JP2537605B2 - 化合物半導体単結晶の製造方法 - Google Patents
化合物半導体単結晶の製造方法Info
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- JP2537605B2 JP2537605B2 JP61219285A JP21928586A JP2537605B2 JP 2537605 B2 JP2537605 B2 JP 2537605B2 JP 61219285 A JP61219285 A JP 61219285A JP 21928586 A JP21928586 A JP 21928586A JP 2537605 B2 JP2537605 B2 JP 2537605B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、単結晶の製造方法に関するものであり、特
にはLEC法（液体封止チヨクラルスキー法）により化合
物半導体等の単結晶を製造するに当り単結晶の肩部が封
止剤を通過するに際して封止剤中の単結晶の体積変化、
即ち浮力変化に帰因する単結晶のみかけ密度の変化を補
正することにより育成単結晶の直径を従来より一層厳密
にコントロールする単結晶製造方法に関する。本発明
は、II−VI族或いはIII−Ｖ族化合物半導体のような高
分解圧化合物の単結晶の育成に有効であり、引上単結晶
の直径精度を向上する。
にはLEC法（液体封止チヨクラルスキー法）により化合
物半導体等の単結晶を製造するに当り単結晶の肩部が封
止剤を通過するに際して封止剤中の単結晶の体積変化、
即ち浮力変化に帰因する単結晶のみかけ密度の変化を補
正することにより育成単結晶の直径を従来より一層厳密
にコントロールする単結晶製造方法に関する。本発明
は、II−VI族或いはIII−Ｖ族化合物半導体のような高
分解圧化合物の単結晶の育成に有効であり、引上単結晶
の直径精度を向上する。
発明の背景 GaAs、GaP、InP、CdTe、ZnS等のIII−Ｖ族或いはII−
VI族化合物半導体結晶は、ルツボ内のこれらの化合物融
体上を揮発性成分の揮発を抑制するB2O3等の封止剤で覆
い、そこを通して単結晶を引上げることにより育成され
る。この方法が、所謂LEC法（液体封止チヨクラルスキ
ー法）と呼ばれるものである。封止剤を通して単結晶を
引上げる様相が第２図に示されている。ルツボ１内の結
晶融液Ｍ上方をB2O3のような封止剤が覆つており、単結
晶は融液からB2O3層を通して引上げられる。引上げ単結
晶の重量はロードセル２等により検知されている。ルツ
ボ内融液はヒータ３により加熱される。引上軸４及びル
ツボ支持軸５は適当な速度で回転される。育成された単
結晶は、引上軸に付属する肩部Ｃとそれに続く直銅部Ｂ
とから成る。肩部Ｃにおいて単結晶直径は漸増しそして
直銅部Ｂにおいて直径は理想的には一定である。
VI族化合物半導体結晶は、ルツボ内のこれらの化合物融
体上を揮発性成分の揮発を抑制するB2O3等の封止剤で覆
い、そこを通して単結晶を引上げることにより育成され
る。この方法が、所謂LEC法（液体封止チヨクラルスキ
ー法）と呼ばれるものである。封止剤を通して単結晶を
引上げる様相が第２図に示されている。ルツボ１内の結
晶融液Ｍ上方をB2O3のような封止剤が覆つており、単結
晶は融液からB2O3層を通して引上げられる。引上げ単結
晶の重量はロードセル２等により検知されている。ルツ
ボ内融液はヒータ３により加熱される。引上軸４及びル
ツボ支持軸５は適当な速度で回転される。育成された単
結晶は、引上軸に付属する肩部Ｃとそれに続く直銅部Ｂ
とから成る。肩部Ｃにおいて単結晶直径は漸増しそして
直銅部Ｂにおいて直径は理想的には一定である。
こうした単結晶の直径制御は、光学法、Ｘ線法或いは
重量法により行いうるが、前２者は設備が複雑となりま
た取扱い上の問題点も多く、工業的には重量法がもつと
も一般的に採用されている。重量法は、育成単結晶の重
量変化を測定しながら、それに基いて直径を算出しそし
て目標値に合うように加熱温度、引上速度等の育成条件
をコントロールするものである。
重量法により行いうるが、前２者は設備が複雑となりま
た取扱い上の問題点も多く、工業的には重量法がもつと
も一般的に採用されている。重量法は、育成単結晶の重
量変化を測定しながら、それに基いて直径を算出しそし
て目標値に合うように加熱温度、引上速度等の育成条件
をコントロールするものである。
ところが、LEC法による単結晶育成に際し、重量法に
より単結晶直径制御を実施する場合には、液体封止剤に
よる浮力の影響がある為、より正確に直径を制御するに
は浮力の影響を補正する必要がある。
より単結晶直径制御を実施する場合には、液体封止剤に
よる浮力の影響がある為、より正確に直径を制御するに
は浮力の影響を補正する必要がある。
従来技術 上記のような浮力補正法として特開昭56−45892号
は、時刻ｔにおける直径が2r（ｔ）であるような結晶を
引上げる場合液体カプセルの浮力を考慮した単位時間当
りの重量変化dW（ｔ）/dtを次の２つの場合にわけて表
わしている： （１）成長結晶全体が液体カプセル中に存在するとき （２）成長結晶の一部が液体カプセル上に露出したとき ｖ＝成長速度 ρＣ＝結晶の密度 ρＢ＝カプセル材の密度 Ｍ＝カプセル材の重量 Ｒ＝ルツボ半径 この重量変化を計算しそして重量変化検出信号を浮力
補正装置で補正して真の重量変化を取り出して自動直径
制御装置にフィードバックして自動的に直径を制御する
ものである。
は、時刻ｔにおける直径が2r（ｔ）であるような結晶を
引上げる場合液体カプセルの浮力を考慮した単位時間当
りの重量変化dW（ｔ）/dtを次の２つの場合にわけて表
わしている： （１）成長結晶全体が液体カプセル中に存在するとき （２）成長結晶の一部が液体カプセル上に露出したとき ｖ＝成長速度 ρＣ＝結晶の密度 ρＢ＝カプセル材の密度 Ｍ＝カプセル材の重量 Ｒ＝ルツボ半径 この重量変化を計算しそして重量変化検出信号を浮力
補正装置で補正して真の重量変化を取り出して自動直径
制御装置にフィードバックして自動的に直径を制御する
ものである。
この他、特開昭61−31384号は、重量変化から予め設
定した複雑な算式により単結晶の直径を求める演算回路
を使用し、直径を制御する方法を記載している。
定した複雑な算式により単結晶の直径を求める演算回路
を使用し、直径を制御する方法を記載している。
特開昭60−54994号は、結晶の実効重量が所定の値に
達するまでは基本計算式に基づいて結晶の真の重量の増
加量で演算を行い、その後は真の重量増加量よりも次第
に重量の増加量が大きく演算されるように複雑な修正演
算式を用いて演算を用い、目標値との偏差に基づいて坩
堝温度を制御する方法を記載している。
達するまでは基本計算式に基づいて結晶の真の重量の増
加量で演算を行い、その後は真の重量増加量よりも次第
に重量の増加量が大きく演算されるように複雑な修正演
算式を用いて演算を用い、目標値との偏差に基づいて坩
堝温度を制御する方法を記載している。
特開昭57−123888号及び特開昭60−36393号は、浮力
補正効果を表す係数Ｆ（真の重量増加／見かけの重量増
加）をそれぞれ0.75±0.05及び0.86±0.05と設定し、複
雑な計算式に従って結晶の引き上げを行うことを記載し
ている。
補正効果を表す係数Ｆ（真の重量増加／見かけの重量増
加）をそれぞれ0.75±0.05及び0.86±0.05と設定し、複
雑な計算式に従って結晶の引き上げを行うことを記載し
ている。
しかしながら、上記のような重量変化の計算は電子計
算機の演算処理が複雑となり、現場での実際的な結晶直
径のコントロールに必ずしも適していない。
算機の演算処理が複雑となり、現場での実際的な結晶直
径のコントロールに必ずしも適していない。
発明の目的 本発明の目的は、LEC法（封止剤としてB2O3を使用す
る液体封止チョクラルスキー法）により単結晶を製造す
る方法において、単結晶の肩部が封止剤上面を通過する
際の単結晶の補正密度（重量変化）をもっと簡便に算出
する手法を確立することである。
る液体封止チョクラルスキー法）により単結晶を製造す
る方法において、単結晶の肩部が封止剤上面を通過する
際の単結晶の補正密度（重量変化）をもっと簡便に算出
する手法を確立することである。
発明の概要 本発明者等は、肩部と封止剤との相対位置に関して第
１図に示すような３パターンを設定し考察を進めた。
（Ｉ）においては、肩部の頂端が封止剤の上面と一致し
ている。即ち、単結晶は完全に封止剤中に浸つている。
（II）においては、肩部の一部が封止剤上方に引上げら
れている。（III）においては、肩部の下端即ち肩部と
直銅部との境界が封止剤上面に一致している。（Ｉ）の
状態まではみかけ密度＝結晶密度−封止剤密度として表
わされ、みかけ密度は固定密度X1である。（III）の状
態以降は肩部が完全に露出し、直銅部のみが封止剤中に
存在するので密度としては結晶密度に相当する固定密度
X3を採用すればよい。（Ｉ）と（III）との間の（II）
の状態においては肩部の露出度合に応じてみかけ密度は
X1〜X3の間の可変密度を採用せねばならない。従つて、
（Ｉ）と（III）との間の期間全体にわたつて浮力補正
に基く適正な端結晶みかけ密度値を採用することによ
り、的確な制御が可能となる。
１図に示すような３パターンを設定し考察を進めた。
（Ｉ）においては、肩部の頂端が封止剤の上面と一致し
ている。即ち、単結晶は完全に封止剤中に浸つている。
（II）においては、肩部の一部が封止剤上方に引上げら
れている。（III）においては、肩部の下端即ち肩部と
直銅部との境界が封止剤上面に一致している。（Ｉ）の
状態まではみかけ密度＝結晶密度−封止剤密度として表
わされ、みかけ密度は固定密度X1である。（III）の状
態以降は肩部が完全に露出し、直銅部のみが封止剤中に
存在するので密度としては結晶密度に相当する固定密度
X3を採用すればよい。（Ｉ）と（III）との間の（II）
の状態においては肩部の露出度合に応じてみかけ密度は
X1〜X3の間の可変密度を採用せねばならない。従つて、
（Ｉ）と（III）との間の期間全体にわたつて浮力補正
に基く適正な端結晶みかけ密度値を採用することによ
り、的確な制御が可能となる。
この制御を簡便に行うために、本発明者は、補正密度
ρと端結晶重量Ｗとの関係を単結晶の肩部が封止剤上面
を通過する際の開始点（型部の頂点が封止剤上面から露
出する時点）及び終了点（型部−直胴部境界が封止剤上
面に達する時点）を通るsin曲線として近似するsin曲線
近似法を採用することが非常に好結果をもたらすことを
確認するに至った。この知見に基づいて、本発明は、LE
C法（封止剤としてB2O3を使用する液体封止チョクラル
スキー法）により単結晶を製造する方法において、単結
晶の肩部が封止剤上面を通過する際の単結晶の補正密度
ρを次式 ただし、ρs:単結晶密度 ▲ρ， ｓ▼:B2O3中の見掛け単結晶密度 ＝単結晶密度−B2O3密度 W:単結晶重量 Ａ、B:単結晶の肩部が封止剤上面を通過する際、補正の
開始条件及び終了条件から求まる定数 により算出し、算出した補正密度ρを用いて求めた現在
半径と設定半径との偏差に応じて育成設定条件を変更す
ることを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法を提
供するものである。
ρと端結晶重量Ｗとの関係を単結晶の肩部が封止剤上面
を通過する際の開始点（型部の頂点が封止剤上面から露
出する時点）及び終了点（型部−直胴部境界が封止剤上
面に達する時点）を通るsin曲線として近似するsin曲線
近似法を採用することが非常に好結果をもたらすことを
確認するに至った。この知見に基づいて、本発明は、LE
C法（封止剤としてB2O3を使用する液体封止チョクラル
スキー法）により単結晶を製造する方法において、単結
晶の肩部が封止剤上面を通過する際の単結晶の補正密度
ρを次式 ただし、ρs:単結晶密度 ▲ρ， ｓ▼:B2O3中の見掛け単結晶密度 ＝単結晶密度−B2O3密度 W:単結晶重量 Ａ、B:単結晶の肩部が封止剤上面を通過する際、補正の
開始条件及び終了条件から求まる定数 により算出し、算出した補正密度ρを用いて求めた現在
半径と設定半径との偏差に応じて育成設定条件を変更す
ることを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法を提
供するものである。
発明の具体的説明 第３図は、前記（Ｉ）と（III）との間、即ち肩部の
頂端が封止剤から出る瞬間から肩部−直胴部境界が封止
剤から出る瞬間までの一時点（II）の状態を示す。次の
通り、パラメータを表示する（封止剤はB2O3とする）。
頂端が封止剤から出る瞬間から肩部−直胴部境界が封止
剤から出る瞬間までの一時点（II）の状態を示す。次の
通り、パラメータを表示する（封止剤はB2O3とする）。
ρS:結晶密度 ρB:B2O3密度 ｌ−x:B2O3現在高さ l:結晶成長距離 R:ルツボ半径 r:直胴部設定半径 x:B2O3上面通過部結晶半径 （＝B2O3上面通過済結晶距離） ｌ−r:直胴部成長距離 ：算出半径 肩部は頂角90゜と想定すると、次のB2O3連続式が得ら
れる。
れる。
単位時間にB2O3上面を通過する体積を肩部から計算す
ることにより厳密な浮力補正が行われるが、この通過体
積を重量及び引上げ距離の関数として表現したものをこ
こでは厳密モデルと呼ぶ。即ち、厳密モデルに従えば、 Δ＝B2O3下面で成長した円柱状結晶の重量＋B2O3上面
から抜出る結晶の肩部の重量増加分 ＝πr 2△ｌ（ρＳ−ρＢ）＋πx 2△ｌρＢ 補正密度をρとすると △Ｗ＝πr 2△ｌρ （２） 従つてπr 2△ｌρ＝πr 2△ｌ（ρＳ−ρＢ）＋πx 2△
ｌρＢ この式からρを求めると、 （ちなみに、式（３）においてｘ＝０→ρ＝ρＳ−ρＢ
でありそしてｘ＝ｒ→ρ＝ρＳである。） B2O3浮力補正は結晶引上げ中逐次下記の処理を行なう
ことにより実施される： １）引上げ速度からｌを制定する。
ることにより厳密な浮力補正が行われるが、この通過体
積を重量及び引上げ距離の関数として表現したものをこ
こでは厳密モデルと呼ぶ。即ち、厳密モデルに従えば、 Δ＝B2O3下面で成長した円柱状結晶の重量＋B2O3上面
から抜出る結晶の肩部の重量増加分 ＝πr 2△ｌ（ρＳ−ρＢ）＋πx 2△ｌρＢ 補正密度をρとすると △Ｗ＝πr 2△ｌρ （２） 従つてπr 2△ｌρ＝πr 2△ｌ（ρＳ−ρＢ）＋πx 2△
ｌρＢ この式からρを求めると、 （ちなみに、式（３）においてｘ＝０→ρ＝ρＳ−ρＢ
でありそしてｘ＝ｒ→ρ＝ρＳである。） B2O3浮力補正は結晶引上げ中逐次下記の処理を行なう
ことにより実施される： １）引上げ速度からｌを制定する。
２）式（１）を解くことによりｘを求める。
３）式（３）から補正密度ρを求める。
４）式（２）から現在半径を算出する。
５）算出した現在半径と設定半径との偏差（ｅ）を求
める。
める。
６）偏差に応じてヒータの発熱量等の育成設定条件を変
更する。ヒータ発熱量の他、引上げ速度、回転数等の変
更も可能であるが、単結晶品質になるたけ悪影響を与え
ないようヒータのコントロールが簡便で且つ好ましい。
更する。ヒータ発熱量の他、引上げ速度、回転数等の変
更も可能であるが、単結晶品質になるたけ悪影響を与え
ないようヒータのコントロールが簡便で且つ好ましい。
しかしながら、この厳密モデルを採用するためには、
式（１）の３次方程式を解くことになるため電子計算機
の演算処理が複雑となる。
式（１）の３次方程式を解くことになるため電子計算機
の演算処理が複雑となる。
そこで、本発明に従えば、sin曲線近似法が採用され
る。sin曲線近似法は、補正密度ρと単結晶重量Ｗとの
関係を単結晶の肩部が封止剤上面を通過する際の開始点
（型部の頂点が封止剤上面から露出する時点）及び終了
点（型部−直胴部環境が封止剤上面に達する時点）を通
るsin曲線として近似する方法である。
る。sin曲線近似法は、補正密度ρと単結晶重量Ｗとの
関係を単結晶の肩部が封止剤上面を通過する際の開始点
（型部の頂点が封止剤上面から露出する時点）及び終了
点（型部−直胴部環境が封止剤上面に達する時点）を通
るsin曲線として近似する方法である。
sin曲線近似法に従えば、単結晶の肩部が封止剤上面
を通過する際の単結晶の補正密度ρを単結晶重量Ｗの関
数として次式により表すことができる。
を通過する際の単結晶の補正密度ρを単結晶重量Ｗの関
数として次式により表すことができる。
ただし、ρs:単結晶密度 ▲ρ， ｓ▼:B2O3中の見掛け単結晶密度 ＝単結晶密度−B2O3密度 W:単結晶重量 Ａ、B:単結晶の肩部が封止剤上面を通過する際、補正の
開始条件及び終了条件から求まる定数 この式から算出した補正密度ρを用いて現在半径を前
記（２）式 ΔＷ＝πr2・Δｌ・ρ ただし、ΔW:単結晶重量増加分 Δl:単結晶育成長さ によりｒとして算出し、設定半径との偏差に応じて育成
設定条件を変更するものである。厳密モデルの式（１）
と（３）を解く必要がなくなり、非常に簡易に補正密度
ρを求めることができる。
開始条件及び終了条件から求まる定数 この式から算出した補正密度ρを用いて現在半径を前
記（２）式 ΔＷ＝πr2・Δｌ・ρ ただし、ΔW:単結晶重量増加分 Δl:単結晶育成長さ によりｒとして算出し、設定半径との偏差に応じて育成
設定条件を変更するものである。厳密モデルの式（１）
と（３）を解く必要がなくなり、非常に簡易に補正密度
ρを求めることができる。
補正の開始と終了は、前記したように肩部の頂点が封
止剤上面から露出する時点と肩部−直胴部境界が封止剤
上面に達する時点として決定され、これは目視によつて
或いは引上げ時間によつても認識しうるが、好ましくは
重量で認識される。第１図（Ｉ）の状態の重量WI及び
（III）の状態の重量WIIIを事前に計算しておき、ロー
ドセル等による検知重量がWIに達すると制御動作をONと
しそして検知重量がWIIIに対するとOFFに切換える。
止剤上面から露出する時点と肩部−直胴部境界が封止剤
上面に達する時点として決定され、これは目視によつて
或いは引上げ時間によつても認識しうるが、好ましくは
重量で認識される。第１図（Ｉ）の状態の重量WI及び
（III）の状態の重量WIIIを事前に計算しておき、ロー
ドセル等による検知重量がWIに達すると制御動作をONと
しそして検知重量がWIIIに対するとOFFに切換える。
実施例 GaAs単結晶の製造にsin曲線近似法により本発明を応
用した。
用した。
計算条件は次の通りとした： 1.ルツボ直径 14.6cm 2.ルツボ断面積 （14.6/2）２π＝167.4cm2 3.結晶半径 4cm 4.結晶断面積 42π＝50.3cm2 5.結晶密度 5.16g/cm3 6.GaAs液密度 5.71g/cm3 7.B2O3中結晶密度 5.16−1.5＝3.66g/cm3 （見掛） 8.B2O3密度 1.5g/cm3 9.B2O3重量 1300g 10.B2O3体積 1300÷1.5＝867cm3 補正の開始と終了はロードセルによる単結晶検出重量
で認識した。第１図の（Ｉ）及び（III）の状態の計算
結晶重量は662g及び1708gであつた（詳細は省略する
が、それぞれ体積を計算し、密度を掛けて算出した）。
で認識した。第１図の（Ｉ）及び（III）の状態の計算
結晶重量は662g及び1708gであつた（詳細は省略する
が、それぞれ体積を計算し、密度を掛けて算出した）。
そこで、第４図に示すように（ρ＝3.66、Ｗ＝662）
の点と（ρ＝5.16、Ｗ＝1708）の点を結ぶsin曲線を求
めた。
の点と（ρ＝5.16、Ｗ＝1708）の点を結ぶsin曲線を求
めた。
Ａ及びＢを開始及び終了条件から求めることにより次
の補正式が得られた。
の補正式が得られた。
ρ＝0.75sin（0.003W−3.553）＋4.41 この補正式を使用して２分間隔で密度補正を行つた場
合と補正を行わない場合（Ｉ、II及びIIIともρ＝5.16
の固定密度採用）とで製造された単結晶の輪郭を第５
（ａ）及び（ｂ）図にそれぞれ示す（中心軸がＸ線と一
致）。
合と補正を行わない場合（Ｉ、II及びIIIともρ＝5.16
の固定密度採用）とで製造された単結晶の輪郭を第５
（ａ）及び（ｂ）図にそれぞれ示す（中心軸がＸ線と一
致）。
第５（ａ）図の本発明方法により製造された単結晶
は、肩部から直胴部への移行がスムーズで且つ目標値に
近い。輪郭の凹凸も少ない。ρ＝5.16の補正終了点を併
記してある。
は、肩部から直胴部への移行がスムーズで且つ目標値に
近い。輪郭の凹凸も少ない。ρ＝5.16の補正終了点を併
記してある。
発明の効果 LEC法による単結晶の製造において、肩部が封止剤上
面を通過する際の単結晶の見かけ密度の補正をsin曲線
近似法を使用して簡便に行うことにより、従来行われて
いた電子計算機による複雑な演算処理の必要性を排除
し、しかも肩部から直胴部への移行がスムーズで単結晶
直胴部の直径を目標値にコントロールすることが出来
る。直胴部の輪郭も起伏の少ない一様なものとすること
が出来る。
面を通過する際の単結晶の見かけ密度の補正をsin曲線
近似法を使用して簡便に行うことにより、従来行われて
いた電子計算機による複雑な演算処理の必要性を排除
し、しかも肩部から直胴部への移行がスムーズで単結晶
直胴部の直径を目標値にコントロールすることが出来
る。直胴部の輪郭も起伏の少ない一様なものとすること
が出来る。
第１図は、（Ｉ）、（II）及び（III）において本発明
の密度補正の考え方を示す説明図であり、第２図はLEC
法単結晶引上げ法の概要を示す概略図であり、第３図は
第１図（II）のパラメータ表示であり、第４図はsin曲
線近似例を示しそして第５図は本発明による補正下で製
造された単結晶及び補正を受けない単結晶の輪郭を
（ａ）及び（ｂ）においてそれぞれ示す。 1:ルツボ 2:ロードセル 3:ヒータ 4:引上軸 5:支持軸 Ｃ、B:肩部、直胴部 M:結晶融液
の密度補正の考え方を示す説明図であり、第２図はLEC
法単結晶引上げ法の概要を示す概略図であり、第３図は
第１図（II）のパラメータ表示であり、第４図はsin曲
線近似例を示しそして第５図は本発明による補正下で製
造された単結晶及び補正を受けない単結晶の輪郭を
（ａ）及び（ｂ）においてそれぞれ示す。 1:ルツボ 2:ロードセル 3:ヒータ 4:引上軸 5:支持軸 Ｃ、B:肩部、直胴部 M:結晶融液
Claims (1)
- 【請求項１】LEC法（封止剤としてB2O3を使用する液体
封止チョクラルスキー法）により単結晶を製造する方法
において、単結晶の肩部が封止剤上面を通過する際の単
結晶の補正密度ρを次式 ただし、ρs:単結晶密度 ▲ρ， ｓ▼:B2O3中の見掛け単結晶密度 ＝単結晶密度−B2O3密度 W:単結晶重量 Ａ、B:単結晶の肩部が封止剤上面を通過する際、補正の
開始条件及び終了条件から求まる定数 により算出し、算出した補正密度ρを用いて求めた現在
半径と設定半径との偏差に応じて育成設定条件を変更す
ることを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61219285A JP2537605B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61219285A JP2537605B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6374996A JPS6374996A (ja) | 1988-04-05 |
| JP2537605B2 true JP2537605B2 (ja) | 1996-09-25 |
Family
ID=16733112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61219285A Expired - Lifetime JP2537605B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2537605B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5645892A (en) * | 1979-09-21 | 1981-04-25 | Toshiba Corp | Manufacture of compound single crystal |
| JPS6042198B2 (ja) * | 1981-01-17 | 1985-09-20 | 株式会社東芝 | Ｇａｐ結晶の製造方法 |
| JPS6054994A (ja) * | 1983-09-07 | 1985-03-29 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 化合物半導体結晶の製造方法 |
| JPS6131384A (ja) * | 1984-07-23 | 1986-02-13 | Showa Denko Kk | 化合物半導体単結晶育成方法 |
| JPS6036393A (ja) * | 1984-07-26 | 1985-02-25 | Toshiba Corp | ＧａＡｓ単結晶の製造方法 |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP61219285A patent/JP2537605B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6374996A (ja) | 1988-04-05 |
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