JP2526958B2 - 逆光検出回路 - Google Patents
逆光検出回路Info
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B7/00—Control of exposure by setting shutters, diaphragms or filters, separately or conjointly
- G03B7/08—Control effected solely on the basis of the response, to the intensity of the light received by the camera, of a built-in light-sensitive device
- G03B7/099—Arrangement of photoelectric elements in or on the camera
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はカメラ等の逆光検出回路に関するものであ
る。
る。
［従来の技術］ 従来の逆光検出回路としては、第８図の構成のものが
ある。被写体の中央部の明るさに感応するSPD（シリコ
ン・フォト・ダイオード）29と被写体の周辺部の明るさ
に感応するSPD30を用い、それぞれからの明るさに比例
した電流を電流／電圧変換回路31、32に供給して電圧に
変換する。33は入力電圧に応じた幅のパルスを発生する
パルス発生回路で、スイッチング回路3,4によって、ま
ず変換回路31の出力が選択されてパルス発生回路33に供
給される。すなわち被写体の周辺部の明るさに応じた電
流が電圧に変換されてパルス発生回路33に供給される。
そこで端子ｐにトリガ信号が到来すると、パルス発生回
路33から明るさに比例したパルス幅のパルスが発生す
る。このパルスは、図示しない計数回路等によってパル
ス幅が計数され、その計数値が被写体周辺部の明るさと
して認識される。
ある。被写体の中央部の明るさに感応するSPD（シリコ
ン・フォト・ダイオード）29と被写体の周辺部の明るさ
に感応するSPD30を用い、それぞれからの明るさに比例
した電流を電流／電圧変換回路31、32に供給して電圧に
変換する。33は入力電圧に応じた幅のパルスを発生する
パルス発生回路で、スイッチング回路3,4によって、ま
ず変換回路31の出力が選択されてパルス発生回路33に供
給される。すなわち被写体の周辺部の明るさに応じた電
流が電圧に変換されてパルス発生回路33に供給される。
そこで端子ｐにトリガ信号が到来すると、パルス発生回
路33から明るさに比例したパルス幅のパルスが発生す
る。このパルスは、図示しない計数回路等によってパル
ス幅が計数され、その計数値が被写体周辺部の明るさと
して認識される。
つぎにスイッチング回路34によって変換回路32が選択
され、SPD30の出力電流が上記と同様にしてパルス幅に
変換されて被写体中央部の明るさが認識される。
され、SPD30の出力電流が上記と同様にしてパルス幅に
変換されて被写体中央部の明るさが認識される。
これらの明るさに比例したパルス幅は図示しない演算
回路によって演算され、被写体中央部が周辺部より暗い
と判断された場合あるいは一定値以上暗いと判断された
場合には、逆光であると判断し、ストロボを発光して中
央部が暗くなるのを防いでいる。
回路によって演算され、被写体中央部が周辺部より暗い
と判断された場合あるいは一定値以上暗いと判断された
場合には、逆光であると判断し、ストロボを発光して中
央部が暗くなるのを防いでいる。
［発明が解決しようとする問題点］ 上記のものでは比較的高価なSPDを用いており、その
出力電流が非常に微小なため、微小電流を扱う増幅回路
等が必要になり、CPU（中央制御装置）とは別の専用の
測光用ICが必要になる。これがコスト高の一因となって
いた。
出力電流が非常に微小なため、微小電流を扱う増幅回路
等が必要になり、CPU（中央制御装置）とは別の専用の
測光用ICが必要になる。これがコスト高の一因となって
いた。
また微小電流を処理するため、外部のノイズによる誤
動作が起り易く、SPDと測光用ICとの距離を長くとるこ
とができないものであった。
動作が起り易く、SPDと測光用ICとの距離を長くとるこ
とができないものであった。
さらに、２つの電流／電圧変換回路31、32を用いてな
るため、両者の特性を同じにしておかなければ適正な測
光精度は得られない。ところが、部品定数のばらつきや
温度の影響による特性変化は完全に抑えることは難し
く、測光精度の低下は免がれないものであった。
るため、両者の特性を同じにしておかなければ適正な測
光精度は得られない。ところが、部品定数のばらつきや
温度の影響による特性変化は完全に抑えることは難し
く、測光精度の低下は免がれないものであった。
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもの
で、回路構成の簡素化および測光精度の向上を目的とす
るものである。
で、回路構成の簡素化および測光精度の向上を目的とす
るものである。
［問題点を解決するための手段］ 本発明は、基準抵抗素子と、被写体周辺部の明るさに
感応する第１の光導電素子と、被写体中央部の明るさに
感応する第２の光導電素子とを時定数決定要素として選
択的に時定数回路に接続し、この時定数回路の出力を受
け、上記スイッチング回路によって接続された各素子の
抵抗値に応じた数のパルスをそれぞれ発生するパルス発
生回路からのパルス数を計数する計数回路を設け、上記
基準抵抗素子接続時の上記計数回路の計数値と第１の光
導電素子接続時の上記計数回路の計数値との比および上
記基準抵抗素子接続時の上記計数回路の計数値と第２の
光導電素子接続時の上記計数回路の計数値との比との大
小を比較する演算回路を設けてなるものである。
感応する第１の光導電素子と、被写体中央部の明るさに
感応する第２の光導電素子とを時定数決定要素として選
択的に時定数回路に接続し、この時定数回路の出力を受
け、上記スイッチング回路によって接続された各素子の
抵抗値に応じた数のパルスをそれぞれ発生するパルス発
生回路からのパルス数を計数する計数回路を設け、上記
基準抵抗素子接続時の上記計数回路の計数値と第１の光
導電素子接続時の上記計数回路の計数値との比および上
記基準抵抗素子接続時の上記計数回路の計数値と第２の
光導電素子接続時の上記計数回路の計数値との比との大
小を比較する演算回路を設けてなるものである。
［実施例］ 第１図において、１は被写体周辺部の明るさに感応す
る第１の光導電素子、２は被写体中央部の明るさに感応
する第２の光導電素子で、本例ではCdSを用い、両者の
受光面積が等しうなるように形成してある。３は基準抵
抗素子で、本例では可変抵抗を用いている。４はワンシ
ョットマルチバイブレータを構成する時定数回路で、ゲ
ート回路５、コンデンサ６およびインバータ７を具備
し、光導電素子1,2および抵抗素子３のいずれかとコン
デンサ６とを時定数決定要素とするものである。８〜10
はスイッチング回路で、光導電素子1,2および抵抗３を
時定数決定要素として時定数回路４に選択的に接続する
ものである。11はパルス発生回路を構成するゲート回路
で、その入力端子Clにはクロックパルスを供給してあ
る。12A〜12Cはパルス発生回路11からのパルス数を計数
する計数回路である。13は後述する演算を行う演算回路
である。
る第１の光導電素子、２は被写体中央部の明るさに感応
する第２の光導電素子で、本例ではCdSを用い、両者の
受光面積が等しうなるように形成してある。３は基準抵
抗素子で、本例では可変抵抗を用いている。４はワンシ
ョットマルチバイブレータを構成する時定数回路で、ゲ
ート回路５、コンデンサ６およびインバータ７を具備
し、光導電素子1,2および抵抗素子３のいずれかとコン
デンサ６とを時定数決定要素とするものである。８〜10
はスイッチング回路で、光導電素子1,2および抵抗３を
時定数決定要素として時定数回路４に選択的に接続する
ものである。11はパルス発生回路を構成するゲート回路
で、その入力端子Clにはクロックパルスを供給してあ
る。12A〜12Cはパルス発生回路11からのパルス数を計数
する計数回路である。13は後述する演算を行う演算回路
である。
つぎに動作について説明する。時定数回路４をトリガ
する信号Ｔ（第２図Ｔ）が発生する直前に、スイッチン
グ回路ＳAをオンにするパルス（第２図ＳA）が発生し、
抵抗３が時定数回路４に接続される。そこでトリガ信号
Ｔが発生すると、抵抗素子３の抵抗値Rvrとコンデンサ
６の容量によって決定されるパルス幅Tsを有したパルス
がインバータ７から、第２図Ｑのように発生する。この
パルスが発生している間、クロックパルスがパルス発生
回路11から発生し、計数回路12Aに供給されて計数され
る。
する信号Ｔ（第２図Ｔ）が発生する直前に、スイッチン
グ回路ＳAをオンにするパルス（第２図ＳA）が発生し、
抵抗３が時定数回路４に接続される。そこでトリガ信号
Ｔが発生すると、抵抗素子３の抵抗値Rvrとコンデンサ
６の容量によって決定されるパルス幅Tsを有したパルス
がインバータ７から、第２図Ｑのように発生する。この
パルスが発生している間、クロックパルスがパルス発生
回路11から発生し、計数回路12Aに供給されて計数され
る。
ところで上記パルス幅Tsは、 Rvr・Ｃ・ln（Ve−Vth）/Ve で表され、抵抗素子３の抵抗値Rvrに比例した値とな
る。但し、C;コンデンサ６の容量値、Ve;;電源電圧、Vt
h;インバータ７のスレッショルド電圧である。
る。但し、C;コンデンサ６の容量値、Ve;;電源電圧、Vt
h;インバータ７のスレッショルド電圧である。
ついで第２図ＳBのパルスによってスイッチング回路
９がオンになり、光導電素子１が時定数回路４に接続さ
れ、その後トリガ信号が発生する。この場合は、被写体
周辺部の明るさに応じたパルス幅Tav（第２図Ｑ）のパ
ルスがインバータ７から発生し、このパルスが発生して
いる間クロックパルスが計数回路12Bに供給されてその
パルス数が計数される。このパルス幅Tavは、光導電素
子１の抵抗値をRavとすると、 Rav・Ｃ・ln（Ve−Vth）/Ve で表される。
９がオンになり、光導電素子１が時定数回路４に接続さ
れ、その後トリガ信号が発生する。この場合は、被写体
周辺部の明るさに応じたパルス幅Tav（第２図Ｑ）のパ
ルスがインバータ７から発生し、このパルスが発生して
いる間クロックパルスが計数回路12Bに供給されてその
パルス数が計数される。このパルス幅Tavは、光導電素
子１の抵抗値をRavとすると、 Rav・Ｃ・ln（Ve−Vth）/Ve で表される。
つぎに第２図ＳCのパルスによってスイッチング回路1
0がオンになり、光導電素子２が時定数回路４に接続さ
れ、その後トリガ信号が発生する。この場合は、被写体
の中央部の明るさに応じたパルス幅Tsp（第２図Ｑ）の
パルスが発生し、これが発生している間クロックパルス
が計数回路12Cに供給され、そのパルス数が計数され
る。
0がオンになり、光導電素子２が時定数回路４に接続さ
れ、その後トリガ信号が発生する。この場合は、被写体
の中央部の明るさに応じたパルス幅Tsp（第２図Ｑ）の
パルスが発生し、これが発生している間クロックパルス
が計数回路12Cに供給され、そのパルス数が計数され
る。
このパルス幅Tspは、光導電素２の抵抗値をPspとする
と、 Rsp・Ｃ・ln（Ve−Vth）/Ve で表される。
と、 Rsp・Ｃ・ln（Ve−Vth）/Ve で表される。
つぎに演算回路13における演算動作について説明す
る。まず基準抵抗素子接続時のパルス幅ＴSと光導電素
子１接続時のパルス幅Tavとの比Tav/Tsの演算が行われ
被写体周辺部の輝度が求められる。この比は、抵抗素子
３の抵抗値Rvrと光導電素子１の抵抗値Ravとの比Rav/Rv
rと等しい。
る。まず基準抵抗素子接続時のパルス幅ＴSと光導電素
子１接続時のパルス幅Tavとの比Tav/Tsの演算が行われ
被写体周辺部の輝度が求められる。この比は、抵抗素子
３の抵抗値Rvrと光導電素子１の抵抗値Ravとの比Rav/Rv
rと等しい。
つぎに基準抵抗接続時のパルス幅Tsと光導電素子２接
続時のパルス幅Tspとの比Tsp/Tsが演算され、被写体中
央部の輝度が求められる。この比は、抵抗素子３の抵抗
値Rvrと光導電素子２の抵抗値Rspとの比Rsp/Rvrと等し
い。
続時のパルス幅Tspとの比Tsp/Tsが演算され、被写体中
央部の輝度が求められる。この比は、抵抗素子３の抵抗
値Rvrと光導電素子２の抵抗値Rspとの比Rsp/Rvrと等し
い。
上記の各比は、コンデンサ６の容量値、電源電圧Veお
おびスレッショルド電圧Vthが相殺されて、抵抗素子３
と光導電素子１の抵抗値だけが関与した値となる。その
ため電源電圧の変動やこれに追従して変動するスレッシ
ョルド電圧、コンデンサの経時変化や温度変化等による
容量変化の影響が排除される。
おびスレッショルド電圧Vthが相殺されて、抵抗素子３
と光導電素子１の抵抗値だけが関与した値となる。その
ため電源電圧の変動やこれに追従して変動するスレッシ
ョルド電圧、コンデンサの経時変化や温度変化等による
容量変化の影響が排除される。
そして被写体周辺部の輝度を表す比Tav/Tsと中央部の
輝度を表す比Tsp/Tsの大小比較を行うことにより、逆光
であるかどうかの判断が行われる。この判断結果によっ
て例えばストロボを発光させる等の動作が行われる。
輝度を表す比Tsp/Tsの大小比較を行うことにより、逆光
であるかどうかの判断が行われる。この判断結果によっ
て例えばストロボを発光させる等の動作が行われる。
なお抵抗素子４の抵抗値は適当な輝度における光導電
素子の抵抗値と同じになるように調整される。
素子の抵抗値と同じになるように調整される。
また上記の例では、光導電素子1,2の受光面積を著し
くして両者に同一輝度が与えられたときに同じ抵抗値と
なるものとして説明してきた。しかしながら両者の面積
は異なるものでもよく、この場合には、その面積比に応
じて、クロックパルスの周期を切り換えるようにすれば
よい。すなわち、パルス幅TsおよびTavを計数する場合
には、第１の基準クロックパルスを用い、パルス幅Tsp
を計数する場合には、第２のクロックパルスを用いる。
例えば、同一輝度での光導電素子１と２の抵抗値の比が
1:4の場合には、第１および第２のクロックパルスの周
期も1:4になるように設定するものである。
くして両者に同一輝度が与えられたときに同じ抵抗値と
なるものとして説明してきた。しかしながら両者の面積
は異なるものでもよく、この場合には、その面積比に応
じて、クロックパルスの周期を切り換えるようにすれば
よい。すなわち、パルス幅TsおよびTavを計数する場合
には、第１の基準クロックパルスを用い、パルス幅Tsp
を計数する場合には、第２のクロックパルスを用いる。
例えば、同一輝度での光導電素子１と２の抵抗値の比が
1:4の場合には、第１および第２のクロックパルスの周
期も1:4になるように設定するものである。
ところで光導電素子1,2は、例えば第３図のように構
成される。被写体の中央部の明るさに感応する光導電素
子（CdS）１はセルの中央部に形成され、被写体の周辺
部の明るさに感応する光導電素子（CdS）２はセルの周
辺部に形成してある。14〜16は電極で、このうち電極15
がコモン電極となる。
成される。被写体の中央部の明るさに感応する光導電素
子（CdS）１はセルの中央部に形成され、被写体の周辺
部の明るさに感応する光導電素子（CdS）２はセルの周
辺部に形成してある。14〜16は電極で、このうち電極15
がコモン電極となる。
この例によれば、１つのセル中に２つのCdSを同一工
程で形成するため、それぞれの光量と抵抗値の関係を決
定するγ特性をほぼ同一にできる利点がある。
程で形成するため、それぞれの光量と抵抗値の関係を決
定するγ特性をほぼ同一にできる利点がある。
但し、これに限らず、独立した別々のセルにそれぞれ
CdSを形成するようにしてもよい。
CdSを形成するようにしてもよい。
つぎに被写体の明るさを発振周波数に変換して逆光検
出を行う例について説明する。第４図において、17はCR
発振器を構成する時定数回路で、インバータ18,19およ
びコンデンサ20からなり、基準抵抗素子３、光導電素子
１および２が時定数決定要素として選択的に接続され
る。21は一定幅のパルスを発生するワンショットマルチ
バイブレータ、22はゲート回路からなるパルス発生回路
であり、その出力は第１図と同様の計数回路に供給され
る。
出を行う例について説明する。第４図において、17はCR
発振器を構成する時定数回路で、インバータ18,19およ
びコンデンサ20からなり、基準抵抗素子３、光導電素子
１および２が時定数決定要素として選択的に接続され
る。21は一定幅のパルスを発生するワンショットマルチ
バイブレータ、22はゲート回路からなるパルス発生回路
であり、その出力は第１図と同様の計数回路に供給され
る。
なお第１図と同一番号は同一のものを示す。
つぎに動作について説明する。ワンショットマルチバ
イブレータ21の入力端子Ｔには、第５図Ｔのようにトリ
ガパルスが３パルス供給され、その出力からは第５図Ｑ
のように一定幅Ｔのパルスが発生する。
イブレータ21の入力端子Ｔには、第５図Ｔのようにトリ
ガパルスが３パルス供給され、その出力からは第５図Ｑ
のように一定幅Ｔのパルスが発生する。
一方、スイッチング回路8,9,10はそれぞれ第５図ＳA,
SB,SCのパルスによって順次オンになる。まずスイッチ
ング回路８がオンになると、抵抗素子３が特定回路17に
接続され、抵抗素子３およびコンデンサ20によって決ま
る発振周波数で発振する。この発振周波数出力はワンシ
ョットマルチバイブレータ21からパルスが発生している
時間Ｔの間、パルス発生回路22を通過し、そのパルス数
Psが計数される。
SB,SCのパルスによって順次オンになる。まずスイッチ
ング回路８がオンになると、抵抗素子３が特定回路17に
接続され、抵抗素子３およびコンデンサ20によって決ま
る発振周波数で発振する。この発振周波数出力はワンシ
ョットマルチバイブレータ21からパルスが発生している
時間Ｔの間、パルス発生回路22を通過し、そのパルス数
Psが計数される。
つぎにスイッチング回路９がオンになると、光導電素
子１が時定数回路17に接続され、その抵抗値およびコン
デンサ20によって決まる発振周波数で発振する。この発
振周波数出力は上記と同様に時間Ｔの間パルス発生回路
22を通過し、そのパルス数Pavが計数される。
子１が時定数回路17に接続され、その抵抗値およびコン
デンサ20によって決まる発振周波数で発振する。この発
振周波数出力は上記と同様に時間Ｔの間パルス発生回路
22を通過し、そのパルス数Pavが計数される。
つぎにスイッチング回路10がオンになると、光導電素
子２が時定数回路17に接続され、その抵抗値とコンデン
サ20によって決まる発振周波数で発振する。この発振周
波数出力は上記と同様に時間Ｔの間パルス発生回路22を
通過し、そのパルス数Pspが計数される。
子２が時定数回路17に接続され、その抵抗値とコンデン
サ20によって決まる発振周波数で発振する。この発振周
波数出力は上記と同様に時間Ｔの間パルス発生回路22を
通過し、そのパルス数Pspが計数される。
そこでパルス数の比Pav/PsおよびPsp/Psが演算され、
両者の大小比較が行われて逆光が検出されるのである。
両者の大小比較が行われて逆光が検出されるのである。
ここで上記比較Pav/PsおよびPsp/Psと輝度との関係に
ついて説明する。時定数回路17の発振周波数ｆはコンデ
ンサ20の容量を一定とすると、スイッチング回路８〜10
によって選択される抵抗値Ｒによって ｆ＝1/KR（Ｋは定数） で表される。
ついて説明する。時定数回路17の発振周波数ｆはコンデ
ンサ20の容量を一定とすると、スイッチング回路８〜10
によって選択される抵抗値Ｒによって ｆ＝1/KR（Ｋは定数） で表される。
また測定対象の輝度と光導電素子1,2の抵抗値Rav,Rsp
の関係は、 Rav＝R0・２γｎ Rsp＝R0・２γｎ で表される。但し、n:輝度の指数、γ：光導電素子1,2
のγ特性によって決まる定数、R0:特性輝度における光
導電素子1,2の抵抗値（このとき、ｎ＝０とする。）で
ある。
の関係は、 Rav＝R0・２γｎ Rsp＝R0・２γｎ で表される。但し、n:輝度の指数、γ：光導電素子1,2
のγ特性によって決まる定数、R0:特性輝度における光
導電素子1,2の抵抗値（このとき、ｎ＝０とする。）で
ある。
発振周波数ｆと、パルス発生回路22を通過するパルス
数Ｐとの関係は、ワンショットマルチバイブレータ21の
出力パルス幅をＴとすると、 Ｐ＝Tf＝T/KR で表される。
数Ｐとの関係は、ワンショットマルチバイブレータ21の
出力パルス幅をＴとすると、 Ｐ＝Tf＝T/KR で表される。
したがって、抵抗素子３の抵抗値Rsと光導電素子1,2
の抵抗値Rav,Rspの関係を特定輝度において、Rs＝Rsv＝
Rspとなるように、基準抵抗３を合せ込んでおくことに
より、上記比Pav/Ps、Psp/Psは、 Pav/Ps＝Psp/Ps ＝（T/K・R0 2γｎ）／（T/K・Rs） ＝1/2γｎ となる。
の抵抗値Rav,Rspの関係を特定輝度において、Rs＝Rsv＝
Rspとなるように、基準抵抗３を合せ込んでおくことに
より、上記比Pav/Ps、Psp/Psは、 Pav/Ps＝Psp/Ps ＝（T/K・R0 2γｎ）／（T/K・Rs） ＝1/2γｎ となる。
したがって光導電素子1,2のγ特性が予めわかってい
れば、上記比Pav/Ps,Psp/Psから被写体周辺部および中
央部の輝度の指数が求められるのである。すなわち、Pa
v/Ps＞Psp/Psであれば、被写体周辺部が中央部より輝度
が高く逆光状態であることが検出されるのである。
れば、上記比Pav/Ps,Psp/Psから被写体周辺部および中
央部の輝度の指数が求められるのである。すなわち、Pa
v/Ps＞Psp/Psであれば、被写体周辺部が中央部より輝度
が高く逆光状態であることが検出されるのである。
なおこの例によれば、コンデンサ20は、例えば50pF程
度の小容量のものでよいため、集積化が可能であり、集
積化しない場合でも安価なものを使用できる。
度の小容量のものでよいため、集積化が可能であり、集
積化しない場合でも安価なものを使用できる。
第６図はさらに他の実施例を示したものである。同図
において、23はコンデンサで、時定数回路24を構成する
ものである。25はコンデンサ３の充電電荷を放電させる
ためのスイッチング回路、26は基準電圧Vrefを設定した
コンパレータ、27はインバータ、28はゲート回路からな
るパルス発生回路である。パルス発生回路28の出力は第
１図と同様の計数回路に供給されている。
において、23はコンデンサで、時定数回路24を構成する
ものである。25はコンデンサ３の充電電荷を放電させる
ためのスイッチング回路、26は基準電圧Vrefを設定した
コンパレータ、27はインバータ、28はゲート回路からな
るパルス発生回路である。パルス発生回路28の出力は第
１図と同様の計数回路に供給されている。
なお第１図と同一番号は同一のものを示す。
つぎに動作にづいて説明する。スイッチング回路８〜
10にはそれぞれ第７図ＳA〜ＳCのようにパルスが順次供
給され、一方端子ＳDには第７図ＳDのように上記各パル
スの非発生時に“1"となるように信号が供給される。通
常時はスイッチング回路25がオンになっていてコンデン
サ23は放電している。
10にはそれぞれ第７図ＳA〜ＳCのようにパルスが順次供
給され、一方端子ＳDには第７図ＳDのように上記各パル
スの非発生時に“1"となるように信号が供給される。通
常時はスイッチング回路25がオンになっていてコンデン
サ23は放電している。
そこで７図ＳAのパルスが供給されてスイッチング回
路８がオンになると同時にスイッチング回路25がオフに
なる。そのためコンデンサ23はその容量と抵抗素子３の
抵抗値によって決まる時定数によって充電される。この
充電電圧が基準電圧Vrefに達するまでの時間Tsをパルス
幅とする“0"レベルのパルスがコンパレータ26から発生
し、このパルスの発生中はパルス発生回路28から第７図
Ａのようにクロックパルスが発生する。このクロックパ
ルスは計数回路に供給され、上記パルス幅Tsが計数され
る。
路８がオンになると同時にスイッチング回路25がオフに
なる。そのためコンデンサ23はその容量と抵抗素子３の
抵抗値によって決まる時定数によって充電される。この
充電電圧が基準電圧Vrefに達するまでの時間Tsをパルス
幅とする“0"レベルのパルスがコンパレータ26から発生
し、このパルスの発生中はパルス発生回路28から第７図
Ａのようにクロックパルスが発生する。このクロックパ
ルスは計数回路に供給され、上記パルス幅Tsが計数され
る。
端子ＳAからのパルスが停止すると、スイッチング回
路25がオンになり、コンデンサ23の充電電荷が放電す
る。
路25がオンになり、コンデンサ23の充電電荷が放電す
る。
つぎにスイッチング回路９がオンになると、光導電素
子１とコンデンサ23によって決まる時定数に応じてコン
デンサ23が充電される。したがってコンパレータ26から
は、被写体周辺部の明るさに応じた幅Tavのパルスが発
声し、これが発声している間、パルス発声回路28からク
ロックパルスが発声し、上記パルスの幅5avが計数され
る。
子１とコンデンサ23によって決まる時定数に応じてコン
デンサ23が充電される。したがってコンパレータ26から
は、被写体周辺部の明るさに応じた幅Tavのパルスが発
声し、これが発声している間、パルス発声回路28からク
ロックパルスが発声し、上記パルスの幅5avが計数され
る。
つぎに上記と同様にしてスイッチング回路25がオンに
なり、コンデンサ23の充電電荷が放電した後、スイッチ
ング回路10がオンになる。そのため光導電素子２および
コンデンサ23によって決まる時定数に応じてコンデンサ
23が充電される。したがってコンパレータ26からは、被
写体の中央部の明るさに応じた幅Tspのパルスが発生
し、これが発生している間、パルス発生回路28からクロ
ックパルスが発生し、上記パルスの幅Tspが計数され
る。
なり、コンデンサ23の充電電荷が放電した後、スイッチ
ング回路10がオンになる。そのため光導電素子２および
コンデンサ23によって決まる時定数に応じてコンデンサ
23が充電される。したがってコンパレータ26からは、被
写体の中央部の明るさに応じた幅Tspのパルスが発生
し、これが発生している間、パルス発生回路28からクロ
ックパルスが発生し、上記パルスの幅Tspが計数され
る。
上記の計数結果に基いて、比Tav/TsおよびTsp/Tsが演
算され、両者の大小比較が行われて逆光状態が検出され
る。
算され、両者の大小比較が行われて逆光状態が検出され
る。
［発明の効果］ 本発明によれば、回路素子の定数や電源電圧の経時変
化や温度変化による影響を排除でき、逆光検出精度を向
上させることができる。そのため安価なCdSを用いるこ
とができ、微小電流を扱う増幅回路が不要になり、マイ
クロコンピュータ等のロジックIC内に組み込めるため、
回路構成が簡単になり、コストダウンを達成することが
できる。
化や温度変化による影響を排除でき、逆光検出精度を向
上させることができる。そのため安価なCdSを用いるこ
とができ、微小電流を扱う増幅回路が不要になり、マイ
クロコンピュータ等のロジックIC内に組み込めるため、
回路構成が簡単になり、コストダウンを達成することが
できる。
第１図は本発明の一実施例を示した電気回路図、第２図
は第１図の動作説明のためのタイムチャート、第３図は
光導電素子の一例を示した正面図、第４図は他の実施例
を示した電気回路図、第５図は第４図の動作説明のため
のタイムチャート、第６図はさらに他の実施例を示した
電気回路図、第７図は第６図の動作説明のためのタイム
チャート、第８図は従来の逆光検出回路の一例を示した
電気回路図である。 １……第１の光導電素子 ２……第２の光導電素子 ３……基準抵抗素子４ ……時定数回路 ８〜10……スイッチング回路 11……パルス発生回路 12A〜12C……計数回路 13……演算回路17 ……時定数回路 22……パルス発生回路24 ……時定数回路 28……パルス発生回路
は第１図の動作説明のためのタイムチャート、第３図は
光導電素子の一例を示した正面図、第４図は他の実施例
を示した電気回路図、第５図は第４図の動作説明のため
のタイムチャート、第６図はさらに他の実施例を示した
電気回路図、第７図は第６図の動作説明のためのタイム
チャート、第８図は従来の逆光検出回路の一例を示した
電気回路図である。 １……第１の光導電素子 ２……第２の光導電素子 ３……基準抵抗素子４ ……時定数回路 ８〜10……スイッチング回路 11……パルス発生回路 12A〜12C……計数回路 13……演算回路17 ……時定数回路 22……パルス発生回路24 ……時定数回路 28……パルス発生回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷脇 道夫 千葉県四街道市鹿渡934―13番地 株式 会社精工舎千葉事業所内 (56)参考文献 特公 昭53−3260（ＪＰ，Ｂ１) 特公 昭56−29253（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (1)
- 【請求項１】基準抵抗素子と、被写体周辺部の明るさに
感応する第１の光導電素子と、被写体中央部の明るさに
感応する第２の光導電素子とを時定数決定要素として選
択的に時定数回路に接続するスイッチング回路と、 上記時定数回路の出力を受け、上記スイッチング回路に
よって接続された各素子の抵抗値に応じた数のパルスを
それぞれ発生するパルス発生回路と、 このパルス発生回路からのパルス数を計数する計数回路
と、 上記基準抵抗素子接続時の上記計数回路の計数値と第１
の光導電素子接続時の上記計数回路の計数値との比およ
び上記基準抵抗素子接続時の上記計数回路の計数値と第
２の光導電素子接続時の上記計数回路の計数値との比と
の大小を比較する演算回路とからなる逆光検出回路。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62336678A JP2526958B2 (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 逆光検出回路 |
| US07/290,451 US4945378A (en) | 1987-12-29 | 1988-12-27 | Circuit for detecting back light |
| GB8830295A GB2211292B (en) | 1987-12-29 | 1988-12-28 | Circuit for detecting back light |
| DE3844245A DE3844245A1 (de) | 1987-12-29 | 1988-12-29 | Messschaltung zur erfassung von hintergrundlicht |
| HK1144/93A HK114493A (en) | 1987-12-29 | 1993-10-28 | Circuit for detecting back light |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62336678A JP2526958B2 (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 逆光検出回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01179025A JPH01179025A (ja) | 1989-07-17 |
| JP2526958B2 true JP2526958B2 (ja) | 1996-08-21 |
Family
ID=18301666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62336678A Expired - Fee Related JP2526958B2 (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 逆光検出回路 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4945378A (ja) |
| JP (1) | JP2526958B2 (ja) |
| DE (1) | DE3844245A1 (ja) |
| GB (1) | GB2211292B (ja) |
| HK (1) | HK114493A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7029473B2 (en) * | 1998-10-20 | 2006-04-18 | St. Francis Medical Technologies, Inc. | Deflectable spacer for use as an interspinous process implant and method |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6056332B2 (ja) * | 1976-06-23 | 1985-12-10 | 株式会社日立製作所 | Ａ−ｄ変換回路 |
| JPS533260A (en) * | 1976-06-29 | 1978-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | Film thickness measuring device of transparent thin film |
| JPS5629253A (en) * | 1979-08-15 | 1981-03-24 | Ricoh Co Ltd | Automatic original position correcting device of automatic copying machine |
| JPS5946521A (ja) * | 1982-09-08 | 1984-03-15 | Canon Inc | 測光回路 |
| JPS60134567A (ja) * | 1983-12-22 | 1985-07-17 | Canon Inc | 撮像装置 |
| US4690536A (en) * | 1985-09-09 | 1987-09-01 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Exposure control device for a camera in flash photography |
| DE3542511A1 (de) * | 1985-12-02 | 1987-06-04 | Leitz Ernst Gmbh | Verfahren und schaltungsanordnung zur automatischen bestimmung eines lichtwertes |
| US4809031A (en) * | 1986-12-11 | 1989-02-28 | Ricoh Company, Ltd. | Photometer for use in a camera |
-
1987
- 1987-12-29 JP JP62336678A patent/JP2526958B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-12-27 US US07/290,451 patent/US4945378A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-12-28 GB GB8830295A patent/GB2211292B/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-12-29 DE DE3844245A patent/DE3844245A1/de not_active Withdrawn
-
1993
- 1993-10-28 HK HK1144/93A patent/HK114493A/xx unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2211292A (en) | 1989-06-28 |
| HK114493A (en) | 1993-11-05 |
| US4945378A (en) | 1990-07-31 |
| JPH01179025A (ja) | 1989-07-17 |
| DE3844245A1 (de) | 1989-07-13 |
| GB2211292B (en) | 1991-10-30 |
| GB8830295D0 (en) | 1989-02-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |