JPH11102888A - Substrate processing vessel - Google Patents

Substrate processing vessel

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Publication number
JPH11102888A
JPH11102888A JP26344597A JP26344597A JPH11102888A JP H11102888 A JPH11102888 A JP H11102888A JP 26344597 A JP26344597 A JP 26344597A JP 26344597 A JP26344597 A JP 26344597A JP H11102888 A JPH11102888 A JP H11102888A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
tank
processing liquid
tank body
processing
Prior art date
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Pending
Application number
JP26344597A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kentarou Tokuri
憲太郎 徳利
Yusuke Muraoka
祐介 村岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP26344597A priority Critical patent/JPH11102888A/en
Publication of JPH11102888A publication Critical patent/JPH11102888A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a processing solution from flowing from its level towards a substrate and to improve nonuniformity in flow velocity distribution. SOLUTION: A pair of covers 12, extending along the total length of a vessel body 1, are provided on the upper portion of the body 1. Both covers 12 are arranged in such a manner that their bottom surfaces come in contact with the processing solution, and that one end of each cover comes in intimate contact with the upper vertical wall surface of the body 1. An overflow port 14 is formed between the other ends of the covers 12, i.e., above the center of a substrate 2 accommodated in the body 1. The port 14 limits the position and area of an upper opening 13 of the body 1. As a result, the processing solution which rises towards the upper portion of the body 1 along the substrate 2 is discharged, while it is caused to flow along the bottom surfaces of the covers 12 so as to concentrate on the port 14, thereby preventing the processing solution from returning towards the substrate 2 from the upper portion of the body 1 and suppressing, the flow velocity difference between above and below the substrate 2, and making the flow velocity distribution uniform.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶用のガラス基板やマスクやフォトマスクなどの電子部
品製造用の基板を槽本体内に納め、基板に純水やエッチ
ング液などの処理液を供給し、基板を処理液中に浸漬し
て処理する基板処理槽に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer, a glass substrate for liquid crystal, a substrate for manufacturing electronic parts such as a mask and a photomask, and the like. And a substrate processing tank for processing the substrate by immersing the substrate in a processing liquid.

【0002】[0002]

【従来の技術】この種の基板処理槽としては、従来一般
に、図9の横断面図に示すように構成されている。すな
わち、槽本体01の底部の両側それぞれに処理液供給管
02を設け、その処理液供給管02の長手方向に所定間
隔を隔てて、下向きなど、槽本体01の中央側に向かっ
て処理液を供給するスリット03を設け、槽本体01内
に処理液を供給し、鉛直姿勢で納められた基板04を処
理液中に浸漬して処理する。
2. Description of the Related Art A substrate processing tank of this type is generally constructed as shown in a cross-sectional view of FIG. That is, the processing liquid supply pipes 02 are provided on both sides of the bottom of the tank main body 01, and the processing liquid is supplied toward the center side of the tank main body 01, such as downward, at a predetermined interval in the longitudinal direction of the processing liquid supply pipe 02. A supply slit 03 is provided, a processing liquid is supplied into the tank main body 01, and the substrate 04 stored in a vertical posture is immersed in the processing liquid for processing.

【0003】槽本体01内に底部の両側から供給された
処理液は、基板04の中心の下方側で合流する状態にな
り、そこから基板04の板面に沿うように上昇した後、
液面箇所で槽本体01の上部外周縁に向かい、槽本体0
1の上方開口05からオーバーフローし、オーバーフロ
ー槽06に流入して排出される。
The processing liquid supplied from both sides of the bottom into the tank body 01 joins below the center of the substrate 04 and rises along the plate surface of the substrate 04 from there.
At the liquid level, head toward the upper outer periphery of the tank
1, overflows from the upper opening 05, flows into the overflow tank 06, and is discharged.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
の場合、液面箇所で槽本体01の上部外周縁に到達した
処理液のいくらかがオーバーフローせず、槽本体01の
縦壁の内周面に沿って下向きに流れる問題があった。こ
の結果、基板04から分離されたパーティクルが混入し
たり、液面箇所で気体が溶解したり気泡やパーティクル
を取り込んだ処理液が基板04に作用し、基板04の汚
染を招く欠点があった。
However, in the case of the conventional example, some of the processing liquid that has reached the upper outer peripheral edge of the tank main body 01 at the liquid level does not overflow, and the processing liquid reaches the inner peripheral surface of the vertical wall of the tank main body 01. There was a problem of flowing downward along. As a result, there are drawbacks in that particles separated from the substrate 04 are mixed in, the gas is dissolved at the liquid surface portion, or the processing liquid containing the bubbles and particles acts on the substrate 04, thereby causing contamination of the substrate 04.

【0005】また、基板04に沿って流れる箇所では基
板04から受ける粘性抵抗が大きく、基板04に沿って
流れる箇所での流動抵抗が基板04の端縁と槽本体01
の縦壁との間の箇所での流動抵抗よりも大きくなる。こ
のため、基板04の中心の下方側から上昇する処理液
が、抵抗の少ない槽本体01の縦壁側へと分岐した流れ
となり、基板04に沿って流れる箇所での処理液の流速
が減少する。この結果、基板04の上方側と下方側とで
流速の差が発生するとともに基板04全体に対する処理
液の流速分布が不均一になり、供給する処理液として、
薬液から純水、あるいは、純水から薬液など、種類を変
更するときに、もしくは薬液槽から純水リンス槽又は純
水リンス槽から薬液槽へ基板を搬送して処理するときに
置換に時間がかかり、薬液や純水の使用量が多くなって
不経済になるとともに、処理効率が低下する欠点があっ
た。
[0005] Further, the viscous resistance received from the substrate 04 is large at the portion flowing along the substrate 04, and the flow resistance at the portion flowing along the substrate 04 is determined by the edge of the substrate 04 and the tank body 01.
Is greater than the flow resistance at the point between the vertical wall. For this reason, the processing liquid rising from the lower side of the center of the substrate 04 becomes a flow branched to the vertical wall side of the tank main body 01 having a small resistance, and the flow velocity of the processing liquid at a location flowing along the substrate 04 decreases. . As a result, a difference in flow velocity occurs between the upper side and the lower side of the substrate 04, and the flow velocity distribution of the processing liquid over the entire substrate 04 becomes non-uniform.
When changing the type, such as chemical to pure water or pure water to chemical, or when transferring and processing substrates from a chemical tank to a pure water rinsing tank or a pure water rinsing tank to the chemical tank, the replacement time is reduced. As a result, the amount of the chemical solution or pure water used increases, which is uneconomical.

【0006】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、液面箇所から基板側に処理液が流れる
ことを防止するとともに流速分布の不均一性を改善する
ことを目的とする。
The present invention has been made in view of such circumstances, and has as its object to prevent a processing liquid from flowing from a liquid level to a substrate side and to improve non-uniformity of flow velocity distribution. I do.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項1に記載の発明は、鉛直姿勢で納められた基
板を処理液で浸漬処理する槽本体と、前記槽本体内に納
められた前記基板に処理液を供給する処理液供給部とを
備え、処理液を前記槽本体の上方開口からオーバーフロ
ーさせて基板を処理する基板処理槽において、前記処理
液供給部が、槽本体の底部に設けられて、前記基板の板
面に沿って上方に向かうように処理液を供給するもので
あり、前記上方開口の面積を制限したオーバーフロー口
を形成するカバーを、その下面が処理液に接触する状態
で設け、かつ、前記カバーを、下面が処理液に接触する
閉じ位置と、前記槽本体の上方から退避した開き位置に
変位可能に設けたことを特徴としている。
The present invention has the following configuration in order to achieve the above object. That is, the invention according to claim 1 includes a tank body for immersing a substrate stored in a vertical posture with a processing liquid, a processing liquid supply unit for supplying a processing liquid to the substrate stored in the tank body. In a substrate processing tank for processing a substrate by causing a processing liquid to overflow from an upper opening of the tank main body, the processing liquid supply unit is provided at a bottom of the tank main body, and is disposed along a plate surface of the substrate. A cover forming an overflow port having a limited area of the upper opening is provided in a state where the lower surface thereof is in contact with the processing liquid, and the cover is provided with the lower surface being treated. It is characterized in that it is displaceably provided at a closed position in contact with the liquid and an open position retracted from above the tank body.

【0008】また、請求項2に記載の発明は、請求項1
に記載の基板処理槽において、カバーが閉じ位置にある
状態で、オーバーフロー口が、槽本体の上部の両端側そ
れぞれに形成されるように構成するものである。
[0008] The invention described in claim 2 is the first invention.
Wherein the overflow ports are formed at both ends of the upper portion of the tank body in a state where the cover is in the closed position.

【0009】また、請求項3に記載の発明は、請求項1
に記載の基板処理槽において、カバーが閉じ位置にある
状態で、オーバーフロー口が、槽本体の上部の、前記槽
本体内に納められた基板の中心の上方箇所に形成される
ように構成するものである。
[0009] The invention described in claim 3 is the first invention.
Wherein the overflow port is formed in an upper part of the tank body above the center of the substrate housed in the tank body, with the cover being in the closed position. It is.

【0010】[0010]

【作用】本発明の作用は次のとおりである。すなわち、
請求項1に記載の発明は、槽本体の底部に設けた処理液
供給部から供給された処理液を、カバーによって槽本体
の上方開口の位置と面積とを制限したオーバーフロー口
側に集まるように流して排出し、処理液が槽本体の上部
から基板側に戻るように流れることを防止する。また、
オーバーフロー口側に集まる流れに引きずられて槽本体
の上部での流速が従来よりも速くなり、基板の上下での
流速差を抑えるとともに流速分布を均一化する。基板を
槽本体内に出し入れするときには、カバーを槽本体の上
方から退避した開き位置に変位し、カバーに邪魔されな
いようにする。
The operation of the present invention is as follows. That is,
According to the first aspect of the present invention, the processing liquid supplied from the processing liquid supply unit provided at the bottom of the tank body is collected on the overflow port side where the position and area of the upper opening of the tank body are limited by the cover. The processing liquid is discharged to prevent the processing liquid from flowing from the upper part of the tank body back to the substrate side. Also,
The flow velocity at the upper part of the tank body becomes higher than before due to the flow gathered at the overflow port side, suppressing the flow velocity difference between the upper and lower sides of the substrate and making the flow velocity distribution uniform. When the substrate is taken in and out of the tank body, the cover is displaced to the open position retracted from above the tank body so as not to be obstructed by the cover.

【0011】また、請求項2に記載の発明は、基板に沿
って槽本体の上部に上昇される処理液を、槽本体の上部
の両端側それぞれに形成された槽本体の上部の両側のオ
ーバーフロー口側に集まるように流して排出し、処理液
が槽本体の上部から基板側に戻るように流れることを防
止する。また、槽本体の上部の両側のオーバーフロー口
側に集まる流れに引きずられることにより、基板上方で
の流速を速くし、基板の上下での流速差を抑えるととも
に流速分布を均一化する。
According to a second aspect of the present invention, the processing liquid which rises along the substrate to the upper portion of the tank main body overflows on both sides of the upper portion of the tank main body formed at both ends of the upper portion of the tank main body. The processing liquid is discharged so as to collect at the mouth side, and the processing liquid is prevented from flowing from the upper part of the tank body back to the substrate side. In addition, by being dragged by the flows gathering on the overflow ports on both sides of the upper portion of the tank body, the flow velocity above the substrate is increased, the flow velocity difference between the upper and lower sides of the substrate is suppressed, and the flow velocity distribution is made uniform.

【0012】また、請求項3に記載の発明は、基板に沿
って槽本体の上部に上昇される処理液を、槽本体の上部
の、槽本体内に納められた基板の中心の上方箇所に形成
されたオーバーフロー口側に集まるように流して排出
し、処理液が槽本体の上部から基板側に戻るように流れ
ることを防止する。また、槽本体の上部の、基板の中心
の上方箇所のオーバーフロー口側に集まる流れに引きず
られることにより、基板上方での流速を速くし、基板の
上下での流速差を抑えるとともに流速分布を均一化す
る。
[0012] According to a third aspect of the present invention, the processing liquid which is raised to the upper portion of the tank main body along the substrate is placed on the upper portion of the tank main body above the center of the substrate contained in the tank main body. The processing liquid is discharged so as to collect at the formed overflow port side, thereby preventing the processing liquid from flowing from the upper part of the tank body back to the substrate side. In addition, by being dragged by the flow collected on the overflow port side above the center of the substrate at the top of the tank body, the flow velocity above the substrate is increased, the flow velocity difference between the top and bottom of the substrate is suppressed, and the flow velocity distribution is uniform. Become

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施例を図面を用
いて詳細に説明する。図1は、本発明に係る基板処理槽
の第1実施例を示す横断面図、図2は第1実施例の平面
図である。図1および図2に示すように、基板処理槽
は、槽本体1と、基板2を槽本体1内に収納したり取り
出したりするリフター3とから構成されている。
Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view showing a first embodiment of a substrate processing tank according to the present invention, and FIG. 2 is a plan view of the first embodiment. As shown in FIGS. 1 and 2, the substrate processing tank includes a tank main body 1 and a lifter 3 that stores and removes the substrate 2 in and from the tank main body 1.

【0014】リフター3は、基板2を鉛直姿勢で保持す
る基板保持溝4を長手方向に所定ピッチで形成した3本
の基板保持部材5と、その基板保持部材5の長手方向一
端側を一体連結する連結部材6と、基板保持部材5の長
手方向他端側に一体連接された基板昇降部材7と、槽本
体1の外側に設置されて基板昇降部材7に連動連結され
た昇降装置8とから構成されている。
The lifter 3 integrally connects three substrate holding members 5 each having a substrate holding groove 4 for holding the substrate 2 in a vertical posture at a predetermined pitch in the longitudinal direction, and one longitudinal end of the substrate holding member 5. A connecting member 6 to be connected, a substrate elevating member 7 integrally connected to the other end of the substrate holding member 5 in the longitudinal direction, and an elevating device 8 installed outside the tank body 1 and connected to the substrate elevating member 7 in an interlocked manner. It is configured.

【0015】槽本体1内には、その底部の両側それぞれ
に、石英二重管による処理液供給部9が設けられてい
る。図示しないが、処理液供給部9には処理液供給配管
が接続され、この処理液供給配管に、その上流側での切
り換え構成により、エッチング液などの薬液や純水を処
理液として選択して供給できるようになっている。
Inside the tank body 1, processing liquid supply units 9 each formed of a double quartz tube are provided on both sides of the bottom. Although not shown, a processing liquid supply pipe is connected to the processing liquid supply section 9, and a chemical liquid such as an etching liquid or pure water is selected as the processing liquid by a switching configuration on the upstream side of the processing liquid supply pipe. It can be supplied.

【0016】処理液供給部9を構成する外管9aには、
平面視において、並列された基板2間に位置するよう
に、管軸芯方向に所定ピッチで、下方に向けて処理液を
供給するようにスリット10が形成されている。これに
より、両側の処理液供給部9から基板2の中心の下方側
に向かうように処理液を供給し、その供給された処理液
が基板2の中心の下方側で合流し、そこから上方に流
れ、基板2を処理液に浸漬するようになっている。
An outer tube 9a constituting the processing liquid supply unit 9 includes:
In a plan view, the slits 10 are formed so as to supply the processing liquid downward at a predetermined pitch in the tube axis direction so as to be located between the substrates 2 arranged in parallel. As a result, the processing liquid is supplied from the processing liquid supply units 9 on both sides toward the lower side of the center of the substrate 2, and the supplied processing liquids join at the lower side of the center of the substrate 2, and then upward. The flow is to immerse the substrate 2 in the processing liquid.

【0017】槽本体1の上端縁の周囲を囲むようにオー
バーフロー槽11が設けられ、槽本体1からオーバーフ
ローされる処理液を受け止めて排出するように構成され
ている。
An overflow tank 11 is provided so as to surround the periphery of the upper end of the tank body 1, and is configured to receive and discharge the processing liquid overflowing from the tank body 1.

【0018】槽本体1の上部に、槽本体1の長手方向全
長にわたる一対のカバー12が設けられている。両カバ
ー12は、それぞれ下面が処理液に接触するとともに一
側縁が槽本体1の縦壁面の上部に密接する状態で設けら
れ、かつ、両カバー12の他側縁間に、槽本体1の上方
開口13の位置および面積を制限したオーバーフロー口
14が形成されるようになっている。このオーバーフロ
ー口14は、槽本体1の上部の、槽本体1内に納められ
た基板2の中心の上方箇所において、槽本体1の長手方
向全長にわたらされている。カバー12の材質として
は、使用する処理液に対して耐久性を有するものであれ
ば良い。
A pair of covers 12 are provided on the upper part of the tank body 1 over the entire length of the tank body 1 in the longitudinal direction. Both covers 12 are provided such that the lower surfaces thereof are in contact with the processing liquid and one side edge is in close contact with the upper portion of the vertical wall surface of the tank body 1. An overflow port 14 in which the position and area of the upper opening 13 are limited is formed. The overflow port 14 extends over the entire length of the tank body 1 in the upper part of the tank body 1 and above the center of the substrate 2 housed in the tank body 1. The cover 12 may be made of any material as long as it has durability with respect to the processing liquid to be used.

【0019】オーバーフロー槽11の両側それぞれに、
槽本体1の長手方向の軸芯周りで揺動可能に一対の支持
アーム15が取り付けられ、その支持アーム15にカバ
ー12が取り付けられ、揺動による観音開き構成によ
り、カバー12を、下面が処理液に接触する閉じ位置
と、槽本体1の上方から退避した開き位置に変位し、槽
本体1内への基板2の出し入れを容易に行えるように構
成されている。
On both sides of the overflow tank 11,
A pair of support arms 15 is attached so as to be swingable around the longitudinal axis of the tank body 1, and a cover 12 is attached to the support arm 15. And the open position retracted from above the tank body 1 so that the substrate 2 can be easily taken in and out of the tank body 1.

【0020】両カバー12それぞれの上面は、閉じ位置
において、オーバーフロー槽11側程わずかだけ低くな
る傾斜面(傾斜角度としては約2°程度である)に構成
され、オーバーフロー口14から排出された処理液をオ
ーバーフロー槽11側に流しやすいようになっている。
The upper surface of each of the covers 12 is formed as an inclined surface (the inclination angle is about 2 °) slightly lower toward the overflow tank 11 in the closed position, and the processing discharged from the overflow port 14 is performed. The liquid is easy to flow to the overflow tank 11 side.

【0021】以上の構成により、基板2に沿って槽本体
1の上部に上昇される処理液を、カバー12の下面に沿
わせて流すとともに、槽本体1の上部の、槽本体1内に
納められた基板2の中心の上方箇所に形成されるオーバ
ーフロー口14に集まるように流し、処理液が槽本体1
の上部から基板2側に戻るように流れることを防止しな
がらオーバーフロー口14からオーバーフローさせて排
出する。また、オーバーフロー口14側に集まる流れに
引きずられて基板2の上方での流速を速くし、基板2の
上下での流速差を抑えるとともに流速分布を均一化し、
処理液の置換処理時間を短縮する。
With the above arrangement, the processing liquid which is raised to the upper part of the tank body 1 along the substrate 2 is caused to flow along the lower surface of the cover 12, and is stored in the tank body 1 above the tank body 1. The processing liquid is flowed so as to gather at an overflow port 14 formed above the center of the substrate 2, and the processing liquid
Is discharged from the overflow port 14 while preventing it from returning to the substrate 2 side from above. Further, the flow velocity is increased above the substrate 2 by being dragged by the flow gathering on the overflow port 14 side, the flow velocity difference between the upper and lower sides of the substrate 2 is suppressed, and the flow velocity distribution is made uniform.
Reduce the processing time of the processing solution replacement.

【0022】この第1実施例によれば、基板2の中心の
上方箇所に処理液を集めて排出するため、基板2の中心
およびそれに近い箇所に沿って上昇する、最も抵抗を受
ける流れを引き込むように排出でき、基板2の上下での
流速差を有効に減少できるとともに流速分布を均一化で
きる。
According to the first embodiment, since the processing liquid is collected and discharged at a position above the center of the substrate 2, the flow which receives the most resistance and rises along the center of the substrate 2 and a position near the center is drawn. And the flow velocity difference between the top and bottom of the substrate 2 can be effectively reduced, and the flow velocity distribution can be made uniform.

【0023】上記カバー12の変位は、独立した駆動装
置によって行っても良いが、昇降装置8の動作に連動さ
せ、基板2を下降して槽本体1内に納めるに伴ってカバ
ー12を閉じ位置に変位させ、基板2を上昇して槽本体
1内から取り出すに伴ってカバー12を開き位置に変位
させるように構成するのが良い。
The displacement of the cover 12 may be performed by an independent drive unit. However, the cover 12 is moved to the closed position in accordance with the operation of the elevating device 8 as the substrate 2 is lowered into the tank body 1. The cover 12 is preferably displaced to the open position as the substrate 2 is lifted and taken out of the tank body 1.

【0024】図3は、本発明に係る基板処理槽の第2実
施例を示す横断面図であり、第1実施例と異なるところ
は、次の通りである。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a second embodiment of the substrate processing tank according to the present invention. The difference from the first embodiment is as follows.

【0025】閉じ位置において、両カバー12の対向端
縁が段部21により密接され、両カバー12それぞれの
他方の端縁と槽本体1の縦壁面の上部との間に、すなわ
ち、槽本体1の上部の両端側それぞれに、槽本体1の上
方開口13の位置および面積を制限したオーバーフロー
口22が形成されている。他の構成は第1実施例と同じ
であり、同一図番を付すことにより、その説明は省略す
る。
In the closed position, the opposing edges of the two covers 12 are brought into close contact with each other by the step 21, and between the other edge of each of the two covers 12 and the upper part of the vertical wall of the tank body 1, that is, the tank body 1 An overflow port 22 that limits the position and area of the upper opening 13 of the tank main body 1 is formed at each of both upper ends of the tank body 1. The other configuration is the same as that of the first embodiment, and the description thereof will be omitted by retaining the same reference numerals.

【0026】この第2実施例の構成によれば、基板2に
沿って槽本体1の上部に上昇される処理液を、槽本体1
の上部の両端側それぞれに形成された槽本体1の上部の
両側のオーバーフロー口22側に集まるように流して排
出し、処理液が槽本体1の上部から基板2側に戻るよう
に流れることを防止する。また、槽本体1の上部の両側
のオーバーフロー口22側に集まる流れに引きずられる
ことにより、基板2の上方での流速を速くし、基板2の
上下での流速差を抑えるとともに流速分布を均一化し、
処理液の置換処理時間を短縮する。
According to the structure of the second embodiment, the processing liquid raised to the upper part of the tank body 1 along the substrate 2 is supplied to the tank body 1
It is made to flow so as to collect on the overflow ports 22 on both sides of the upper part of the tank body 1 formed at both ends of the upper part of the tank body, and the processing liquid flows back from the upper part of the tank body 1 to the substrate 2 side. To prevent. In addition, by being dragged by the flows gathering at the overflow ports 22 on both sides of the upper portion of the tank body 1, the flow velocity above the substrate 2 is increased, the flow velocity difference above and below the substrate 2 is suppressed, and the flow velocity distribution is made uniform. ,
Reduce the processing time of the processing solution replacement.

【0027】図4は、本発明に係る基板処理槽の第3実
施例を示す横断面図であり、第1実施例と異なるところ
は、次の通りである。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a third embodiment of the substrate processing bath according to the present invention. The difference from the first embodiment is as follows.

【0028】閉じ位置において、両カバー12それぞれ
の、処理液と接触する下向き面F1がオーバーフロー槽
11側程低くなる傾斜面に構成され、槽本体1の上部に
上昇される処理液を、オーバーフロー口14側に流れや
すいように構成される。他の構成は第1実施例と同じで
あり、同一図番を付すことにより、その説明は省略す
る。
In the closed position, the downward surface F1 of each of the covers 12 that comes into contact with the processing liquid is formed as an inclined surface that becomes lower toward the overflow tank 11, and the processing liquid that rises to the upper part of the tank body 1 is supplied to the overflow port. It is configured to easily flow to the 14 side. The other configuration is the same as that of the first embodiment, and the description thereof will be omitted by retaining the same reference numerals.

【0029】図5は、本発明に係る基板処理槽の第4実
施例を示す横断面図であり、第1実施例と異なるところ
は、次の通りである。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a fourth embodiment of the substrate processing tank according to the present invention. The difference from the first embodiment is as follows.

【0030】閉じ位置において、両カバー12それぞれ
の下向き面が、処理液と接触するとともに、槽本体1の
上端縁上に載置されるように構成される。他の構成は第
1実施例と同じであり、同一図番を付すことにより、そ
の説明は省略する。
In the closed position, the downward faces of both covers 12 are configured to come into contact with the processing liquid and to be placed on the upper edge of the tank body 1. The other configuration is the same as that of the first embodiment, and the description thereof will be omitted by retaining the same reference numerals.

【0031】図6は、本発明に係る基板処理槽の第5実
施例を示す横断面図、図7は第5実施例の平面図であ
り、第2実施例と異なるところは、次の通りである。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a fifth embodiment of the substrate processing bath according to the present invention, and FIG. 7 is a plan view of the fifth embodiment. The differences from the second embodiment are as follows. It is.

【0032】閉じ位置において、両カバー12それぞれ
の下向き面が、処理液と接触するとともに、槽本体1の
上端縁上に載置されるように構成される。更に、カバー
12それぞれの槽本体1の両側の縦壁面に近接する箇所
に、槽本体1の長手方向に所定ピッチで流出口31が形
成され、これらの多数の流出口31によって、槽本体1
の上方開口13の位置および面積を制限したオーバーフ
ロー口が構成されている。他の構成は第1実施例と同じ
であり、同一図番を付すことにより、その説明は省略す
る。
In the closed position, the downward surfaces of both covers 12 are configured to come into contact with the processing liquid and to be placed on the upper edge of the tank body 1. Further, outlets 31 are formed at predetermined pitches in the longitudinal direction of the tank main body 1 at locations close to the vertical wall surfaces on both sides of the tank main body 1 of each of the covers 12.
An overflow port is provided in which the position and area of the upper opening 13 are limited. The other configuration is the same as that of the first embodiment, and the description thereof will be omitted by retaining the same reference numerals.

【0033】図8は、本発明に係る基板処理槽の第6実
施例を示す横断面図であり、第2実施例と異なるところ
は、次の通りである。閉じ位置において、両カバー12
それぞれの下向き面F2が、槽本体1内に収められた基
板2の外周端縁と相似形の円弧面に構成されている。更
に、カバー12それぞれの上面の槽本体1の両側の縦壁
面に近接する箇所から下向き面F2に至るように、槽本
体1の長手方向に所定ピッチで流出口41が形成され、
これらの多数の流出口41によって、槽本体1の上方開
口13の位置および面積を制限したオーバーフロー口が
構成されている。他の構成は第1実施例と同じであり、
同一図番を付すことにより、その説明は省略する。
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a sixth embodiment of the substrate processing bath according to the present invention. The difference from the second embodiment is as follows. In the closed position, both covers 12
Each downward surface F2 is formed in an arc surface similar to the outer peripheral edge of the substrate 2 accommodated in the tank body 1. Further, the outlets 41 are formed at a predetermined pitch in the longitudinal direction of the tank body 1 so as to reach the downward surface F2 from a portion of the upper surface of each of the covers 12 close to the vertical wall on both sides of the tank body 1,
These multiple outlets 41 constitute an overflow port that restricts the position and area of the upper opening 13 of the tank body 1. Other configurations are the same as the first embodiment,
The description is omitted by attaching the same figure number.

【0034】この第6実施例によれば、槽本体1の上部
に上昇される処理液を、下向き面F2により流出口41
に案内し、渦流の発生を抑えながらスムーズに排出でき
る利点がある。
According to the sixth embodiment, the processing liquid raised to the upper part of the tank body 1 is supplied to the outlet 41 by the downward surface F2.
And has the advantage of being able to discharge smoothly while suppressing the generation of eddy currents.

【0035】上記実施例では、一対のカバー12を観音
開き構成により揺動させて閉じ位置と開き位置とに変位
させ、その変位に必要なスペースが上下方向に大きくな
らないように構成しているが、1枚のカバーで構成して
も良い。また、揺動によらずに、昇降と水平方向への移
動とを組み合わせて閉じ位置と開き位置とに変位させる
ように構成しても良い。
In the above-described embodiment, the pair of covers 12 is swung by the double-opening structure to be displaced between the closed position and the open position so that the space required for the displacement does not increase in the vertical direction. It may be composed of one cover. Instead of swinging, a combination of lifting and lowering and movement in the horizontal direction may be used to displace between the closed position and the open position.

【0036】また、上記実施例では、リフター3によっ
て基板2を槽本体1内に収納したり取り出したりするよ
うに構成しているが、本発明としては、例えば、基板を
収納したカセットを槽本体1内に収納して浸漬処理する
ものでも良い。また、1枚づつ基板を浸漬処理する場合
にも適用できる。
In the above-described embodiment, the substrate 2 is stored in or taken out of the tank body 1 by the lifter 3. However, the present invention provides, for example, a cassette in which the substrate is stored is provided in the tank body. The immersion treatment may be performed by storing the immersion processing in the storage unit 1. Also, the present invention can be applied to a case where the substrates are immersed one by one.

【0037】また、上記実施例では、処理液供給部9か
ら、槽本体1内に鉛直姿勢で納められた基板2の中心の
下方側に向かうように処理液を供給しているが、基板2
の中心に向かうように処理液を供給するものでも良い。
In the above-described embodiment, the processing liquid is supplied from the processing liquid supply unit 9 toward the lower side of the center of the substrate 2 housed in the tank body 1 in a vertical posture.
The processing liquid may be supplied so as to be directed toward the center of the processing liquid.

【0038】[0038]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
1に記載の発明によれば、槽本体の底部に設けた処理液
供給部から供給された処理液を、カバーによって槽本体
の上方開口の面積を制限したオーバーフロー口側に集ま
るように流し、槽本体の上部から基板側に戻るように流
れることを防止して排出するから、基板から除去したパ
ーティクルが混入したり、液面箇所で気体が溶解したり
気泡やパーティクルを取り込んだ処理液を、基板に作用
させてしまい、基板を汚染するといったことを回避で
き、処理品質を向上できる。そのうえ、槽本体の上部で
の流速を速くして、基板の上下での流速差を抑えるとと
もに流速分布を均一化するから、薬液から純水、あるい
は、純水から薬液といったように種類の異なる処理液に
置換するときに、その置換処理時間を短縮でき、処理液
の使用量を減少できて経済性を向上できるとともに処理
効率を向上して生産性を高めることができる。しかも、
カバーを、下面が処理液に接触する閉じ位置と、槽本体
の上方から退避した開き位置に変位可能に構成するか
ら、カバーに邪魔されずに基板を槽本体内に出し入れで
きる。
As is apparent from the above description, according to the first aspect of the present invention, the processing liquid supplied from the processing liquid supply section provided at the bottom of the tank main body is covered by the cover above the tank main body. The flow is made to collect on the overflow port side where the opening area is limited, and it is discharged while preventing it from flowing back from the upper part of the tank body to the substrate side. It is possible to prevent the processing solution in which gas is dissolved or bubbles or particles are taken in from acting on the substrate, thereby preventing the substrate from being contaminated, thereby improving the processing quality. In addition, since the flow velocity in the upper part of the tank body is increased to suppress the flow velocity difference between the top and bottom of the substrate and to make the flow velocity distribution uniform, different types of processing such as chemicals to pure water or pure water to chemicals are used. When replacing with a liquid, the replacement processing time can be shortened, the amount of the processing liquid used can be reduced, the economic efficiency can be improved, and the processing efficiency can be improved to increase the productivity. Moreover,
Since the cover is configured to be displaceable between a closed position where the lower surface contacts the processing liquid and an open position retracted from above the tank main body, the substrate can be taken in and out of the tank main body without being obstructed by the cover.

【0039】また、請求項2に記載の発明によれば、基
板に沿って槽本体の上部に上昇される処理液を、槽本体
の上部の、槽本体内に納められた基板の中心の上方箇所
に形成されたオーバーフロー口側に集まるように流し、
処理液が槽本体の上部から基板側に戻るように流れるこ
とを防止するから、基板から除去したパーティクルが混
入したり、液面箇所で気体が溶解したり気泡やパーティ
クルを取り込んだ処理液を、基板に作用させてしまい、
基板を汚染するといったことを回避でき、処理品質を向
上できる。 そのうえ、基板上方での流速を速くして、
基板の上下での流速差を抑えるとともに流速分布を均一
化するから、処理液の置換処理時間を短縮でき、処理液
の使用量を減少できて経済性を向上できるとともに処理
効率を向上して生産性を高めることができる。
According to the second aspect of the present invention, the processing liquid raised to the upper portion of the tank main body along the substrate is placed above the center of the substrate housed in the tank main body at the upper portion of the tank main body. Pour so that it gathers on the overflow port side formed in the place,
Since the processing liquid is prevented from flowing from the upper part of the tank body back to the substrate side, the processing liquid containing particles removed from the substrate, dissolving gas at the liquid level, taking in bubbles and particles, To act on the substrate,
Contamination of the substrate can be avoided, and processing quality can be improved. Moreover, by increasing the flow velocity above the substrate,
Since the flow velocity difference between the top and bottom of the substrate is suppressed and the flow velocity distribution is made uniform, the processing time for processing liquid replacement can be shortened, the amount of processing liquid used can be reduced, and economy can be improved, and processing efficiency is improved and production is improved. Can be enhanced.

【0040】また、請求項3に記載の発明によれば、基
板に沿って槽本体の上部に上昇される処理液を、槽本体
の上部の両端側それぞれに形成された槽本体の上部の両
側のオーバーフロー口側に集まるように流し、処理液が
槽本体の上部から基板側に戻るように流れることを防止
するから、基板から除去したパーティクルが混入した
り、液面箇所で気体が溶解したり気泡やパーティクルを
取り込んだ処理液を、基板に作用させてしまい、基板を
汚染するといったことを回避でき、処理品質を向上でき
る。そのうえ、基板上方での流速を速くして、基板の上
下での流速差を抑えるとともに流速分布を均一化するか
ら、処理液の置換処理時間を短縮でき、処理液の使用量
を減少できて経済性を向上できるとともに処理効率を向
上して生産性を高めることができる。
According to the third aspect of the present invention, the processing liquid raised to the upper part of the tank body along the substrate is applied to both sides of the upper part of the tank body formed on both ends of the upper part of the tank body. To prevent the processing liquid from flowing back from the upper part of the tank body to the substrate side, so that particles removed from the substrate may be mixed in or the gas may be dissolved at the liquid level. It is possible to prevent the processing liquid containing bubbles and particles from acting on the substrate, thereby preventing the substrate from being contaminated, thereby improving the processing quality. In addition, the flow velocity above the substrate is increased, the flow velocity difference above and below the substrate is suppressed, and the flow velocity distribution is made uniform, so that the processing time for processing liquid replacement can be shortened, and the amount of processing liquid used can be reduced, resulting in economy. The productivity can be improved as well as the processing efficiency can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る基板処理槽の第1実施例を示す横
断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a first embodiment of a substrate processing tank according to the present invention.

【図2】第1実施例の平面図である。FIG. 2 is a plan view of the first embodiment.

【図3】本発明に係る基板処理槽の第2実施例を示す横
断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a second embodiment of the substrate processing tank according to the present invention.

【図4】本発明に係る基板処理槽の第3実施例を示す横
断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a third embodiment of the substrate processing tank according to the present invention.

【図5】本発明に係る基板処理槽の第4実施例を示す横
断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a fourth embodiment of the substrate processing tank according to the present invention.

【図6】本発明に係る基板処理槽の第5実施例を示す横
断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a fifth embodiment of the substrate processing tank according to the present invention.

【図7】第5実施例の平面図である。FIG. 7 is a plan view of a fifth embodiment.

【図8】本発明に係る基板処理槽の第6実施例を示す横
断面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a sixth embodiment of the substrate processing tank according to the present invention.

【図9】従来例の基板処理槽を示す横断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a conventional substrate processing bath.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…槽本体 2…基板 9…処理液供給部 12…カバー 13…上方開口 14…オーバーフロー口 22…オーバーフロー口 31…オーバーフロー口を構成する流出口 41…オーバーフロー口を構成する流出口 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Tank main body 2 ... Substrate 9 ... Processing liquid supply part 12 ... Cover 13 ... Upper opening 14 ... Overflow port 22 ... Overflow port 31 ... Outlet which comprises an overflow port 41 ... Outlet which comprises an overflow port

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 鉛直姿勢で納められた基板を処理液で浸
漬処理する槽本体と、 前記槽本体内に納められた前記基板に処理液を供給する
処理液供給部とを備え、 処理液を前記槽本体の上方開口からオーバーフローさせ
て基板を処理する基板処理槽において、 前記処理液供給部が、槽本体の底部に設けられて、前記
基板の板面に沿って上方に向かうように処理液を供給す
るものであり、 前記上方開口の面積を制限したオーバーフロー口を形成
するカバーを、その下面が処理液に接触する状態で設
け、かつ、前記カバーを、下面が処理液に接触する閉じ
位置と、前記槽本体の上方から退避した開き位置に変位
可能に設けたことを特徴とする基板処理槽。
1. A tank body for immersing a substrate stored in a vertical position with a processing liquid, and a processing liquid supply unit for supplying a processing liquid to the substrate stored in the tank body, In a substrate processing tank that processes a substrate by overflowing from an upper opening of the tank main body, the processing liquid supply unit is provided at a bottom of the tank main body, and the processing liquid is supplied upward along a plate surface of the substrate. A cover forming an overflow port having a limited area of the upper opening is provided with its lower surface in contact with the processing liquid, and the cover is closed at a position where the lower surface contacts the processing liquid. A substrate processing tank provided displaceably at an open position retracted from above the tank body.
【請求項2】 請求項1に記載の基板処理槽において、 カバーが閉じ位置にある状態で、オーバーフロー口が、
槽本体の上部の両端側それぞれに形成されるものである
基板処理槽。
2. The substrate processing tank according to claim 1, wherein the overflow port is provided while the cover is in the closed position.
A substrate processing tank formed on each of both upper ends of the tank body.
【請求項3】 請求項1に記載の基板処理槽において、 カバーが閉じ位置にある状態で、オーバーフロー口が、
槽本体の上部の、前記槽本体内に納められた基板の中心
の上方箇所に形成されるものである基板処理槽。
3. The substrate processing tank according to claim 1, wherein the overflow port is provided while the cover is in the closed position.
A substrate processing tank formed at an upper portion of the tank body and above a center of a substrate housed in the tank body.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190039463A (en) * 2017-10-04 2019-04-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate liquid processing apparatus
US11309194B2 (en) * 2017-02-01 2022-04-19 Tokyo Electron Limited Substrate liquid treatment apparatus

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11309194B2 (en) * 2017-02-01 2022-04-19 Tokyo Electron Limited Substrate liquid treatment apparatus
KR20190039463A (en) * 2017-10-04 2019-04-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate liquid processing apparatus
JP2019067995A (en) * 2017-10-04 2019-04-25 東京エレクトロン株式会社 Substrate liquid processing apparatus
US11637026B2 (en) 2017-10-04 2023-04-25 Tokyo Electron Limited Substrate liquid processing apparatus

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