JP2528147B2 - 磁気潜像担持体 - Google Patents
磁気潜像担持体Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気プリンタ、磁気印刷等に使用され、磁性
トナー等の磁性物質により現像像を得る磁気潜像担持体
に関する。
トナー等の磁性物質により現像像を得る磁気潜像担持体
に関する。
〔従来の技術〕 従来の磁気潜像担持体の記録媒体としては、特開昭52
−148135に見られる二酸化クロムや、特開昭53−3805に
見られるγ−Fe2O3のような強磁性体が知られている。
−148135に見られる二酸化クロムや、特開昭53−3805に
見られるγ−Fe2O3のような強磁性体が知られている。
上述した従来の強磁性体による磁気潜像の磁化パター
ンは、外部から誤って印加される撹乱磁場によって消去
され、記録した情報が消失してしまうという欠点があ
る。
ンは、外部から誤って印加される撹乱磁場によって消去
され、記録した情報が消失してしまうという欠点があ
る。
また、従来の強磁性体を有する磁気潜像担持体では、
得られる磁界強度にも限界があった。
得られる磁界強度にも限界があった。
本発明は、磁気潜像担持体の記録媒体として、その内
部に貫通した中空部を有する超電導物体を用いることに
より、上述のような欠点を解消した磁気潜像担持体を提
供するものである。
部に貫通した中空部を有する超電導物体を用いることに
より、上述のような欠点を解消した磁気潜像担持体を提
供するものである。
〔問題点を解決するための手段〕 本発明の磁気潜像担持体は、その支持基板上に配列さ
れている複数の記録媒体が超電導物体からなり、この超
電導物体が、その内部を貫通する穴を有しているもので
ある。
れている複数の記録媒体が超電導物体からなり、この超
電導物体が、その内部を貫通する穴を有しているもので
ある。
以下、本発明を図面を参照して詳細に説明する。
第1図は本発明の磁気潜像担持体の一例の斜視図、第
2図は記録媒体の一例を示す部分断面図、第3図は磁気
潜像の形成法を示す説明図である。
2図は記録媒体の一例を示す部分断面図、第3図は磁気
潜像の形成法を示す説明図である。
第1図に示すように、本発明の磁気潜像担持体10は、
支持基板3と同基板上に配列された複数の、超電導物体
からなる記録媒体1とからなり、好ましくは記録媒体1
の上に保護層2が形成される。記録媒体1は、その内部
を貫通する穴11を有している。
支持基板3と同基板上に配列された複数の、超電導物体
からなる記録媒体1とからなり、好ましくは記録媒体1
の上に保護層2が形成される。記録媒体1は、その内部
を貫通する穴11を有している。
なお、磁気潜像担持体は、超電導物体を、電子ビーム
加熱法やスパッタ法等により、支持基板上に薄膜状に形
成して得ることが出来る。
加熱法やスパッタ法等により、支持基板上に薄膜状に形
成して得ることが出来る。
支持基板3の材料としては、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレー
ト、アクリル樹脂、ポリフッ化エチレンなどのプラスチ
ック板を用いることができる。なお、本発明の効果を阻
害するものでなければ、上記の材料に限定されるもので
はない。
ピレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレー
ト、アクリル樹脂、ポリフッ化エチレンなどのプラスチ
ック板を用いることができる。なお、本発明の効果を阻
害するものでなければ、上記の材料に限定されるもので
はない。
本発明の記録媒体1に用いられる超電導物体の材料
は、NbTi,Nb3Snなどの合金や化合物でも良いが、abcd
(aはLa,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,L
u,Y,Scから成る群より選ばれた1種以上の元素、bはC
a,Sr,Pb及びBaからなる群より選ばれた1種以上の元
素、cはV,Ti,Cr,Mn,Fe,Ni,Co,Ag,Cd,Cu,Zr及びHgから
なる群より選ばれた1種以上の元素、dはS,O及びFよ
り選ばれた1種以上の元素である)で示される結晶を含
む超伝導材を用いることができる。ただし、特定の材料
に限定されるものでは無い。
は、NbTi,Nb3Snなどの合金や化合物でも良いが、abcd
(aはLa,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,L
u,Y,Scから成る群より選ばれた1種以上の元素、bはC
a,Sr,Pb及びBaからなる群より選ばれた1種以上の元
素、cはV,Ti,Cr,Mn,Fe,Ni,Co,Ag,Cd,Cu,Zr及びHgから
なる群より選ばれた1種以上の元素、dはS,O及びFよ
り選ばれた1種以上の元素である)で示される結晶を含
む超伝導材を用いることができる。ただし、特定の材料
に限定されるものでは無い。
保護層2としては、ポリビニルブチラール、ポリエス
テル、ポリカーボネート、アクリル樹脂、メタクリル樹
脂、ナイロン、ポリイミド、ポリアリレート、ポリウレ
タン、スチレン−ブタジエンコポリマー、スチレン−ア
クリル酸コポリマー、スチレン−アクリロニトリルコポ
リマーなどの合成樹脂を適当な有機溶剤によって溶解し
た液が用いられる。
テル、ポリカーボネート、アクリル樹脂、メタクリル樹
脂、ナイロン、ポリイミド、ポリアリレート、ポリウレ
タン、スチレン−ブタジエンコポリマー、スチレン−ア
クリル酸コポリマー、スチレン−アクリロニトリルコポ
リマーなどの合成樹脂を適当な有機溶剤によって溶解し
た液が用いられる。
保護層は、上記の溶解した液を、超電導物体である記
録媒体が配列された支持基板の面上に塗布することによ
り形成することができるが、上記樹脂の熱溶融液を塗布
することで形成することもできる。さらに、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテ
レフタレート、アクリル樹脂、ポリフッ化エチレンなど
のプラスチックフィルムを熱融着することによっても形
成できる。
録媒体が配列された支持基板の面上に塗布することによ
り形成することができるが、上記樹脂の熱溶融液を塗布
することで形成することもできる。さらに、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテ
レフタレート、アクリル樹脂、ポリフッ化エチレンなど
のプラスチックフィルムを熱融着することによっても形
成できる。
なお、支持基板、保護層ともに上記の材料のものに限
られるものではないが、特に保護層として、樹脂等から
成る絶縁性のものを用いれば、本発明にかかる磁気潜像
担持体に、静電潜像をも担持させることができる。すな
わち、特開昭56−133775、特開昭56−135872に述べられ
ているように、絶縁性層に、多針放電針等により電荷を
与えるとともに磁気潜像を担持させ、磁気潜像兼静電潜
像担持体とすることができる。
られるものではないが、特に保護層として、樹脂等から
成る絶縁性のものを用いれば、本発明にかかる磁気潜像
担持体に、静電潜像をも担持させることができる。すな
わち、特開昭56−133775、特開昭56−135872に述べられ
ているように、絶縁性層に、多針放電針等により電荷を
与えるとともに磁気潜像を担持させ、磁気潜像兼静電潜
像担持体とすることができる。
超電導物体からなる記録媒体1はリング状をなし、第
2図に示すその外径r2、穴の内径r1および厚さl1は、磁
気潜像担持体の解像力等を考慮して決められるが、超電
導物体の磁界に、撹乱磁場に対する有効な低抗性(マイ
スナー効果)を持たせるためには、1/2(r2−r1)、お
よびl1を、各々、0.1μm以上とすることが好ましく、
特に、0.5μm以上とすることが望ましい。
2図に示すその外径r2、穴の内径r1および厚さl1は、磁
気潜像担持体の解像力等を考慮して決められるが、超電
導物体の磁界に、撹乱磁場に対する有効な低抗性(マイ
スナー効果)を持たせるためには、1/2(r2−r1)、お
よびl1を、各々、0.1μm以上とすることが好ましく、
特に、0.5μm以上とすることが望ましい。
したがって、解像力も考慮して、r2は2〜30μm、
(r2−r1)は1〜20μm、l1は0.5〜10μmの範囲とす
ることが好ましく、保護層2の厚さl2は、l1の1.2〜3
倍程度がよい。
(r2−r1)は1〜20μm、l1は0.5〜10μmの範囲とす
ることが好ましく、保護層2の厚さl2は、l1の1.2〜3
倍程度がよい。
これらの数値の範囲をはずれると、超電導物体1は撹
乱磁場に対して有効な抵抗性を示さなかったり、また、
磁気潜像としての解像力が劣ったり、更に、l2<1.2 l1
であると、保護層としての機能が弱くなり好ましくな
い。
乱磁場に対して有効な抵抗性を示さなかったり、また、
磁気潜像としての解像力が劣ったり、更に、l2<1.2 l1
であると、保護層としての機能が弱くなり好ましくな
い。
超電導体から成る記録媒体1には、第2図に示すよう
に、その内部を貫通する穴11が設けられており、この穴
の中心軸方向を支持基板の板面に対してほぼ直角とする
ことにより(矢印4の方向)、記録媒体としての超電導
物体における磁気潜像の磁界の発生を容易にするととも
に、磁界を均一にすることができる。
に、その内部を貫通する穴11が設けられており、この穴
の中心軸方向を支持基板の板面に対してほぼ直角とする
ことにより(矢印4の方向)、記録媒体としての超電導
物体における磁気潜像の磁界の発生を容易にするととも
に、磁界を均一にすることができる。
なお、本例では、記録媒体である超電導物体をリング
状とすることにより内部を貫通した中空孔としている
が、リング状とすることは必ずしも必要ではなく、複数
の超電導物体に、適当な形の貫通する穴があいたもので
あれば、穴の形状は丸穴でなくてもよい。すなわち、そ
の穴の周囲に閉曲線を描き、それを導体内で縮めていっ
た場合、一点とすることができない形のものであればよ
い。
状とすることにより内部を貫通した中空孔としている
が、リング状とすることは必ずしも必要ではなく、複数
の超電導物体に、適当な形の貫通する穴があいたもので
あれば、穴の形状は丸穴でなくてもよい。すなわち、そ
の穴の周囲に閉曲線を描き、それを導体内で縮めていっ
た場合、一点とすることができない形のものであればよ
い。
次に、第3図(a)ないし(d)を用いて、本発明の
磁気潜像担持体における磁気潜像の形成法について述べ
る。
磁気潜像担持体における磁気潜像の形成法について述べ
る。
電磁石5a,5b、直流電源6、およびスイッチ7は直列
に配列されている。
に配列されている。
まず、第3図(a)において、超電導物体である記録
媒体1を臨界温度(超電導現象が始まる温度)以上にし
た状態で、スイッチ7を閉とし、電磁石5bから電磁石5a
の方向へ磁界をかける。記録媒体1を臨界温度以上にす
るためには、矢印8で示すように、レーザー光線などの
熱光線を記録媒体1に照射してもよい。
媒体1を臨界温度(超電導現象が始まる温度)以上にし
た状態で、スイッチ7を閉とし、電磁石5bから電磁石5a
の方向へ磁界をかける。記録媒体1を臨界温度以上にす
るためには、矢印8で示すように、レーザー光線などの
熱光線を記録媒体1に照射してもよい。
次に、記録媒体1を臨界温度以下にする。(第3図
(b))その後、スイッチ7を開として、電磁石5bから
電磁石5aへの磁界を取り去る。すると、リング状の超電
導体には、電磁誘導により、この磁界の変化を妨げる方
向に電流が流れ、第3図(c)に示すような磁界9が発
生する。超電導現象が続くかぎり、この磁界は存在す
る。
(b))その後、スイッチ7を開として、電磁石5bから
電磁石5aへの磁界を取り去る。すると、リング状の超電
導体には、電磁誘導により、この磁界の変化を妨げる方
向に電流が流れ、第3図(c)に示すような磁界9が発
生する。超電導現象が続くかぎり、この磁界は存在す
る。
この磁界を消去するためには、第3図(d)に示すよ
うに、レーザー光線などの熱光線(矢印8)を、記録媒
体1に照射するなどの方法により、超電導体を臨界温度
以上にすればよい。
うに、レーザー光線などの熱光線(矢印8)を、記録媒
体1に照射するなどの方法により、超電導体を臨界温度
以上にすればよい。
このような方法により、磁気潜像担持体10には、磁界
の存在する部分と、存在しない部分が作り出されること
になり、磁気潜像が形成される。
の存在する部分と、存在しない部分が作り出されること
になり、磁気潜像が形成される。
なお、この臨界温度は記録媒体により異なり、通常
は、0.1〜90K程度であるが、当然これ以上の温度、例え
ば、室温のこともあり得る。
は、0.1〜90K程度であるが、当然これ以上の温度、例え
ば、室温のこともあり得る。
このように、磁気潜像担持体の記録部材に超電導物体
を用い、この超電導物体の温度を臨界温度以下、また
は、以上に保つことにより、超電導物体に磁界を発生ま
たは消去させ、磁気潜像担持体上に磁界の存在する部分
と存在しない部分をつくり、磁気潜像を形成することが
できる。また、超電導物体には、その内部を貫通する穴
が設けられ、その軸方向が支持基板の板面に対してほぼ
直角となっているので、超電導物体に発生した磁界は、
外部からの撹乱磁場によって妨げられることがなく、さ
らに、従来の強磁性体では得られない、強い磁気強度の
磁界を均等に発生することができる。
を用い、この超電導物体の温度を臨界温度以下、また
は、以上に保つことにより、超電導物体に磁界を発生ま
たは消去させ、磁気潜像担持体上に磁界の存在する部分
と存在しない部分をつくり、磁気潜像を形成することが
できる。また、超電導物体には、その内部を貫通する穴
が設けられ、その軸方向が支持基板の板面に対してほぼ
直角となっているので、超電導物体に発生した磁界は、
外部からの撹乱磁場によって妨げられることがなく、さ
らに、従来の強磁性体では得られない、強い磁気強度の
磁界を均等に発生することができる。
次に本発明の実施例について説明する。
アルミニウムをコートしたポリイミド樹脂シート上
に、真空蒸着法により、Y−Ba−Cu−Oを厚さ3μmに
いたるまで、全面に蒸着する。このときのY−Ba−Cu−
O膜はほぼY1Ba2Cu3O7-xであった。この上面にホトレジ
スト(感光性樹脂)を形成後、多数のリング状像を露
光、現像し、未露光部のY−Ba−Cu−Oとアルミニウム
をエッチング液により消去する。この上に、ポリエステ
ルを溶解した溶液を塗布、乾燥し、厚さ6μの保護層を
設けることにより、超電導潜像担持体シートを作成す
る。
に、真空蒸着法により、Y−Ba−Cu−Oを厚さ3μmに
いたるまで、全面に蒸着する。このときのY−Ba−Cu−
O膜はほぼY1Ba2Cu3O7-xであった。この上面にホトレジ
スト(感光性樹脂)を形成後、多数のリング状像を露
光、現像し、未露光部のY−Ba−Cu−Oとアルミニウム
をエッチング液により消去する。この上に、ポリエステ
ルを溶解した溶液を塗布、乾燥し、厚さ6μの保護層を
設けることにより、超電導潜像担持体シートを作成す
る。
超電導記録媒体であるリングは、r2=8μm、r1=5
μm、l1=3μmとする。(第2図参照) 該シートを超電導状態となる雰囲気下に置いた後、該
リング状の超電導記録媒体を赤外光照射下で1200 Oe
(エルステッド)の磁界をかけ、次いで、赤外光照射を
止め、超電導記録媒体を超電導状態とする。その後磁界
を消去すると、超電導潜像担持体は0.24 CGSemuの磁束
が得られる。
μm、l1=3μmとする。(第2図参照) 該シートを超電導状態となる雰囲気下に置いた後、該
リング状の超電導記録媒体を赤外光照射下で1200 Oe
(エルステッド)の磁界をかけ、次いで、赤外光照射を
止め、超電導記録媒体を超電導状態とする。その後磁界
を消去すると、超電導潜像担持体は0.24 CGSemuの磁束
が得られる。
この磁束は超電導状態の雰囲気下では引き続き維持さ
れ、この超電導潜像担持体付近に700 Oe(エルステッ
ド)の磁界をかけても、その変化は見られない。
れ、この超電導潜像担持体付近に700 Oe(エルステッ
ド)の磁界をかけても、その変化は見られない。
以上説明したように本発明は、磁気潜像担持体の記録
媒体として内部を貫通する穴を有する超電導物体を用い
ることにより、外部から誤って記録媒体に撹乱磁界が印
加されても、記録媒体の表面上に、これに対抗する電流
が流れ、撹乱磁界は記録媒体の中に侵入しない。(マイ
スナー効果と称される)したがって、記録媒体に記録さ
れた情報の消失が防がれるとともに、超電導体材料を用
いて、記録印加磁界を調整することにより、従来、記録
媒体として使用されていた強磁性体より高い記録磁界を
得ることができる効果がある。
媒体として内部を貫通する穴を有する超電導物体を用い
ることにより、外部から誤って記録媒体に撹乱磁界が印
加されても、記録媒体の表面上に、これに対抗する電流
が流れ、撹乱磁界は記録媒体の中に侵入しない。(マイ
スナー効果と称される)したがって、記録媒体に記録さ
れた情報の消失が防がれるとともに、超電導体材料を用
いて、記録印加磁界を調整することにより、従来、記録
媒体として使用されていた強磁性体より高い記録磁界を
得ることができる効果がある。
第1図は本発明の磁気潜像担持体の一例の斜視図、第2
図は第1図の要部断面図、第3図は磁気潜像の形成法を
示す模式説明図である。 1……記録媒体(超電導物体) 2……保護層、3……支持基板 4……矢印(穴の中心軸方向) 5a,5b……電磁石、6……直流電源 7……スイッチ、8……矢印(熱光線) 9……磁界、10……磁気潜像担持体 11……穴 r1……超電導体内径(穴径) r2……超電導体外径 l1……超電導体厚さ、l2……保護層厚さ l3……支持基板厚さ N……磁石の北極、S……磁石の南極
図は第1図の要部断面図、第3図は磁気潜像の形成法を
示す模式説明図である。 1……記録媒体(超電導物体) 2……保護層、3……支持基板 4……矢印(穴の中心軸方向) 5a,5b……電磁石、6……直流電源 7……スイッチ、8……矢印(熱光線) 9……磁界、10……磁気潜像担持体 11……穴 r1……超電導体内径(穴径) r2……超電導体外径 l1……超電導体厚さ、l2……保護層厚さ l3……支持基板厚さ N……磁石の北極、S……磁石の南極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 広橋 正樹 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 竹内 達夫 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 細野 長穂 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 高橋 真吉 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 田嶋 初雄 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−90910(JP,A) 特開 昭62−239587(JP,A) 特開 昭62−183503(JP,A) 特開 昭62−77561(JP,A) New Superconducti ng Cuprate Perousk ites,Physical Rewi ew Letters.Vol.58 (1987) Appl Phys.Lett.51 (7),17August1987 Physical Review L etters.Vol.58,No.9, 2March1987 Pro.18th Int.Conf 1987,Japanese Journa l of Applied Physi cs
Claims (2)
- 【請求項1】支持基板上に、複数の記録媒体が配列され
ている磁気潜像担持体において、 該記録媒体が超電導物体からなり、該超電導物体が、そ
の内部を貫通する穴を有していることを特徴とする磁気
潜像担持体。 - 【請求項2】内部を貫通する穴の軸方向が、支持基板の
板面に対してほぼ直角方向である特許請求の範囲第1項
記載の磁気潜像担持体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62269485A JP2528147B2 (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | 磁気潜像担持体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62269485A JP2528147B2 (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | 磁気潜像担持体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01113760A JPH01113760A (ja) | 1989-05-02 |
JP2528147B2 true JP2528147B2 (ja) | 1996-08-28 |
Family
ID=17473096
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62269485A Expired - Fee Related JP2528147B2 (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | 磁気潜像担持体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2528147B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01317122A (ja) * | 1988-06-15 | 1989-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 超伝導体とその製造方法 |
JP2947818B2 (ja) * | 1988-07-27 | 1999-09-13 | 株式会社日立製作所 | 微細孔への金属穴埋め方法 |
-
1987
- 1987-10-27 JP JP62269485A patent/JP2528147B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
ApplPhys.Lett.51(7),17August1987 |
NewSuperconductingCupratePerouskites,PhysicalRewiewLetters.Vol.58(1987) |
PhysicalReviewLetters.Vol.58,No.9,2March1987 |
Pro.18thInt.Conf1987,JapaneseJournalofAppliedPhysics |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH01113760A (ja) | 1989-05-02 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |