JP2519829B2 - 加熱装置およびそれを用いた実装方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 加熱チップと半導体装置を基板にタッキング（tackin
g,仮ハンダ付け）する方法に関し， 加熱チップの交換頻度を少なくし，かつ高スループッ
ト，高精度，高歩留のタッキング方法を提供することを
目的とし， １）半導体装置の端子に当接して加熱し，該端子を基板
にハンダ付けする加熱チップであって，構成面の少なく
とも１面を基準面とする複数の加熱チップと，該加熱チ
ップの該基準面間の距離を該加熱チップの取り付け基準
に合わせて調節できる該加熱チップの保持具を有するよ
うに個性する。

２）前記加熱チップが半導体装置の４辺の各辺にそれぞ
れ２本ずつ配置されるように構成する。

３）前記加熱チップがセラミックチップであるように構
成する。

４）半導体装置の端子に加熱チップを当接して該加熱チ
ップを加熱し，該端子の予備ハンダを溶かして該半導体
装置を基板にタッキングする際，該加熱チップを構成す
る少なくとも１面を基準面とし，該チップの該基準面間
の距離を該加熱チップの取り付け基準に合わせて調節す
るように構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は加熱チップと半導体装置の実装方法，特に半
導体装置を基板にタッキングする方法に関する。

〔従来の技術〕

LSI等の半導体装置を基板にタッキングする場合,LSI
端子に加熱チップ（熱源）を直接当てて加熱チップを加
熱し，端子の予備ハンダを溶かしてタッキングを行って
いた。

また，従来の加熱チップは銅板の中にヒータを付けた
ものを使用していた。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来例では下記のような問題があった。

チップを高温に加熱するため熱膨張によりチップ形
状の幅が広くなり，実装密度の高い基板ではLSI端子を
複数同時にタッキングできず，単体チップを次々と移動
しなければならず，従ってチップの移動時間が必要とな
りタッキングに時間がかかることになる。

チップ先端の精度の確保が困難で，かつチップに基
準面がないため，タッキング精度の確保が困難で，実装
歩留が悪い。

チップの瞬時加熱ができないため，タッキングに時
間がかかる。

チップの劣化が激しく寿命が短いため，頻繁にチッ
プを交換しなければならない。

本発明は加熱チップの交換頻度を少なくし，かつ高ス
ループット，高精度，高歩留のタッキング方法を提供す
ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記問題点の解決は， １）半導体装置の端子に当接して，該端子を基板にはん
だ付けする加熱装置であって，複数の加熱チップと，該
加熱チップを半導体装置の外形によって決まる寸法に合
わせて固定する保持具とを有し，該加熱チップは通電端
子を有するセラミックヒータからなり，該保持具は該加
熱チップを上下方向に移動可能に保持する直線運動ガイ
ドと，該加熱チップを下方に押圧するばねとを含んで構
成されている装置，あるいは ２）前記１の加熱装置を用いて，半導体装置の端子に前
記加熱チップを当接して該加熱チップを加熱し，該端子
に付着されている予備はんだを溶かして該半導体装置を
基板に仮付けする実装方法により達成される 〔作用〕 本発明は加熱チップにセラミックチップを使用し，形
状を小振りにし，かつ加熱チップを構成する少なくとも
１面を基準面にして加熱チップの位置精度が確保できる
ようにしたものである。

第１図（ａ），（ｂ）は本発明の原理図で加熱チップ
（セラミックチップ）の配置図である。

図において,8本のチップ１がLSIの周囲に配置され，
その先端はLSI端子に当接している。

ここで，加熱チップの厚さ方向に対する基準面をA,加
熱チップの幅方向に対する基準面をＢとしている。

図中,aの寸法精度はチップの基準面Ａとチップの取り
付け時の基準を合わせ，また,bの寸法精度はチップの基
準面Ｂとチップの取り付け時の基準を合わせることによ
り，精度確保を容易にしている。

また，チップにセラミックチップを使用することによ
り瞬時加熱（400℃／秒）が可能となり，タッキング時
間が短縮されるとともに，チップの寿命が大幅に延び
た。

従来の加熱チップの昇温速度は400℃/3〜５秒であ
り，セラミックチップの昇温速度が速い理由は急激に温
度を上げても形状が変形したり，材質が劣化しないため
である。

〔実施例〕

第２図（ａ），（ｂ）は実施例に用いたセラミックチ
ップの２面図である。

図において,1はチップ本体,1A,1Bは通電のための端子
である。

また,A,Bは基準面である。

第３図（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例の構成図で
ある。

図はセラミックチップの取り付け構造を示す。

セラミックチップの保持具は次のように構成される。

セラミックチップ１は取付駒２によりLM（直線運動）
ガイド３のレール部に保持されており，垂直方向に5mm
程度８本のセラミックチップが平行に移動できるように
なっている。

タッキングの精度はチップの温度，加熱時間および加
圧量によって変化するためバネ４によりタッキング時の
加圧量を調整する。

また，加熱時間とチップ温度はチップの昇温データを
基にして調整する。

第４図（ａ），（ｂ）は実施例の高密度実装基板対応
図である。

LSIを高密度実装基板（参照ピッチ28mm）に実装する
場合は，セラミックチップ１の幅方向の寸法を小さく
し，先端に幅方向の逃げを設けることにより対応でき
る。

タッキング後の実装の本番は次のように行う。

２個のチップ（例えば,MoにAuメッキを施し，先端部
にセラミックを溶射して被覆したもの）を持つオートボ
ンダ（自動ハンダ付機）によりLSIを基板上にハンタ付
けする。

この際,LSIは仮止めされているので,LSIの外形を基準
にしてLSI端子にチップを付け加熱してハンダ付けした
後，チップを90°回転して同様の操作を行い４方向のハ
ンダ付けを行う。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば，チップ交換頻度
は少なくなり，かつ高スループット，高精度，高歩留の
タッキング方法が得られた。

この結果,LSIの高精度実装が高歩留，高スループット
で行えるようになった。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ），（ｂ）は本発明の原理図で加熱チップ
（セラミックチップ）の配置図， 第２図（ａ），（ｂ）は実施例に用いたセラミックチッ
プの２面図， 第３図（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例の構成図， 第４図（ａ），（ｂ）は実施例の高密度実装基板対応図
である。 図において， １は加熱チップでセラミックチップ,1A,1Bは端子,A,Bは
基準面,2は取付駒 ３はLMガイド,4はバネ である。

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体装置の端子に当接して，該端子を基
   板にはんだ付けする加熱装置であって， 複数の加熱チップと，該加熱チップを半導体装置の外形
   によって決まる寸法に合わせて固定する保持具とを有
   し， 該加熱チップは通電端子を有するセラミックヒータから
   なり，該保持具は該加熱チップを上下方向に移動可能に
   保持する直線運動ガイドと，該加熱チップを下方に押圧
   するばねとを含んで構成されていることを特徴とする加
   熱装置。
2. 【請求項２】請求項１の加熱装置を用いて，半導体装置
   の端子に前記加熱チップを当接して該加熱チップを加熱
   し，該端子に付着されている予備はんだを溶かして該半
   導体装置を基板に仮付けすることを特徴とする実装方
   法。