JPS5946521A - 測光回路 - Google Patents
測光回路Info
- Publication number
- JPS5946521A JPS5946521A JP57157161A JP15716182A JPS5946521A JP S5946521 A JPS5946521 A JP S5946521A JP 57157161 A JP57157161 A JP 57157161A JP 15716182 A JP15716182 A JP 15716182A JP S5946521 A JPS5946521 A JP S5946521A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- transistor
- light receiving
- receiving element
- switch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000005375 photometry Methods 0.000 claims description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000003503 early effect Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B7/00—Control of exposure by setting shutters, diaphragms or filters, separately or conjointly
- G03B7/08—Control effected solely on the basis of the response, to the intensity of the light received by the camera, of a built-in light-sensitive device
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Exposure Control For Cameras (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は測光回路、特に互いに異なった測光範囲を有す
る複数の受光素子の内の任意のいずれかの受光素子を選
択的に使用可能な、カメラ用測光回路に関するものであ
る。
る複数の受光素子の内の任意のいずれかの受光素子を選
択的に使用可能な、カメラ用測光回路に関するものであ
る。
従来、測光回路、特にカメラの測光回路において受光素
子を複数個用い、その内のいずれかを選択することによ
り側光方式を平均測光方式と部分測光方式とに切換えら
れる様に構成された測光回路は周知である。
子を複数個用い、その内のいずれかを選択することによ
り側光方式を平均測光方式と部分測光方式とに切換えら
れる様に構成された測光回路は周知である。
ここで、該側光回路における測光方式の切換方法につい
て第１図、第２図を用いて説明するが、説明を簡単化す
る為に受光素子を２つ用い。
て第１図、第２図を用いて説明するが、説明を簡単化す
る為に受光素子を２つ用い。
その内のいずれか一方の受光素子を切換スイッチを用い
て選択的に使用状態にして平均測光方式並びに部分測光
方式を選択的に実現する測光回路について説明する。
て選択的に使用状態にして平均測光方式並びに部分測光
方式を選択的に実現する測光回路について説明する。
第１図は測光回路に用いられる受光素子の平面図にして
、ｌはＳＰＯ（シリコンフォトセル）等の２つの受光素
子を一体成形した受光素子であり、ｌａは受光素子ｌが
カメラの公知の受光位置（不図示）に配置された時に画
面の中心の一部分の明るさを測光する様に配置された第
一の受光素子、即ち部分測光用の受光素子であり。
、ｌはＳＰＯ（シリコンフォトセル）等の２つの受光素
子を一体成形した受光素子であり、ｌａは受光素子ｌが
カメラの公知の受光位置（不図示）に配置された時に画
面の中心の一部分の明るさを測光する様に配置された第
一の受光素子、即ち部分測光用の受光素子であり。
ｔｂｔｉｍ記受光素子１ａが測光する画面の中心の部分
を除いた残りの画面の明るさを測光する受光素子、即ち
平均測光用の受光素子である。
を除いた残りの画面の明るさを測光する受光素子、即ち
平均測光用の受光素子である。
これら受光素子１ａ、ｌｂは第２図に示す様に切換スイ
ッチ（第２図では理解を容易とする為に切換スイッチと
して機械的なスイッチを図示したが、該スイッチは実際
上は半導体スイッチで構成される）５を介して互いに並
列に接続され、これら受光素子の出力端はＭＯＳ Ｆ’
ＥＴ等を初段に用いた高入力インピーダンスの演算増
幅器（以下０１）アンプと称す）３の２入力端に第２図
示の様に接続される。該ＯＰアンプ３の帰還路には前記
受光素子の光電流を対数的に圧縮するダイオード４が接
続されている。
ッチ（第２図では理解を容易とする為に切換スイッチと
して機械的なスイッチを図示したが、該スイッチは実際
上は半導体スイッチで構成される）５を介して互いに並
列に接続され、これら受光素子の出力端はＭＯＳ Ｆ’
ＥＴ等を初段に用いた高入力インピーダンスの演算増
幅器（以下０１）アンプと称す）３の２入力端に第２図
示の様に接続される。該ＯＰアンプ３の帰還路には前記
受光素子の光電流を対数的に圧縮するダイオード４が接
続されている。
かかる構成の従来の測光回路でスイッチ５が閉成される
と受光素子Ｌａ、ｌｂの光電流の和がダイオード４で対
数圧縮され、ＯＰアンプ３の出力端３Ａに電圧の形の測
光値として現われる。即ちこれにより平均測光が実現さ
れる。
と受光素子Ｌａ、ｌｂの光電流の和がダイオード４で対
数圧縮され、ＯＰアンプ３の出力端３Ａに電圧の形の測
光値として現われる。即ちこれにより平均測光が実現さ
れる。
またスイッチ５が開成された場合には受光素子１ｂから
の光電流はダイオード４には流れず、受光素子１ａから
の光電流のみが対数圧縮された電圧に変換され、ＯＰア
ンプ３の出力端３Ａより測光値として不図示の電気シャ
ッタ等の露出制御回路に出力される。即ちこれにより部
分測光が実現さ扛るわけでおる。
の光電流はダイオード４には流れず、受光素子１ａから
の光電流のみが対数圧縮された電圧に変換され、ＯＰア
ンプ３の出力端３Ａより測光値として不図示の電気シャ
ッタ等の露出制御回路に出力される。即ちこれにより部
分測光が実現さ扛るわけでおる。
ところで、該従来測光回路の場合、切換スイッチ５の開
成が完全に達成された時には上述の部分側光が可能とな
るが、実際にはスイッチには所謂「オフ抵抗」なるもの
が存在し、完全な開成状態の達成は不可能である為に従
来の測光回路では正しい部分側光は不可能であった０付
言すると従来の測光回路の場合には、部分測光時に前述
の「オフ抵抗」を介して受光素子１ｂの光電流の一部が
ダイオード４に流れ、受光素子１ａの光電流のみに基づ
く正しい部分測光が行われない欠点がおった０伺このオ
フ抵抗に基づく測光誤差はスイッチ５が閉成された時に
おける受光素子１ａ、ｌｂの光電流の比に比例して大き
くなる、換言すれば受光素子１ａ、ｌｂの受光面の面積
比が大きくなる程（但し受光素子（１・の位置による感
度は均一とする）大きくなるので、部分測光の部分領域
（受光素子１ａの受光面面積）を狭めれば狭める程、前
記測光誤差は無視できないものとなる。
成が完全に達成された時には上述の部分側光が可能とな
るが、実際にはスイッチには所謂「オフ抵抗」なるもの
が存在し、完全な開成状態の達成は不可能である為に従
来の測光回路では正しい部分側光は不可能であった０付
言すると従来の測光回路の場合には、部分測光時に前述
の「オフ抵抗」を介して受光素子１ｂの光電流の一部が
ダイオード４に流れ、受光素子１ａの光電流のみに基づ
く正しい部分測光が行われない欠点がおった０伺このオ
フ抵抗に基づく測光誤差はスイッチ５が閉成された時に
おける受光素子１ａ、ｌｂの光電流の比に比例して大き
くなる、換言すれば受光素子１ａ、ｌｂの受光面の面積
比が大きくなる程（但し受光素子（１・の位置による感
度は均一とする）大きくなるので、部分測光の部分領域
（受光素子１ａの受光面面積）を狭めれば狭める程、前
記測光誤差は無視できないものとなる。
更にかかる従来の測光回路においては、スイッチ５が開
成状態の時にＯＰアンプ３の反転入力端子に片端が開放
状態の受光素子ｉｂが接続されることになる。その為、
特に該受光素子ｌｂに照射される光量が少なく、該受光
素子１ｂのインピーダンスが大きくなる場合に、誘導雑
音の影響を受は易くなり、測光誤差が生じ易くなるとい
う欠点もあった。
成状態の時にＯＰアンプ３の反転入力端子に片端が開放
状態の受光素子ｉｂが接続されることになる。その為、
特に該受光素子ｌｂに照射される光量が少なく、該受光
素子１ｂのインピーダンスが大きくなる場合に、誘導雑
音の影響を受は易くなり、測光誤差が生じ易くなるとい
う欠点もあった。
本発明の目的は、上記従来の側光回路の欠点を除去した
、全ての測光方式において正確な側光出力を得ることの
できる測光回路を提供せんとするものである。以下、図
面を用いて本発明の詳細な説明する。
、全ての測光方式において正確な側光出力を得ることの
できる測光回路を提供せんとするものである。以下、図
面を用いて本発明の詳細な説明する。
第３図は１本発明を適用したカメラの側光回路の一実施
例の回路接続図である。同、第２図示素子と同一機能を
有する素子については、同一番号を付してその説明を省
略する。
例の回路接続図である。同、第２図示素子と同一機能を
有する素子については、同一番号を付してその説明を省
略する。
第３図において、６はＯＰアンプ３０反転入力癩に接続
入力端固定接点６ａ、ＯＰアンノ３の非反転端子並びに
アースに接続された固定接点６ｂ並びにフォトダイオー
ドｌｂのアノードに接続された可動接片６Ｃを有する切
換スイッチで、部分測光方式が選択された時には％該ス
イッチ６の可動接片６Ｃは接点６ａ側に接続され、また
平均測光方式が選択された時には該スイッチ６の可動接
片６Ｃは接点６ｂ側に接続される。同、第３図では説明
の便宜上スイッチ６は機械的スイッチとして描いたが、
実際上は第３図示測光回路の具体例を示す第４図に示す
様に該スイッチ６としては半導体スイッチング素子が用
いられる。
入力端固定接点６ａ、ＯＰアンノ３の非反転端子並びに
アースに接続された固定接点６ｂ並びにフォトダイオー
ドｌｂのアノードに接続された可動接片６Ｃを有する切
換スイッチで、部分測光方式が選択された時には％該ス
イッチ６の可動接片６Ｃは接点６ａ側に接続され、また
平均測光方式が選択された時には該スイッチ６の可動接
片６Ｃは接点６ｂ側に接続される。同、第３図では説明
の便宜上スイッチ６は機械的スイッチとして描いたが、
実際上は第３図示測光回路の具体例を示す第４図に示す
様に該スイッチ６としては半導体スイッチング素子が用
いられる。
次に上記構成にかかる測光回路の動作について説明する
。
。
まず、平均測光方式が選択された場合ＫＦｉ、スイッチ
６の可動接片６Ｃが接点６ｂに接続される。この場合は
受光素子１ａ、ｌｂが並列接続され、該並列回路がＯＰ
アンプ３の内入力端に接続されるので、受光素子１ａ、
ｌｂの光電流の和がダイオード４に流れ、ＯＰアンプ３
の出力端３Ａには該加算さ扛た光電流を対数的に圧縮し
た電圧が測光結果として出力される。
６の可動接片６Ｃが接点６ｂに接続される。この場合は
受光素子１ａ、ｌｂが並列接続され、該並列回路がＯＰ
アンプ３の内入力端に接続されるので、受光素子１ａ、
ｌｂの光電流の和がダイオード４に流れ、ＯＰアンプ３
の出力端３Ａには該加算さ扛た光電流を対数的に圧縮し
た電圧が測光結果として出力される。
また部分測光方式が選択されｆｃ場合には、スイッチ６
の可動接片が接点６ａに接続される。
の可動接片が接点６ａに接続される。
この場合は受光素子（フォトダイオード）Ｊｂの両端は
短絡され、受光素子（フォトダイオード）ｌａの光電流
のみがダイオード４に流れ、該光電流のみが対数的に圧
縮され、ＯＰアンプ３の出力端３Ａに被写体の明るさの
測光結果として電圧の形で現われる。この時、受光素子
Ｊｂの両端は短絡されている為、受光素子１ｂの光電流
はスイッチ６の共通端子である可動接片６ｃと接点６ｂ
間に前述のオフ抵抗が存在したとしても、前記オフ抵抗
を介してアーヌ側に流れることはない。
短絡され、受光素子（フォトダイオード）ｌａの光電流
のみがダイオード４に流れ、該光電流のみが対数的に圧
縮され、ＯＰアンプ３の出力端３Ａに被写体の明るさの
測光結果として電圧の形で現われる。この時、受光素子
Ｊｂの両端は短絡されている為、受光素子１ｂの光電流
はスイッチ６の共通端子である可動接片６ｃと接点６ｂ
間に前述のオフ抵抗が存在したとしても、前記オフ抵抗
を介してアーヌ側に流れることはない。
従って本発明では５部分測光方式選択時にダイオード４
には受光素子１ａの光電流以外の電流は流れない。
には受光素子１ａの光電流以外の電流は流れない。
また第２図示、従来測光回路において低輝度に発生する
誘導雑音の問題も、本発明では受光素子ｔｂの両端が短
絡されている（インピーダンスゼロ）ために発生するこ
とはない。
誘導雑音の問題も、本発明では受光素子ｔｂの両端が短
絡されている（インピーダンスゼロ）ために発生するこ
とはない。
従って本発明によ扛ば、平均側光方式並びに部分測光方
式のいずれの場合においても正しい測光値を得ることが
できるものである。
式のいずれの場合においても正しい測光値を得ることが
できるものである。
第４図は第３図示測光回路の具体例であり。
第４図に於て、７は定電圧回路で、電源電圧ｖ００゜−
■Ｂが印加さＩｔ 、 −Ｖｇａに対し一定電圧ＶＴＬ
を出力する。８はＮＰＮ）ランジスタでそのベースに定
電圧回路７からの電圧■が印加さ扛ている。
■Ｂが印加さＩｔ 、 −Ｖｇａに対し一定電圧ＶＴＬ
を出力する。８はＮＰＮ）ランジスタでそのベースに定
電圧回路７からの電圧■が印加さ扛ている。
９は抵抗でトランジスタ８のエミッタ、 −Ｖｇｚ間に
接続されている。１０． ｌ ｌはＰ、ＮＰ）ランジス
タで共にダイオード接続（ペースコレクタ間短絡）され
、トランジスタＩＯのエミッタはＶｏ。
接続されている。１０． ｌ ｌはＰ、ＮＰ）ランジス
タで共にダイオード接続（ペースコレクタ間短絡）され
、トランジスタＩＯのエミッタはＶｏ。
に、トランジスタ１０のコレクタはトランジスタ１１の
エミッタに、トランジスタ１１のコレクタはトランジス
タ８のコレクタに接続されている。７〜１１で定電流回
路が構成されている。
エミッタに、トランジスタ１１のコレクタはトランジス
タ８のコレクタに接続されている。７〜１１で定電流回
路が構成されている。
１２、 ｌ ３はＰｃｈ ＭＯＳ Ｆ ＥＴでそのゲー
トが低レベルになった時、導通するアナログスイッチと
して使用されている。そして、そのサブストレートゲー
トは共にＶＯＯに接続され、ドレインは共に受光素子１
ｂに接続されている。ＭＯＳ Ｆ ＥＴソ １２のソースは接地され、ＭＯＳＦＥＴ ｌ ３のソー
スは受光素子１ｂのカソードに接続されている。
トが低レベルになった時、導通するアナログスイッチと
して使用されている。そして、そのサブストレートゲー
トは共にＶＯＯに接続され、ドレインは共に受光素子１
ｂに接続されている。ＭＯＳ Ｆ ＥＴソ １２のソースは接地され、ＭＯＳＦＥＴ ｌ ３のソー
スは受光素子１ｂのカソードに接続されている。
１４、 ｌ ５は抵抗でＭＯ８Ｆ’ＥＴ １２．１３の
ゲートをプルアップしている。１６はインノく一夕で、
その出力はＭＯＳＦＥＴ １ ｓのゲートに接続されて
いる。１７はスイッチで、その一端は一％ｇＫ ｓ他Ｑ
端はインバーター６の入力及びＭＯ８ＦＥＴ１２のゲー
トに接続されている。該スイッチ１７が閉成された時、
ＭＯＳＦＥＴ １２のゲートは低レベルになり、そのド
レインソース間は導通する。一方ＭＯ８ＦＥＴ ｌ ３
のゲートはインノ（−タ１６を介して高レベルとなる丸
め、そのドレインソース間は非導通状態、即ちオフ状態
となるＯ１８はＰＮＰ ）ランジスタで、エミッタの数
がトランジスターＯの２倍であり、かつベースエミッタ
が共通に接続されているため、そのエミッタコレクタ間
にはトランジスターＯの倍の電流が流れることになる。
ゲートをプルアップしている。１６はインノく一夕で、
その出力はＭＯＳＦＥＴ １ ｓのゲートに接続されて
いる。１７はスイッチで、その一端は一％ｇＫ ｓ他Ｑ
端はインバーター６の入力及びＭＯ８ＦＥＴ１２のゲー
トに接続されている。該スイッチ１７が閉成された時、
ＭＯＳＦＥＴ １２のゲートは低レベルになり、そのド
レインソース間は導通する。一方ＭＯ８ＦＥＴ ｌ ３
のゲートはインノ（−タ１６を介して高レベルとなる丸
め、そのドレインソース間は非導通状態、即ちオフ状態
となるＯ１８はＰＮＰ ）ランジスタで、エミッタの数
がトランジスターＯの２倍であり、かつベースエミッタ
が共通に接続されているため、そのエミッタコレクタ間
にはトランジスターＯの倍の電流が流れることになる。
１９も１）ＮＰ、、）、ランジスタであり、そのエミッ
タがトランジスタ１８のコレクタに、ベースがトランジ
スタ１１のベースに接続されていて、ベース接地増１−
器として動作するよう構成されている。２０，２１はＰ
ｃｈ ＭＯＳＦＥＴでそのソースは共に接続され、差動
増幅器を構成している。またザブストレートゲートは共
にソースに接続されている０Ｍ０８ＦＥＴ２１のゲート
は接地され第２．第３図のＯＰアン相 プ３の非反転入力端子に毎当する端子を形成している。
タがトランジスタ１８のコレクタに、ベースがトランジ
スタ１１のベースに接続されていて、ベース接地増１−
器として動作するよう構成されている。２０，２１はＰ
ｃｈ ＭＯＳＦＥＴでそのソースは共に接続され、差動
増幅器を構成している。またザブストレートゲートは共
にソースに接続されている０Ｍ０８ＦＥＴ２１のゲート
は接地され第２．第３図のＯＰアン相 プ３の非反転入力端子に毎当する端子を形成している。
ＭＯＳＦＥＴ ２０のゲートは受光素子１ａ。
１ｂのカソードか接続され、ＯＰアンプ３０反転入力端
子に相当する端子を形成している。２２゜２３は抵抗、
２４はＮＰＮ）ランジスタで抵抗２２．２３の接続点及
びトランジスタ２４のベースは接続さｎ１抵抗２２の他
端とトランジスタ２４のコレクタは接続され、更に抵抗
２３の（Ｉｌｌとトランジスタ２４のエミッタは接続さ
れている。抵抗２２．２３及びトランジスタ２４でＭＯ
ＳＦＥＴ ２０．２１のソース、トランジスタ２５゜２
６０ベ一ス間のレベルシフト回路を構成している。２５
．２６はＰＮＰ）ランジスタでそのベースは共に接続さ
れ、２５のエミツ・メはＭＯ８ＦＢＴ２０のドレインに
、２６のエミッタはＭｏ５ｐＥ栄２１のドレインに接続
されている。即ちトランジスタ２５，２６はベース接地
増幅回路として動作し、ＭＯＳＦＥＴ ２０．２１と共
にカスコード増幅器を構成している。２７．２８はＮＰ
Ｎ）ランジ距 スタで共にエミッタは接稗され、ベースは共に接続され
ている。２７はダイオード接続されてトランジスタ２５
のコレクタに、またトランジスタ２８のコレクタはトラ
ンジスタ２６のコレクタに接続され、２７．２８は各々
トランジスタ２５、２６のカレントミラー負荷となって
いる。
子に相当する端子を形成している。２２゜２３は抵抗、
２４はＮＰＮ）ランジスタで抵抗２２．２３の接続点及
びトランジスタ２４のベースは接続さｎ１抵抗２２の他
端とトランジスタ２４のコレクタは接続され、更に抵抗
２３の（Ｉｌｌとトランジスタ２４のエミッタは接続さ
れている。抵抗２２．２３及びトランジスタ２４でＭＯ
ＳＦＥＴ ２０．２１のソース、トランジスタ２５゜２
６０ベ一ス間のレベルシフト回路を構成している。２５
．２６はＰＮＰ）ランジスタでそのベースは共に接続さ
れ、２５のエミツ・メはＭＯ８ＦＢＴ２０のドレインに
、２６のエミッタはＭｏ５ｐＥ栄２１のドレインに接続
されている。即ちトランジスタ２５，２６はベース接地
増幅回路として動作し、ＭＯＳＦＥＴ ２０．２１と共
にカスコード増幅器を構成している。２７．２８はＮＰ
Ｎ）ランジ距 スタで共にエミッタは接稗され、ベースは共に接続され
ている。２７はダイオード接続されてトランジスタ２５
のコレクタに、またトランジスタ２８のコレクタはトラ
ンジスタ２６のコレクタに接続され、２７．２８は各々
トランジスタ２５、２６のカレントミラー負荷となって
いる。
２９、３０はＮＰＮ）ランジスタでエミッタは共に接地
され、ベースは共に接続され、トランジスタ３０はダイ
オード接続されている。即ちカレントミラー接続されて
いる。３１はＰＮＰ）ランジスタでそのベース、エミッ
タはトランジスタｌＯと共通接続されているため、トラ
ンジスタ１０のコレクタ電流はトランジスタ３１のそれ
と同一となり、更にトランジスタ２９．３０のカレント
ミラーにその電流は移される。３２はＮ Ｐ Ｎ ｌ−
ランジスタでエミッタは接地され、ベースはトランジス
タ２６．２８のコレクタに接続され、コレクタはトラン
ジスタ３３のコレクタに接続されている。３３は後述す
る如く定電流源であるためトランジスタ３２はエミッタ
接地の電圧増幅段を構成している。３３はＰＮＰ ）ラ
ンジスタでそのベース、エミッタはトランジスタｌＯの
それと共通接続さ扛、そのコレクタ電流はトランジスタ
１０のそれと同一の定電流源となっている。３４は位相
補償用のコンデンサで、トランジスタ３２のベース、コ
レクタ間に接続さｎている。３５は、ＮＰＮ）ランジス
タで、そのコレクタはＶｏｏ ラインに接続され、エミ
ッタは抵抗３６に接続されてエミッタフォロワ回路を構
成している。そして、そのエミッタは第２．３図のＯＰ
アンプ３の出力に相当している。
され、ベースは共に接続され、トランジスタ３０はダイ
オード接続されている。即ちカレントミラー接続されて
いる。３１はＰＮＰ）ランジスタでそのベース、エミッ
タはトランジスタｌＯと共通接続されているため、トラ
ンジスタ１０のコレクタ電流はトランジスタ３１のそれ
と同一となり、更にトランジスタ２９．３０のカレント
ミラーにその電流は移される。３２はＮ Ｐ Ｎ ｌ−
ランジスタでエミッタは接地され、ベースはトランジス
タ２６．２８のコレクタに接続され、コレクタはトラン
ジスタ３３のコレクタに接続されている。３３は後述す
る如く定電流源であるためトランジスタ３２はエミッタ
接地の電圧増幅段を構成している。３３はＰＮＰ ）ラ
ンジスタでそのベース、エミッタはトランジスタｌＯの
それと共通接続さ扛、そのコレクタ電流はトランジスタ
１０のそれと同一の定電流源となっている。３４は位相
補償用のコンデンサで、トランジスタ３２のベース、コ
レクタ間に接続さｎている。３５は、ＮＰＮ）ランジス
タで、そのコレクタはＶｏｏ ラインに接続され、エミ
ッタは抵抗３６に接続されてエミッタフォロワ回路を構
成している。そして、そのエミッタは第２．３図のＯＰ
アンプ３の出力に相当している。
３６は抵抗でトランジスタ３５のエミッタ、４−ライン
間に接続されている。ｌａ、１ｂＶｉ共に受光素子とし
てのフォトダイオ−、ド、４は第２図、第３図示ダイオ
ード４と同一機能を有するダイオードである。
間に接続されている。ｌａ、１ｂＶｉ共に受光素子とし
てのフォトダイオ−、ド、４は第２図、第３図示ダイオ
ード４と同一機能を有するダイオードである。
以上の構成からなる側光回路において、不図示の電源ス
ィッチの押圧によりＶｏｏ 、−ＶｉｓＩＡに所定の電
圧が印加されると、定電圧回路７９電圧珈を出力する。
ィッチの押圧によりＶｏｏ 、−ＶｉｓＩＡに所定の電
圧が印加されると、定電圧回路７９電圧珈を出力する。
該電圧■はトランジスタ８のベース、エミッタ間及び抵
抗９に印加されるため、■−Ｖｎｇ トランジスタ８のコレクタ電流は−１−一（Ｒは抵抗９
の抵抗値％ＶＢＢはトランジスタ８のベース、エミッタ
間電圧とする）となる。そのコレクタ電流はダイオード
接続されたトランジスタ１０、 ｌ １に流れる。トラ
ンジスタｌＯのベース。
抗９に印加されるため、■−Ｖｎｇ トランジスタ８のコレクタ電流は−１−一（Ｒは抵抗９
の抵抗値％ＶＢＢはトランジスタ８のベース、エミッタ
間電圧とする）となる。そのコレクタ電流はダイオード
接続されたトランジスタ１０、 ｌ １に流れる。トラ
ンジスタｌＯのベース。
エミッタとトランジスタｌ ８．３１．３３のそれとは
各々共通に接続されているため、トランジス■−ＶＢＫ は−１−一の２倍の定電流源となる。またトランジスタ
１９のベースはトランジスタ１１のベースと同電位であ
るため、トランジスタ１９のエミッタ、即ちトランジス
タ１８のコレクタとエミッタ間はＶＯＯ，−■１に無関
係に一定となる。
各々共通に接続されているため、トランジス■−ＶＢＫ は−１−一の２倍の定電流源となる。またトランジスタ
１９のベースはトランジスタ１１のベースと同電位であ
るため、トランジスタ１９のエミッタ、即ちトランジス
タ１８のコレクタとエミッタ間はＶＯＯ，−■１に無関
係に一定となる。
抵抗２２．２３とトランジスタ２４で構成されるレベル
シフト回路は、 ＭＯＳＦＥＴ ２０．２１ （Ｄソー
スとトランジスタ２５．２６のベースにつながれでいる
ため、 ＭＯＳＦＥＴ ２０．２１のゲート、ドレイン
間は何らかの事故で２０．２１のソース電圧が変動して
も一定に固定されたままである。またトランジスタ３１
ｊの定電流源からの、電流ＶＲ−Ｖｎｙａ’＆７カＬ／
ントミラーを構成するトランジスタ２９゜３０を介して
、レベルシフト回路（抵抗２２゜２３、トランジスタ２
４）Ｋ流れる。またトランジスタ１９のコレクタ電流は
トランジスタ１８の定電流源がトランジスタ３１の定電
流源０２倍流れるため、その電流からレベルシフト回路
に流れる電流（トランジスタ３１の定電流と同一）を差
し引いたトランジスタ３１の定電流源ＶＲ−ＶＢＩ と同一（７） （Ｄ 電ｆｉ カＭＯ８ＦＥＴ ２０．
２１ Ｏ両ソースに流れる。
シフト回路は、 ＭＯＳＦＥＴ ２０．２１ （Ｄソー
スとトランジスタ２５．２６のベースにつながれでいる
ため、 ＭＯＳＦＥＴ ２０．２１のゲート、ドレイン
間は何らかの事故で２０．２１のソース電圧が変動して
も一定に固定されたままである。またトランジスタ３１
ｊの定電流源からの、電流ＶＲ−Ｖｎｙａ’＆７カＬ／
ントミラーを構成するトランジスタ２９゜３０を介して
、レベルシフト回路（抵抗２２゜２３、トランジスタ２
４）Ｋ流れる。またトランジスタ１９のコレクタ電流は
トランジスタ１８の定電流源がトランジスタ３１の定電
流源０２倍流れるため、その電流からレベルシフト回路
に流れる電流（トランジスタ３１の定電流と同一）を差
し引いたトランジスタ３１の定電流源ＶＲ−ＶＢＩ と同一（７） （Ｄ 電ｆｉ カＭＯ８ＦＥＴ ２０．
２１ Ｏ両ソースに流れる。
ここで電源電圧ＶＯＯ，−Ｖｌｌに変動がめった場合を
考えると、前述の様にトランジスタ１８のエミッタ、コ
レクタ電圧は一定に固定されているためトランジスタの
アーリー効果（ベースｌ［変調効果）は起らず、 Ｍｏ
８ＦＥＴ ２０．２１ テ構成すれる差動増幅段の共通
ソースには電源電圧の変動に拘わらず一定の電流が供給
される。従ってＭｏ、９ＦＥＴ ２０．２１の特性が不
ぞろいであっても電源電圧の変動により、差動増幅段の
出力が変化することはない。即ち、出力であるトランジ
スタ３５のエミッタは電源電圧が変動しても受光素子１
ａ、ｌｂに照射される光が一定であれば一定である。
考えると、前述の様にトランジスタ１８のエミッタ、コ
レクタ電圧は一定に固定されているためトランジスタの
アーリー効果（ベースｌ［変調効果）は起らず、 Ｍｏ
８ＦＥＴ ２０．２１ テ構成すれる差動増幅段の共通
ソースには電源電圧の変動に拘わらず一定の電流が供給
される。従ってＭｏ、９ＦＥＴ ２０．２１の特性が不
ぞろいであっても電源電圧の変動により、差動増幅段の
出力が変化することはない。即ち、出力であるトランジ
スタ３５のエミッタは電源電圧が変動しても受光素子１
ａ、ｌｂに照射される光が一定であれば一定である。
また、トランジスタ３５のエミッタに接続される不図示
の負荷がトランジスタ３５．抵抗３６にとって一瞬、過
負荷となることがめっｆｃ場合、差動増幅段はバランス
を失い、出力、即ちトランジスタ３５のエミッタ電位を
大きく変動する。
の負荷がトランジスタ３５．抵抗３６にとって一瞬、過
負荷となることがめっｆｃ場合、差動増幅段はバランス
を失い、出力、即ちトランジスタ３５のエミッタ電位を
大きく変動する。
しかし、前述の様にＭｏ８ＦＢＴ ２０のゲート、ドレ
イン間電圧はレベルシフト回路が存在するために一定に
固定されているので、ゲート、ドレイン間に介在する容
量も一定であり、過負荷から正規状態に戻る時の出力の
電動の回復はゲート、ドレイン間容量の変動による、そ
の変動分に充電する時間が不要であるためすみやかに行
われる。
イン間電圧はレベルシフト回路が存在するために一定に
固定されているので、ゲート、ドレイン間に介在する容
量も一定であり、過負荷から正規状態に戻る時の出力の
電動の回復はゲート、ドレイン間容量の変動による、そ
の変動分に充電する時間が不要であるためすみやかに行
われる。
ところで、使用者によって平均測光方式が選択され、ス
イッチ１７が閉成されるとＭＯＳ Ｆ ＥＴ１２のゲー
トは低レベル、 Ｍｏ８ＦＦｉＴ ｉ ａのゲートは高
レベルとなるので、Ｍｏ８ＦＥＴ １２のドレイン、ソ
ース間が導通し、受光素子ｉｂのアノードは接地される
。従ってダイオード４には受光素子１ａ、ｌｂの光電流
の和の電流が流れ、部分測光方式が選択されてスイッチ
１７が開成されると、Ｍｏ８ＦＥＴ １３のゲートはイ
ンバータ１６の出力を介して低レベルとなるため。
イッチ１７が閉成されるとＭＯＳ Ｆ ＥＴ１２のゲー
トは低レベル、 Ｍｏ８ＦＦｉＴ ｉ ａのゲートは高
レベルとなるので、Ｍｏ８ＦＥＴ １２のドレイン、ソ
ース間が導通し、受光素子ｉｂのアノードは接地される
。従ってダイオード４には受光素子１ａ、ｌｂの光電流
の和の電流が流れ、部分測光方式が選択されてスイッチ
１７が開成されると、Ｍｏ８ＦＥＴ １３のゲートはイ
ンバータ１６の出力を介して低レベルとなるため。
Ｍｏ８ＦＦｌｉＴ １３のドレイン、ソース間は導通し
。
。
受光素子１ｂの両端は短絡される。従って、受光素子１
ａの光電流のみがダイオード４に流れ、出力３ＡＫＦｉ
それを対数圧縮した電圧が現われることになる。ここで
、受光素子ｔｂの両端は短絡されているため、非導通で
あるはずのＭｏ８−−ＦＥＴ ｌ ２に存在するオフ抵
抗の影響、及び誘導雑音の影響は完全に除去される。
ａの光電流のみがダイオード４に流れ、出力３ＡＫＦｉ
それを対数圧縮した電圧が現われることになる。ここで
、受光素子ｔｂの両端は短絡されているため、非導通で
あるはずのＭｏ８−−ＦＥＴ ｌ ２に存在するオフ抵
抗の影響、及び誘導雑音の影響は完全に除去される。
である。同第１〜第３図示素子と同一機能を有する素子
については同一番号を付してその説明を省略する。ｌｃ
は受光素子１ａが測光する画面の中心の部分を取り囲み
、該部分の更に外縁部分（第６図参照）の画面の明るさ
を測光する受光素子で、そのカソードはＯＰアンプ３の
反転入力端子に接続され、またそのアノードは切換スイ
ッチ６６の可動接片６６ｃ、固定接点６６ｂを介してア
ースされる。ｔｂｂは第１図乃至第３図の受光素子ｔｂ
にほぼ相当する受光素子で、前記受光素子１ａ、ｌｃが
測光する画面のほぼ中心部を除いた残りの画面（第６図
参照）の明るさを測光する受光素子である。該素子１ｂ
ｂのカソードはＯＰアンプ３の反転入力端に接続され、
アノードは切換スイッチ６の可動接片６Ｃ並びに固定接
点６ｂを介してアースされる。
については同一番号を付してその説明を省略する。ｌｃ
は受光素子１ａが測光する画面の中心の部分を取り囲み
、該部分の更に外縁部分（第６図参照）の画面の明るさ
を測光する受光素子で、そのカソードはＯＰアンプ３の
反転入力端子に接続され、またそのアノードは切換スイ
ッチ６６の可動接片６６ｃ、固定接点６６ｂを介してア
ースされる。ｔｂｂは第１図乃至第３図の受光素子ｔｂ
にほぼ相当する受光素子で、前記受光素子１ａ、ｌｃが
測光する画面のほぼ中心部を除いた残りの画面（第６図
参照）の明るさを測光する受光素子である。該素子１ｂ
ｂのカソードはＯＰアンプ３の反転入力端に接続され、
アノードは切換スイッチ６の可動接片６Ｃ並びに固定接
点６ｂを介してアースされる。
同、前記切換スイッチ６６は切換スイッチ６同様、実際
上は第４図示の如き半導体スイッチング素子で形成され
るが、説明の便宜上、機械的スイッチで描いた。
上は第４図示の如き半導体スイッチング素子で形成され
るが、説明の便宜上、機械的スイッチで描いた。
かかる構成の測光回路において５例えば第５図示の様に
切換スイッチ６の可動接片６Ｃが固定接点６ａ側に接続
され、また切換スイッチ６６の可動接片６６ｃが固定接
点６６ａ側に接続されると、受光素子（フォトダイオー
ド）ｔｂｂの両端並びに受光素子（フォトダイオード）
ＩＣの両端は短絡され、受光素子（フォトダイオード）
ｌａの光電流のみがダイオード４に流れ、該光電流のみ
が対数的に圧縮され、ＯＰアンプ３の出力端３人に被写
体の明るさの側光結果として電圧の形で現われる。
切換スイッチ６の可動接片６Ｃが固定接点６ａ側に接続
され、また切換スイッチ６６の可動接片６６ｃが固定接
点６６ａ側に接続されると、受光素子（フォトダイオー
ド）ｔｂｂの両端並びに受光素子（フォトダイオード）
ＩＣの両端は短絡され、受光素子（フォトダイオード）
ｌａの光電流のみがダイオード４に流れ、該光電流のみ
が対数的に圧縮され、ＯＰアンプ３の出力端３人に被写
体の明るさの側光結果として電圧の形で現われる。
この時も第１実施例と同様Ｋ、受光素子ｉｂｂ 。
ｌｃの両端は短絡されている為、受光素子１ｂｂ 。
ｌｃの光電流はスイッチ６の共通端子である可動接片６
ｃと接点６ｂの間、並びにスイッチ６６の共通端子でめ
る可動接片６６ｃと接点６６ｂ間に前述のオフ抵抗が存
在したとしても該オフ抵抗を介してアース側に流れるこ
とはない０従って、本実施例の場合も第一実施例同様な
効果が得られるものである。
ｃと接点６ｂの間、並びにスイッチ６６の共通端子でめ
る可動接片６６ｃと接点６６ｂ間に前述のオフ抵抗が存
在したとしても該オフ抵抗を介してアース側に流れるこ
とはない０従って、本実施例の場合も第一実施例同様な
効果が得られるものである。
賞、第５図、第６図実施例における他の測光方式につい
ての説明は第一実施例とほぼ同様であるので省く。
ての説明は第一実施例とほぼ同様であるので省く。
以上の様にｅ本発明によれば、全ての測光方式において
正確な測光結果を得ることができるものである。
正確な測光結果を得ることができるものである。
第１図は従来の測光回路に使用される受光素子の平面図
、 第２図は従来の測光回路の回路接続図、第３図は本発明
の第一実施例の測光回路の回路接続図、 第４図は第３図示実施例の具体的な回路図、第５図は本
発明の第二実施例の狙ｊ光回路の回路接続図、 第６図は第５図示測光回路に使用される受光素子の平面
図である。 図において、ｌａ、ｌｂ、１ｂｂ、ｌｃ−受光素子、６
．６６・・・切換スイッチである。 特許出願人 キャノン株式会社
、 第２図は従来の測光回路の回路接続図、第３図は本発明
の第一実施例の測光回路の回路接続図、 第４図は第３図示実施例の具体的な回路図、第５図は本
発明の第二実施例の狙ｊ光回路の回路接続図、 第６図は第５図示測光回路に使用される受光素子の平面
図である。 図において、ｌａ、ｌｂ、１ｂｂ、ｌｃ−受光素子、６
．６６・・・切換スイッチである。 特許出願人 キャノン株式会社
Claims (1)
- （１）複数個の受光素子を有し、該受光素子出力を選択
的に検出する測光回路に於て、測光方式に応じて検出不
用の受光素子の両端を短絡する手段を設けたことを特徴
とする測光回路０（２）平均測光時は部分測光時に使用
する受光素請求の範囲第（１）項記載の測光回路。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57157161A JPS5946521A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | 測光回路 |
| DE19833332281 DE3332281A1 (de) | 1982-09-08 | 1983-09-07 | Lichtmesseinrichtung |
| US06/834,492 US4681441A (en) | 1982-09-08 | 1986-02-24 | Light measuring device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57157161A JPS5946521A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | 測光回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5946521A true JPS5946521A (ja) | 1984-03-15 |
| JPH0553371B2 JPH0553371B2 (ja) | 1993-08-09 |
Family
ID=15643513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57157161A Granted JPS5946521A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | 測光回路 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4681441A (ja) |
| JP (1) | JPS5946521A (ja) |
| DE (1) | DE3332281A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008008647A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Shirinkusu Kk | 光電変換装置 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4701048A (en) * | 1983-02-23 | 1987-10-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Input circuit for distance measuring apparatus |
| JP2526958B2 (ja) * | 1987-12-29 | 1996-08-21 | 株式会社精工舎 | 逆光検出回路 |
| US5264889A (en) * | 1990-04-17 | 1993-11-23 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Apparatus having an automatic focus detecting device |
| US6208370B1 (en) | 1998-12-22 | 2001-03-27 | Eastman Kodak Company | Method and apparatus for determining the starting position and the power of a scanning light beam to be used in writing on a media |
| US6055057A (en) * | 1998-12-22 | 2000-04-25 | Eastman Kodak Company | Method and apparatus for accurately sensing a light beam as it passes a defined point |
| JP2003124757A (ja) * | 2001-10-16 | 2003-04-25 | Texas Instr Japan Ltd | アーリー効果の影響を低減する方法および装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5029331U (ja) * | 1973-07-11 | 1975-04-03 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2159036C3 (de) * | 1970-11-30 | 1974-04-25 | Nippon Kogaku K.K., Tokio | Belichtungssteueranordnung mit einer Fotodiode |
| US3700319A (en) * | 1971-01-12 | 1972-10-24 | Optisonics Corp | Control circuit for single frame film advance audio projector |
| JPS5115736B1 (ja) * | 1971-02-22 | 1976-05-19 | ||
| US3877039A (en) * | 1971-11-24 | 1975-04-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Exposure control system for cameras |
| DE2238522C3 (de) * | 1972-08-04 | 1978-11-30 | Gerhard 8200 Rosenheim Krause | Belichtungsautomatik für Kameras |
| JPS4991216A (ja) * | 1972-12-29 | 1974-08-31 | ||
| JPS506331A (ja) * | 1973-05-15 | 1975-01-23 | ||
| DE2558155C3 (de) * | 1974-12-28 | 1978-10-19 | Canon K.K., Tokio | Lkhtmeßschaltung |
| JPS5443727A (en) * | 1977-09-13 | 1979-04-06 | Minolta Camera Co Ltd | Exposure control device for camera |
| JPS54161983A (en) * | 1978-06-12 | 1979-12-22 | Canon Inc | Temperature compensating circuit of photometric circuit |
-
1982
- 1982-09-08 JP JP57157161A patent/JPS5946521A/ja active Granted
-
1983
- 1983-09-07 DE DE19833332281 patent/DE3332281A1/de active Granted
-
1986
- 1986-02-24 US US06/834,492 patent/US4681441A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5029331U (ja) * | 1973-07-11 | 1975-04-03 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008008647A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Shirinkusu Kk | 光電変換装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3332281A1 (de) | 1984-03-08 |
| DE3332281C2 (ja) | 1993-03-04 |
| US4681441A (en) | 1987-07-21 |
| JPH0553371B2 (ja) | 1993-08-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5946521A (ja) | 測光回路 | |
| JP2560747B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| CA1123064A (en) | Optically coupled field effect transistor switch | |
| JP3207240B2 (ja) | フォトダイオードのバイアス回路 | |
| US4160160A (en) | Circuit for integrating a quantity of light in an automatic control type flash unit | |
| US4004853A (en) | Exposure meter circuit | |
| US4302668A (en) | Variably biased photoelectric circuit | |
| JPS5845523A (ja) | 測光回路 | |
| JPH0257739B2 (ja) | ||
| JPH0663738B2 (ja) | 光電位置決めタップの回路構造 | |
| JPS63172930A (ja) | 光量検出回路 | |
| Chevroulet et al. | A battery operated optical spot intensity Measurement system | |
| SU1651371A1 (ru) | Фотопереключатель | |
| SU1176290A1 (ru) | Экспонометрический прибор | |
| JPH07114330B2 (ja) | 受光回路のレンジ切り換え回路 | |
| SU1573354A1 (ru) | Фотоприемное устройство | |
| KR830003083Y1 (ko) | 차동접속을 갖는 투과형 광전스위치 | |
| JPS592513Y2 (ja) | 分光光度計の測光回路 | |
| RU1810968C (ru) | Стабилизированный делитель посто нного напр жени | |
| SU1651112A1 (ru) | Зонд-цветоанализатор дл цветной фотопечати | |
| JP3193481B2 (ja) | 測距装置 | |
| KR900006525Y1 (ko) | 현상기의 토너 혼합비 검지장치 | |
| JPH0367133A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPS6156446B2 (ja) | ||
| SU1084689A1 (ru) | Устройство дл выделени абсолютного значени напр жени переменного тока |