JP2536944Y2 - アクティブ共振器 - Google Patents
アクティブ共振器Info
- Publication number
- JP2536944Y2 JP2536944Y2 JP1990024664U JP2466490U JP2536944Y2 JP 2536944 Y2 JP2536944 Y2 JP 2536944Y2 JP 1990024664 U JP1990024664 U JP 1990024664U JP 2466490 U JP2466490 U JP 2466490U JP 2536944 Y2 JP2536944 Y2 JP 2536944Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cavity
- resonator
- mode dielectric
- dielectric resonator
- amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案はアクティブ共振器に関し、特にたとえば帯
域阻止フィルタ（BEF）や帯域通過フィルタ（BPF）とし
て用いられる、アクティブ共振器に関する。
域阻止フィルタ（BEF）や帯域通過フィルタ（BPF）とし
て用いられる、アクティブ共振器に関する。
従来の誘電体アクティブ共振器には、たとえばマイク
ロストリップライン共振器や同軸共振器等のTEMモード
誘電体共振器が用いられ、その無負荷Ｑは100〜2500程
度であった。
ロストリップライン共振器や同軸共振器等のTEMモード
誘電体共振器が用いられ、その無負荷Ｑは100〜2500程
度であった。
通常、アクティブ共振器は無負荷Ｑを20000〜50000に
増幅して使用されることが多い。そのためには、アンプ
の増幅率を200以上にする必要がある。一方、アクティ
ブ共振器では、周波数の温度変化やNF値を小さく、たと
えば2ppm/℃以下やたとえば1.0dB以下に抑えなければな
らない場合がある。この場合、無負荷Ｑの増幅率は５〜
10倍程度にすればよいが、それではアクティブ共振器の
無負荷Q20000〜50000は達成できない。
増幅して使用されることが多い。そのためには、アンプ
の増幅率を200以上にする必要がある。一方、アクティ
ブ共振器では、周波数の温度変化やNF値を小さく、たと
えば2ppm/℃以下やたとえば1.0dB以下に抑えなければな
らない場合がある。この場合、無負荷Ｑの増幅率は５〜
10倍程度にすればよいが、それではアクティブ共振器の
無負荷Q20000〜50000は達成できない。
したがって、アクティブ共振器の無負荷Ｑを20000〜5
0000に増幅するには、TEMモード誘電体共振器の無負荷
Ｑを略5000以上にしなければならないが、マイクロ波帯
においては、TEMモード誘電体共振器の構造上そのよう
な高い無負荷Ｑを得ることは困難であった。したがっ
て、従来では、周波数の温度変化やNF値が小さくしかも
無負荷Ｑが大きいものは得られていなかった。
0000に増幅するには、TEMモード誘電体共振器の無負荷
Ｑを略5000以上にしなければならないが、マイクロ波帯
においては、TEMモード誘電体共振器の構造上そのよう
な高い無負荷Ｑを得ることは困難であった。したがっ
て、従来では、周波数の温度変化やNF値が小さくしかも
無負荷Ｑが大きいものは得られていなかった。
なお、たとえばH.Matsumura and Y.Konishi,“An act
ive microwave filter with dielectric resonator",in
1979 IEEE MTT-S Int.Microwave Symp.Dig.,pp323-325
において、TEモード誘電体共振器とアンプとを結合して
無負荷Ｑの大きいアクティブ共振器を得ることが提案さ
れているが、この従来技術では、アンプと誘電体共振器
とが同じ基板上に配置されてストリップラインで結合さ
れているため、相互の位置関係によってアクティブ共振
器全体の動作が大きく変化してしまい、周波数温度特性
もまた不安定になるという、別の問題がある。
ive microwave filter with dielectric resonator",in
1979 IEEE MTT-S Int.Microwave Symp.Dig.,pp323-325
において、TEモード誘電体共振器とアンプとを結合して
無負荷Ｑの大きいアクティブ共振器を得ることが提案さ
れているが、この従来技術では、アンプと誘電体共振器
とが同じ基板上に配置されてストリップラインで結合さ
れているため、相互の位置関係によってアクティブ共振
器全体の動作が大きく変化してしまい、周波数温度特性
もまた不安定になるという、別の問題がある。
それゆえに、この考案の主たる目的は、無負荷Ｑを大
きくし、しかも周波数温度特性も安定でNF値を小さくで
きる、アクティブ共振器を提供することである。
きくし、しかも周波数温度特性も安定でNF値を小さくで
きる、アクティブ共振器を提供することである。
第１の考案は、内面および外面の少なくとも一方が導
電性表面であるキャビティ、キャビティに内蔵されるTM
モード誘電体共振器、キャビティの壁面に形成されてTM
モード誘電体共振器に信号を与えかつ取り出すための第
１貫通孔、キャビティの壁面に形成された第２貫通孔、
キャビティの外側面に取り付けられるアンプ、およびキ
ャビティ内に臨むようにアンプの入出力端に取り付けら
れ、アンプの入出力を第２の貫通孔を通してTMモード誘
電体共振器に誘電結合する２つのループ端子を備える、
アクティブ共振器である。
電性表面であるキャビティ、キャビティに内蔵されるTM
モード誘電体共振器、キャビティの壁面に形成されてTM
モード誘電体共振器に信号を与えかつ取り出すための第
１貫通孔、キャビティの壁面に形成された第２貫通孔、
キャビティの外側面に取り付けられるアンプ、およびキ
ャビティ内に臨むようにアンプの入出力端に取り付けら
れ、アンプの入出力を第２の貫通孔を通してTMモード誘
電体共振器に誘電結合する２つのループ端子を備える、
アクティブ共振器である。
第２の考案は、内面および外面の少なくとも一方が導
電性表面であるキャビティ、キャビティに内蔵されるTE
モード誘電体共振器、キャビティの壁面に形成されてTE
モード誘電体共振器に信号を与えかつ取り出すための第
１貫通孔、キャビティの壁面に形成された第２貫通孔、
キャビティの外側面に取り付けられるアンプ、およびキ
ャビティ内に臨むようにアンプの入出力端に取り付けら
れ、アンプの入出力を第２の貫通孔を通してTEモード誘
電体共振器に誘導結合する２つのループ端子を備える、
アクティブ共振器である。
電性表面であるキャビティ、キャビティに内蔵されるTE
モード誘電体共振器、キャビティの壁面に形成されてTE
モード誘電体共振器に信号を与えかつ取り出すための第
１貫通孔、キャビティの壁面に形成された第２貫通孔、
キャビティの外側面に取り付けられるアンプ、およびキ
ャビティ内に臨むようにアンプの入出力端に取り付けら
れ、アンプの入出力を第２の貫通孔を通してTEモード誘
電体共振器に誘導結合する２つのループ端子を備える、
アクティブ共振器である。
第１考案ではTMモード誘電体共振器が、第２考案では
TEモード誘電体共振器がそれぞれ用いられる。TMモード
誘電体共振器およびTEモード誘電体共振器は、ともに、
固有の無負荷Ｑが大きい（略5000以上）ので、それを５
〜10倍程度に増幅することによって、所望の無負荷Ｑ
（たとえば20000〜50000）を有するアクティブ共振器が
得られる。
TEモード誘電体共振器がそれぞれ用いられる。TMモード
誘電体共振器およびTEモード誘電体共振器は、ともに、
固有の無負荷Ｑが大きい（略5000以上）ので、それを５
〜10倍程度に増幅することによって、所望の無負荷Ｑ
（たとえば20000〜50000）を有するアクティブ共振器が
得られる。
第２の貫通孔を通して２つのループ端子によって共振
器がアンプの入出力に結合され、他方、TMモード誘電体
共振器またはTEモード誘電体共振器とアンプとが誘電性
表面を有するキャビティによって隔てられ、共振器とア
ンプとの相互干渉が回避される。
器がアンプの入出力に結合され、他方、TMモード誘電体
共振器またはTEモード誘電体共振器とアンプとが誘電性
表面を有するキャビティによって隔てられ、共振器とア
ンプとの相互干渉が回避される。
これらの考案によれば、アンプによる増幅率を余り大
きくしないでも所望の無負荷Ｑを有するアクティブ共振
器が得られる。さらに、誘電体共振器とアンプとの相互
干渉が回避されるので、誘電体共振器とアンプとの位置
関係によってアクティブ共振器全体の動作が大きく変化
することもないので、周波数温度特性が安定する。した
がって、NF値の小さいアクティブ共振器が得られる。
きくしないでも所望の無負荷Ｑを有するアクティブ共振
器が得られる。さらに、誘電体共振器とアンプとの相互
干渉が回避されるので、誘電体共振器とアンプとの位置
関係によってアクティブ共振器全体の動作が大きく変化
することもないので、周波数温度特性が安定する。した
がって、NF値の小さいアクティブ共振器が得られる。
この考案の上述の目的，その他の目的，特徴および利
点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明か
ら一層明らかとなろう。
点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明か
ら一層明らかとなろう。
第１図，第2A図および第2B図を参照して、この実施例
のアクティブ共振器10はたとえばBEFとして用いられる
ものであり、中空立方体状のセラミックケース12を含
む。セラミックケース12の外表面全面には電極層14が形
成されている。そして、セラミックケース12すなわち電
極層14の一側面には、アンプ22の入出力用の２つの貫通
孔16が形成されている。
のアクティブ共振器10はたとえばBEFとして用いられる
ものであり、中空立方体状のセラミックケース12を含
む。セラミックケース12の外表面全面には電極層14が形
成されている。そして、セラミックケース12すなわち電
極層14の一側面には、アンプ22の入出力用の２つの貫通
孔16が形成されている。
また、この実施例ではBEFとして構成するために、貫
通孔16が形成されている側面と対向する側面に、同軸ケ
ーブル28用の貫通孔18が形成されている。
通孔16が形成されている側面と対向する側面に、同軸ケ
ーブル28用の貫通孔18が形成されている。
そして、セラミックケース12すなわち電極層14内部の
中央部には、セラミックからなるTMモード誘電体共振器
20が配置される。この実施例では、TMモード誘電体共振
器20は、第2B図からよくわかるように、セラミックケー
ス12の底面および上面と一体的に形成されている。
中央部には、セラミックからなるTMモード誘電体共振器
20が配置される。この実施例では、TMモード誘電体共振
器20は、第2B図からよくわかるように、セラミックケー
ス12の底面および上面と一体的に形成されている。
そして、電極層14の外表面上の２つの貫通孔16の間に
は、アンプ22が配置される。このアンプ22の両側面から
はそれぞれ入力端子24aおよび出力端子24bが引き出さ
れ、入力端子24aおよび出力端子24bの先端部がそれぞれ
貫通孔16上に位置するように配置される。そして、入力
端子24aおよび出力端子24bのそれぞれの先端部には、ル
ープ端子26aおよび26bが形成され、貫通孔16からセラミ
ックケース12内に臨まされる。これらのループ端子26a
および26bがTMモード誘電体共振器20と誘導結合する。
このループ端子26aおよび26bとTMモード誘電体共振器20
との誘導結合の強さは、ループの形状あるいは大きさに
よってコントロールすることができる。このようなアク
ティブ共振器10において、TMモード誘電体共振器20の無
負荷Ｑは略5000以上と大きいので、アンプ22によって５
〜10倍程度増幅するだけでアクティブ共振器10としての
無負荷Ｑを20000〜50000にすることができる。したがっ
て、周波数の温度変化やNF値を小さく抑えることができ
る。
は、アンプ22が配置される。このアンプ22の両側面から
はそれぞれ入力端子24aおよび出力端子24bが引き出さ
れ、入力端子24aおよび出力端子24bの先端部がそれぞれ
貫通孔16上に位置するように配置される。そして、入力
端子24aおよび出力端子24bのそれぞれの先端部には、ル
ープ端子26aおよび26bが形成され、貫通孔16からセラミ
ックケース12内に臨まされる。これらのループ端子26a
および26bがTMモード誘電体共振器20と誘導結合する。
このループ端子26aおよび26bとTMモード誘電体共振器20
との誘導結合の強さは、ループの形状あるいは大きさに
よってコントロールすることができる。このようなアク
ティブ共振器10において、TMモード誘電体共振器20の無
負荷Ｑは略5000以上と大きいので、アンプ22によって５
〜10倍程度増幅するだけでアクティブ共振器10としての
無負荷Ｑを20000〜50000にすることができる。したがっ
て、周波数の温度変化やNF値を小さく抑えることができ
る。
このアクティブ共振器10の側面には、前述のように、
同軸ケーブル28が取り付けられる。すなわち、同軸ケー
ブル28の内部導体30を一部露出させ、その内部導体30に
ループ端子32を略直角方向に取り付ける。そして、セラ
ミックケース12の側面に形成された貫通孔18からループ
端子32を挿入し、セラミックケース12内に臨ませる。
同軸ケーブル28が取り付けられる。すなわち、同軸ケー
ブル28の内部導体30を一部露出させ、その内部導体30に
ループ端子32を略直角方向に取り付ける。そして、セラ
ミックケース12の側面に形成された貫通孔18からループ
端子32を挿入し、セラミックケース12内に臨ませる。
この同軸ケーブル28を通して周波数信号を伝送する
と、TMモード誘電体共振器20を含むアクティブ共振器10
がBEFとして機能し、所定帯域の周波数信号が大きく減
衰される。
と、TMモード誘電体共振器20を含むアクティブ共振器10
がBEFとして機能し、所定帯域の周波数信号が大きく減
衰される。
また、アクティブ共振器10をBPFとして用いる場合に
は、第３図に示すように、２つの貫通孔16が形成される
側面と隣合う二側面の略中央部に２つの貫通孔18aおよ
び18bを形成する。そして、貫通孔18aに入力または出力
用の同軸ケーブル28aのループ端子32aを差し込み、貫通
孔18bに出力または入力用の同軸ケーブル28bのループ端
子32bを差し込む。
は、第３図に示すように、２つの貫通孔16が形成される
側面と隣合う二側面の略中央部に２つの貫通孔18aおよ
び18bを形成する。そして、貫通孔18aに入力または出力
用の同軸ケーブル28aのループ端子32aを差し込み、貫通
孔18bに出力または入力用の同軸ケーブル28bのループ端
子32bを差し込む。
この場合、同軸ケーブル28aまたは28bによって伝送さ
れる周波数信号のうちTMモード誘電体共振器20と共振す
る周波数信号帯域が大きく増幅され、同軸ケーブル28b
または28aに出力される。
れる周波数信号のうちTMモード誘電体共振器20と共振す
る周波数信号帯域が大きく増幅され、同軸ケーブル28b
または28aに出力される。
また、第4A図および第4B図を参照して、他の実施例の
アクティブ共振器10′は、BEFとして用いられるもので
あり、TEモード誘電体共振器34を用いる。アクティブ共
振器10′は金属ケース36を含み、金属ケース36の内部底
面の略中央部には、円柱状の低誘電率材料からなる支持
部38がたとえば接着剤等によって固着される。支持部38
の上端部には円柱状のTEモード誘電体共振器34が、たと
えば接着剤等によって同軸状に取り付けられる。そし
て、金属ケース36の側面には、第2A図および第2B図に示
す実施例と同様、２つの貫通孔16が形成される。これら
の２つの貫通孔16の間にはアンプ22が配置され、その入
出力端子24aおよび24bにそれぞれ形成されるループ端子
26aおよび26bが金属ケース36内に臨まされる。これらの
ループ端子26aおよび26bは水平に配置され、TEモード誘
電体共振器34と磁気結合される。また、貫通孔16が形成
されている側面と対向する側面には同軸ケーブル28用の
貫通孔18が形成される。
アクティブ共振器10′は、BEFとして用いられるもので
あり、TEモード誘電体共振器34を用いる。アクティブ共
振器10′は金属ケース36を含み、金属ケース36の内部底
面の略中央部には、円柱状の低誘電率材料からなる支持
部38がたとえば接着剤等によって固着される。支持部38
の上端部には円柱状のTEモード誘電体共振器34が、たと
えば接着剤等によって同軸状に取り付けられる。そし
て、金属ケース36の側面には、第2A図および第2B図に示
す実施例と同様、２つの貫通孔16が形成される。これら
の２つの貫通孔16の間にはアンプ22が配置され、その入
出力端子24aおよび24bにそれぞれ形成されるループ端子
26aおよび26bが金属ケース36内に臨まされる。これらの
ループ端子26aおよび26bは水平に配置され、TEモード誘
電体共振器34と磁気結合される。また、貫通孔16が形成
されている側面と対向する側面には同軸ケーブル28用の
貫通孔18が形成される。
このようにして形成されるアクティブ共振器10′に
は、第2A図および第2B図に示す実施例と同様に同軸ケー
ブル28が取り付けられ、BEFとして構成される。
は、第2A図および第2B図に示す実施例と同様に同軸ケー
ブル28が取り付けられ、BEFとして構成される。
なお、TEモード誘電体共振器34の無負荷Ｑも略5000以
上であり先の実施例と同様、アンプ22の増幅率を余り大
きくしないでも、無負荷Ｑとして5000以上のものを得る
ことができる。
上であり先の実施例と同様、アンプ22の増幅率を余り大
きくしないでも、無負荷Ｑとして5000以上のものを得る
ことができる。
また、アクティブ共振器10′をBPFとして用いる場合
には、第３図に示す実施例と同様の貫通孔18aおよび18b
を金属ケース36に形成し、これらの貫通孔18aおよび18b
にそれぞれ同軸ケーブル28aおよび28bを配置すればよ
い。
には、第３図に示す実施例と同様の貫通孔18aおよび18b
を金属ケース36に形成し、これらの貫通孔18aおよび18b
にそれぞれ同軸ケーブル28aおよび28bを配置すればよ
い。
なお、上述のアクティブ共振器10では、その外表面に
電極層14が形成されたセラミックケース12を用いたが、
金属ケース36を用いてもよく、逆に、アクティブ共振器
10′に、その外表面に電極層14が形成されたセラミック
ケース12を用いてもよい。
電極層14が形成されたセラミックケース12を用いたが、
金属ケース36を用いてもよく、逆に、アクティブ共振器
10′に、その外表面に電極層14が形成されたセラミック
ケース12を用いてもよい。
さらに、セラミックケース12および金属ケース36の形
状は横断面矩形のものに限定されず中空円筒状のもので
あってもよい。また、TMモード誘電体共振器20およびTE
モード誘電体共振器34は円柱状のものに限定されず、角
柱状のものであってもよい。
状は横断面矩形のものに限定されず中空円筒状のもので
あってもよい。また、TMモード誘電体共振器20およびTE
モード誘電体共振器34は円柱状のものに限定されず、角
柱状のものであってもよい。
第１図はこの考案の一実施例を示す斜視図である。 第2A図および第2B図は第１図実施例をBEFとして用いた
場合を示す図解図であり、第2A図は平面断面図、第2B図
は正面断面図である。 第３図は第１図実施例をBPFとして用いた場合を示す平
面断面図である。 第4A図および第4B図はTEモード誘電体共振器をこの考案
の他の実施例としてのBEFを示す図解図であり、第4A図
は平面断面図、第4B図は正面断面図である。 図において、10,10′はアクティブ共振器、12はセラミ
ックケース、14は電極層、20はTMモード誘電体共振器、
22はアンプ、26a,26bはループ端子、34はTEモード誘電
体共振器、36は金属ケースを示す。
場合を示す図解図であり、第2A図は平面断面図、第2B図
は正面断面図である。 第３図は第１図実施例をBPFとして用いた場合を示す平
面断面図である。 第4A図および第4B図はTEモード誘電体共振器をこの考案
の他の実施例としてのBEFを示す図解図であり、第4A図
は平面断面図、第4B図は正面断面図である。 図において、10,10′はアクティブ共振器、12はセラミ
ックケース、14は電極層、20はTMモード誘電体共振器、
22はアンプ、26a,26bはループ端子、34はTEモード誘電
体共振器、36は金属ケースを示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−250201（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−119303（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−117308（ＪＰ，Ａ) Ｈ．Ｍａｔｓｕｍｕｒａ ｅｔ．ａ ｌ．”ＡＮ ＡＣＴＩＶＥ ＭＩＣＲＯ ＷＡＶＥ ＦＩＬＴＥＲ ＷＩＴＨ Ｄ ＩＥＬＥＣＴＲＩＣ ＲＥＳＯＮＡＴＯ Ｒ”，ＩＥＥＥ ＭＴＴ−Ｓ Ｉｎｔ. Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｓｙｍｐ．Ｄｉ ｇ．，1979
Claims (2)
- 【請求項１】内面および外面の少なくとも一方が導電性
表面であるキャビティ、 前記キャビティに内蔵されるTMモード誘電体共振器、 前記キャビティの壁面に形成されて前記TMモード誘電体
共振器に信号を与えかつ取り出すための第１貫通孔、 前記キャビティの壁面に形成された第２貫通孔、 前記キャビティの外側面に取り付けられるアンプ、およ
び 前記キャビティ内に臨むように前記アンプの入出力端に
取り付けられ、前記アンプの入出力を前記第２の貫通孔
を通して前記TMモード誘電体共振器に誘導結合する２つ
のループ端子を備える、アクティブ共振器。 - 【請求項２】内面および外面の少なくとも一方が導電性
表面であるキャビティ、 前記キャビティに内蔵されるTEモード誘電体共振器、 前記キャビティの壁面に形成されて前記TEモード誘電体
共振器に信号を与えかつ取り出すための第１貫通孔、 前記キャビティの壁面に形成された第２貫通孔、 前記キャビティの外側面に取り付けられるアンプ、およ
び 前記キャビティ内に臨むように前記アンプの入出力端に
取り付けられ、前記アンプの入出力を前記第２の貫通孔
を通して前記TEモード誘電体共振器に誘導結合する２つ
のループ端子を備える、アクティブ共振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990024664U JP2536944Y2 (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | アクティブ共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990024664U JP2536944Y2 (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | アクティブ共振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03115410U JPH03115410U (ja) | 1991-11-28 |
| JP2536944Y2 true JP2536944Y2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
ID=31527624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990024664U Expired - Lifetime JP2536944Y2 (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | アクティブ共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2536944Y2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55117308A (en) * | 1979-03-01 | 1980-09-09 | Murata Mfg Co Ltd | Oscillator |
| JPS63119303A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-24 | Nippon Dengiyou Kosaku Kk | 誘電体共振器 |
| JPS63250201A (ja) * | 1987-04-06 | 1988-10-18 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体共振器 |
-
1990
- 1990-03-12 JP JP1990024664U patent/JP2536944Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｈ．Ｍａｔｓｕｍｕｒａ ｅｔ．ａｌ．"ＡＮ ＡＣＴＩＶＥ ＭＩＣＲＯＷＡＶＥ ＦＩＬＴＥＲ ＷＩＴＨ ＤＩＥＬＥＣＴＲＩＣ ＲＥＳＯＮＡＴＯＲ"，ＩＥＥＥ ＭＴＴ−Ｓ Ｉｎｔ．Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｓｙｍｐ．Ｄｉｇ．，１９７９ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03115410U (ja) | 1991-11-28 |
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