JP2508669Y2 - Ｆｍ検波用位相推移回路およびｆｍ検波回路用圧電共振部品 - Google Patents
Ｆｍ検波用位相推移回路およびｆｍ検波回路用圧電共振部品Info
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- JP2508669Y2 JP2508669Y2 JP1989008421U JP842189U JP2508669Y2 JP 2508669 Y2 JP2508669 Y2 JP 2508669Y2 JP 1989008421 U JP1989008421 U JP 1989008421U JP 842189 U JP842189 U JP 842189U JP 2508669 Y2 JP2508669 Y2 JP 2508669Y2
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Description
【考案の詳細な説明】 （ａ）産業上の利用分野 この考案は、所謂クオードレイチャFM検波回路の主要
部である位相推移回路および位相推移回路を構成する圧
電共振部品に関する。
部である位相推移回路および位相推移回路を構成する圧
電共振部品に関する。
（ｂ）従来の技術 従来、所謂クオードレイチャ型のFM検波回路がテレビ
の音声検波回路や普及型FMラジオなどに採用されてい
る。クオードレイチャ型のFM検波回路は、FM信号である
音声中間周波信号を増幅して一定振幅の信号を得るリミ
ッタ回路、リミッタ回路の出力信号をFM搬送周波数にお
いて90度推移させる位相推移回路、前記リミッタ回路の
出力信号と位相推移回路の出力信号との積を求める掛算
回路、および掛算回路の出力信号の低域のみ濾波するロ
ーパスフィルタなどから構成される。
の音声検波回路や普及型FMラジオなどに採用されてい
る。クオードレイチャ型のFM検波回路は、FM信号である
音声中間周波信号を増幅して一定振幅の信号を得るリミ
ッタ回路、リミッタ回路の出力信号をFM搬送周波数にお
いて90度推移させる位相推移回路、前記リミッタ回路の
出力信号と位相推移回路の出力信号との積を求める掛算
回路、および掛算回路の出力信号の低域のみ濾波するロ
ーパスフィルタなどから構成される。
第９図と第10図は従来のクオードレイチャ型FM検波回
路の例を示している。両図において１はFM検波用のICで
あり、このIC1に対して圧電共振素子Ｘ、インダクタン
ス素子Ｌおよびダンピング抵抗R1を外部に接続してい
る。IC1内にはキャパシタンス素子として作用する回路
が構成されていて、そのキャパシタンス素子と前述の圧
電共振素子X,インダクタンス素子L,抵抗R1によって位相
推移回路を構成している。
路の例を示している。両図において１はFM検波用のICで
あり、このIC1に対して圧電共振素子Ｘ、インダクタン
ス素子Ｌおよびダンピング抵抗R1を外部に接続してい
る。IC1内にはキャパシタンス素子として作用する回路
が構成されていて、そのキャパシタンス素子と前述の圧
電共振素子X,インダクタンス素子L,抵抗R1によって位相
推移回路を構成している。
（ｃ）考案が解決しようとする課題 上述の位相推移回路は、圧電共振素子の周波数対位相
特性を利用するものであり、圧電共振素子の周波数対位
相特性が特定の帯域でのみ直線関係となるようにダンピ
ング抵抗R1およびインダクタンス素子Ｌの値を定めてい
る。
特性を利用するものであり、圧電共振素子の周波数対位
相特性が特定の帯域でのみ直線関係となるようにダンピ
ング抵抗R1およびインダクタンス素子Ｌの値を定めてい
る。
ところが、圧電共振素子自体はＱが高く復調出力にリ
ップルが生じる場合があった。第11図は従来の位相推移
回路を用いたFM検波回路の周波数特性を示している。図
示のようにFM搬送周波数（6.0MHz）付近で復調出力にリ
ップルが生じ、これともに歪率も大きくなっている。
ップルが生じる場合があった。第11図は従来の位相推移
回路を用いたFM検波回路の周波数特性を示している。図
示のようにFM搬送周波数（6.0MHz）付近で復調出力にリ
ップルが生じ、これともに歪率も大きくなっている。
また、従来のクオードレイチャFM検波用位相推移回路
においては、第９図および第10図に示したように、圧電
共振素子X,インダクタンス素子L,抵抗R1としてそれぞれ
個別部品を用いているため部品点数が多く、回路基板上
の実装面積も大きくなるため、小型軽量化を阻む要因の
１つとなっていた。
においては、第９図および第10図に示したように、圧電
共振素子X,インダクタンス素子L,抵抗R1としてそれぞれ
個別部品を用いているため部品点数が多く、回路基板上
の実装面積も大きくなるため、小型軽量化を阻む要因の
１つとなっていた。
この考案の目的は圧電共振素子のＱを等価的に低下さ
せて、復調出力のリップルを抑制できるようにしたFM検
波用位相推移回路を提供することにある。
せて、復調出力のリップルを抑制できるようにしたFM検
波用位相推移回路を提供することにある。
また、この考案の他の目的はクオードレイチャFM検波
回路用位相推移回路の部品点数を実質的に低減すること
のできるFM検波回路用圧電共振部品を提供することにあ
る。
回路用位相推移回路の部品点数を実質的に低減すること
のできるFM検波回路用圧電共振部品を提供することにあ
る。
（ｄ）課題を解決するための手段 この考案の請求項１に係るFM検波用位相推移回路は、
クォードレイチャ型FM検波用ICの端子に外付けされ、該
ICに入力されるFM信号の周波数に応じて位相推移量を変
化させるFM検波用位相推移回路において、 単一の圧電共振子Ｘとの直列回路を構成してその合成
インピーダンス特性を変化させて位相推移特性を補正す
るインダクタンス素子Ｌと、前記直列回路のＱを低下さ
せるＱ低下用抵抗R2とを、前記圧電共振子Ｘにそれぞれ
直列に接続し、前記圧電共振子Ｘの反共振のダンピング
用抵抗R1を前記圧電共振子Ｘに対して並列に接続して２
端子網回路を構成してなる。
クォードレイチャ型FM検波用ICの端子に外付けされ、該
ICに入力されるFM信号の周波数に応じて位相推移量を変
化させるFM検波用位相推移回路において、 単一の圧電共振子Ｘとの直列回路を構成してその合成
インピーダンス特性を変化させて位相推移特性を補正す
るインダクタンス素子Ｌと、前記直列回路のＱを低下さ
せるＱ低下用抵抗R2とを、前記圧電共振子Ｘにそれぞれ
直列に接続し、前記圧電共振子Ｘの反共振のダンピング
用抵抗R1を前記圧電共振子Ｘに対して並列に接続して２
端子網回路を構成してなる。
請求項２に係るFM検波回路用圧電共振部品は、クォー
ドレイチャ型FM検波用ICの端子に外付けされ、単一の圧
電共振子Ｘとの直列回路を構成してその合成インピーダ
ンス特性を変化させて位相推移特性を補正するインダク
タンス素子Ｌと、前記直列回路のＱを低下させるＱ低下
用抵抗R2とを、前記圧電共振子Ｘにそれぞれ直列に接続
し、前記圧電共振子Ｘの反共振のダンピング用抵抗R1を
前記圧電共振子Ｘに対して並列に接続してなるFM検波用
位相推移回路における、前記圧電共振子Ｘと前記ダンピ
ング用抵抗R1およびＱ低下用抵抗R2とを構成する圧電共
振部品であって、 圧電基板の第１主面と第２主面のそれぞれの中央部に
振動電極を形成し、前記圧電基板の第１主面と第２主面
に前記振動電極から連続する第１・第２の端子電極をそ
れぞれ形成し、前記圧電基板の第１主面に第３の端子電
極、第２主面に第４の端子電極をそれぞれ形成し、第１
の端子電極と第３の端子電極間に前記ダンピング用抵抗
R1を設け、第２の端子電極と第４の端子電極間に前記Ｑ
低下用抵抗R2を設け、第1,第３および第４の端子電極に
それぞれリード電極を取り付けてなる。
ドレイチャ型FM検波用ICの端子に外付けされ、単一の圧
電共振子Ｘとの直列回路を構成してその合成インピーダ
ンス特性を変化させて位相推移特性を補正するインダク
タンス素子Ｌと、前記直列回路のＱを低下させるＱ低下
用抵抗R2とを、前記圧電共振子Ｘにそれぞれ直列に接続
し、前記圧電共振子Ｘの反共振のダンピング用抵抗R1を
前記圧電共振子Ｘに対して並列に接続してなるFM検波用
位相推移回路における、前記圧電共振子Ｘと前記ダンピ
ング用抵抗R1およびＱ低下用抵抗R2とを構成する圧電共
振部品であって、 圧電基板の第１主面と第２主面のそれぞれの中央部に
振動電極を形成し、前記圧電基板の第１主面と第２主面
に前記振動電極から連続する第１・第２の端子電極をそ
れぞれ形成し、前記圧電基板の第１主面に第３の端子電
極、第２主面に第４の端子電極をそれぞれ形成し、第１
の端子電極と第３の端子電極間に前記ダンピング用抵抗
R1を設け、第２の端子電極と第４の端子電極間に前記Ｑ
低下用抵抗R2を設け、第1,第３および第４の端子電極に
それぞれリード電極を取り付けてなる。
（ｅ）作用 この考案の請求項１に係るFM検波用位相推移回路で
は、圧電共振子Ｘに対して並列に接続されている抵抗R1
が圧電共振子の反共振をダンピングするため、圧電共振
子の反共振点でのインピーダンス変化が緩やかとなって
使用周波数帯域において位相特性の直線性が高まり、ま
たスプリアスが抑制される。一方、圧電共振子Ｘに対し
直列に接続されているインダクタンス素子Ｌは圧電共振
子Ｘと直列回路を構成して、その合成インピーダンス特
性を変化させ、直列回路の共振周波数を圧電共振子Ｘの
共振周波数より低域へ移動させて、位相推移特性を補正
する。抵抗R2はインダクタンス素子Ｌと圧電素子Ｘの直
列回路に対してさらに直列接続されているため、その直
列回路のＱが低下する。これにより、位相推移回路全体
のＱが適度に低下するとともに、圧電共振子のスプリア
スが抑制される。これにより、例えば３倍波等の高調波
成分によるレスポンスが抑制され、復調出力のリップル
および歪率が減少する。
は、圧電共振子Ｘに対して並列に接続されている抵抗R1
が圧電共振子の反共振をダンピングするため、圧電共振
子の反共振点でのインピーダンス変化が緩やかとなって
使用周波数帯域において位相特性の直線性が高まり、ま
たスプリアスが抑制される。一方、圧電共振子Ｘに対し
直列に接続されているインダクタンス素子Ｌは圧電共振
子Ｘと直列回路を構成して、その合成インピーダンス特
性を変化させ、直列回路の共振周波数を圧電共振子Ｘの
共振周波数より低域へ移動させて、位相推移特性を補正
する。抵抗R2はインダクタンス素子Ｌと圧電素子Ｘの直
列回路に対してさらに直列接続されているため、その直
列回路のＱが低下する。これにより、位相推移回路全体
のＱが適度に低下するとともに、圧電共振子のスプリア
スが抑制される。これにより、例えば３倍波等の高調波
成分によるレスポンスが抑制され、復調出力のリップル
および歪率が減少する。
請求項２に係るFM検波回路用圧電共振部品は、圧電基
板の第１主面と第２主面のそれぞれの中央部に振動電極
が形成され、前記圧電基板の第１主面と第２主面に前記
振動電極から連続する第１・第２の端子電極がそれぞれ
形成され、前記圧電基板の第１主面に第３の端子電極、
第２主面に第４の端子電極がそれぞれ形成され、第１の
端子電極と第３の端子電極間に前記ダンピング用抵抗R1
が設けられ、第２の端子電極と第４の端子電極間に前記
Ｑ低下用抵抗R2が設けられ、第1,第３および第４の端子
電極にそれぞれリード電極を取り付けられている。この
ため、この第３端子構造のFM検波回路用圧電共振部品と
ともにインダクタンス素子をクォードレイチャ型FM検波
用ICの端子に外付けすることによって請求項１に記載し
たFM検波用位相推移回路を備えたFM検波回路が容易に構
成され、必要部品点数が削減される。
板の第１主面と第２主面のそれぞれの中央部に振動電極
が形成され、前記圧電基板の第１主面と第２主面に前記
振動電極から連続する第１・第２の端子電極がそれぞれ
形成され、前記圧電基板の第１主面に第３の端子電極、
第２主面に第４の端子電極がそれぞれ形成され、第１の
端子電極と第３の端子電極間に前記ダンピング用抵抗R1
が設けられ、第２の端子電極と第４の端子電極間に前記
Ｑ低下用抵抗R2が設けられ、第1,第３および第４の端子
電極にそれぞれリード電極を取り付けられている。この
ため、この第３端子構造のFM検波回路用圧電共振部品と
ともにインダクタンス素子をクォードレイチャ型FM検波
用ICの端子に外付けすることによって請求項１に記載し
たFM検波用位相推移回路を備えたFM検波回路が容易に構
成され、必要部品点数が削減される。
（ｆ）実施例 第１図〜第３図はこの考案の実施例であるFM検波用位
相推移回路を示している。
相推移回路を示している。
これらの図において１はクオードレイチャ型FM検波用
ICであり、次に述べる回路素子を接続している。Ｘは圧
電共振素子であり、圧電共振素子Ｘに対して、直列にイ
ンダクタンス素子Ｌを接続し、並列に第１の抵抗素子R1
を接続している。またインダクタンス素子Ｌに直列に第
２の抵抗素子R2を接続している。
ICであり、次に述べる回路素子を接続している。Ｘは圧
電共振素子であり、圧電共振素子Ｘに対して、直列にイ
ンダクタンス素子Ｌを接続し、並列に第１の抵抗素子R1
を接続している。またインダクタンス素子Ｌに直列に第
２の抵抗素子R2を接続している。
このように回路を構成したことにより、第１の抵抗素
子R1は圧電共振素子Ｘのダンピング抵抗として作用し、
インダクタンス素子Ｌは位相特性を補正する伸張コイル
として作用する。さらに第２の抵抗素子R2はインダクタ
ンス素子ＬのＱを等価的に低下させ、この位相推移回路
全体のＱを低下させる。
子R1は圧電共振素子Ｘのダンピング抵抗として作用し、
インダクタンス素子Ｌは位相特性を補正する伸張コイル
として作用する。さらに第２の抵抗素子R2はインダクタ
ンス素子ＬのＱを等価的に低下させ、この位相推移回路
全体のＱを低下させる。
この考案のFM検波用位相推移回路を用いたFM検波回路
の周波数特性を第４図に示す。図示のとおりFM搬送周波
数（6.0MHz）付近での復調出力にリップルが発生せず歪
率も低減されている。
の周波数特性を第４図に示す。図示のとおりFM搬送周波
数（6.0MHz）付近での復調出力にリップルが発生せず歪
率も低減されている。
また、位相推移回路の周波数対インピーダンス特性お
よび周波数対位相特性の例を従来の他の位相推移回路と
比較した例を第５図に示す。同図においてA1およびA2は
この考案に係る位相推移回路のインピーダンス特性およ
び位相特性、B1およびB2は従来の位相推移回路のインピ
ーダンス特性および位相特性をそれぞれ示している。こ
のようにインピーダンス曲線および位相曲線がなだらか
となるため、復調出力レベルが低下するが復調出力のリ
ップルおよび歪率が減少する。
よび周波数対位相特性の例を従来の他の位相推移回路と
比較した例を第５図に示す。同図においてA1およびA2は
この考案に係る位相推移回路のインピーダンス特性およ
び位相特性、B1およびB2は従来の位相推移回路のインピ
ーダンス特性および位相特性をそれぞれ示している。こ
のようにインピーダンス曲線および位相曲線がなだらか
となるため、復調出力レベルが低下するが復調出力のリ
ップルおよび歪率が減少する。
この考案の実施例であるFM検波回路用圧電共振部品の
構成を第６図および第７図に示す。第６図（Ａ）および
（Ｂ）は圧電共振素子の第１主面および第２主面の電極
パターンを示している。図中２は圧電基板であり、その
第１主面の略中央部に振動電極３、一方の端部に振動電
極３と連続した端子電極４が形成されている。さらに第
１主面の下部には２つの端子電極5,6が形成されてい
る。圧電基板２の第２主面には同図（Ｂ）に示すように
その略中央部で前記振動電極３に対向する位置に振動電
極７が形成され、一方（端子電極４に対向しない側）の
端部に端子電極８が形成されている。
構成を第６図および第７図に示す。第６図（Ａ）および
（Ｂ）は圧電共振素子の第１主面および第２主面の電極
パターンを示している。図中２は圧電基板であり、その
第１主面の略中央部に振動電極３、一方の端部に振動電
極３と連続した端子電極４が形成されている。さらに第
１主面の下部には２つの端子電極5,6が形成されてい
る。圧電基板２の第２主面には同図（Ｂ）に示すように
その略中央部で前記振動電極３に対向する位置に振動電
極７が形成され、一方（端子電極４に対向しない側）の
端部に端子電極８が形成されている。
このように電極パターンの形成された圧電基板を用い
て、第７図に示すように、圧電基板２の第１主面に対
し、端子電極5,6間にチップ抵抗R1が半田付けされてい
る。さらに端子電極4,5,6に対してそれぞれリード電極2
1,22,23が半田付けされている。これらのリード電極は
図示のとおり先端部が二股形状であり、リード端子23は
圧電基板２の第２主面に形成されている端子電極８と第
１主面に形成されている端子電極６とを電気的に接続す
る。その後、振動電極3,7付近を除き圧電基板周囲全体
を必要に応じて樹脂モールドすることによって圧電共振
素子と抵抗を一体化した複合部品が構成される。
て、第７図に示すように、圧電基板２の第１主面に対
し、端子電極5,6間にチップ抵抗R1が半田付けされてい
る。さらに端子電極4,5,6に対してそれぞれリード電極2
1,22,23が半田付けされている。これらのリード電極は
図示のとおり先端部が二股形状であり、リード端子23は
圧電基板２の第２主面に形成されている端子電極８と第
１主面に形成されている端子電極６とを電気的に接続す
る。その後、振動電極3,7付近を除き圧電基板周囲全体
を必要に応じて樹脂モールドすることによって圧電共振
素子と抵抗を一体化した複合部品が構成される。
このような複合部品を用いることによって、第１図〜
第３図または第９図もしくは第10図に示した圧電共振素
子Ｘおよび抵抗R1を単一の部品とすることができ、部品
点数の削減および回路基板上の実装面積を縮小すること
ができる。なお、第７図に示したチップ抵抗R1に変えて
Ｑ低下用の抵抗R2を取り付けることもできる。
第３図または第９図もしくは第10図に示した圧電共振素
子Ｘおよび抵抗R1を単一の部品とすることができ、部品
点数の削減および回路基板上の実装面積を縮小すること
ができる。なお、第７図に示したチップ抵抗R1に変えて
Ｑ低下用の抵抗R2を取り付けることもできる。
この考案のFM検波回路用圧電共振部品の他の実施例を
第８図に示す。
第８図に示す。
第８図において、２は圧電基板であり、その第１主面
の略中央部に振動電極３が形成され、一方の端部に端子
電極４、下部に端子電極５がそれぞれ形成されている。
また第２主面にはその略中央部に前記振動電極３と対向
する位置に振動電極７が形成され、圧電基板の他方の端
部に端子電極８、下部に端子電極９がそれぞれ形成され
ている。そして圧電基板２の第１主面には端子電極4,5
間にチップ抵抗R1が半田付けされ、第２主面には端子電
極8,9間にチップ抵抗R2が半田付けされている。さらに
端子電極4,5,9にそれぞれリード電極24,25,26が半田付
けされている。
の略中央部に振動電極３が形成され、一方の端部に端子
電極４、下部に端子電極５がそれぞれ形成されている。
また第２主面にはその略中央部に前記振動電極３と対向
する位置に振動電極７が形成され、圧電基板の他方の端
部に端子電極８、下部に端子電極９がそれぞれ形成され
ている。そして圧電基板２の第１主面には端子電極4,5
間にチップ抵抗R1が半田付けされ、第２主面には端子電
極8,9間にチップ抵抗R2が半田付けされている。さらに
端子電極4,5,9にそれぞれリード電極24,25,26が半田付
けされている。
このように構成したことにより、端子電極4,8間に圧
電共振素子が構成され、この圧電共振素子に対してダン
ピング用抵抗R1およびＱ低下用抵抗R2がそれぞれ接続さ
れた複合部品が構成される。したがってこの複合部品を
用いれば、第１図および第３図において10で示すように
圧電共振素子X,抵抗R1,抵抗R2を単一の部品10で構成す
ることができる。
電共振素子が構成され、この圧電共振素子に対してダン
ピング用抵抗R1およびＱ低下用抵抗R2がそれぞれ接続さ
れた複合部品が構成される。したがってこの複合部品を
用いれば、第１図および第３図において10で示すように
圧電共振素子X,抵抗R1,抵抗R2を単一の部品10で構成す
ることができる。
なお、第８図に示した圧電共振部品の例では、圧電共
振素子の一方の電極４に抵抗R1の一端を接続し、圧電共
振素子の他方の電極８に抵抗R2の一端を接続した例であ
ったが、抵抗R2を抵抗R1の他端（端子電極５）に接続す
るとともに、この抵抗R2の他端および圧電共振素子の他
方の電極８をそれぞれ外部に引き出すためのリード電極
を取り付けることによって、第２図において11で示す回
路を単一の部品として構成することができる。
振素子の一方の電極４に抵抗R1の一端を接続し、圧電共
振素子の他方の電極８に抵抗R2の一端を接続した例であ
ったが、抵抗R2を抵抗R1の他端（端子電極５）に接続す
るとともに、この抵抗R2の他端および圧電共振素子の他
方の電極８をそれぞれ外部に引き出すためのリード電極
を取り付けることによって、第２図において11で示す回
路を単一の部品として構成することができる。
また、FM検波回路用圧電共振部品に関する実施例で
は、圧電基板上にチップ抵抗を取り付ける例を示した
が、これを印刷抵抗により形成することも可能である。
は、圧電基板上にチップ抵抗を取り付ける例を示した
が、これを印刷抵抗により形成することも可能である。
（ｇ）考案の効果 この考案の請求項１に係るFM検波用位相推移回路によ
れば、圧電共振子Ｘに対して並列に接続されている抵抗
R1が圧電共振子の反共振をダンピングするため、圧電共
振子の反共振点でのインピーダンス変化が緩やかとなっ
て使用周波数帯域において位相特性の直線性が高まり、
またスプリアスが抑制される。一方、圧電共振子Ｘに対
し直列に接続されているインダクタンス素子Ｌは圧電共
振子Ｘと直列回路を構成して、その合成インピーダンス
特性を変化させ、直列回路の共振周波数を圧電共振子Ｘ
の共振周波数より低域へ移動させて、位相推移特性を補
正し、抵抗R2はインダクタンス素子Ｌと圧電素子Ｘの直
列回路のＱを低下させる。これにより、位相推移回路全
体のＱが適度に低下するとともに、圧電共振子のスプリ
アスが充分抑制される。これにより、例えば３倍波等の
高周波成分によるレスポンスが抑制され、復調出力のリ
ップルおよび歪率が大幅に減少する。しかも、少ない部
品点数で且つ２端子網回路を構成しているため、クォー
ドレイチャ型FM検波用ICの外付け回路が複雑化すること
もない。
れば、圧電共振子Ｘに対して並列に接続されている抵抗
R1が圧電共振子の反共振をダンピングするため、圧電共
振子の反共振点でのインピーダンス変化が緩やかとなっ
て使用周波数帯域において位相特性の直線性が高まり、
またスプリアスが抑制される。一方、圧電共振子Ｘに対
し直列に接続されているインダクタンス素子Ｌは圧電共
振子Ｘと直列回路を構成して、その合成インピーダンス
特性を変化させ、直列回路の共振周波数を圧電共振子Ｘ
の共振周波数より低域へ移動させて、位相推移特性を補
正し、抵抗R2はインダクタンス素子Ｌと圧電素子Ｘの直
列回路のＱを低下させる。これにより、位相推移回路全
体のＱが適度に低下するとともに、圧電共振子のスプリ
アスが充分抑制される。これにより、例えば３倍波等の
高周波成分によるレスポンスが抑制され、復調出力のリ
ップルおよび歪率が大幅に減少する。しかも、少ない部
品点数で且つ２端子網回路を構成しているため、クォー
ドレイチャ型FM検波用ICの外付け回路が複雑化すること
もない。
請求項２に係るFM検波回路用圧電共振部品によれば、
その３端子構造のFM検波回路用圧電共振部品とともにイ
ンダクタンス素子をクォードレイチャ型FM検波用ICの端
子に外付けすることによって請求項１に記載したFM検波
用位相推移回路を備えたFM検波回路が容易に構成され、
必要部品点数が大幅に削減される。
その３端子構造のFM検波回路用圧電共振部品とともにイ
ンダクタンス素子をクォードレイチャ型FM検波用ICの端
子に外付けすることによって請求項１に記載したFM検波
用位相推移回路を備えたFM検波回路が容易に構成され、
必要部品点数が大幅に削減される。
第１図〜第３図はこの考案の実施例であるFM検波用位相
推移回路を示す図である。第４図は同FM検波用位相推移
回路の周波数特性を示す図である。第５図はこの考案の
FM検波用位相推移回路と従来のFM検波用位相推移回路の
周波数対インピーダンス特性および周波数対位相特性の
例を示す図である。第６図および第７図はこの考案の実
施例であるFM検波回路用圧電共振部品の構成を示す図で
ある。第８図はこの考案の他の実施例に係るFM検波回路
用圧電共振部品の構成を示す図である。また、第９図お
よび第10図は従来のFM検波用位相推移回路の回路図、第
11図はその周波数特性を示す図である。 Ｘ−圧電共振素子、Ｌ−インダクタンス素子（伸張コイ
ル）、R1−第１の抵抗体（ダンピング抵抗）、R2−第２
の抵抗体（Ｑ低下用抵抗）。
推移回路を示す図である。第４図は同FM検波用位相推移
回路の周波数特性を示す図である。第５図はこの考案の
FM検波用位相推移回路と従来のFM検波用位相推移回路の
周波数対インピーダンス特性および周波数対位相特性の
例を示す図である。第６図および第７図はこの考案の実
施例であるFM検波回路用圧電共振部品の構成を示す図で
ある。第８図はこの考案の他の実施例に係るFM検波回路
用圧電共振部品の構成を示す図である。また、第９図お
よび第10図は従来のFM検波用位相推移回路の回路図、第
11図はその周波数特性を示す図である。 Ｘ−圧電共振素子、Ｌ−インダクタンス素子（伸張コイ
ル）、R1−第１の抵抗体（ダンピング抵抗）、R2−第２
の抵抗体（Ｑ低下用抵抗）。
Claims (2)
- 【請求項１】クォードレイチャ型FM検波用ICの端子に外
付けされ、該ICに入力されるFM信号の周波数に応じて位
相推移量を変化させるFM検波用位相推移回路において、 単一の圧電共振子Ｘとの直列回路を構成してその合成イ
ンピーダンス特性を変化させて位相推移特性を補正する
インダクタンス素子Ｌと、前記直列回路のＱを低下させ
るＱ低下用抵抗R2とを、前記圧電共振子Ｘにそれぞれ直
列に接続し、前記圧電共振子Ｘの反共振のダンピング用
抵抗R1を前記圧電共振子Ｘに対して並列に接続して２端
子網回路を構成してなるFM検波用位相推移回路。 - 【請求項２】クォードレイチャ型FM検波用ICの端子に外
付けされ、単一の圧電共振子Ｘとの直列回路を構成して
その合成インピーダンス特性を変化させて位相推移特性
を補正するインダクタンス素子Ｌと、前記直列回路のＱ
を低下させるＱ低下用抵抗R2とを、前記圧電共振子Ｘに
それぞれ直列に接続し、前記圧電共振子Ｘの反共振のダ
ンピング用抵抗R1を前記圧電共振子Ｘに対して並列に接
続してなるFM検波用位相推移回路における、前記圧電共
振子Ｘと前記ダンピング用抵抗R1およびＱ低下用抵抗R2
とを構成する圧電共振部品であって、 圧電基板の第１主面と第２主面のそれぞれの中央部に振
動電極を形成し、前記圧電基板の第１主面と第２主面に
前記振動電極から連続する第１・第２の端子電極をそれ
ぞれ形成し、前記圧電基板の第１主面に第３の端子電
極、第２主面に第４の端子電極をそれぞれ形成し、第１
の端子電極と第３の端子電極間に前記ダンピング用抵抗
R1を設け、第２の端子電極と第４の端子電極間に前記Ｑ
低下用抵抗R2を設け、第1,第３および第４の端子電極に
それぞれリード電極を取り付けてなるFM検波回路用圧電
共振部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989008421U JP2508669Y2 (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | Ｆｍ検波用位相推移回路およびｆｍ検波回路用圧電共振部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989008421U JP2508669Y2 (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | Ｆｍ検波用位相推移回路およびｆｍ検波回路用圧電共振部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02100337U JPH02100337U (ja) | 1990-08-09 |
| JP2508669Y2 true JP2508669Y2 (ja) | 1996-08-28 |
Family
ID=31214283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989008421U Expired - Lifetime JP2508669Y2 (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | Ｆｍ検波用位相推移回路およびｆｍ検波回路用圧電共振部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2508669Y2 (ja) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4049388A (en) * | 1976-07-12 | 1977-09-20 | Arvin Industries, Inc. | Center air manifold for catalytic converter |
| JPS61116424U (ja) * | 1984-12-29 | 1986-07-23 | ||
| JPS61277214A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-08 | Toyo Commun Equip Co Ltd | オ−バ−ト−ン発振用圧電共振子の電極構造 |
| JPS61296802A (ja) * | 1985-06-25 | 1986-12-27 | Murata Mfg Co Ltd | Ｆｍ復調回路 |
| JPS63109605A (ja) * | 1986-10-27 | 1988-05-14 | Murata Mfg Co Ltd | Ｆｍ用セラミツクデイスクリミネ−タ |
| JP2875270B2 (ja) * | 1989-01-25 | 1999-03-31 | 株式会社日立製作所 | Ｆｍ復調回路 |
-
1989
- 1989-01-26 JP JP1989008421U patent/JP2508669Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02100337U (ja) | 1990-08-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |