JP2517173Y2 - 静電誘導型トランジスタ - Google Patents
静電誘導型トランジスタInfo
- Publication number
- JP2517173Y2 JP2517173Y2 JP1986010257U JP1025786U JP2517173Y2 JP 2517173 Y2 JP2517173 Y2 JP 2517173Y2 JP 1986010257 U JP1986010257 U JP 1986010257U JP 1025786 U JP1025786 U JP 1025786U JP 2517173 Y2 JP2517173 Y2 JP 2517173Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- induction transistor
- static induction
- layer
- gates
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- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は高周波誘導加熱発振器などに用いられる静電
誘導型トランジスタに関する。
誘導型トランジスタに関する。
従来，静電誘導型トランジスタ（以下,SITと称す。）
はゲートの構造によって大きく２つに分類される。第１
の種類としては，ドレイン層とソース層との間にゲート
が埋め込まれた構造の埋め込みゲート構造のSITであ
る。このタイプのSITは高耐圧，大電力化に最も適して
いる。第２の種類としては，ドレイン層の上にゲートと
ソース層とがほぼ同一平面上に形成された表面配線型SI
Tである。表面配線型のSITの中には，更にソース層をわ
ずかに切り込み，溝の底部にゲートを形成して成る切り
込みゲート構造のSITがある。
はゲートの構造によって大きく２つに分類される。第１
の種類としては，ドレイン層とソース層との間にゲート
が埋め込まれた構造の埋め込みゲート構造のSITであ
る。このタイプのSITは高耐圧，大電力化に最も適して
いる。第２の種類としては，ドレイン層の上にゲートと
ソース層とがほぼ同一平面上に形成された表面配線型SI
Tである。表面配線型のSITの中には，更にソース層をわ
ずかに切り込み，溝の底部にゲートを形成して成る切り
込みゲート構造のSITがある。
上述のSITのうち特に，埋込みゲート型のSITを第２図
に示す。この図ではゲートの平面形状を示すためソース
層を除いて示している。図中,4はゲート電極であり,9,
9′はゲート電極４上に形成された金属薄膜で，給電点
である。ゲート10は，この給電点9,9′を設けたゲート
電極4,4間に縦縞状に形成されている。
に示す。この図ではゲートの平面形状を示すためソース
層を除いて示している。図中,4はゲート電極であり,9,
9′はゲート電極４上に形成された金属薄膜で，給電点
である。ゲート10は，この給電点9,9′を設けたゲート
電極4,4間に縦縞状に形成されている。
しかし，従来のゲートの形状のSITでは，給電点9,9′
に印加された電圧が特に1MHzを越える高周波領域になる
とゲート抵抗γgが無視出来ない為，給電点9,9′間の中
間部で低下してしまう。その為,SITの中央部分のチャネ
ルが入力信号に応答出来なくなり，部分的にチャネルの
開いている所と，閉じている所が出来て,SIT素子として
正常に動作出来なくなる。
に印加された電圧が特に1MHzを越える高周波領域になる
とゲート抵抗γgが無視出来ない為，給電点9,9′間の中
間部で低下してしまう。その為,SITの中央部分のチャネ
ルが入力信号に応答出来なくなり，部分的にチャネルの
開いている所と，閉じている所が出来て,SIT素子として
正常に動作出来なくなる。
それ故，本考案の目的は周波数特性の改善されたSIT
を提供することにある。
を提供することにある。
本考案による静電誘導型トランジスタは，埋め込みゲ
ート層を，縦縞状ゲートと横縞状ゲートとによる格子状
ゲート部から成るように形成し，格子状ゲート部はチャ
ネル幅一定のままで２つの給電点間の中間部に近いもの
ほどゲート幅が広くなるように形成したことを特徴とす
る。
ート層を，縦縞状ゲートと横縞状ゲートとによる格子状
ゲート部から成るように形成し，格子状ゲート部はチャ
ネル幅一定のままで２つの給電点間の中間部に近いもの
ほどゲート幅が広くなるように形成したことを特徴とす
る。
このような構造により，ゲート抵抗γgの低下を図る
ことができる。
ことができる。
以下に本考案の一実施例を説明する。
第１図（ａ）は本考案による静電誘導型トランジスタ
を示し，特に本考案をわかり易くするために埋込みゲー
ト部分を露出させて示している。埋め込みゲート部12の
両端に形成されているゲート電極4,4上にそれぞれアル
ミニウム等の金属薄膜による給電点8,8′が形成されて
いる。埋め込みゲート部12は，縦縞状ゲート121と横縞
状ゲート122とによる複数の格子状ゲート部1,2,3から成
るように形成されている。なお，横縞状ゲート122は，
隣接する格子状ゲート部で共用される。更に，格子状ゲ
ート部1,2,3は，給電点8,8間の中間部に近いものほど縦
縞状ゲート121のゲート幅が広くなるように形成されて
いる。しかも，いずれの格子状ゲート部においても縦縞
ゲート121,121の間隔で規定されるチャネル幅は等しく
なるようにされている。これは，言うまでもなく，給電
点8,8′間の中間部分に近いものほど格子状ゲート部に
おける縦縞状ゲート121の本数を少なくすることで実現
される。
を示し，特に本考案をわかり易くするために埋込みゲー
ト部分を露出させて示している。埋め込みゲート部12の
両端に形成されているゲート電極4,4上にそれぞれアル
ミニウム等の金属薄膜による給電点8,8′が形成されて
いる。埋め込みゲート部12は，縦縞状ゲート121と横縞
状ゲート122とによる複数の格子状ゲート部1,2,3から成
るように形成されている。なお，横縞状ゲート122は，
隣接する格子状ゲート部で共用される。更に，格子状ゲ
ート部1,2,3は，給電点8,8間の中間部に近いものほど縦
縞状ゲート121のゲート幅が広くなるように形成されて
いる。しかも，いずれの格子状ゲート部においても縦縞
ゲート121,121の間隔で規定されるチャネル幅は等しく
なるようにされている。これは，言うまでもなく，給電
点8,8′間の中間部分に近いものほど格子状ゲート部に
おける縦縞状ゲート121の本数を少なくすることで実現
される。
第１図（ｂ），（ｃ），（ｄ）はそれぞれ，第１図
（ａ）のＡ−Ａ′線,B−Ｂ′線,C−Ｃ′線による縦断面
図，第１図（ｅ）は第１図（ａ）のＤ−Ｄ′線による縦
断面図であり，いずれもソース層をも含めて示してい
る。ドレインＮ-層５とソースＮ層６との間に上述した
ゲートＰ+層12が埋め込まれている。なお，ドレインＮ-
層５の下部には，ドレインオーミックＮ+層や電極が形
成され、ソースＮ層６上にも電極が形成されるが，図示
は省略している。
（ａ）のＡ−Ａ′線,B−Ｂ′線,C−Ｃ′線による縦断面
図，第１図（ｅ）は第１図（ａ）のＤ−Ｄ′線による縦
断面図であり，いずれもソース層をも含めて示してい
る。ドレインＮ-層５とソースＮ層６との間に上述した
ゲートＰ+層12が埋め込まれている。なお，ドレインＮ-
層５の下部には，ドレインオーミックＮ+層や電極が形
成され、ソースＮ層６上にも電極が形成されるが，図示
は省略している。
ここでは，給電点8,8′に最も近い第１の格子状ゲー
ト部１のゲート幅はＷG1，次いで第２の格子状ゲート部
２のゲート幅はＷG2，更に最も遠い第３の格子状ゲート
部３のゲート幅はＷG3であり，各々の大きさの関係はＷ
G1＜ＷG2＜ＷG3である。一方，チャネル幅Ｗchは第1,第
2,第３の格子状ゲートのいずれにおいても等しい。
ト部１のゲート幅はＷG1，次いで第２の格子状ゲート部
２のゲート幅はＷG2，更に最も遠い第３の格子状ゲート
部３のゲート幅はＷG3であり，各々の大きさの関係はＷ
G1＜ＷG2＜ＷG3である。一方，チャネル幅Ｗchは第1,第
2,第３の格子状ゲートのいずれにおいても等しい。
上述した構造によれば，給電点8,8′から遠ざかる
程，埋め込みゲートの幅が大きくなっているので，ゲー
ト抵抗γgは小さくなる。従って，素子のゲート部の中
央部分のチャネルもゲート入力信号に十分応答出来るこ
ととなり，結果的に周波数特性の優れたSITを得ること
が出来る。
程，埋め込みゲートの幅が大きくなっているので，ゲー
ト抵抗γgは小さくなる。従って，素子のゲート部の中
央部分のチャネルもゲート入力信号に十分応答出来るこ
ととなり，結果的に周波数特性の優れたSITを得ること
が出来る。
一例として，ドレインＮ-層５の不純物濃度:6×1013c
m-3，ゲートの不純物濃度:6×1013cm-3，各埋め込みゲ
ートのゲート幅は,WG1＝10μm,WG2＝15μm,WG3＝20μm,
チャネル幅はＷch＝7.0μｍ共通であり，ソース層６の
不純物濃度:1×1015cm-3である。このような素子と従来
（第２図）のゲートパターン素子とを比較した結果，電
圧増幅率の周波数特性は,3デシベル減衰周波数で，本考
案素子で4MHz,従来素子で0.8〜1.0MHzであった。
m-3，ゲートの不純物濃度:6×1013cm-3，各埋め込みゲ
ートのゲート幅は,WG1＝10μm,WG2＝15μm,WG3＝20μm,
チャネル幅はＷch＝7.0μｍ共通であり，ソース層６の
不純物濃度:1×1015cm-3である。このような素子と従来
（第２図）のゲートパターン素子とを比較した結果，電
圧増幅率の周波数特性は,3デシベル減衰周波数で，本考
案素子で4MHz,従来素子で0.8〜1.0MHzであった。
本考案によれば，素子の面積を変えずに周波数特性の
改善されたSIT素子を提供することができる。
改善されたSIT素子を提供することができる。
第１図（ａ）は本考案の静電誘導型トランジスタのゲー
ト部の平面図，第１図（ｂ），（ｃ），（ｄ），は各々
第１図（ａ）のＡ−Ａ′線,B−Ｂ′線,C−Ｃ′線による
縦断面をソース層をも含めて示した図，第１図（ｅ）は
第１図（ａ）のＤ−Ｄ′線による縦断面をソース層をも
含めて示した図，第２図は，従来の静電誘導型トランジ
スタのゲート部の平面図を示す。 ４……ゲート電極,5……ドレインＮ-層,6……ソース層,
8,8′,9,9′……給電点,12……埋め込みゲート部。
ト部の平面図，第１図（ｂ），（ｃ），（ｄ），は各々
第１図（ａ）のＡ−Ａ′線,B−Ｂ′線,C−Ｃ′線による
縦断面をソース層をも含めて示した図，第１図（ｅ）は
第１図（ａ）のＤ−Ｄ′線による縦断面をソース層をも
含めて示した図，第２図は，従来の静電誘導型トランジ
スタのゲート部の平面図を示す。 ４……ゲート電極,5……ドレインＮ-層,6……ソース層,
8,8′,9,9′……給電点,12……埋め込みゲート部。
Claims (1)
- 【請求項１】埋め込みゲート層の両端にそれぞれ，金属
膜による給電部を形成した埋め込みゲート型の静電誘導
型トランジスタにおいて，前記埋め込みゲート層を，縦
縞状ゲートと横縞状ゲートとによる複数の格子状ゲート
部から成るように形成し，しかもこれら複数の格子状ゲ
ート部はチャネル幅一定のままで前記２つの給電部間の
中間部に近いものほどゲート幅が広くなるように形成し
たことを特徴とする静電誘導型トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986010257U JP2517173Y2 (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 静電誘導型トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986010257U JP2517173Y2 (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 静電誘導型トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62124863U JPS62124863U (ja) | 1987-08-08 |
| JP2517173Y2 true JP2517173Y2 (ja) | 1996-11-13 |
Family
ID=30796384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986010257U Expired - Lifetime JP2517173Y2 (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 静電誘導型トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2517173Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0534116Y2 (ja) * | 1986-06-09 | 1993-08-30 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4996878U (ja) * | 1972-12-15 | 1974-08-21 | ||
| JPS531152B2 (ja) * | 1973-07-11 | 1978-01-14 |
-
1986
- 1986-01-29 JP JP1986010257U patent/JP2517173Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62124863U (ja) | 1987-08-08 |
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