JP2524048B2 - 変位計測装置 - Google Patents

変位計測装置

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JP2524048B2 JP4067274A JP6727492A JP2524048B2 JP 2524048 B2 JP2524048 B2 JP 2524048B2 JP 4067274 A JP4067274 A JP 4067274A JP 6727492 A JP6727492 A JP 6727492A JP 2524048 B2 JP2524048 B2 JP 2524048B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光学式の変位計測装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】従来、被測定物の変位量を非接触で計測
する方法として、被測定物上に光源を設置し、2つの二
次元用半導体位置検出器(二次元PSD)を基準となる
位置に一定間隔で設置し、受光レンズにより2つのPS
Dに集光して入射する光点位置の変位量から、被測定物
の変位量を検出する方式がよく用いられていた。
【0003】第7図は、一般的な一次元PSDの構成
図、第8図は第7図のPSDを用いた変位計測装置の構
成図である。
【0004】第7図において一般的なPSD25は、N
+ 型半導体層27と、高抵抗のN型半導体層28と、抵
抗率が均一なP型半導体層29とが順次に積層されて形
成されている。N型半導体層28およびP型半導体層2
9はフォトダイオードを構成しており、N+ 型半導体層
27にはフォトダイオードに逆バイアスの電圧を印加す
るための共通電極30が設けられている。また、P型半
導体層29の両端部には一対の電極31,32が設けら
れている。
【0005】このPSD25の共通電極30に所定の電
圧を印加し、位置SPのところに光点が入射したとする
と、位置SPの下方のP型半導体層29とN型半導体層
28とのpn接合部には電子−正孔対が生じ、これによ
り光点の入射エネルギーに比例した光電流IO が共通電
極30からP型半導体層29に向って流れる。
【0006】ところで、電極31,32間の距離をcと
し、その間のP型半導体層29の抵抗をRC とし、さら
に光点入射位置SPと電極32との間の距離をxとし、
その間のP型半導体層29の抵抗をRX とすれば、光電
流IO は光点入射位置SPのところで、P型半導体層2
9の抵抗によって分割される。すなわち、電極31への
電流IA および電極32への電流IB は、それぞれ、電
極31と光点入射位置SPとの間のP型半導体層29の
抵抗(RC −RX )、電極32と光点入射位置SPとの
間のP型半導体層29の抵抗RX に反比例するように分
割され、 IA =IO ・〔RX /RC 〕 IB =IO ・〔(RC −RX )/RC 〕…(1) のようになる。
【0007】前述のように、P型半導体層29の抵抗率
は均一に分布しているので、抵抗RX ,RC は距離x,
cにそれぞれ同じ比例定数で比例する。
【0008】従って、(1)式は、 IA =IO ・x/c IB =IO ・〔(c−x)/c〕 …(2) のように表現される。
【0009】(2)式からわかるように、電流IA ・I
B を電極31,32から取り出し、所定の演算回路(図
示せず)において所定のアナログ演算処理を施すこと
で、電極32から光点入射位置SPまでの距離xを求め
ることができる。
【0010】第7図は一次元計測用の半導体位置検出器
(一次元PSD)の構成で図示されているが、同図の紙
面に垂直の方向にも一対の電極を配置することにより、
二次元計測用のPSD(例えば浜松ホトニクス(株)の
S1200等)を実現することができる。
【0011】第8図において、一般的な変位計測装置
は、被測定物9上に光源10を設置し、基準となる支持
台15上に2式の受光レンズ11,13と二次元PSD
12,14を設置した構成になっている。同図におい
て、各座標軸は図示した矢印のごとく、x軸、z軸また
紙面に垂直な方向をy軸に設定する。光源10の発光光
束の一部は受光レンズ11及び13により、二次元PS
D12及び14の受光面上に集光される。
【0012】ここで、受光レンズ11と13の間隔を2
B、受光レンズ11,13と二次元PSD12,14の
間隔をfとし、光源10と受光レンズ11,13の間隔
をLとすると、被測定物9のx軸及びy軸の変位量△x
0 ,△yO に対して、二次元PSD12及び14の受光
面上に集光されたスポット光の変位量△x1 ,△y1
の間には、下記の(3)式及び(4)式の関係が成り立
つ。
【0013】 △x1 =−(f/L)△x0 …(3) △y1 =−(f/L)△y0 …(4) また、z軸方向の変位量△z0 に対して、二次元PSD
12及び14の受光面上に集光されたスポット光の変位
量をそれぞれ△z12,△z14とすると、下記の(5),
(6)式の関係が成り立つ。
【0014】 △z12=B・f{1/(L−△z0 )−1/L} …(5) △z14=−B・f{1/(L−△z0 )−1/L}…(6) 2つの二次元PSDより検出されるスポット光の変位量
△x1 ,△y1 ,△z12,△z14より、逆に被測定物9
の三次元変位量を求めることができる。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】このような変位計測装
置にPSDを用いる利点は、次の通りである。すなわ
ち、受光面上に集光されたスポット光の位置を求めるた
めに、(1)式より信号光電流を抵抗分割して検出して
いるため、CCDカメラと異なりPSDでは、無段階の
位置検出が可能なことである。しかし、実際にはPSD
及び信号光電流の増幅回路で発生する雑音のために、位
置分解能は信号光電流値対増幅回路への入力換算雑音電
流値の比で制限されてしまう。即ち、PSDに入射する
信号光の強度が大きい程、位置分解能を向上できること
になる。
【0016】従来の変位計測装置においては、被測定物
上に設置された光源の発光光束のうち、ごく一部を受光
レンズによりPSDの受光面上に集光しているため、高
分解能を得るためには光源の発光強度を非常に大きくし
なければならない。また、PSDの受光面に集光された
スポット光の変位量は、(3)式及び(4)式に示され
るごとく、“光源と受光レンズ”の間隔Lと“受光レン
ズとPSD”の間隔fの比になるために、間隔Lを長く
とる必要のある計測系においては、受光レンズ系が非常
に大型化してしまい、実用に適さないという問題があっ
た。
【0017】上記の問題に加えて、従来装置では一応、
三次元変位量は計測できるものの、被測定物が各座標軸
上での回転変位を伴う場合、この変位量を計測できない
という問題があった。本発明は、これら問題点を解決す
ることを課題とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】本発明に係る変位計測装
置は、第1の物体と第2の物体の間の相対的な三次元変
位を光学的に計測する変位計測装置において、第1の物
体に取り付けられた二次元光入射位置検出素子と、第2
の物体に所定の間隔で取り付けられ、時分割で点灯駆動
される光源とこの光源からの光を二次元光入射位置検出
素子の受光面にそれぞれ光スポットとして集光する集光
光学系を有する複数の投光手段と、受光面におけるそれ
ぞれの光ビームの入射スポット位置の基準位置からの変
位量を前記光源の点灯タイミングに同期して時分割で交
互に前記変位量を演算する演算手段とを備え、それぞれ
の演算された変位量にもとづき第1,第2物体間の相対
的な三次元変位を計測することを特徴とする。
【0019】
【作用】本発明の構成によれば、集光光学系を有さない
第1の物体と集光光学系を有する第2の物体の間で相対
的な変位があると、投光手段からの投光ビームのスポッ
ト光位置が受光面上で変位する。ここにおいて、本発明
の変位計測装置においては、第2の物体に設置された投
光手段の集光光学系で光源の発光光束のほぼ全部を半導
体位置検出器の受光面上に集光できるため、強力な光源
を必要とせず、高分解能の三次元変位と回転変位を計測
する変位計測装置を実現させることができる。
【0020】
【実施例】図1は本発明の変位計測装置における一実施
例を示す。同図において、基準となる支持台1に2式の
光源3,5と投光レンズ4,6を所定の間隔に設置し、
2つの光源3及び5の発光光束を各投光レンズ4,6に
より、被測定物2の上に設置された二次元PSDの受光
面上に集光させる。光源3及び5を時分割で交互に点灯
駆動させると、各発光光束のほぼ全体を二次元用PSD
の受光面上に集光できることになる。
【0021】ここで、投光レンズ4と6の間隔をBと
し、投光レンズ4,6と二次元PSDの間隔をLとし、
三次元座標系の設定において、同図右側の矢印で示すご
とく、x軸及びz軸を同図平面上に設定し、またy軸を
同図紙面に垂直の方向に設定すると、被測定物2のz軸
方向の変位(点線で描いた二次元PSDの受光面上での
スポット光の変位)は基準距離Lの前後で互いに逆方向
に変位する。
【0022】次に、被測定物2の三次元座標系における
各軸方向の変位と、二次元PSDの受光面上に集光され
たスポット光の変位との関係について説明する。図2で
は、被測定物2上に設置された二次元PSDの受光面上
におけるスポット光の変位の様子が図示されている。実
線で描かれているスポット光SP2 及びSP3 は、被測
定物2を基準位置に置き、図1に示す光源3及び5と投
光レンズ4及び6で受光面上に集光されたときの、それ
ぞれのスポット光を示している。被測定物2がx軸方向
に変位した時、2つのスポット光の変位は図2(a)の
点線で示される。この場合、2つのスポット光はC1
け変位し、被測定物2の変位量△xとスポット光の変位
量C1 との関係は、下記の(7)式になる。
【0023】 △x=−C1 …(7) 同様に、被測定物2のy軸変位(△y)に対するスポッ
ト光の変位(C2 )の様子を図2(b)に示す。この時
も、変位量△yとC2 の間には下記の(8)式が成り立
つ。
【0024】 △y=−C2 …(8) 被測定物2のz軸変位に対して、PSDの受光面上に集
光されたスポット光の変位の様子は、x軸変位及びy軸
変位と異なる。即ち、x軸及びy軸の変位における2つ
のスポット光の変位は、同一方向に同じ値であるが、z
軸変位の場合、図2(c)に示すごとく集光されたスポ
ット光SP2 とSP3 の変位方向は互いに逆方向であ
る。また、被測定物のz軸変位量△zと受光面上の2つ
のスポット光の変位量C3 の間には、下記の(9)式が
成り立つ。
【0025】 △z=C3 L/B …(9) 図1に示す実施例の構成により、強力な光源を必要とせ
ずに、高分解能の三次元変位計測が可能となる。但し、
3軸の回転変位のうち、z軸の回転変位は検出可能であ
るが、x軸及びy軸の正確な回転変位を検出することが
できない。
【0026】図3は高分解能の三次元変位計測と共に、
3軸の回転変位を計測可能にした変位計測装置の構成図
である。同図において、被測定物2の上に剛体からなる
支持台2´を設置し、この上に二次元PSD、半透明鏡
BS及び光源7と投光レンズ8が設置されている。一
方、基準となる剛体の支持台1には、図1と同様に二式
の光源3及び5と投光レンズ4及び6が所定の間隔で設
置されており、これに加えて、反射鏡Mが設置されてい
る。
【0027】光源7の発光光束は投光レンズ8により半
透明鏡BSで反射させられ、支持台1に設置された反射
鏡Mでさらに反射させられ、半透明鏡BSに再び入射す
る。そして、半透明鏡BSを透過した光束が、二次元P
SDの受光面上のほぼ中心に集光されている。
【0028】図4は図3に示す実施例の構成の斜視図で
ある。光源7と投光レンズ8で投光手段S1 を形成し、
この投光ビームは二次元PSDの受光面上のほぼ中心位
置にスポット光SP1 として集光されている。また、光
源3と投光レンズ4で投光手段S2 を、光源5と投光レ
ンズ6で投光手段S3 をそれぞれ形成しており、投光手
段S2 及びS3 はy軸方向に2aの段差をもって設置さ
れており、これらの投光ビームは二次元PSDの受光面
上にスポット光SP2 及びSP3 として集光されてい
る。スポット光SP2 とSP3 のy軸方向における間隔
は、投光手段S2とS3 の段差2aと等しくなるように
設定されている。
【0029】ここで、x軸,y軸,z軸をそれぞれ回転
軸とする回転変位量をθx ,θy ,θz とすると、被測
定物2の三次元移動変位量△x,△y,△z及び回転変
位量θx ,θy ,θz と、二次元PSDの受光面上にお
けるスポット光SP1 ,SP2 ,SP3 の各変位量C1
〜C8 との関係は図5,6に示すごとくなる。
【0030】図5,6はスポット光の変位の説明図であ
る。被測定物の三次元移動変位量△x,△y,△zと受
光面上に集光されたスポット光SP1 ,SP2 ,SP3
の変位量C1 ,C2 ,C3 との関係は、図5(a)〜
(c)に示されており、それぞれの関係式は、前述の
(7)〜(9)式が適用可能である。但し、z軸の移動
変位量△z軸に関しては、回転変位量θz との判別をす
る必要があるため、スポット光SP2 とSP3 の間隔の
変位量C4 に係わる条件として、下記の(10)式が与
えられる。
【0031】 C4 =(4a2 +C3 2 1/2 …(10) (10)式で与えられる条件の意味するところは、次の
通りである。即ち、被測定物2のz軸移動変位量△zに
対して、スポット光SP1 は変位せずに、スポット光S
2 とSP3 がx軸に平行な方向にのみ変位し、しかも
互いに逆の方向に変位することを示唆している。
【0032】図6(a)は、被測定物2におけるx軸を
回転軸とする回転変位量θx と、受光面上に集光された
スポット光SP1 〜SP3 の変位の様子を示す。回転変
位量θxに対してスポット光SP1 のみが敏感に変位
し、この変位量をC5 とすると(11)式の関係が成り
立つ。
【0033】 θx =sin-1{〔(L/2C5 2 +0.5〕1/2 −L/2C5 } …(11) これに対して、スポット光SP2 とSP3 はy軸方向に
平行な方向にわずかに変位するだけであり、スポット光
SP2 とSP3 の間隔をC6 とすると、回転変位量θx
との間には(12)式が成り立つ。
【0034】θx =cos-1{2a/C6 }…(12) 図6(b)はy軸を回転軸とする回転変位量θy と、ス
ポット光SP1 〜SP3の変位の様子を示す。この場
合、スポット光SP2 とSP3 は変位せず、スポット光
SP1 のみがx軸方向に敏感に変位する。この変位量を
7 とすると、回転変位量θy の間には(13)式が成
り立つ。
【0035】 θy =sin-1{〔(L/2C7 2 +0.5〕1/2 −L/2C7 }…(13 ) 但し、スポット光SP2 、SP3 は変位しないことが条
件となる。
【0036】図6(c)はz軸を回転軸とする回転変位
量θz と、スポット光SP1 〜SP3 の変位の様子を示
す。この場合、スポット光SP1 は変位せず、スポット
光SP2 とSP3 がスポット光SP1 を回転中心として
Ψだけ回転する。それ故、被測定物2の回転変位量θz
との間には(14)式が成り立つ。
【0037】θz =−Ψ…(14) ここで、z軸の移動変位量Δzとの判別をする必要があ
り、スポット光SP1 とSP2 の間隔をC8 とすると、
下記(15)式が成り立つ。
【0038】C8 =2a…(15) (15)式の条件を与えることにより、z軸の移動変位
量Δzと判別することができる。
【0039】なお、実施例には示さなかったが、基準と
なる支持台に二式の投光手段を設置できない環境下での
計測が必要になる場合がある。たとえば、物理空間的に
投光手段を設置するスペースがない場合や、高温で光源
に可視光用半導体レーザーを用いることのできない環境
下での測定が必要になる場合である。この様な場合、光
ファイバーを用いて三式の投光手段の位置に信号光を転
送し、また光イメージガイドで二次元PSDの受光面位
置のスポット光の画像を転送することにより、図4に示
す構成と等価な変位計測装置を実現することができる。
【0040】
【発明の効果】以上詳しく述べてきたように、本発明の
変位計測装置によれば、強力な光源を用いることなし
に、高分解能な三次元移動変位量と3軸の回転変位量を
求めることができる。また、基準となる支持台と被測定
物の間隔を長くとる必要がある測定系においても、光源
の発光光束のほぼ全光量を二次元用半導体位置検出器
(PSD)の受光面上に集光することができるため、近
接した測定系と同様の高精度な検出が可能となる利点が
ある。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施例の構成図。
【図2】第1実施例におけるスポット光の変位図。
【図3】第2実施例の構成図。
【図4】第2実施例の斜視図。
【図5】第2実施例におけるスポット光の変位図。
【図6】第2実施例におけるスポット光の変位図。
【図7】半導体位置検出器の構成図。
【図8】従来の構成図。
【符号の説明】
1…支持台、2…被測定物、3,5…光源、4,6…投
光レンズ。

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1の物体と第2の物体の間の相対的な
    三次元変位を光学的に計測する変位計測装置において、 前記第1の物体に取り付けられた二次元光入射位置検出
    素子と、 前記第2の物体に所定の間隔で取り付けられ、時分割で
    点灯駆動される光源とこの光源からの光を前記二次元光
    入射位置検出素子の受光面にそれぞれ光スポットとして
    集光する集光光学系を有する複数の投光手段と、 前記受光面におけるそれぞれの前記光ビームの入射スポ
    ット位置の基準位置からの変位量を前記光源の点灯タイ
    ミングに同期して時分割で交互に前記変位量を演算する
    演算手段とを備え、それぞれの前記演算された変位量に
    もとづき前記第1,第2物体間の相対的な三次元変位を
    計測することを特徴とする変位計測装置。
  2. 【請求項2】 前記受光面の前面の前記第1の物体に取
    り付けられた半透明鏡と、前記半透明鏡に光ビームを投
    射するよう前記第1の物体に取り付けられた別の投光手
    段と、前記半透明鏡を挟んで前記受光面に対向するよう
    前記第2の物体に取り付けられ、前記半透明鏡からの反
    射光束を当該半透明鏡に向けて反射する全反射鏡とを更
    に備え、前記別の投光手段からの光ビームのうち前記半
    透明鏡を透過した前記全反射鏡の反射光束が前記受光面
    の略中心に入射されるようにした請求項1記載の変位計
    測装置。
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