JPH01179025A - 逆光検出回路 - Google Patents
逆光検出回路Info
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- JPH01179025A JPH01179025A JP62336678A JP33667887A JPH01179025A JP H01179025 A JPH01179025 A JP H01179025A JP 62336678 A JP62336678 A JP 62336678A JP 33667887 A JP33667887 A JP 33667887A JP H01179025 A JPH01179025 A JP H01179025A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B7/00—Control of exposure by setting shutters, diaphragms or filters, separately or conjointly
- G03B7/08—Control effected solely on the basis of the response, to the intensity of the light received by the camera, of a built-in light-sensitive device
- G03B7/099—Arrangement of photoelectric elements in or on the camera
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Exposure Control For Cameras (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はカメラ等の逆光検出回路に関するものである。
［従来の技術］
従来の逆光検出回路としては、第８図の構成のものがあ
る。被写体の中央部の明るさに感応するＳＰＤ （シリ
コン命フォト・ダイオード）２９と被写体の周辺部の明
るさに感応する５ＰＤ３０を用い、それぞれからの明る
さに比例した電流を電流／電圧変換回路３１．３２に供
給して電圧に変換する。３３は入力電圧に応じた幅のパ
ルスを発生するパルス発生回路で、スイッチング回路３
４によって、まず変換回路３１の出力が選択されてパル
ス発生回路３３に供給される。すなわち被写体の周辺部
の明るさに応じた電流が電圧に変換されてパルス発生回
路３３に供給される。そこで端子ｐにトリガ信号が到来
すると、パルス発生回路３３から明るさに比例したパル
ス幅のパルスが発生する。このパルスは、図示しない計
数回路等によってパルス幅が計数され、その計数値が被
写体周辺部の明るさとして認識される。
る。被写体の中央部の明るさに感応するＳＰＤ （シリ
コン命フォト・ダイオード）２９と被写体の周辺部の明
るさに感応する５ＰＤ３０を用い、それぞれからの明る
さに比例した電流を電流／電圧変換回路３１．３２に供
給して電圧に変換する。３３は入力電圧に応じた幅のパ
ルスを発生するパルス発生回路で、スイッチング回路３
４によって、まず変換回路３１の出力が選択されてパル
ス発生回路３３に供給される。すなわち被写体の周辺部
の明るさに応じた電流が電圧に変換されてパルス発生回
路３３に供給される。そこで端子ｐにトリガ信号が到来
すると、パルス発生回路３３から明るさに比例したパル
ス幅のパルスが発生する。このパルスは、図示しない計
数回路等によってパルス幅が計数され、その計数値が被
写体周辺部の明るさとして認識される。
つぎにスイッチング回路３４によって牟換回路゛３２が
選択され、５ＰＤ３０の出力電流が上記と同様にしてパ
ルス幅に変換されて被写体中央部の明るさが認識される
。
選択され、５ＰＤ３０の出力電流が上記と同様にしてパ
ルス幅に変換されて被写体中央部の明るさが認識される
。
これらの明るさに比例したパルス幅は図示しない演算回
路によって演算され、被写体中央部が周辺部より暗いと
判断された場合あるいは一定値以上暗いと判断された場
合には、逆光であると判断し、ストロボを発光して中央
部が暗くなるのを防いでいる。
路によって演算され、被写体中央部が周辺部より暗いと
判断された場合あるいは一定値以上暗いと判断された場
合には、逆光であると判断し、ストロボを発光して中央
部が暗くなるのを防いでいる。
［発明が解決しようとする問題点］
上記のものでは比較的高価なＳＰＤを用いており、その
出力電流が非常に微小なため、微小電流を扱う増幅回路
等が必要になり、ＣＰＵ （中央制御装置）とは別の専
用の測光用ＩＣが必要になる。
出力電流が非常に微小なため、微小電流を扱う増幅回路
等が必要になり、ＣＰＵ （中央制御装置）とは別の専
用の測光用ＩＣが必要になる。
これがコスト高の一因となっていた。
また微小電流を処理するため、外部のノイズによる誤動
作が起り易く、ＳＰＤと測光用ＩＣとの距離を長くとる
ことができないものであった。
作が起り易く、ＳＰＤと測光用ＩＣとの距離を長くとる
ことができないものであった。
さらに、２つの電流／電圧変換回路３１．３２を用いて
いるため、両者の特性を同じにしておかなければ適正な
測光精度は得られない。ところが、部品定数のばらつき
や温度の影響による特性変化は完全に抑えることは難し
く、測光精度の低下は免がれないものであった。
いるため、両者の特性を同じにしておかなければ適正な
測光精度は得られない。ところが、部品定数のばらつき
や温度の影響による特性変化は完全に抑えることは難し
く、測光精度の低下は免がれないものであった。
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、
回路構成の簡素化および測光精度の向上を目的とするも
のである。
回路構成の簡素化および測光精度の向上を目的とするも
のである。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、基準抵抗素子と、被写体周辺部の明るさに感
応する第１の光導電素子と、被写体中央部の明るさに感
応する第２の光導電素子とを時定数決定要素として選択
的に時定数回路に接続し、この時定数回路の出力を受け
、上記スイッチング回路によって接続された素子の抵抗
値に応じた数のパルスを発生するパルス発生回路からの
パルス数ｉ計数する計数回路を設け、上記基準抵抗素子
接続時の上記計数回路の計数値と第１の光導電素子接続
時の計数値との比および上記基準抵抗素子接続時の計数
値と第２の光導電素子接続時の計数値との比との大小を
比較する演算回路を設けてなるものである。
応する第１の光導電素子と、被写体中央部の明るさに感
応する第２の光導電素子とを時定数決定要素として選択
的に時定数回路に接続し、この時定数回路の出力を受け
、上記スイッチング回路によって接続された素子の抵抗
値に応じた数のパルスを発生するパルス発生回路からの
パルス数ｉ計数する計数回路を設け、上記基準抵抗素子
接続時の上記計数回路の計数値と第１の光導電素子接続
時の計数値との比および上記基準抵抗素子接続時の計数
値と第２の光導電素子接続時の計数値との比との大小を
比較する演算回路を設けてなるものである。
［実施例］
第１図において、１は被写体周辺部の明るさに感応する
第１の光導電素子、２は被写体中央部の明るさに感応す
る第２の光導電素子で、本例ではＣｄＳを用い、両者の
受光面積が等しくなるように形成′しである。３は基準
抵抗素子で、本例では可変抵抗を用いている。４はワン
ショットマルチバイブレータを構成する時定数回路で、
ゲート回路５、コンデンサ６およびインバータ７を具備
し、光導電素子１．２および抵抗素子３のいずれかとコ
ンデンサ６とを時定数決定要素とするものである。８〜
１０はスイッチング回路で、光導電素子１．２および抵
抗３を時定数決定要素として時定数回路↓に選択的に接
続するものである。１１はパルス発生回路を構成するゲ
ート回路で、その入力端子ＣＬにはクロックパルスを供
給しである。
第１の光導電素子、２は被写体中央部の明るさに感応す
る第２の光導電素子で、本例ではＣｄＳを用い、両者の
受光面積が等しくなるように形成′しである。３は基準
抵抗素子で、本例では可変抵抗を用いている。４はワン
ショットマルチバイブレータを構成する時定数回路で、
ゲート回路５、コンデンサ６およびインバータ７を具備
し、光導電素子１．２および抵抗素子３のいずれかとコ
ンデンサ６とを時定数決定要素とするものである。８〜
１０はスイッチング回路で、光導電素子１．２および抵
抗３を時定数決定要素として時定数回路↓に選択的に接
続するものである。１１はパルス発生回路を構成するゲ
ート回路で、その入力端子ＣＬにはクロックパルスを供
給しである。
１２Ａ〜１２Ｃはパルス発生回路１１からのパルス数を
計数する計数回路である。１３は後述する演算を行う演
算回路である。
計数する計数回路である。１３は後述する演算を行う演
算回路である。
つぎに動作について説明する。時定数回路４をトリガす
る信号Ｔ（第２図Ｔ）が発生する直前に、スイッチング
回路ＳＡをオンにするパルス（第２図ＳＡ）が発生し、
抵抗３が時定数回路↓に接続される。そこでトリガ信号
Ｔが発生すると、抵抗素子３の抵抗値Ｒｖｒとコンデン
サ６の容量によって決定されるパルス幅Ｔｓを有したパ
ルスがインバータ７から、第２図Ｑのように発生する。
る信号Ｔ（第２図Ｔ）が発生する直前に、スイッチング
回路ＳＡをオンにするパルス（第２図ＳＡ）が発生し、
抵抗３が時定数回路↓に接続される。そこでトリガ信号
Ｔが発生すると、抵抗素子３の抵抗値Ｒｖｒとコンデン
サ６の容量によって決定されるパルス幅Ｔｓを有したパ
ルスがインバータ７から、第２図Ｑのように発生する。
このパルスが発生している間、クロックパルスがパルス
発生回路１１から発生し、計数回路１２Ａに供給されて
計数される。
発生回路１１から発生し、計数回路１２Ａに供給されて
計数される。
ところで上記パルス幅Ｔｓは、
Ｒｖｒ−Ｃ・Ｉｎ （Ｖｅ −Ｖｔｈ） ／ Ｖｅで表
され、抵抗素子３の抵抗値Ｒｖｒに比例した値となる。
され、抵抗素子３の抵抗値Ｒｖｒに比例した値となる。
但し、Ｃ；コンデンサ６の容量値、Ｖｅ 。
；電源電圧、Ｖｔｈ；インバータ７のスレッショルド電
圧である。
圧である。
ついで第２図ＳＢのパルスによってスイッチング回路９
がオンになり、光導電素子１が時定数回路４に接続され
、その後トリガ信号が発生する。
がオンになり、光導電素子１が時定数回路４に接続され
、その後トリガ信号が発生する。
この場合は、被写体周辺部の明るさに応じたパルス幅Ｔ
ａｖ（第２図Ｑ）のパルスがインバータ７から発生し、
このパルスが発生している間クロックパルスが計数回路
１２Ｂに供給されてそのパルス数が計数される。このパ
ルス幅Ｔａｖは、光導電素子１の抵抗値をＲＢｖとする
と、 Ｒａｖ−Ｃ−Ｉｎ （Ｖｅ −Ｖｔｈ） ／ Ｖｅで表
される。
ａｖ（第２図Ｑ）のパルスがインバータ７から発生し、
このパルスが発生している間クロックパルスが計数回路
１２Ｂに供給されてそのパルス数が計数される。このパ
ルス幅Ｔａｖは、光導電素子１の抵抗値をＲＢｖとする
と、 Ｒａｖ−Ｃ−Ｉｎ （Ｖｅ −Ｖｔｈ） ／ Ｖｅで表
される。
つぎに第２図ＳＣのパルスによってスイッチング回路１
０がオンになり、光導電素子２が時定数回路４に接続さ
れ、その後トリガ信号が発生する。
０がオンになり、光導電素子２が時定数回路４に接続さ
れ、その後トリガ信号が発生する。
この場合は、被写体の中央部の明るさに応じたパルス幅
Ｔｓｐ（第２図Ｑ）のパルスが発生し、これが発生して
いる間クロックパルスが計数回路１２Ｃに供給され、そ
のパルス数が計数される。
Ｔｓｐ（第２図Ｑ）のパルスが発生し、これが発生して
いる間クロックパルスが計数回路１２Ｃに供給され、そ
のパルス数が計数される。
このパルス幅Ｔｓｐは、光導電素子２の抵抗値をＲｓｐ
とすると、 Ｒｓｐ書Ｃ−Ｉｎ （Ｖｅ −Ｖｔｈ） ／ Ｖｅで表
される。
とすると、 Ｒｓｐ書Ｃ−Ｉｎ （Ｖｅ −Ｖｔｈ） ／ Ｖｅで表
される。
つぎに演算回路１３における演算動作について説明する
。まず基準抵抗素子接続時のパルス幅ＴＳと光導電素子
１接続時のパルス幅Ｔａｖとの比Ｔａｖ／ Ｔ ｓの演
算が行われ被写体周辺部の輝度が求められる。この比は
、抵抗素子３の抵抗値Ｒｖｒと光導電素子１の抵抗値Ｒ
ａｖとの比Ｒａｖ／ Ｒｖｒと等しい。
。まず基準抵抗素子接続時のパルス幅ＴＳと光導電素子
１接続時のパルス幅Ｔａｖとの比Ｔａｖ／ Ｔ ｓの演
算が行われ被写体周辺部の輝度が求められる。この比は
、抵抗素子３の抵抗値Ｒｖｒと光導電素子１の抵抗値Ｒ
ａｖとの比Ｒａｖ／ Ｒｖｒと等しい。
つぎに基準抵抗接続時のパルス幅Ｔｓと光導電素子２接
続時のパルス幅Ｔｓｐとの比Ｔ ｓｐ／ Ｔ ｓが演算
され、被写体中央部の輝度が求められる。この比は、抵
抗素子３の抵抗値Ｒｖｒと光導電素子２の抵抗値Ｒｓｐ
との比Ｒｓｐ／Ｒｖｒと等しい。
続時のパルス幅Ｔｓｐとの比Ｔ ｓｐ／ Ｔ ｓが演算
され、被写体中央部の輝度が求められる。この比は、抵
抗素子３の抵抗値Ｒｖｒと光導電素子２の抵抗値Ｒｓｐ
との比Ｒｓｐ／Ｒｖｒと等しい。
上記の各比は、コンデンサ６の容量値、電源電圧Ｖｅお
よびスレッショルド電圧Ｖｔｈが相殺されて、抵抗素子
３と光導電素子１の抵抗値だけが関与した値となる。そ
のため電源電圧の変動やこれに追従して変動するスレッ
ショルド電圧、コンデンサの経時変化や温度変化等によ
る容量変化の影響が排除される。
よびスレッショルド電圧Ｖｔｈが相殺されて、抵抗素子
３と光導電素子１の抵抗値だけが関与した値となる。そ
のため電源電圧の変動やこれに追従して変動するスレッ
ショルド電圧、コンデンサの経時変化や温度変化等によ
る容量変化の影響が排除される。
そして被写体周辺部の輝度を表す比Ｔａｖ／Ｔｓと中央
部の輝度を表す比Ｔｓｐ／Ｔｓの大小比較を行うことに
より、逆光であるかどうかの判断が行われる。この判断
結果によって例えばストロボを発光させる等の動作が行
われる。
部の輝度を表す比Ｔｓｐ／Ｔｓの大小比較を行うことに
より、逆光であるかどうかの判断が行われる。この判断
結果によって例えばストロボを発光させる等の動作が行
われる。
なお抵抗素子４の抵抗値は適当な輝度における光導電素
子の抵抗値と同じになるように調整される。
子の抵抗値と同じになるように調整される。
また上記の例では、光導電素子１．２の受光面積を等し
くして両者に同一輝度が与えられたときに同じ抵抗値と
なるものとして説明してきた。しかしながら両者の面積
は異なるものでもよく、この場合には、その面積比に応
じて、クロックパルスの周期を切り換えるようにすれば
よい。すなわち、パルス幅ＴｓおよびＴａｖを計数する
場合には、第１の基準クロックパルスを用い、パルス幅
Ｔｓｐを計数する場合には、第２のクロックパルスを用
いる。例えば、同一輝度での光導電素子１と２の抵抗値
の比が１＝４の場合には、第１および第２のクロックパ
ルスの周期も１：４になるように設定するものである。
くして両者に同一輝度が与えられたときに同じ抵抗値と
なるものとして説明してきた。しかしながら両者の面積
は異なるものでもよく、この場合には、その面積比に応
じて、クロックパルスの周期を切り換えるようにすれば
よい。すなわち、パルス幅ＴｓおよびＴａｖを計数する
場合には、第１の基準クロックパルスを用い、パルス幅
Ｔｓｐを計数する場合には、第２のクロックパルスを用
いる。例えば、同一輝度での光導電素子１と２の抵抗値
の比が１＝４の場合には、第１および第２のクロックパ
ルスの周期も１：４になるように設定するものである。
ところで光導電素子１，２は、例えば第３図のように構
成される。被写体の中央部の明るさに感応する光導電素
子（ＣｄＳ）１はセルの中央部に形成され、被写体の周
辺部の明るさに感応する光導電素子（ＣｄＳ）２はセル
の周辺部に形成しである。１４〜１６は電極で、このう
ち電極１５がコモン電極となる。
成される。被写体の中央部の明るさに感応する光導電素
子（ＣｄＳ）１はセルの中央部に形成され、被写体の周
辺部の明るさに感応する光導電素子（ＣｄＳ）２はセル
の周辺部に形成しである。１４〜１６は電極で、このう
ち電極１５がコモン電極となる。
この例によれば、１つのセル中に２つのＣｄＳを同一工
程で形成するため、それぞれの光量と抵抗値の関係を決
定するγ特性をほぼ同一にできる利点がある。
程で形成するため、それぞれの光量と抵抗値の関係を決
定するγ特性をほぼ同一にできる利点がある。
但し、これに限らず、独立した別々のセルにそれぞれＣ
ｄＳを形成するようにしてもよい。
ｄＳを形成するようにしてもよい。
つぎに被写体の明るさを発振周波数に変換して逆光検出
を行う例について説明する。第４図において、上ユはＣ
Ｒ発振器を構成する時定数回路で、インバータ１８．１
９およびコンデンサ２０からなり、基準抵抗素子３、光
導電素子１および２が時定数決定要素として選択的に接
続される。２１は一定幅のパルスを発生するワンショッ
トマルチバイブレーク、２２はゲート回路からなるパル
ス発生回路であり、その出力は第１図と同様の計数回路
に供給される。
を行う例について説明する。第４図において、上ユはＣ
Ｒ発振器を構成する時定数回路で、インバータ１８．１
９およびコンデンサ２０からなり、基準抵抗素子３、光
導電素子１および２が時定数決定要素として選択的に接
続される。２１は一定幅のパルスを発生するワンショッ
トマルチバイブレーク、２２はゲート回路からなるパル
ス発生回路であり、その出力は第１図と同様の計数回路
に供給される。
なお第１図と同一番号は同一のものを示す。
つぎに動作について説明する。ワンショットマルチバイ
ブレーク２１の入力端子Ｔには、第５図Ｔのようにトリ
ガパルスが３パルス供給され、その出力からは第５図Ｑ
のように一定幅Ｔのパルスが発生する。
ブレーク２１の入力端子Ｔには、第５図Ｔのようにトリ
ガパルスが３パルス供給され、その出力からは第５図Ｑ
のように一定幅Ｔのパルスが発生する。
一方、スイッチング回路８．９．１０はそれぞｈ第５図
ｓＡ 、ＳＢ 、ＳＯのパルスによつて順次オンになる
。まずスイッチング回路８がオンになると、抵抗素子３
が時定数回路１７に接続され、抵抗素子３およびコンデ
ンサ２０によって決まる発振周波数で発振する。この発
振周波数出力はワンショットマルチバイブレータ２１か
らパルスが発生している時間Ｔの間、パルス発生回路２
２を通過し、そのパルス数Ｐｓが計数される。
ｓＡ 、ＳＢ 、ＳＯのパルスによつて順次オンになる
。まずスイッチング回路８がオンになると、抵抗素子３
が時定数回路１７に接続され、抵抗素子３およびコンデ
ンサ２０によって決まる発振周波数で発振する。この発
振周波数出力はワンショットマルチバイブレータ２１か
らパルスが発生している時間Ｔの間、パルス発生回路２
２を通過し、そのパルス数Ｐｓが計数される。
つぎにスイッチング回路９がオンになると、光導電索子
１が時定数回路１ユに接続され、その抵抗値およびコン
デンサ２０によって決まる発振周波数で発振する。この
発振周波数出力は上記と同様に時間Ｔの間パルス発生回
路２２．を通過し、そのパルス数Ｐａｖが計数される。
１が時定数回路１ユに接続され、その抵抗値およびコン
デンサ２０によって決まる発振周波数で発振する。この
発振周波数出力は上記と同様に時間Ｔの間パルス発生回
路２２．を通過し、そのパルス数Ｐａｖが計数される。
つぎにスイッチング回路１０がオンになると、光導電素
子２が時定数回路１７に接続され、その抵抗値とコンデ
ンサ２０によって決まる発振周波数で発振する。この発
振周波数出力は上記と同様に時間Ｔの間パルス発生回路
２２を通過し、そのパルス数Ｐｓｐが計数される。
子２が時定数回路１７に接続され、その抵抗値とコンデ
ンサ２０によって決まる発振周波数で発振する。この発
振周波数出力は上記と同様に時間Ｔの間パルス発生回路
２２を通過し、そのパルス数Ｐｓｐが計数される。
そこでパルス数の比Ｐａｖ／ＰｓおよヒＰ ｓｐ／ Ｐ
Ｓが演算され、両者の大小比較が行われて逆光が検出さ
れるのである。
Ｓが演算され、両者の大小比較が行われて逆光が検出さ
れるのである。
ここで上記比較Ｐａｖ／ＰｓおよびＰｓｐ／Ｐｓと輝度
との関係について説明する。時定数回路１７の発振周波
数ｆはコンデンサ２０の容量を一定とすると、スイッチ
ング回路８〜１０によって選択される抵抗値Ｒによって ｆ−１／ＫＲ（Ｋは定数） で表される。
との関係について説明する。時定数回路１７の発振周波
数ｆはコンデンサ２０の容量を一定とすると、スイッチ
ング回路８〜１０によって選択される抵抗値Ｒによって ｆ−１／ＫＲ（Ｋは定数） で表される。
また測定対象の輝度と光導電素子１．２の抵抗［Ｒａｖ
、 Ｒｓｐの関係は、 Ｒａｖ−ＲＯ，２７ｎ Ｒｓｐ＝Ｒ０・２ ” で表される。但し、ｎ：輝度の指数、γ：光導電素子１
，２のγ特性によって決まる定数、ＲＯ：特定輝度にお
ける光導電素子１，２の抵抗値（このとき、ｎ＝０とす
る。）である。
、 Ｒｓｐの関係は、 Ｒａｖ−ＲＯ，２７ｎ Ｒｓｐ＝Ｒ０・２ ” で表される。但し、ｎ：輝度の指数、γ：光導電素子１
，２のγ特性によって決まる定数、ＲＯ：特定輝度にお
ける光導電素子１，２の抵抗値（このとき、ｎ＝０とす
る。）である。
発振周波数ｆと、パルス発生回路２２を通過するパルス
数Ｐとの関係は、ワンショットマルチバイブレータ２１
の出力パルス幅をＴとすると、Ｐ−Ｔ ｆ−Ｔ／ＫＲ で表される。
数Ｐとの関係は、ワンショットマルチバイブレータ２１
の出力パルス幅をＴとすると、Ｐ−Ｔ ｆ−Ｔ／ＫＲ で表される。
したがって、抵抗素子３の抵抗値Ｒｓと光導電素子１．
２の抵抗値Ｒａｖ、 Ｒｓｐの関係を特定輝度において
、Ｒ８−Ｒａｖ−Ｒｓｐとなるように、基準抵抗３を合
せ込んでおくことにより、上記比ＰＨｖ／Ｐｓ 、Ｐｓ
ｐ／Ｐｓは、 Ｐａｖ／ Ｐｓ ＝ Ｐｓｐ／ Ｐｓ ＝ （Ｔ／Ｋ −ＲＯ２ｙｎ）／ （Ｔ／Ｋ
−Ｒｓ）−１／２ ” となる。
２の抵抗値Ｒａｖ、 Ｒｓｐの関係を特定輝度において
、Ｒ８−Ｒａｖ−Ｒｓｐとなるように、基準抵抗３を合
せ込んでおくことにより、上記比ＰＨｖ／Ｐｓ 、Ｐｓ
ｐ／Ｐｓは、 Ｐａｖ／ Ｐｓ ＝ Ｐｓｐ／ Ｐｓ ＝ （Ｔ／Ｋ −ＲＯ２ｙｎ）／ （Ｔ／Ｋ
−Ｒｓ）−１／２ ” となる。
したがって光導電素子１，２のγ特性が予めわかってい
れば、上記比Ｐａｖ／ Ｐｓ 、 Ｐｓｐ／ Ｐｓか
ら被写体周辺部および中央部の輝度の指数が求められる
のである。すなわち、Ｐ ａｖ／ Ｐ ｓ ＞ Ｐ ｓ
ｐ／Ｐｓであれば、被写体周辺部が中央部より輝度が高
く逆光状態であることが検出されるのである。
れば、上記比Ｐａｖ／ Ｐｓ 、 Ｐｓｐ／ Ｐｓか
ら被写体周辺部および中央部の輝度の指数が求められる
のである。すなわち、Ｐ ａｖ／ Ｐ ｓ ＞ Ｐ ｓ
ｐ／Ｐｓであれば、被写体周辺部が中央部より輝度が高
く逆光状態であることが検出されるのである。
なおこの例によれば、コンデンサ２０は、例えば５０９
Ｆ程度の小容量のものでよいため、集積化が可能であり
、集積化しない場合でも安価なものを使用できる。
Ｆ程度の小容量のものでよいため、集積化が可能であり
、集積化しない場合でも安価なものを使用できる。
第６図はさらに他の実施例を示したものである。
同図において、２３はコンデンサで、時定数回路２４を
構成するもやである。２５はコンデンサ２３の充電電荷
を放電させるためのスイッチング回路、２６は基準電圧
Ｖ ｒｅｆ’を設定したコンパレータ、２７はインバー
タ、２８はゲート回路からなるパルス発生回路である。
構成するもやである。２５はコンデンサ２３の充電電荷
を放電させるためのスイッチング回路、２６は基準電圧
Ｖ ｒｅｆ’を設定したコンパレータ、２７はインバー
タ、２８はゲート回路からなるパルス発生回路である。
パルス発生回路２８の出力は第１図と同様の計数回路に
供給されている。
供給されている。
なお第１図と同一番号は同一のものを示す。
つぎに動作について説明する。スイッチング回路８〜１
０にはそれぞれ第７図５Ａ−３Ｃのようにパルスが順次
供給され、−万端子ＳＤＩ、：はｍ７図ＳＤのように上
記各パルスの非発生時に“１”となるように信号が供給
される。通常時はスイッチング回路２５がオンになって
いてコンデンサ２３は放電している。
０にはそれぞれ第７図５Ａ−３Ｃのようにパルスが順次
供給され、−万端子ＳＤＩ、：はｍ７図ＳＤのように上
記各パルスの非発生時に“１”となるように信号が供給
される。通常時はスイッチング回路２５がオンになって
いてコンデンサ２３は放電している。
そこで第７図ＳＡのパルスが供給されてスイッチング回
路８がオンになると同時にスイッチング回路２５がオフ
になる。そのためコンデンサ２３はその容量と抵抗素子
３の抵抗値によって決まる時定数によって充電される。
路８がオンになると同時にスイッチング回路２５がオフ
になる。そのためコンデンサ２３はその容量と抵抗素子
３の抵抗値によって決まる時定数によって充電される。
この充電電圧が基準電圧Ｖ ｒｅｒに達するまでの時間
Ｔｓをパルス幅とする“０″レベルのパルスがコンパレ
ータ２６から発生し、このパルスの発生中はパルス発生
回路２８から第７図Ａのようにクロックパルスが発生す
る。このクロックパルスは計数回路に供給され、上記パ
ルス幅Ｔｓが計数される。
Ｔｓをパルス幅とする“０″レベルのパルスがコンパレ
ータ２６から発生し、このパルスの発生中はパルス発生
回路２８から第７図Ａのようにクロックパルスが発生す
る。このクロックパルスは計数回路に供給され、上記パ
ルス幅Ｔｓが計数される。
端子ＳＡからのパルスが停止すると、スイッチング回路
２５がオンになり、コンデンサ２３の充電電荷が放電す
る。
２５がオンになり、コンデンサ２３の充電電荷が放電す
る。
つぎにスイッチング回路９がオンになると、光導電素子
１とコンデンサ２３によって決まる時定数に応じてコン
デンサ２３が充電される。したがってコンパレータ２６
からは、被写体周辺部の明るさに応じた幅Ｔａｖのパル
スが発生し、これが発生している間、パルス発生回路２
８からクロックパルスが発生し、上記パルスの幅Ｔａｖ
が計数される。
１とコンデンサ２３によって決まる時定数に応じてコン
デンサ２３が充電される。したがってコンパレータ２６
からは、被写体周辺部の明るさに応じた幅Ｔａｖのパル
スが発生し、これが発生している間、パルス発生回路２
８からクロックパルスが発生し、上記パルスの幅Ｔａｖ
が計数される。
つぎに上記と同様にしてスイッチング回路２５がオンに
なり、コンデンサ２３の充電電荷が放電した後、スイッ
チング回路１０がオンになる。そのため光導電素子２お
よびコンデンサ２３によって決まる時定数に応じてコン
デンサ２３が充電される。したがってコンパレータ２６
からは、被写体の中央部の明るさに応じた幅Ｔｓｐのパ
ルスが発生し、これが発生している間、パルス発生回路
２８からクロックパルスが発生し、上記パルスの幅Ｔｓ
ｐが計数される。
なり、コンデンサ２３の充電電荷が放電した後、スイッ
チング回路１０がオンになる。そのため光導電素子２お
よびコンデンサ２３によって決まる時定数に応じてコン
デンサ２３が充電される。したがってコンパレータ２６
からは、被写体の中央部の明るさに応じた幅Ｔｓｐのパ
ルスが発生し、これが発生している間、パルス発生回路
２８からクロックパルスが発生し、上記パルスの幅Ｔｓ
ｐが計数される。
上記の計数結果に基いて、比ＴＨｖ／Ｔ３およびＴｓｐ
／Ｔｓが演算され、両者の大小比較が行われて逆光状態
が検出される。
／Ｔｓが演算され、両者の大小比較が行われて逆光状態
が検出される。
〔発明の効果］
本発明によれば、回路素子の定数や電源電圧の経時変化
や温度変化による影響を排除でき、逆光検出精度を向上
させることができる。そのため安価なＣｄＳを用いるこ
とができ、微小電流を扱う増幅回路が不要になり、マイ
クロコンピュータ等のロジックＩＣ内に組み込めるため
、回路構成が簡単になり、コストダウンを達成すること
ができ
や温度変化による影響を排除でき、逆光検出精度を向上
させることができる。そのため安価なＣｄＳを用いるこ
とができ、微小電流を扱う増幅回路が不要になり、マイ
クロコンピュータ等のロジックＩＣ内に組み込めるため
、回路構成が簡単になり、コストダウンを達成すること
ができ
第１図は本発明の一実施例を示した電気回路図、第２図
は第１図の動作説明のためのタイムチャート、第３図は
光導電素子の一例を示した正面図、第４図は他の実施例
を示した電気回路図、第５図は第４図の動作説明のため
のタイムチャート、第６図はさらに他の実施例を示した
電気回路図、第７図は第６図の動作説明のためのタイム
チャート、第８図は従来の逆光検出回路の一例を示した
電気回路図である。 １・・・第１の光導電素子 ２・・・第２の光導電素子 ３・・・基準抵抗素子 ４・・・時定数回路 ８〜１０・・・スイッチング回路 １１・・・パルス発生回路 １２Ａ〜１２Ｃ・・・計数回路 １３・・・演算回路 １７・・・時定数回路 ２２・・・パルス発生回路 ２４・・・時定数回路 ２８・・・パルス発生回路 以 上 出 願 人 株式会社精工舎 代理人弁理士 松 １）和 子 第５図 Ｐｓ Ｐａｖ Ｐｓｐ 第６図
は第１図の動作説明のためのタイムチャート、第３図は
光導電素子の一例を示した正面図、第４図は他の実施例
を示した電気回路図、第５図は第４図の動作説明のため
のタイムチャート、第６図はさらに他の実施例を示した
電気回路図、第７図は第６図の動作説明のためのタイム
チャート、第８図は従来の逆光検出回路の一例を示した
電気回路図である。 １・・・第１の光導電素子 ２・・・第２の光導電素子 ３・・・基準抵抗素子 ４・・・時定数回路 ８〜１０・・・スイッチング回路 １１・・・パルス発生回路 １２Ａ〜１２Ｃ・・・計数回路 １３・・・演算回路 １７・・・時定数回路 ２２・・・パルス発生回路 ２４・・・時定数回路 ２８・・・パルス発生回路 以 上 出 願 人 株式会社精工舎 代理人弁理士 松 １）和 子 第５図 Ｐｓ Ｐａｖ Ｐｓｐ 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基準抵抗素子と、被写体周辺部の明るさに感応する第１
の光導電素子と、被写体中央部の明るさに感応する第２
の光導電素子とを時定数決定要素として選択的に時定数
回路に接続するスイッチング回路と、 上記時定数回路の出力を受け、上記スイッチング回路に
よって接続された素子の抵抗値に応じた数のパルスを発
生するパルス発生回路と、 このパルス発生回路からのパルス数を計数する計数回路
と、 上記基準抵抗素子接続時の上記計数回路の計数値と第１
の光導電素子接続時の計数値との比および上記基準抵抗
素子接続時の計数値と第２の光導電素子接続時の計数値
との比との大小を比較する演算回路とからなる逆光検出
回路。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62336678A JP2526958B2 (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 逆光検出回路 |
| US07/290,451 US4945378A (en) | 1987-12-29 | 1988-12-27 | Circuit for detecting back light |
| GB8830295A GB2211292B (en) | 1987-12-29 | 1988-12-28 | Circuit for detecting back light |
| DE3844245A DE3844245A1 (de) | 1987-12-29 | 1988-12-29 | Messschaltung zur erfassung von hintergrundlicht |
| HK1144/93A HK114493A (en) | 1987-12-29 | 1993-10-28 | Circuit for detecting back light |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62336678A JP2526958B2 (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 逆光検出回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01179025A true JPH01179025A (ja) | 1989-07-17 |
| JP2526958B2 JP2526958B2 (ja) | 1996-08-21 |
Family
ID=18301666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62336678A Expired - Fee Related JP2526958B2 (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | 逆光検出回路 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4945378A (ja) |
| JP (1) | JP2526958B2 (ja) |
| DE (1) | DE3844245A1 (ja) |
| GB (1) | GB2211292B (ja) |
| HK (1) | HK114493A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7029473B2 (en) * | 1998-10-20 | 2006-04-18 | St. Francis Medical Technologies, Inc. | Deflectable spacer for use as an interspinous process implant and method |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS533260A (en) * | 1976-06-29 | 1978-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | Film thickness measuring device of transparent thin film |
| JPS5629253A (en) * | 1979-08-15 | 1981-03-24 | Ricoh Co Ltd | Automatic original position correcting device of automatic copying machine |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6056332B2 (ja) * | 1976-06-23 | 1985-12-10 | 株式会社日立製作所 | Ａ−ｄ変換回路 |
| JPS5946521A (ja) * | 1982-09-08 | 1984-03-15 | Canon Inc | 測光回路 |
| JPS60134567A (ja) * | 1983-12-22 | 1985-07-17 | Canon Inc | 撮像装置 |
| US4821074A (en) * | 1985-09-09 | 1989-04-11 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Exposure control device for a camera |
| DE3542511A1 (de) * | 1985-12-02 | 1987-06-04 | Leitz Ernst Gmbh | Verfahren und schaltungsanordnung zur automatischen bestimmung eines lichtwertes |
| US4809031A (en) * | 1986-12-11 | 1989-02-28 | Ricoh Company, Ltd. | Photometer for use in a camera |
-
1987
- 1987-12-29 JP JP62336678A patent/JP2526958B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-12-27 US US07/290,451 patent/US4945378A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-12-28 GB GB8830295A patent/GB2211292B/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-12-29 DE DE3844245A patent/DE3844245A1/de not_active Withdrawn
-
1993
- 1993-10-28 HK HK1144/93A patent/HK114493A/xx unknown
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS533260A (en) * | 1976-06-29 | 1978-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | Film thickness measuring device of transparent thin film |
| JPS5629253A (en) * | 1979-08-15 | 1981-03-24 | Ricoh Co Ltd | Automatic original position correcting device of automatic copying machine |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| HK114493A (en) | 1993-11-05 |
| DE3844245A1 (de) | 1989-07-13 |
| GB2211292B (en) | 1991-10-30 |
| JP2526958B2 (ja) | 1996-08-21 |
| GB8830295D0 (en) | 1989-02-22 |
| GB2211292A (en) | 1989-06-28 |
| US4945378A (en) | 1990-07-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |