cleaning tank 1 is filled with a cleaning liquid C, and the cleaning tank 1 is configured to collect the cleaning liquid C overflowing from the cleaning tank 1. A tank 2 and a lifting prevention device 3 provided in the cleaning tank 1 are provided as main parts.

【0016】洗浄槽1は石英ガラスやフッ素樹脂等の耐
腐食性を有する材料からなり、洗浄液Cとして、硫酸
(H2 SO4 ) と過酸化水素水(H2 2 )との混合液
が満たされるとともに、この洗浄液C中に、ウェハW,
W,…が複数枚(例えば25枚)まとめて浸漬される構
成とされている。
The cleaning tank 1 is made of a material having corrosion resistance such as quartz glass or fluororesin. As the cleaning liquid C, a mixed liquid of sulfuric acid (H 2 SO 4 ) and hydrogen peroxide solution (H 2 O 2 ) is used. While being filled, the cleaning liquid C contains the wafers W,
W,... Are immersed collectively (for example, 25).

【0017】洗浄槽1は、その上部開口5がオーバフロ
ー部とされるとともに、その底部に給液ボックス6が配
置されている。この給液ボックス6の給液回路7は、そ
の上流端が外槽2の底部に連通されるとともに、洗浄液
Cを循環させる循環ポンプ8、洗浄液Cを加熱するヒー
タ(熱交換器)9および濾過フィルタ10を備えてい
る。
The cleaning tank 1 has an upper opening 5 serving as an overflow section, and a liquid supply box 6 disposed at the bottom. The liquid supply circuit 7 of the liquid supply box 6 has an upstream end connected to the bottom of the outer tank 2, a circulation pump 8 for circulating the cleaning liquid C, a heater (heat exchanger) 9 for heating the cleaning liquid C, and a filter. A filter 10 is provided.

【0018】給液ボックス6は、その内部に給液回路7
の洗浄液供給ノズル11が臨んで設けられるとともに、
その上面6aに洗浄液供給部12が複数列配設されてい
る。
The liquid supply box 6 has a liquid supply circuit 7 therein.
The cleaning liquid supply nozzle 11 is provided facing the
A plurality of cleaning liquid supply units 12 are arranged on the upper surface 6a.

【0019】各洗浄液供給部12は、図1の紙面に平行
な直線上に配設された多数の流出孔12a,12a,…
からなり、これら洗浄液供給部12,12,…の配列ピ
ッチ(図1の紙面に垂直方向)は、ウェハW,W,…の
基板間ピッチに設定されている。流出孔12aの軸線は
上下方向へ延びるように設定されている。
Each of the cleaning liquid supply sections 12 has a number of outflow holes 12a, 12a,... Arranged on a straight line parallel to the plane of FIG.
Are arranged at a pitch between the substrates of the wafers W, W,... (In a direction perpendicular to the plane of FIG. 1). The axis of the outflow hole 12a is set to extend vertically.

【0020】また、給液ボックス6の上側には、左右一
対のウェハ保持部13,13が設けられており、これら
ウェハ保持部13,13は、ウェハW,W,…の下部両
側縁部を支持する上下2列の保持溝群13a,13bを
備える。これら保持溝群13a,13bは、図示しない
が、ウェハW,W,…の配列方向つまり図1の紙面に対
して垂直方向へ延びて設けられ、その溝ピッチは上記ウ
ェハW,W,…の基板間ピッチに設定されている。
On the upper side of the liquid supply box 6, a pair of left and right wafer holders 13, 13 are provided, and these wafer holders 13, 13 hold lower side edges of the wafers W, W,. It has two upper and lower holding groove groups 13a and 13b for supporting. Although not shown, these holding groove groups 13a, 13b are provided so as to extend in the arrangement direction of the wafers W, W,..., That is, in the direction perpendicular to the plane of FIG. The pitch between the substrates is set.

【0021】これに関連して、給液ボックス6の上面6
aは、上記ウェハ保持部13,13に保持されたウェハ
W,W,…の底部円弧部に沿った円弧面に形成されると
ともに、上記洗浄液供給部12,12,…は、それぞれ
ウェハW,W間に配置されている。これにより、各洗浄
液供給部12の流出孔12a,12a,…は、各ウェハ
W,W間において、ウェハWの底部に近接してこのウェ
ハWとほぼ同心状に位置されている。また、ウェハ保持
部13の上下保持溝群13a,13b間には、洗浄液C
の通過穴15,15,…が設けられており、洗浄液Cの
上昇流を阻害しない構造とされている。
In connection with this, the upper surface 6 of the liquid supply box 6
are formed on an arc surface along the bottom arc portion of the wafers W, W,... held by the wafer holding portions 13, 13, and the cleaning liquid supply portions 12, 12,. It is arranged between W. Thus, the outflow holes 12a, 12a,... Of each of the cleaning liquid supply units 12 are located between the wafers W, W, in the vicinity of the bottom of the wafer W and substantially concentrically with the wafer W. The cleaning liquid C is provided between the upper and lower holding groove groups 13a and 13b of the wafer holding unit 13.
Are provided so as not to hinder the upward flow of the cleaning liquid C.

【0022】また、ウェハ保持部13,13の左右外側
には、2本の補助給液パイプ16,16が配設されてい
る。この補助給液パイプ16は、洗浄槽1の左右両側部
分における洗浄液Cの澱みを防止するためのものであ
る。補助給液パイプ16は、上記給液回路7に連通され
るとともに(図示省略)、その上面部に多数の流出穴1
6a,16a,…が上向きに設けられて、この部位に洗
浄液Cの上方への流れを形成するようにされている。
Further, two auxiliary liquid supply pipes 16, 16 are provided on the left and right outer sides of the wafer holding parts 13, 13, respectively. The auxiliary liquid supply pipe 16 is for preventing the cleaning liquid C from stagnating in both left and right portions of the cleaning tank 1. The auxiliary liquid supply pipe 16 communicates with the liquid supply circuit 7 (not shown), and has a large number of outflow holes 1 on its upper surface.
.. Are provided upward so as to form an upward flow of the cleaning liquid C in these portions.

【0023】外槽2は洗浄槽1と一体的に設けられた同
一材料からなるもので、洗浄槽1のオーバフロー部5を
全周にわたって取り囲むように設けられている。この外
槽2の底部は給液回路7に連通されており、給液回路7
の中途箇所が切換弁17を介して前述の排液回路に連通
されており、洗浄液Cが汚れてきたら、この排液回路を
介して、上記両槽1,2内の洗浄液Cが全て排液され
る。
The outer tub 2 is made of the same material provided integrally with the cleaning tub 1, and is provided so as to surround the overflow portion 5 of the cleaning tub 1 over the entire circumference. The bottom of the outer tank 2 is communicated with a liquid supply circuit 7.
Is connected to the above-mentioned drain circuit via the switching valve 17, and when the cleaning liquid C becomes dirty, all of the cleaning liquid C in both the tanks 1 and 2 is drained through this drain circuit. Is done.

【0024】浮き上がり防止装置3は、開閉蓋20、基
板浮き上がり防止部材21および駆動部22(図2参
照)を主要部として備える。
The lifting prevention device 3 includes an opening / closing lid 20, a substrate lifting prevention member 21, and a driving unit 22 (see FIG. 2) as main parts.

【0025】開閉蓋20は、図1に示すように、上方へ
両開きする一対の蓋部材25、25を備えてなり、これ
ら蓋部材25,25が、図2に示す駆動部22により開
閉動作される。
As shown in FIG. 1, the opening / closing lid 20 is provided with a pair of lid members 25, 25 which open upwards. These lid members 25, 25 are opened and closed by the drive unit 22 shown in FIG. You.

【0026】両蓋部材25,25は平板状のものであっ
て、その閉塞時(図1および図2の実線参照)におい
て、洗浄槽1および外槽2の上部開口全体を覆うととも
に、先端縁25a,25a同士が互いに重なり合うよう
な形状寸法とされている。蓋部材25の基端部25b
は、開閉アーム26の先端部26aに取付け固定され、
この開閉アーム26の基端部26bが、回動軸27を介
して、装置本体28に回動可能に枢支されている。
The two lid members 25, 25 are flat and cover the entire upper openings of the cleaning tank 1 and the outer tank 2 when closed (see the solid lines in FIGS. 1 and 2). The shape and dimensions are such that 25a, 25a overlap each other. Base end 25b of lid member 25
Is attached and fixed to the tip 26a of the opening / closing arm 26,
A base end 26 b of the opening / closing arm 26 is pivotally supported by a device main body 28 via a rotation shaft 27.

【0027】駆動部22は、図2に示すように、駆動源
としてのエアシリンダ30および駆動アーム31を主要
部として備える。エアシリンダ30は装置本体28に上
向きに設けられており、そのシリンダ本体32の基端部
32aが、支軸33を介して装置本体28に枢着される
とともに、そのピストンロッド34の先端ブラケット3
4aが、連結ピン35を介して上記駆動アーム31の先
端部31aに枢支連結されている。
As shown in FIG. 2, the driving section 22 includes an air cylinder 30 as a driving source and a driving arm 31 as main parts. The air cylinder 30 is provided on the apparatus main body 28 in an upward direction. A base end 32 a of the cylinder main body 32 is pivotally connected to the apparatus main body 28 via a support shaft 33, and a distal end bracket 3 of a piston rod 34 is provided.
4 a is pivotally connected to the distal end 31 a of the drive arm 31 via a connection pin 35.

【0028】駆動アーム31は、その基端部31bが上
記回動軸27に連結固定されており、上記開閉アーム2
6と共に回動軸27を中心として回動可能とされてい
る。30a〜30dはエアシリンダ30を駆動制御する
圧力エアーの配管であって、図示しない切換弁を介して
エアー供給源に連通されている。
The drive arm 31 has a base end 31b connected and fixed to the rotation shaft 27.
6 together with the rotation shaft 27. Reference numerals 30a to 30d denote pressure air pipes for driving and controlling the air cylinder 30, and are connected to an air supply source via a switching valve (not shown).

【0029】そして、エアシリンダ30のピストンロッ
ド34の突出退入動作により、開閉蓋20が開閉動作さ
れる。つまり、ピストンロッド34の退入時において、
上記蓋部材25,25が開放位置にあり(図1および図
2の2点鎖線参照)、一方、ピストンロッド34突出時
において、上記蓋部材25,25が閉塞位置にある(図
1および図2の実線参照)。
The opening / closing lid 20 is opened / closed by the projecting / retracting operation of the piston rod 34 of the air cylinder 30. That is, when the piston rod 34 retreats,
The lid members 25, 25 are in the open position (see the two-dot chain line in FIGS. 1 and 2), while the lid members 25, 25 are in the closed position when the piston rod 34 projects (FIGS. 1 and 2). Solid line).

【0030】基板浮き上がり防止部材21は、上記両蓋
部材25,25の先端部内側にそれぞれ設けられてい
る。この基板浮き上がり防止部材21は、図3に示すよ
うに線材が折曲形成されてなり、浮き上がり防止バー2
1aと支持部21b,21bとからなる。
The board lifting prevention members 21 are provided inside the front ends of the lid members 25, 25, respectively. The substrate lifting prevention member 21 is formed by bending a wire as shown in FIG.
1a and support portions 21b, 21b.

【0031】浮き上がり防止バー21aは、上記洗浄槽
1内に浸漬されるウェハW,W,…の配列方向へ平行か
つ水平に延びて設けられており、その両端が、上記支持
部21b,21bを介して蓋部材25の先端部内側に取
付固定されている。
The lifting prevention bar 21a is provided so as to extend in parallel and horizontally in the direction in which the wafers W, W,... Immersed in the cleaning tank 1 are arranged, and both ends thereof are connected to the support portions 21b, 21b. It is attached and fixed to the inside of the distal end portion of the lid member 25 through the intermediary portion.

【0032】そして、これら両浮き上がり防止バー21
a,21aは、上記開閉蓋20の閉塞時において、上記
各ウェハWの上部縁に当接または近接して水平状態で位
置するように設定されている。
Then, both of the lifting prevention bars 21
The reference numerals a and 21a are set so as to be positioned in a horizontal state in contact with or near the upper edge of each wafer W when the opening / closing lid 20 is closed.

【0033】これに関連して、各蓋部材25の基部内側
に位置決めロッド36が下向きに設けられており、この
位置決めロッド36の先端36aが、開閉蓋20の閉塞
時に装置本体28の位置決め面28aに当接して、上記
浮き上がり防止バー21aの高さ位置が規定される(図
2参照)。
In this connection, a positioning rod 36 is provided downward on the inner side of the base of each lid member 25, and the tip 36 a of the positioning rod 36 is positioned when the opening / closing lid 20 is closed. , The height position of the lifting prevention bar 21a is defined (see FIG. 2).

【0034】しかして、以上のように構成された洗浄槽
装置において、図示しない搬送処理装置により、カセッ
トレスでチャッキング搬送されるウェハW,W,…が洗
浄槽1内のウェハ保持部13,13上に載置されると、
浮き上がり防止装置3の開閉蓋20が洗浄槽1と外槽2
の開口全体を閉塞し、これと同時に、浮き上がり防止バ
ー21a,21aが各ウェハWの上部縁に当接または近
接して位置することとなる。
In the cleaning tank apparatus configured as described above, the wafers W, W,. When placed on 13,
The opening / closing lid 20 of the lifting prevention device 3 includes the cleaning tank 1 and the outer tank 2.
Are closed, and at the same time, the lifting prevention bars 21a, 21a are positioned in contact with or close to the upper edge of each wafer W.

【0035】この時、洗浄槽1内には洗浄液Cが満たさ
れているとともに、循環ポンプ8により、給液ボックス
6と補助給液パイプ16,16を介して、ヒータ9およ
び濾過フィルタ10により加熱、濾過された洗浄液Cが
給液回路7から供給される。これにより、洗浄液Cは、
給液ボックス6からの流出量に対応した量が洗浄槽1の
オーバフロー部5から外槽2へオーバフローして、再び
給液回路7へ流れる。
At this time, the cleaning tank 1 is filled with the cleaning liquid C, and is heated by the circulation pump 8 through the liquid supply box 6 and the auxiliary liquid supply pipes 16, 16 and by the heater 9 and the filter 10. The filtered cleaning liquid C is supplied from the liquid supply circuit 7. Thereby, the cleaning liquid C is
An amount corresponding to the outflow amount from the liquid supply box 6 overflows from the overflow section 5 of the cleaning tank 1 to the outer tank 2 and flows to the liquid supply circuit 7 again.

【0036】以上のようにして、洗浄液Cが給液回路7
と洗浄槽1の閉回路内で循環されることにより、洗浄槽
1内には洗浄液Cの上昇流が生じる(図1の矢符参
照)。この上昇流は各ウェハW,W間を流れて、各ウェ
ハWの表面がHF処理され、これら表面に付着したダス
ト(塵埃)は剥離されて、オーバフローする洗浄液Cと
共に洗浄槽1外へ運び出され、さらに給液回路7の濾過
フィルタ10で除去された後、再び洗浄液Cのみが洗浄
槽1内へ還流される。
As described above, the cleaning liquid C is supplied to the liquid supply circuit 7.
The cleaning liquid C is circulated in the closed circuit of the cleaning tank 1 to generate an upward flow of the cleaning liquid C in the cleaning tank 1 (see the arrow in FIG. 1). This upward flow flows between the wafers W, W, and the surface of each wafer W is subjected to HF treatment. The dust (dust) adhering to these surfaces is peeled off and carried out of the cleaning tank 1 together with the overflowing cleaning liquid C. After being further removed by the filtration filter 10 of the liquid supply circuit 7, only the cleaning liquid C is returned to the cleaning tank 1 again.

【0037】また、このHF処理時において、硫酸と過
酸化水素水の混合時の反応熱およびヒータ9による加熱
により、洗浄液Cが150℃〜160°ぐらいまで温度
上昇して沸騰するため、その沸騰圧力によりウェハW,
W,…はウェハ保持部13,13から浮き上がろうとす
るが、上記浮き上がり防止バー21a、21aがこれを
上側から抑えて、そのガタつきを有効に防止する。
During the HF treatment, the cleaning liquid C rises to a temperature of about 150 ° C. to 160 ° due to the reaction heat at the time of mixing the sulfuric acid and the hydrogen peroxide solution and the heating by the heater 9. Wafer W,
W try to rise from the wafer holding portions 13, 13, but the lifting prevention bars 21a, 21a suppress the lifting from the upper side, thereby effectively preventing rattling.

【0038】なお、上述した実施例はあくまでも本考案
の好適な実施態様を示すものであって、本考案はこれに
限定して解釈されるべきでなく、本考案の範囲内で種々
設計変更可能である。
It should be noted that the above-described embodiment merely shows a preferred embodiment of the present invention, and the present invention should not be construed as being limited thereto, and various design changes can be made within the scope of the present invention. It is.

【0039】例えば、図示例においては、開閉蓋20の
駆動源としてエアシリンダ30が用いられているが、サ
ーボモータが使用されて、その駆動軸が回動軸27に直
接または間接的に連結される構造としてもよい。
For example, in the illustrated example, the air cylinder 30 is used as a drive source of the opening / closing lid 20, but a servomotor is used and its drive shaft is directly or indirectly connected to the rotation shaft 27. The structure may be as follows.

【0040】また、対象となる洗浄槽1の構造も図示例
に限定されず、他の構造の洗浄槽にも適用可能で、洗浄
液についても、その処理反応時の挙動が硫酸処理の場合
と同様な他の洗浄液処理、例えば、リン酸(H3
4 )と純水の混合液によるリン酸処理などにも適用可
能である。
Further, the structure of the cleaning tank 1 as an object is not limited to the illustrated example, and the cleaning tank 1 can be applied to cleaning tanks of other structures. Other cleaning liquid treatments, such as phosphoric acid (H 3 P
It is also applicable to phosphoric acid treatment with a mixed solution of O 4 ) and pure water.

【0041】[0041]

【考案の効果】以上詳述したように、本考案によれば、
洗浄槽の上部開口に開閉蓋が開閉可能に設けられるとと
もに、この開閉蓋の内側に基板浮き上がり防止部材が設
けられてなるから、洗浄処理時の反応熱やヒータ加熱に
より洗浄液が温度上昇して沸騰しても、洗浄液の蒸気や
ミストの洗浄槽外部への飛散等が有効に防止されるとと
もに、洗浄液の沸騰圧力によるウェハの浮き上がりが有
効に防止されて、その保持位置に安定して保持される。
[Effect of the Invention] As described in detail above, according to the present invention,
When an opening / closing lid is provided to be openable and closable at the upper opening of the washing tank
In addition, a board lifting prevention member is installed inside the lid.
Since vignetting becomes, even the cleaning liquid by the reaction heat and the heater heating during the cleaning process boils increased temperature, Ya vapor of the cleaning solution
If mist is effectively prevented from scattering outside the washing tank,
In addition, the lifting of the wafer due to the boiling pressure of the cleaning liquid is effectively prevented, and the wafer is stably held at the holding position.

【0042】したがって、洗浄液は各ウェハ表面に均一
にかつ安定して接触することとなり、均一な表面処理が
ウェハ全体にわたって行える結果、半導体装置構造の微
細化、高集積化に応じた高い清浄度がウェハ表面に得ら
れる。しかも、基板浮き上がり防止部材が開閉蓋に取付
固定されて一体に設けられているから、開閉蓋の開閉機
構を基板浮き上がり防止部材の駆動機構としても共用す
ることができ、機構の簡素化・小型化が図られる。
Accordingly, the cleaning liquid comes into uniform and stable contact with the surface of each wafer, and uniform surface treatment can be performed over the entire wafer. As a result, a high degree of cleanliness according to the miniaturization and high integration of the semiconductor device structure can be obtained. Obtained on the wafer surface. In addition, the board lifting prevention member is attached to the open / close lid.
Since it is fixed and provided integrally, the opening and closing device of the opening and closing lid
The structure is also used as a drive mechanism for the board lifting prevention member.
The mechanism can be simplified and downsized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本考案に係る一実施例である基板浮き上がり防
止装置を備えた基板洗浄槽装置の構成を示す正面断面図
である。
FIG. 1 is a front cross-sectional view showing a configuration of a substrate cleaning tank device provided with a substrate lifting prevention device according to an embodiment of the present invention.

【図2】同基板浮き上がり防止装置の駆動部を拡大して
示す正面図である。
FIG. 2 is an enlarged front view showing a driving unit of the substrate lifting prevention device.

【図3】同基板浮き上がり防止装置の基板浮き上がり防
止部材と、洗浄処理される基板との関係を一部省略して
示す斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view showing a part of a relationship between a substrate lifting prevention member of the substrate lifting prevention device and a substrate to be subjected to a cleaning process, partially omitted;

【図4】従来の洗浄槽装置の構成を示す正面断面図であ
る。
FIG. 4 is a front sectional view showing a configuration of a conventional cleaning tank device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 洗浄槽 2 外槽 3 浮き上がり防止装置 5 洗浄槽の上部開口(オーバーフロー
部) 6 給液ボックス 7 給液回路 8 循環ポンプ 9 ヒータ(熱交換器) 10 濾過フィルタ 11 洗浄液供給ノズル 13 ウェハ保持部 16 補助給液パイプ 20 開閉蓋 21 基板浮き上がり防止部材 21a 浮き上がり防止バー 22 開閉蓋の駆動部 25 蓋部材 26 開閉アーム 27 回動軸 30 エアシリンダ 31 駆動アーム 36 位置決めロッド W 半導体基板(ウェハ) C 洗浄液
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Cleaning tank 2 Outer tank 3 Lift prevention device 5 Upper opening (overflow part) of cleaning tank 6 Liquid supply box 7 Liquid supply circuit 8 Circulation pump 9 Heater (heat exchanger) 10 Filtration filter 11 Cleaning liquid supply nozzle 13 Wafer holding part 16 Auxiliary liquid supply pipe 20 Opening / closing lid 21 Substrate lifting prevention member 21a Lifting prevention bar 22 Opening / closing lid driving unit 25 Lid member 26 Opening / closing arm 27 Rotating shaft 30 Air cylinder 31 Drive arm 36 Positioning rod W Semiconductor substrate (wafer) C Cleaning liquid

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−338276(JP,A) 特開 平3−246939(JP,A) 特開 平4−354128(JP,A) 実開 昭62−95788(JP,U) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-4-338276 (JP, A) JP-A-3-246939 (JP, A) JP-A-4-354128 (JP, A) 95788 (JP, U)

Claims (3)

(57)【実用新案登録請求の範囲】(57) [Scope of request for utility model registration] 【請求項1】 洗浄処理時において基板に洗浄液の沸騰
圧力が作用する基板洗浄槽に備えられるものであって、 上記 洗浄槽の上部開口に開閉蓋が開閉可能に設けられる
とともに、この開閉蓋の内側に基板浮き上がり防止部材
取付固定されてなり、 この基板浮き上がり防止部材は、上記洗浄槽内に浸漬さ
れる複数枚の基板の配列方向へ平行に延びて設けられる
とともに、上記開閉蓋の閉塞時において、上記基板の上
部縁に当接または近接して位置するように設定されてい
ることを特徴とする基板洗浄槽の基板浮き上がり防止装
置。
1. A cleaning liquid boils on a substrate during a cleaning process.
Be those provided in the substrate cleaning tank pressure acts, in conjunction with the opening and closing lid on the upper opening of the cleaning tank is provided to be opened and closed, the substrate lifting prevention member inside the lid is fixedly attached, the The board lifting prevention member is immersed in the cleaning tank.
Extending in parallel with the arrangement direction of a plurality of substrates to be provided.
Together, during closure of the lid, the substrate lifting device for preventing the substrate cleaning tank, characterized in that it is set to be positioned abuts or in proximity to the upper edge of the substrate.
【請求項2】 上記開閉蓋は上方へ両開きする一対の
蓋部材を備えるとともに、これら蓋部材を開閉動作させ
る駆動部に駆動連結され、 上記両 蓋部材の先端部内側に上記基板浮き上がり防止
部材がそれぞれ取付固定されていることを特徴とする
求項1に記載の基板洗浄槽の基板浮き上がり防止装置。
Wherein said lid is Rutotomoni includes a pair of cover members for casement upwards causes these lid members are opened and closed
That it is drivingly connected to the driving unit, the distal end inside of both lid member, the substrate cleaning bath according to請<br/> Motomeko 1, characterized in that the substrate lifting prevention member is attached and fixed respectively Substrate lifting prevention device.
【請求項3】 上記基板浮き上がり防止部材は、上記洗
浄槽内に浸漬される複数枚の基板の配列方向へ平行に延
びる浮き上がり防止バーを備え、この浮き上がり防止バ
ーは、上記開閉蓋の閉塞時において、上記各基板の上部
縁に当接または近接して水平状態で位置するように設定
されていることを特徴とする請求項1または2に記載の
基板洗浄槽の基板浮き上がり防止装置。
3. The substrate lifting prevention member includes a lifting prevention bar extending parallel to an arrangement direction of a plurality of substrates immersed in the cleaning tank, and the lifting prevention bar is provided when the opening / closing lid is closed. 3. The method according to claim 1, wherein the first and second substrates are set in a horizontal state in contact with or near an upper edge of each of the substrates.
Substrate lifting device for substrate cleaning tank .
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