JP2529774C - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体装置に使用されるリードフレーム材料の製造方法に関するもの
である。 ［従来の技術］ 従来より、導電性及び熱放散性の良さから各種銅合金材料が半導体装置のリー
ドフレーム材料として使用されている。第１図はリードフレームを示す斜視図で
あり、図において、リードフレーム（１）は半導体チップが載せられるダイパッ
ト部（２）、半導体チップとワイヤー（Ａｕ線またはＣｕ線）で結ばれるインナ
ーリード部（３）、及びプリント基板に接合されるアウターリード部（４）から
なる。 この中で、通常インナーリード部（３）及びダイパット部（２）の半導体チッ
プを載せる側の表面には厚さ４μｍ以上のＡｇめっき（５）が施される。これは
（５）がないと接合強度のバラツキが大きく、信頼性に欠けるからである。ダイ
パット部（２）はＡｇめっき（５）の必要はないが、インナーリード部（３）に
だけＡｇめっき（５）を施すことが困難なため、ダイパット部（２）にもＡｇめ
っき（５）が施される。 ［発明が解決しようとする課題］ しかし、上記のＡｇめっき加工には以下のような問題点がある： めっきの信頼性を確保するために、高価なＡｇを４μｍ以上の厚さにめっきす
る必要がある。 成形加工後に部分Ａｇめっきを行うため、生産性が低く、コストが高くなる。 このため、成形加工後の厚い部分Ａｇめっきを行わず、母材表面のインナーリ
ード部に直接Ａｕ線またはＣｕ線を接合する、いわゆるダイレクトワイヤーボン
ディングが可能な材料が求められている。現在、一部ではＣｕ線を直接リードフ
レームに接合することが実施されているが、現状では信頼性が余り要求されない
半導体装置に限定されており、高い信頼性が要求される大部分の半導体装置につ
いては、まだ実施されていない。 近年、上記問題点の解決策として、素条の状態で母材表面に５μｍ以上のＣｕ
めっきを行う方法が実施されている。素条の状態でめっきが可能で、且つＡｇよ
り安価なＣｕをめっきするため低コストである。また、５μｍ以上のＣｕめっき
により、成形加工後のＡｇめっきを行わず、ワイヤーボンディングの信頼性を確
保することができる。しかし、このＣｕめっきにも以下の問題点がある。 Ｃｕめっき層は非常に変色し易いため、めっき加工からワイヤーボンディング
が行われるまでの間の管理が非常に難しい。このため、めっき加工後すぐにワイ
ヤーボンディングを行う必要がある。長期保管をする場合には保管場所の温度、
湿度などの条件を整えるため設備及び包装コストが高くなる。 また、ボンディングの信頼性を保つため、ボンディング直前にＣｕめっき層表
面を洗う処理が必要となる。 本発明は上記のような問題点を解決し、高信頼性且つ安価なリードフレーム材
料の製造方法を提供することを目的としている。 ［課題を解決するための手段］ 本発明に係る上記半導体リードフレーム材料の製造方法は、仕上前圧延後に銅
合金母材の表面に厚さ０.５〜８μｍのＣｕめっきを施し、得られたＣｕめっき
層上に厚さ０.００５〜０.５μｍのＡｇめっきを施し、次に、熱処理により最表
面のＡｇめっき層をＣｕめっき層中に拡散させた後、仕上圧延を行うことを特徴
とする。 Ａｇは導電性が最も高く、貴金属として酸化しにくい金属として知られており
、前記のようにワイヤーボンディングにおけるリードフレーム側の接合金属とし
て広く使用されているが、Ａｇめっきのように単独層を造らなくても、銅中にあ
る濃度以上含有されていれば、酸化を抑制し、表面の清浄度を改善する効果があ
る。 また、銅合金は製造工程において、焼鈍と圧延を繰り返して目的の板厚に加工
するが、本発明では、仕上前圧延後にめっき加工を行い、その後、最終焼鈍と仕
上圧延を行う。この場合、板厚の厚い状態でめっき加工ができ、更にＡｇの拡散
に必要な熱処理と最終焼鈍とを共用できるため低コストとなる。 従来のＣｕめっきを行ったままの状態では、圧延を行うため銅合金母材を軟化
させる焼鈍（通常４００℃以上）を行った場合、非酸化雰囲気を完全にしないと
表面がかなり酸化され、ワイヤーボンディング特性の信頼性低下を招いた。しか
し、本発明では表面にＡｇがあるため通常行われている非酸化雰囲気焼鈍で表面
が酸化され、ワイヤーボンディング特性の信頼性が低下することはない。 このような銅合金表面にＣｕめっきを行い、その表面にＡｇめっきを行い、更
に、熱処理を行ってＡｇをＣｕ層中に拡散させることにより、ダイレクトワイヤ
ーボンディング性に優れ、且つ安価なリードフレーム材料を提供できる。 また、その製造方法で、仕上前圧延後にめっき加工を行い、その後、最終焼鈍
と仕上圧延を行うことにより、更に安価に提供することができる。 ［作用］ ワイヤーボンディングの信頼性は、通常リードフレームの金が清浄で、柔らか
く、平滑なほど高くなる。 Ｃｕめっき後Ａｇめっきを行い、更に熱拡散を行った層は以下の特性をもつ。 従来の銅めっき層に比較してＡｇを含有するため、酸化されにくく、清浄な表
面を形成する； 極薄いＡｇめっきを行うだけでは、ピンホールなどの心配があるが、Ｃｕめっ
き層中に熱拡散させることにより均質な層を形成する； Ｃｕめっき層を下地として行うことにより、めっき層全体を柔らかく、平滑に
する。 Ａｇめっきの厚さは、余り薄すぎると効果がなく、厚いとコストが高くなるた
め、０.００５〜０.５μｍとした。同様にＣｕめっきの厚さは０.５〜８μｍと
した。 このため、ワイヤーボンディングを行った場合でも、従来のＣｕめっき以上で
厚さ４μｍ以上の厚いＡｇめっきと同等のボンディング信頼性を示す。 また、ワイヤーボンディング素条の段階でめっき加工ができ、従来より薄いＣ
ｕめっきと極薄いＡｇめっきを施すだけなので、材料及び加工費が安く、低コス
トである。更に、Ａｇを拡散させた層は従来のＣｕめっき層に比較して、変色な
どが発生しにくいので保管・管理が容易であり、特別の設備がなくても長期保存
が可能であり、ワイヤーボンディングの直前に表面を洗う処理工程も必要ない。 ［実施例］ 以下、本発明の実施例について説明する。実施例中、銅合金の組成の％は重量
％である。 代表的なリードフレーム用銅合金であるＣＤＡ１５１（０.１％Ｚｒ、残部不
可避不純物及びＣｕ）、ＣＤＡ１９４（２.５％Ｆｅ、０.２％Ｚｎ、残部不可避
不純物及びＣｕ）及びＭＦ２０２（２.０％Ｓｎ、０.２％Ｎｉ、残部不可避不純
物及びＣｕ）を母材とし、これを下記の製造工程でリードフレームに加工したも
のを実施例１〜９とした。 製造工程 成形加工 比較例として上記工程のうちＡｇめっき及び熱処理を行わないＣｕめっき層を
最表面とするもの（比較例１〜３）、Ａｇめっき後熱処理を行わないもの（比較
例４〜６）、仕上圧延、脱脂、成形加工後厚さ０.３μｍのＣｕ下地めっき及び
厚さ５μｍのＡｇめっきを施した従来品（比較例７〜９）を同様に作製した。 作製した本発明品と比較品並びに従来品の試料について、下記試験条件でワイ
ヤーボンディングの信頼性比較試験を行った。 試験条件 （１）ボンディング条件 接合荷重：５０ｇｆ ステージ温度：２５０℃ 超音波出力：０.２Ｗ 超音波印加時間：５０ｍｓｅｃ 雰囲気：Ｎ2 ワイヤー：φ２５μｍ （２）評価 加工直後及び環境試験後のプル試験による破断強度及び次式に示すワイヤー破
断率をもって評価した。Ｎ＝２０実施した。 （３）環境試験 温度：４０℃ 湿度：９０％ 期間：１４日間 試験結果を第１表に示す 第１表の結果より、実施例１〜９の本発明品は破断強度及びワイヤー破断率で
は加工直後及び環境試験後ともに比較例７〜９の厚Ａｇめっき材と同等の値を示
した。 比較例１〜３のＣｕめっき材及び比較例４〜６のＡｇめっき後熱処理を行わな
いものは、加工直後では実施例及び比較例７〜９の厚Ａｇめっき材と同等の値を
示したが、環境試験後では破断強度及びワイヤー破断率の大幅な低下が認められ
た。 また、製造工程Ｂの実施例７〜９についても製造工程Ａの実施例１〜６と同等
の値を示した。 以上の結果より、本発明のように０.５μｍ以上のＣｕめっき後０.００５μｍ
以上のＡｇめっきを行い、更に、ＡｇをＣｕめっき層に拡散させる熱処理が必要
であることがわかる。また、仕上前圧延でめっき加工を行い、その後焼鈍、仕上
圧延することにより、より安価に製造することができる。 ［発明の効果］ 以上のように、本発明によれば、銅合金母材の表面に所定の厚さのＣｕめっき
後、Ｃｕめっき表面に所定の厚さのＡｇめっきを施した後、熱処理によりＡｇを
Ｃｕめっき層に拡散させることにより、信頼性に優れ、且つ安価なリードフレー
ム材料を製造することができる。また、仕上前圧延でめっき加工を行い、その後
焼鈍、仕上圧延することにより、より安価にリードフレーム材料を製造すること
ができる。
である。 ［従来の技術］ 従来より、導電性及び熱放散性の良さから各種銅合金材料が半導体装置のリー
ドフレーム材料として使用されている。第１図はリードフレームを示す斜視図で
あり、図において、リードフレーム（１）は半導体チップが載せられるダイパッ
ト部（２）、半導体チップとワイヤー（Ａｕ線またはＣｕ線）で結ばれるインナ
ーリード部（３）、及びプリント基板に接合されるアウターリード部（４）から
なる。 この中で、通常インナーリード部（３）及びダイパット部（２）の半導体チッ
プを載せる側の表面には厚さ４μｍ以上のＡｇめっき（５）が施される。これは
（５）がないと接合強度のバラツキが大きく、信頼性に欠けるからである。ダイ
パット部（２）はＡｇめっき（５）の必要はないが、インナーリード部（３）に
だけＡｇめっき（５）を施すことが困難なため、ダイパット部（２）にもＡｇめ
っき（５）が施される。 ［発明が解決しようとする課題］ しかし、上記のＡｇめっき加工には以下のような問題点がある： めっきの信頼性を確保するために、高価なＡｇを４μｍ以上の厚さにめっきす
る必要がある。 成形加工後に部分Ａｇめっきを行うため、生産性が低く、コストが高くなる。 このため、成形加工後の厚い部分Ａｇめっきを行わず、母材表面のインナーリ
ード部に直接Ａｕ線またはＣｕ線を接合する、いわゆるダイレクトワイヤーボン
ディングが可能な材料が求められている。現在、一部ではＣｕ線を直接リードフ
レームに接合することが実施されているが、現状では信頼性が余り要求されない
半導体装置に限定されており、高い信頼性が要求される大部分の半導体装置につ
いては、まだ実施されていない。 近年、上記問題点の解決策として、素条の状態で母材表面に５μｍ以上のＣｕ
めっきを行う方法が実施されている。素条の状態でめっきが可能で、且つＡｇよ
り安価なＣｕをめっきするため低コストである。また、５μｍ以上のＣｕめっき
により、成形加工後のＡｇめっきを行わず、ワイヤーボンディングの信頼性を確
保することができる。しかし、このＣｕめっきにも以下の問題点がある。 Ｃｕめっき層は非常に変色し易いため、めっき加工からワイヤーボンディング
が行われるまでの間の管理が非常に難しい。このため、めっき加工後すぐにワイ
ヤーボンディングを行う必要がある。長期保管をする場合には保管場所の温度、
湿度などの条件を整えるため設備及び包装コストが高くなる。 また、ボンディングの信頼性を保つため、ボンディング直前にＣｕめっき層表
面を洗う処理が必要となる。 本発明は上記のような問題点を解決し、高信頼性且つ安価なリードフレーム材
料の製造方法を提供することを目的としている。 ［課題を解決するための手段］ 本発明に係る上記半導体リードフレーム材料の製造方法は、仕上前圧延後に銅
合金母材の表面に厚さ０.５〜８μｍのＣｕめっきを施し、得られたＣｕめっき
層上に厚さ０.００５〜０.５μｍのＡｇめっきを施し、次に、熱処理により最表
面のＡｇめっき層をＣｕめっき層中に拡散させた後、仕上圧延を行うことを特徴
とする。 Ａｇは導電性が最も高く、貴金属として酸化しにくい金属として知られており
、前記のようにワイヤーボンディングにおけるリードフレーム側の接合金属とし
て広く使用されているが、Ａｇめっきのように単独層を造らなくても、銅中にあ
る濃度以上含有されていれば、酸化を抑制し、表面の清浄度を改善する効果があ
る。 また、銅合金は製造工程において、焼鈍と圧延を繰り返して目的の板厚に加工
するが、本発明では、仕上前圧延後にめっき加工を行い、その後、最終焼鈍と仕
上圧延を行う。この場合、板厚の厚い状態でめっき加工ができ、更にＡｇの拡散
に必要な熱処理と最終焼鈍とを共用できるため低コストとなる。 従来のＣｕめっきを行ったままの状態では、圧延を行うため銅合金母材を軟化
させる焼鈍（通常４００℃以上）を行った場合、非酸化雰囲気を完全にしないと
表面がかなり酸化され、ワイヤーボンディング特性の信頼性低下を招いた。しか
し、本発明では表面にＡｇがあるため通常行われている非酸化雰囲気焼鈍で表面
が酸化され、ワイヤーボンディング特性の信頼性が低下することはない。 このような銅合金表面にＣｕめっきを行い、その表面にＡｇめっきを行い、更
に、熱処理を行ってＡｇをＣｕ層中に拡散させることにより、ダイレクトワイヤ
ーボンディング性に優れ、且つ安価なリードフレーム材料を提供できる。 また、その製造方法で、仕上前圧延後にめっき加工を行い、その後、最終焼鈍
と仕上圧延を行うことにより、更に安価に提供することができる。 ［作用］ ワイヤーボンディングの信頼性は、通常リードフレームの金が清浄で、柔らか
く、平滑なほど高くなる。 Ｃｕめっき後Ａｇめっきを行い、更に熱拡散を行った層は以下の特性をもつ。 従来の銅めっき層に比較してＡｇを含有するため、酸化されにくく、清浄な表
面を形成する； 極薄いＡｇめっきを行うだけでは、ピンホールなどの心配があるが、Ｃｕめっ
き層中に熱拡散させることにより均質な層を形成する； Ｃｕめっき層を下地として行うことにより、めっき層全体を柔らかく、平滑に
する。 Ａｇめっきの厚さは、余り薄すぎると効果がなく、厚いとコストが高くなるた
め、０.００５〜０.５μｍとした。同様にＣｕめっきの厚さは０.５〜８μｍと
した。 このため、ワイヤーボンディングを行った場合でも、従来のＣｕめっき以上で
厚さ４μｍ以上の厚いＡｇめっきと同等のボンディング信頼性を示す。 また、ワイヤーボンディング素条の段階でめっき加工ができ、従来より薄いＣ
ｕめっきと極薄いＡｇめっきを施すだけなので、材料及び加工費が安く、低コス
トである。更に、Ａｇを拡散させた層は従来のＣｕめっき層に比較して、変色な
どが発生しにくいので保管・管理が容易であり、特別の設備がなくても長期保存
が可能であり、ワイヤーボンディングの直前に表面を洗う処理工程も必要ない。 ［実施例］ 以下、本発明の実施例について説明する。実施例中、銅合金の組成の％は重量
％である。 代表的なリードフレーム用銅合金であるＣＤＡ１５１（０.１％Ｚｒ、残部不
可避不純物及びＣｕ）、ＣＤＡ１９４（２.５％Ｆｅ、０.２％Ｚｎ、残部不可避
不純物及びＣｕ）及びＭＦ２０２（２.０％Ｓｎ、０.２％Ｎｉ、残部不可避不純
物及びＣｕ）を母材とし、これを下記の製造工程でリードフレームに加工したも
のを実施例１〜９とした。 製造工程 成形加工 比較例として上記工程のうちＡｇめっき及び熱処理を行わないＣｕめっき層を
最表面とするもの（比較例１〜３）、Ａｇめっき後熱処理を行わないもの（比較
例４〜６）、仕上圧延、脱脂、成形加工後厚さ０.３μｍのＣｕ下地めっき及び
厚さ５μｍのＡｇめっきを施した従来品（比較例７〜９）を同様に作製した。 作製した本発明品と比較品並びに従来品の試料について、下記試験条件でワイ
ヤーボンディングの信頼性比較試験を行った。 試験条件 （１）ボンディング条件 接合荷重：５０ｇｆ ステージ温度：２５０℃ 超音波出力：０.２Ｗ 超音波印加時間：５０ｍｓｅｃ 雰囲気：Ｎ2 ワイヤー：φ２５μｍ （２）評価 加工直後及び環境試験後のプル試験による破断強度及び次式に示すワイヤー破
断率をもって評価した。Ｎ＝２０実施した。 （３）環境試験 温度：４０℃ 湿度：９０％ 期間：１４日間 試験結果を第１表に示す 第１表の結果より、実施例１〜９の本発明品は破断強度及びワイヤー破断率で
は加工直後及び環境試験後ともに比較例７〜９の厚Ａｇめっき材と同等の値を示
した。 比較例１〜３のＣｕめっき材及び比較例４〜６のＡｇめっき後熱処理を行わな
いものは、加工直後では実施例及び比較例７〜９の厚Ａｇめっき材と同等の値を
示したが、環境試験後では破断強度及びワイヤー破断率の大幅な低下が認められ
た。 また、製造工程Ｂの実施例７〜９についても製造工程Ａの実施例１〜６と同等
の値を示した。 以上の結果より、本発明のように０.５μｍ以上のＣｕめっき後０.００５μｍ
以上のＡｇめっきを行い、更に、ＡｇをＣｕめっき層に拡散させる熱処理が必要
であることがわかる。また、仕上前圧延でめっき加工を行い、その後焼鈍、仕上
圧延することにより、より安価に製造することができる。 ［発明の効果］ 以上のように、本発明によれば、銅合金母材の表面に所定の厚さのＣｕめっき
後、Ｃｕめっき表面に所定の厚さのＡｇめっきを施した後、熱処理によりＡｇを
Ｃｕめっき層に拡散させることにより、信頼性に優れ、且つ安価なリードフレー
ム材料を製造することができる。また、仕上前圧延でめっき加工を行い、その後
焼鈍、仕上圧延することにより、より安価にリードフレーム材料を製造すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はリードフレームの斜視図である。
図中、１…リードフレーム、２…ダイパット、３…インナーリード部、４…ア
ウターリード部、５…Ａｇめっき。
ウターリード部、５…Ａｇめっき。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）半導体装置に使用されるリードフレーム材料の製造方法において、仕上前
圧延後に銅合金母材の表面に厚さ０.５〜８μｍのＣｕめっきを施し、得られた
Ｃｕめっき層上に厚さ０.００５〜０.５μｍのＡｇめっきを施し、次に、熱処理
により最表面のＡｇめっき層をＣｕめっき層中に拡散させた後、仕上圧延を行う
ことを特徴とする半導体装置リードフレーム材料の製造方法。
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