JP2508508Y2 - シェ―ディング補正用デ―タ変換装置 - Google Patents

シェ―ディング補正用デ―タ変換装置

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JP2508508Y2
JP2508508Y2 JP1989001252U JP125289U JP2508508Y2 JP 2508508 Y2 JP2508508 Y2 JP 2508508Y2 JP 1989001252 U JP1989001252 U JP 1989001252U JP 125289 U JP125289 U JP 125289U JP 2508508 Y2 JP2508508 Y2 JP 2508508Y2
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洋実 北
雅晴 古川
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鈴鹿富士ゼロックス株式会社
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Description

【考案の詳細な説明】 A.考案の目的 (1)産業上の利用分野 本考案はイメージスキャナで読み取った原稿読取デー
タをシェーディング補正する際に使用される暗補正デー
タと明補正データをAD変換するためのシェーディング補
正用データ変換装置に関する。
(2)従来の技術 一般にイメージスキャナは、照明用光源によって照明
された原稿からの反射光を複数の一列に配設された受光
素子を備えたイメージセンサによって検出し、検出した
受光量の多少によって原稿の画像の濃度を読み取ってい
る。ところが、各受光素子およびそれらに前記反射光を
導く撮像光学系等の画像入力装置の特性にバラツキがあ
るため、原稿上の同一濃度の画素からの反射光を受光し
ても受光素子によって受光量の検出値に差が生じる。ま
た、前記照明用光源は普通細長い形状を有して前記一列
に配列された受光素子と平行に配設されているので、光
源の中央部で照明された画素と両端部で照明された画素
とでは照明光量に差が生じ、それらの画素の濃度が同一
でもそれらの画素からの反射光量に差が生じる。さら
に、前記照明用光源は一般に点灯してから時間が経つに
従って温度が上昇しそれに伴い明るさが増してくるの
で、原稿を照明する照明光量は時間とともに変化し、原
稿上の同一濃度の画素からの反射光量は照明用光源を点
灯してから時間が経つにつれて多くなる傾向がある。
前述のように原稿上の画素を照明する照明光量または
複数の各受光素子および前記撮像光学系等の画像入力装
置の特性に起因して原稿上の画素の実際の濃度と検出し
た濃度信号(原稿読取信号)との間には歪みが生じてい
る。この歪みを補正するために従来からシェーディング
補正が行われている。
前記シェーディング補正は、前記歪みを補正するため
のデータ(暗および明補正データ)を各受光素子毎に記
憶しておいて、各受光素子の検出信号を前記補正用デー
タで補正することにより行う。すなわち、シェーディン
グ補正は、原稿を読み取るのに先立って各受光素子につ
いて暗補正データおよび明補正データを求めてこれを記
憶素子に記憶しておく。そして、原稿読取データをシェ
ーディング補正する際には、前記暗補正データおよび明
補正データを読出してこれらの各データおよび前記原稿
読取データを同時または略同時にシェーディング補正演
算回路に入力する。
上述のシェーディング補正に用いられる暗補正データ
と明補正データを得るには、イメージセンサから出力さ
れるアナログ信号である暗出力信号と明出力信号をADコ
ンバータにおいてデジタル信号に変換することによって
行われていた。
(3)考案が解決しようとする課題 ところが、従来の装置においては前記変換を行う際に
ADコンバータに印加される基準電位が明出力信号の最大
値よりやや大きな値に固定されているため、この基準電
位で明出力信号の数分の一のレベルしかない暗出力信号
のAD変換を行おうとすると、分解能が大幅に低下して正
確な変換が不可能になるという問題点を有していた。
本考案は前述の事情に鑑み、明データと暗データのAD
変換を共に高精度で行わせることを課題とする。
B.考案の構成 (1)課題を解決するための手段 前記課題を解決するために、本考案のシェーディング
補正用データ変換装置は、多数の受光素子によってそれ
ぞれ検出された暗出力信号(gdi′)および明出力信号
(gli′)をそれぞれ第2基準電位(VA)が前記暗出力
信号(gdi′)の最少値の絶対値より小さい絶対値を有
する所定値に設定されるとともに第1基準電位(VB)が
第1基準電位発生手段(11,13;14)から供給されるADコ
ンバータ(3)によりAD変換してシェーディング補正用
の暗補正データ(di)および明補正データ(li)を得る
シェーディング補正用データ変換装置において、 前記第1基準電位発生手段(11,13;14)は、前記暗出
力信号(gdi′)を暗補正データ(di)に変換する際に
は暗補正データ書込用の第1基準電位(VB2)を出力す
るとともに明出力信号(gli′)を明補正データ(li)
に変換する際には明補正データ書込用の第1基準電位
(VB1)を出力するように構成され、さらに|VB1|>|VB2
|に設定されたことを特徴とする。
(2)作用 前述の構成を備えた本考案のシェーディング補正用デ
ータ変換装置は、暗出力信号(gdi′)を暗補正データ
(di)に変換する際のADコンバータ(3)の第1基準電
位VBは暗出力信号(gdi′)のレベルに対応した低電位
(VB2)とし、明出力信号(gli′)を明補正データ(l
i)に変換する際のADコンバータ(3)の第1基準電位
(VB)は明出力信号のレベルに対応した高電位(VB1)
とすることができる。
したがって、ADコンバータ(3)は簡単な構成でその
全レンジを有効に使用することができ、暗補正データと
明補正データを得るためのAD変換が高精度で行われる。
前記|VB2|/|VB1|=αとすれば、明補正データ(li)
に対する暗補正データ(di)の増幅率は、1/α倍となっ
ている。ところが、実際の原稿読取り時にシェーディン
グ補正を行う際には、暗補正データ(di)および明補正
データ(li)は、同一の増幅率の値を使用する必要が有
る。前記暗補正データ(di)をα倍した値(αdi)は、
前記明補正データ(li)と同一増幅率の値となる。そこ
で本考案の場合、実際の原稿読み取り時にシェーディン
グ補正を行う際には、前記ADコンバータ(3)の第1基
準電位(VB)として明補正データ書込用の第1基準電位
(VB1)を使用し、さらに前記値(li)および(αdi)
のアナログ値またはデジタル値を用いることにより同一
増幅率の暗補正データおよび明補正データを使用して高
精度のシェーディング補正を簡単に行うことが可能とな
る。
したがって、本考案のシェーディング補正用データ変
換装置を使用することにより、暗および明補正データを
用いた極めて精度の高いシェーディング補正を簡単に行
うことが可能となる。
(3)実施例 以下、図面にもとずいて本考案のシェーディング補正
用データ変換装置の一実施例について説明する。
第1A図において、シリアル型イメージスキャナImは、
主走査方向Xに沿設されたプラテンPの表面に沿って配
置された原稿Aを読取走査するためにキャリッジBを主
走査方向Xに沿って往復駆動するキャリッジ駆動装置D1
を備えており、また、前記キャリッジBが原稿Aの一走
査ラインに沿って移動走査される度に原稿Aを副走査方
向Yに所定ピッチで紙送りする用紙駆動装置D2を備えい
ている。前記キャリッジ駆動装置D1および用紙駆動装置
D2は従来公知の駆動制御装置(図示せず)によって制御
されるように構成されている。
前記原稿Aの読取走査される部分の面と略同一平面上
には表面が一様な白色の補正板Fが配置されている。
前記キャリッジBには、前記原稿Aまたは補正板Fを
照明するための照明用光源Lと、この照明用光源Lによ
り照明された前記原稿Aまたは補正板Fからの反射光を
所定方向に導く撮像光学系Kと、この撮像光学系Kによ
って導かれた前記補正板Fおよび原稿Aからの反射光を
検出するイメージセンサGとが支持されている。
前記イメージセンサGは、前記撮像光学系Kによって
導かれた前記補正板Fおよび原稿Aからの反射光を受光
する多数の受光素子(図示せず)を備えており、それら
の受光素子によって前記照明用光源Lの消灯時または点
灯時の補正板反射光量kdiまたはkliおよび原稿反射光量
kaiを検出している。
そして、前記イメージセンサGおよびバッファアンプ
1は、前記照明用光源L消灯時の前記補正板反射光量k
diを光電変換した暗出力gdi、照明用光源L点灯時の前
記補正板反射光量kliを光電変換した明出力gliまたは照
明用光源L点灯時の前記原稿反射光量kaiを光電変換し
た原稿読取出力gaiを出力している。
第2A図は、前記イメージセンサGの各受光素子s,s,…
を横軸にとり、各受光素子s,s,…で検出した前記出力信
号gdi,gli,gaiを縦軸にとった図である。
一般に、イメージセンサGの受光素子はマイナスの電
源(たとえば−5ボルトの電源)に接続されているた
め、第2A図における前記明出力gliおよび原稿反射光量g
aiはマイナスの値の信号として検出されている。そし
て、前記暗出力gdiも極めて小さいマイナス出力または
ゼロ出力となるはずであるが、前記イメージセンサGを
構成する受光素子駆動用ICの回路にプラスの電源(たと
えば+5ボルトの電源)が使用されているため、現実に
は前記暗出力gdiは小さなプラス信号となることが多
い。
すなわち、第2A図で示すように、各受光素子s,s,…の
暗出力gdi、明出力gliおよび原稿読取出力gaiは、実線
を示した0ボルトを基準にして暗出力gdiはプラス側、
明出力gliおよび原稿読取出力gaiはマイナス側の出力と
なる場合がある。
それらの出力信号gdi,gliまたはgaiは第1A図に示す
ように抵抗R1を通してオペアンプ2の反転入力端子に入
力されている。オペアンプ2の反転入力端子はフィード
バック抵抗Rfを介してその出力端子に接続されるととも
にバイアス抵抗R2を介してバイアス電源Eに接続されて
いる。前記オペアンプ2、抵抗R1,Rfから増幅率−mの
演算回路Cが構成されている。
ところで、前記オペアンプ2の出力信号gdi′,gli
またはgai′はAD変換(アナログーデジタル変換)する
ため、ADコンバータ(アナログーデジタルコンバータ)
3に全て同符号(全てプラスかまたは全てマイナス)の
信号として入力する必要がある。
そこで、前記バイアス抵抗R2およびバイアス電源Eに
よって、前記各出力gdi,gliおよびgaiに実質的に−Δ
gを加えた信号(すなわち第2A図において二点鎖線で示
した(0)ボルトを基準にして前記各出力gdi,gliおよ
びgaiの値をマイナスにした信号)をオペアンプ2に入
力するようにしている。また、オペアンプ2の反転入力
端子には後述のDAコンバータ(デジタル−アナログコン
バータ)12の出力信号(後述の暗補正データ書込時は0
ボルト、明補正データ書込時および原稿読取時は−gdi
+Δgに比例する信号)が抵抗R3を介して入力されてい
る。
前記演算回路Cの増幅率を−mとすると、その出力信
号gdi′,gli′またはgai′は、後で詳述するが第2B図
に示すようになる。
前記オペアンプ2の出力信号gdi′,gli′または
gai′が入力されるアナログーデジタルコンバータ3
(以下、「ADC3」という)は、第3図に例示する構成を
備えている。
第3図において、第1基準電位(すなわち、上側基準
電位)VBまたは明出力信号gli′は後述のDACL(明補正
用デジタル−アナログコンバータ)11(第1A図参照)か
ら出力されており、上側基準電位VBの値としては、ADC3
に入力される明出力信号gli′の最高値よりも高い値で
あるVB1と、暗出力信号gdi′の最高値よりも高い値であ
るVB2の2種類が設定されている。
前記上側基準電位VBおよび第2基準電位(すなわち、
下側基準電位)VA(=0)間の電圧(VB−VA=VB)が抵
抗R0〜R64によって分圧され、その分圧によって得られ
た電位は比較器CP0〜CP63の一方の端子に入力され、比
較器CP0〜CP63の他方の端子には前記オペアンプ2の出
力信号gdi′,gli′またはgai′が入力される。
前記各比較器CP0〜CP63の出力信号により前記オペア
ンプ2の出力信号gdi′,gli′またはgai′が前記電位V
B〜VA間のどのレベルに在るかが検出される。そのレベ
ル信号はエンコーダ3aによって6ビットのデジタル信号
di,liまたはaiに変換され、ラッチ3bによってラッチさ
れる。前記デジタル信号di,liおよびaiはそれぞれ、暗
補正データdi、明補正データliおよび原稿読取データai
である。
第1A図に示すように、前記ラッチ3bの出力信号すなわ
ちADC3の出力信号di,liまたはaiは図示しない記憶装置
またはプリンタ等の外部機器との接続端子およびデータ
バッファ4に伝送される。
第1A図に示すクロック発生回路5は、前記ADC3、デー
タバッファ4およびタイミング発生回路6にクロック信
号を送信しており、また、クロック発生回路5のクロッ
ク信号はタイミング発生回路6のタイミング信号ととも
にアンド回路を介してアドレス生成回路7に入力されて
いる。
アドレス生成回路7は入力されたクロック信号をカウ
ントしてカウントアップする毎に新たなアドレス信号を
発生する回路であり、高速で変化するアドレス信号を発
生する。このアドレス生成回路7で発生したアドレス信
号は、その出力端子に接続されたRAM(ランダムアクセ
スメモリ)8の下位ビットの複数のアドレス端子LSB〜M
SB−1に入力されている。また、RAM8の最上位ビットの
アドレス端子MSBには、前記アドレス端子LSB〜MSB−1
に1個のアドレス信号が入力されている時間の前半部分
と後半部分とで異なるレベルの信号(ハイレベル信号す
なわち明データ指定レベル信号とローレベル信号すなわ
ち暗データ指定レベル信号と)がタイミング発生回路6
から入力されるように構成されている。
また、前記タイミング発生回路6の他の出力信号は前
記RAM8の▲▼端子および▲▼端子に入力される
とともに、明データラッチ9および暗データラッチ10に
入力されている。そして、前記暗補正データdiおよび明
補正データliは前記タイミング発生回路6およびアドレ
ス生成回路7の信号によって所定のタイミングでRAM8に
記憶され、また、RAM8から読出されて前記明データラッ
チ9および暗データラッチ10にラッチされる。
前記明データラッチ9の出力信号はビット操作切換部
13を介して明(Light)補正データ変換器(以下「DAC
L」という)11に入力され、ここでDA変換(デジタル−
アナログ変換)されてADC3に基準電位として入力され
る。そして、このビット操作切換部13と前記タイミング
発生回路6およびCLK発生回路5には、図示しないマイ
コンから出力されるモード切換信号DCMP、LCMPが入力さ
れている。
第1B図に示すように、前記ビット操作切換部13におい
て、明データラッチ9とDACL11とを接続する6ビットの
信号線L1〜L6には電源Vccと抵抗r1〜r6を介して信号
“1"が印加されている。上記2ビットの信号線L1,L2
トランジスタTr1,Tr2を介して接地されており、このト
ランジスタTr1,Tr2のベースには前記モード選択信号DC
MPが抵抗r7,r8を介して供給されている。したがって、
前記トランジスタTr1,Tr2が導通状態にあるとき、上記
2ビットの信号線L1,L2に電源Vccおよび明データラッ
チ9から入力される信号“1"は抵抗r1,r2、およびr9
r10を介して接地部に流れ、DACL11の上位2ビットの入
力端子には信号“0"のみが入力されることになる。
なお、第1B図に示すように前記DACL11の入力端子は合
計8個設けられており、下位2ビットの端子は信号線
L7,L8を介して接地されている。したがって、DACL11へ
の入力信号は、下位2ビットの端子に常に0が入力され
ているため、“00000000"(10進法で0)と“00000100"
(10進法で4)〜“11111100"(10進法で252)である。
そして、明データラッチ9から信号線L1〜L6に“1"が出
力されているときトランジスタTr1,Tr2がオンであれば
DACL11への入力信号は“11111100"(252)であり、トラ
ンジスタTr1,Tr2がオフであれば、“00111100"(60)
である。前記DACL11とビット操作切換部13とから第1基
準電位(すなわち、上側基準電位)発生手段が構成され
ている。
また、前記暗データラッチ10の出力信号はこの出力信
号をDA変換する暗(Dark)補正データ用DA変換器(以下
「DACD」という)12および電圧電流変換用の抵抗R3を介
して前記オペアンプ2の反転入力端子に入力されてい
る。そして、前記DACD12は、前記DACL11と同様に構成さ
れており、8本の入力端子のうちの下位2ビットの入力
端子は接地されている。そして、このDACD12の基準電位
は前記DACL11の基準電位60/252(なお、本実施例の説明
中、60/252の値をαとする)に設定されている。すなわ
ち、DACD12はその入力端子にDACL11と同一のデジタル信
号が入力されても、その出力信号(アナログ信号)は60
/252(すなわち、α倍)の大きさとなるように設定され
ている。
次に、第4〜6図により、前述の第1A,1B図に示した
装置の作用を説明する。
第4図は暗補正データdi書込時(記憶時)のタイミン
グチャートである。
この暗補正データの書込時にはモード選択信号DCMPが
ハイレベルとなってトランジスタTr1,Tr2が共に導通状
態となり、上記2ビットの信号線L1,L2に印加される信
号はいずれも“0"となる。したがって、DACL11には信号
“00111100"(60)が入力され、前記高い上側基準電位V
B1の約4分の1の低い上側基準電位VB2がADC3に入力さ
れている。
第4図において、イメージセンサスタートパルスが入
力された後でイメージセンサクロック信号が入力される
度に前記イメージセンサGの各受光素子s,s,…から検出
信号(暗出力)gdiが出力される。
前記イメージセンサGの出力信号(暗出力)gdiは前
記バイアス電圧(−Δg)および前記DACD12からの出力
信号(暗補正データ書込時は0ボルト)とともにADC3の
反転入力端子に入力される。この場合の前記演算回路C
への実質的な入力信号は(gdi−Δg+0)である。こ
のとき増幅率−mの演算回路Cの出力信号gdi′は−m
(gdi−Δg+0)となる。
前記演算回路Cの出力信号gdi′は前記ADC3に入力さ
れる。このADC3の前記下側基準電圧VAは常に0ボルトと
されており、前記上側基準電位VBはこの暗補正データ書
込時における出力信号gdi′の最大値よりも高いVB2(前
記DACL11に“00111100"(60)が入力されている時のDAC
L11の出力)に保持されている。前記出力信号gdi′は、
ADC3でAD変換されてデジタル値diとなり、このデジタル
値diはADCクロックによって前記ラッチ3bにラッチさ
れ、そのラッチされた値diが暗補正データとしてADC3か
ら出力される。
また、前記イメージセンサスタートパルスの入力と同
時に前記アドレス生成回路7は、クロック発生回路5お
よびタイミング発生回路6の出力によって生成したアド
レス信号Riを前記RAM8の複数のアドレス端子LSB〜MSB−
1に出力する。このとき、アドレス端子MSBにはローレ
ベルの信号(暗データ指定レベル信号)が入力されてい
る。
また、このとき前記データバッファ4は入力信号(前
記暗補正データdi)を通過させている。
この状態でライトイネーブル端子▲▼に書込クロ
ックが入力されると、アドレス端子MSBに入力されるロ
ーレベル(暗データ指定レベル)の信号および他の複数
のアドレス端子LSB〜MSB−1に入力されるアドレス信号
Ri+1によって指定されるラムアドレスに暗補正データdi
が記憶される。すなわち、前記暗データ指定レベル信号
と前記アドレス信号R2,R3,…によって指定されるラム
アドレスに暗補正データd1,d2,…が記憶される。
第5図は明補正データli書込時(記憶時)のタイミン
グチャートである。
この明補正データ書込時には、前記モード選択信号DC
MPはローレベルとなり、第1B図のビット操作切換部13に
ベース電流は供給されずトランジスタTr1,Tr2は共に非
導通状態にある。これにより6ビットの信号線L1〜L6
はいずれも電源Vccから信号“1"が印加されている。し
たがって、DACL11には信号“11111100"(252)が入力さ
れ、ADC3にはこの信号をDA変換した高い上側基準電位V
B1が入力されている。
第5図において、イメージセンサスタートパルスが入
力された後でイメージセンサクロック信号が入力される
度に前記イメージセンサGの各受光素子s,s,…からの検
出信号(明出力)gliが出力される。
また、前記イメージセンサスタートパルスの入力と同
時に前記アドレス生成回路7は、クロック発生回路5お
よびタイミング発生回路6の出力によって生成したアド
レス信号Riを前記RAM8の複数のアドレス端子LSB〜MSB−
1に出力する。また、前記アドレス端子MSBには、前記
各アドレス信号Ri(i=1,2,…)が出力されている間の
前半はローレベル信号(暗データ指定レベル信号が入力
され、後半はハイレベル(明データ指定レベル信号)が
入力されている。
そして、RAMアウトプットイネーブル端子▲▼に
は前記アドレス端子MSBへの入力信号と同相のクロック
が入力されている。したがって、LSBアドレス信号がRi
(i=1,2,…)の間の前半はRAM8からの読出しが可能で
ある。
そこで、前記各アドレス信号Ri+1が出力されている間
の前半に前記タイミング発生回路6の読出しクロックに
よって暗補正データdiを読出して暗データラッチ10にラ
ッチする。
このとき前記DACD12からは第5図に示すような信号−
gdi+Δg(すなわちdiのアナログ値)が出力される。
前記演算回路Cには、前記イメージセンサGの出力信
号(明出力)gliに前記バイアス電圧(−Δg)を加算
した値に前記DACD12の出力信号(−gdi+Δg)を加算
した信号が実質的に入力されることになる。
そして、このときの演算回路Cの出力すなわちオペア
ンプ2の出力gli′=−m(gli−gdi)はADC3に入力さ
れる。このとき、ADC3の下側基準電位VAは前述と同様に
0ボルトであり、上側基準電位VBはこの明補正データ書
込時における出力信号gli′の最大値よりも高いVB1(V
B1は前記DACL11に“11111100"(252)が入力されたとき
のDACL11の出力)に保持されている。そして、明出力信
号gli′の値が暗出力信号gdi′より大きいことから、こ
の明補正データの書込時の上側基準電位VB1の値は前記
暗補正データの書込時の上側基準電位VB2の値よりも252
/60(すなわち、1/α倍)だけ高くなっている。
前記演算回路Cの出力信号gli′はADC3でAD変換され
て、ADCクロックによって前記ラッチ3bにラッチされ、
そのラッチされた値li(前記gli′のデジタル値)が明
補正データとしてADC3から出力される。
また、この明データ書込時には前記データバッファ4
は前記各アドレス信号Riが出力されている間の後半(す
なわちアドレス端子MSBにハイレベルの信号が入力され
ている間)のみ入力信号(前記明補正データli)を通過
させている。
そこで、前記アドレス端子MSBにハイレベル信号(明
データ指定レベル信号)が入力されているときにタイミ
ングを合わせてRAMのライトイネーブル端子に書込クロ
ックを入力すると、アドレス端子MSBに入力されるハイ
レベル(明データ指定レベル)の信号および他の複数の
アドレス端子LSB〜MSB−1に入力されるアドレス信号R
i+1によって指定されるラムアドレスに明補正データli
が記憶される。
ところで、前述のように明補正データliの書込時のAD
C3の基準電位VB1を暗補正データdiの書込時に比べて252
/60(すなわち、1/α)とした場合、暗補正データdiの
値は明補正データliに比べて252/60(すなわち、1/α)
に増幅された値となっている。したがって、暗補正デー
タdiおよび明補正データliを使用する際、増幅レベルを
同一とするため、前述のようにDACD12の基準電位をDACL
11の基準電位の60/252(すなわち、α倍)としているの
である。
第6図は原稿読取時のタイミングチャートである。
第6図において、イメージセンサスタートパルスが入
力された後でイメージセンサクロック信号が入力される
度に前記イメージセンサGの各受光素子s,s,…からの検
出信号(原稿読取出力)gaiが出力される。
また、前記イメージセンサスタートパルスの入力と同
時に前記アドレス生成回路7は、クロック発生回路5お
よびタイミング発生回路6の出力によって生成したアド
レス信号Riを前記RAM8の複数のアドレス端子LSB〜MSB−
1に出力する。前記アドレス端子MSBには、前記アドレ
ス信号がRi(i=2,3,…)の間の前半はハイレベル信号
(明データ指定レベル信号)が入力され、後半はローレ
ベル(暗データ指定レベル信号)が入力されている。
この原稿読取時には前記データバッファ4は入力信号
(前記原稿読取データ)aiの通過を阻止している。そし
て、RAMアウトプットイネーブル端子▲▼には原稿
読取中終始ローレベルの信号が入力されている。したが
って、終始RAM8からの読出しが可能である。
そこで、前記各アドレス信号Ri+1が出力されている間
の前半に前記タイミング発生回路6の読出しクロックに
よって明補正データliを読出して明データラッチ9にラ
ッチする。そして、前記各アドレス信号Ri+1が出力され
ている間の後半に前記タイミング発生回路6の読出しク
ロックによって暗補正データdiを読出して暗データラッ
チ10にラッチする。このとき前記DACD12からは第6図に
示すようなタイミングで信号−gdi+Δg(=diのアナ
ログ値)が出力される。
前記演算回路Cの入力端子には、前記イメージセンサ
Gの出力信号(原稿読取出力)gaiに前記バイアス電圧
(−Δg)を加算した値に前記DACD12の出力信号(−g
di+Δg)を加算した信号が入力されることになる。
そして、このときの演算回路Cの出力すなわちオペア
ンプ2の出力gai′=−m(gai−gdi)はADC3に入力さ
れる。
今の場合、前記ADC3の上側基準電位VBとしては前記明
データラッチ9にラッチされた明補正データliのアナロ
グ値すなわちgli′が入力されている。したがって、ADC
3では、前記演算回路C(オペアンプ2)の出力信号
gai′の前記gli′に対する割合(第2図参照)がAD変換
されて、そのデジタル値はADCクロックによって前記ラ
ッチ3bにラッチされ、そのラッチされた値ai(前記
gai′のデジタル値)が原稿読取データとしてADC3から
出力される。
そして、前記原稿読取データaiは、第1図の右端に示
すように記憶装置、プリンタ等の外部機器との接続端子
に出力される。
次に、第7〜11図により本考案のシェーディング補正
用データ変換装置の第2実施例について説明する。
なお、この第2実施例の説明において、前記第1実施
例と同一の構成要素には同一の符号を付すことにより重
複する詳細な説明は省略する。
第7図に示すようにこの第2実施例では、オペアンプ
2の反転入力端子には、バイアス電源Eおよびバイアス
抵抗R2によって定まるバイアス電位とイメージセンサG
の出力信号gdi,gli,およびgaiとが入力されているだ
けで、前記第1実施例の暗補正データのようなシェーデ
ィング補正を行うためのデータが入力されていない。
この第2実施例では、オペアンプ2の出力信号をADC3
でAD変換した後でシェーディング補正演算回路21により
シェーディング補正演算を行うようにしている。
また、暗データバッファ4およびRAM8を接続するバス
BAS1と、シェーディング補正演算回路21との間に暗デー
タ送出用バスBAS2、データラッチ9を有する明データ送
出用バスBAS3、および明データバッファ22を有する明デ
ータ取込み用バスBAS4が設けられている。
更に、この第2実施例ではADC3に第1基準電位発生手
段14が接続されており、モード切換信号DCMPおよびLCMP
に基づいてADC3に加える上側基準電位VBを高低2段に切
換えるようになっている。
次に、第8〜11図をも合わせて参照しながら前記第7
図に示した本考案の第2実施例の作用を説明する。
第7図においてイメージセンサGの各受光素子の暗出
力gdi、明出力gliおよび原稿読取出力gaiは、前述の第
1実施例と同様にバイアス抵抗R2およびバイアス電源E
によって、実質的に前記各出力gdi,gliおよびgaiに−
Δgを加えた信号(すなわち、マイナスの信号)として
オペアンプ2の反転入力端子に入力するようにしてい
る。これにより前記オペアンプ2の出力信号すなわち演
算回路Cの出力信号gdi′,gli′またはgai′はADC3に
全てプラスの信号として入力される。
前記演算回路Cの増幅率を−mとすると、その出力信
号gdi′,gli′またはgai′は、第8図に示すようにな
る。
前記オペアンプ2の出力信号gdi′,gli′,gai′が
入力されるADC3は、前述の第1実施例と同様に第3図に
例示する構成を備えており、その第2基準電位(すなわ
ち、下側基準電位)VAは常に0であるが、その第1基準
電位(すなわち、上側基準電位)VBは高低2段階に切換
えられるようになっている。すなわち、このADC3には明
補正データの書込時に明出力信号gli′の最大値よりも
大きく設定された高い上側基準電位VB1が第1基準電位
発生手段14から入力され、暗補正データの書込時に暗出
力信号gdi′の最大値よりも大きく設定された低い上側
基準電位VB2が第1基準電位発生手段14から入力される
ようになっている。そして、これらの両上側基準電位V
B1,VB2の値は相互に依存することなく任意に設定可能
であり、明補正データおよび暗補正データの書込時のい
ずれの場合にもADC3のレンジをフルに利用した高精度の
AD変換が可能となる。但し、ADC3の上側基準電位VBを異
なった値VB1,VB2にすると、それらの時にADC3から出力
されたデータは増幅レベルが異なるので、それらのデー
タを用いて演算を行う際には、増幅レベルを調整してか
ら演算する必要がある。そして、前記増幅レベルの調整
は後述のシェーディング補正演算回路21で行っている。
前記オペアンプ2の出力信号gdi′,gli′,gai′は
それぞれ前記ADC3によってAD変換され、6ビットのデジ
タル信号すなわち暗補正データdi、明データli′、原稿
データai′として出力される。
そして、後で詳述するように、前記暗補正データdi
暗データバッファ4を通ってRAM8に記憶され、前記明デ
ータli′はシェーディング補正演算回路21で補正されて
明補正データliとなり、その明補正データliが明データ
バッファ22を通ってRAM8に記憶され、前記原稿データ
ai′はシェーディング補正演算回路21で補正されて原稿
読取データaiとなり、その原稿読データaiは外部機器
(プリンタ、メモリ等)に出力されるように構成されて
いる。
第9図は暗補正データdi書込時(記憶時)のタイミン
グチャートである。
前記第7図のイメージセンサGへのイメージセンサス
タートパルスの入力と同時にアドレス生成回路7は、ク
ロック発生回路5およびタイミング発生回路6の出力に
よって生成したアドレス信号Riを前記RAM8の複数のアド
レス端子LSB〜MSB−1(MSBを除くアドレス端子)に出
力する。このとき、アドレス端子MSBにはローレベルの
信号(暗データ指定レベル信号)が入力されている。
そして、前記ADC3からは第9図に示すように、前記ア
ドレス信号Ri+1に同期して暗補正データdiが出力されて
いる。
また、このとき前記データバッファ4は入力信号(前
記暗補正データdi)を通過させている。
この状態でライトイネーブル端子▲▼に暗データ
書込クロック(ローレベル)を入力すると、アドレス端
子MSBに入力されるローレベル(暗データ指定レベル)
の信号および他の複数のアドレス端子LSB〜MSB−1に入
力されるアドレス信号Ri+1によって指定されるラムアド
レスに暗補正データdiが記憶される。すなわち、前記暗
データ指定レベル信号と前記アドレス信号R2,R3,…に
よって指定されるラムアドレスに暗補正データd1,d2
…が記憶される。
第10図は明補正データli書込時(記憶時)のタイミン
クチャートである。
第10図において、前記アドレス端子MSBには、前記各
アドレス信号Ri(i=1,2,…)のうちの1個が出力され
ている間の前半はハイレベル信号(明データ指定レベル
信号)が入力され、後半はローレベル(暗データ指定レ
ベル信号)が入力されている。
そして、前記ADC3からは第10図に示すように、前記ア
ドレス信号Ri+1に同期して明データli′(シェーディン
グ補正演算回路21で補正する前の明データ、第8図参
照)が出力されている。
また、このとき暗データバッファ4は入力信号(前記
明データli′)の通過を阻止している。
また、第10図に示すように前記アドレス端子MSBにロ
ーレベル信号(暗データ指定レベル信号)が入力されて
いる間にRAM8の▲▼端子にローレベルの暗補正デー
タ読出しクロックが入力され、このクロックがローレベ
ルの間は前記バスBAS1に暗補正データdiが出力されてい
る。
第10図から明らかなように、アドレス信号Ri+1が出力
されている間に明データli′および暗補正データdiがシ
ェーディング補正演算回路21に入力されている。したが
って、このときにシェーディング補正演算を行わせるシ
ェーディング回路クロックをシェーディング補正演算回
路21に入力すると、シェーディング補正演算回路21から
は明補正データli(=li′−αdi、第8図参照)が前記
バスBAS4に出力される。前記αは、前記ADC3の上側基準
電位VBとして異なった値VB1,VB2を使用したために増幅
レベルに違いを生じている暗補正データdiおよび明デー
タli′の増幅レベルを同一にするための増幅レベル補正
係数であり、α=VB2/VB1である。
前記バスBAS4の明補正データliは所定期間だけ明デー
タバッファ22からバスBAS1に出力される。この出力され
ている間にRAM8の▲▼端子に明補正データ書込クロ
ックを入力すると、第10図から分かるようにアドレス端
子MSBに入力されるハイレベル信号(明データ指定レベ
ル信号)および他の複数のアドレス端子LSB〜MSB−1に
入力されるLSBアドレス信号Ri+2によって指定されるRAM
アドレスに明補正データliが記憶される。すなわち、明
データ指定レベル信号とLSBアドレス信号R3,R4,R5
…によって指定されるRAMアドレスに明補正データl1,l
2,l3,…が記憶される。
第11図は前記第7図に示した本考案の第2実施例の原
稿読取時のタイミングチャートである。
第11図において、前記アドレス端子MSBには、前記各
アドレス信号Ri(i=1,2,…)のうちの1個が出力され
ている間の前半はハイレベル信号(明データ指定レベル
信号)が入力され、後半はローレベル(暗データ指定レ
ベル信号)が入力されている。
そして、前記ADC3からは第11図に示すように、前記ア
ドレス信号Ri+2に同期して原稿データai′(シェーディ
ング補正演算回路21で補正する前のデータ、第8図参
照)が出力されている。
また、このとき第11図に示すように、暗データバッフ
ァ4は入力信号(前記原稿データai′)の通過を阻止し
ている。また、この原稿読取時にはRAM8の▲▼端子
には常時ローレベルの信号が入力されているので、前記
バスBAS1には、アドレス端子MSBに入力される暗または
明データ指定レベル信号と他の複数のアドレス端子LSB
〜MSB−1に入力されるLSBアドレス信号とによって定ま
るRAMアドレスに記憶されている暗補正データdiまたは
明補正データliが常時出力されている。したがって、RA
M8の出力データは第11図のようになる。
前記RAM8に出力された明補正データliは明補正データ
ラッチクロックによって明データラッチ9にラッチさ
れ、この明データラッチ9の出力は第11図に示すように
なる。
また、シェーディング補正演算回路21内には暗補正デ
ータdiをラッチするための暗補正データラッチ(図示せ
ず)が設けられており、第11図に示すように、シェーデ
ィング回路クロックよりも少し遅れてシェーディング回
路内暗補正データラッチクロックが発生されている。そ
して、そのクロックによってシェーディング補正演算回
路21内の暗補正データラッチに暗補正データdiがラッチ
される。
第11図から明らかなように、各アドレス信号Ri+2が出
力されている間に明補正データliおよび原稿読取データ
aiがシェーディング補正演算回路21に同時に入力されて
おり、そのとき暗補正データdiはシェーディング補正演
算回路21内にラッチされている。したがって、このとき
にシェーディング補正演算を行わせるシェーディング回
路クロックをシェーディング補正演算回路21に入力する
と、シェーディング補正演算回路2からは原稿読取補正
データai(=(ai′−αdi)/li、第8図参照)が外部
機器との接続端子に出力される。
以上、本考案によるシェーディング補正用データ変換
装置の実施例を詳述したが、本考案は、前述の実施例に
限定されるものではなく、実用新案登録請求の範囲に記
載された本考案を逸脱することなく、種々の設計変更を
行うことが可能である。
たとえば、第1の実施例において高い上側基準電位V
B1と低い上側基準電位VB2の比率を252対60に設定する代
わりに、適当な他の値に設定することも可能である。ま
た、第2の実施例において、暗補正データの書込時に、
暗出力信号をADC3で変換したデータに増幅レベル補正係
数αをかけた値を暗補正データとして記憶させるように
することも可能である。この場合にはシェーディング補
正演算回路21で増幅レベルの調整を行う必要がなくな
る。さらに、本考案は印字ヘッドと併設されたシリアル
型イメージスキャナプリンタに適用することも可能であ
る。さらにまた補正板Fの色は白色とする代わりに他の
色、たとえば原稿の地色と同色にすることが可能であ
る。そして、暗および明データ指定レベル信号を入力す
るRAM8のアドレス端子は、最上位のアドレス端子MSB以
外のアドレス端子とすることも可能である。そしてま
た、ADC3に入力される第1基準電位(実施例の上側基準
電位)をマイナスの値にするとともにADC3への入力信号
をマイナスで入力させるようにすることも可能である。
C.考案の効果 前述の本考案のシェーディング補正用データ変換装置
によれば、明補正データの書込のために明出力信号
gli′をAD変換するとき、ADCの第1基準電位は明出力信
号gli′の最大値に見合った値となり、暗補正データの
書込のために暗出力信号gdi′をAD変換するとき、ADCの
第1基準電位は暗出力信号gdi′の最大値に見合った値
となる。したがって、いずれの場合にもADCの分解能が
高い領域でAD変換が行われ、高精度の明補正データと暗
補正データを得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1A図は本考案によるシェーディング補正用データ変換
装置の第1実施例を示す図、第1B図はそのビット操作切
換部の詳細図、第2A,2B図は同装置の作用を説明するた
めの図、第3図は同装置で使用するADC3の構成を示す
図、第4図は同装置における暗データ書込時のタイムチ
ャート、第5図は同装置における明データ書込時のタイ
ムチャート、第6図は同装置における原稿読取時のタイ
ムチャート、第7図は本考案によるシェーディング補正
用データ変換装置の第2実施例を示す図、第8図は同装
置の作用を説明するための図、第9図は同装置における
暗データ書込時のタイムチャート、第10図は同装置にお
ける明データ書込時のタイムチャート、第11図は同装置
における原稿読取時のタイムチャート、である。 VA……第2(下側)基準電位、VB……第1(上側)基準
電位、VB1……明補正データ書込用の第1(上側)基準
電位、VB2……暗補正データ書込用の第1(上側)基準
電位、gdi′……暗出力信号、gli′……明出力信号、di
……暗補正データ、li……明補正データ、3……ADコン
バータ、11,13;14……第1(上側)基準電位発生手段

Claims (1)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】多数の受光素子によってそれぞれ検出され
    た暗出力信号(gdi′)および明出力信号(gli′)をそ
    れぞれ第2基準電位(VA)が前記暗出力信号(gdi′)
    の最少値の絶対値より小さい絶対値を有する所定値に設
    定されるとともに第1基準電位(VB)が第1基準電位発
    生手段(11,13;14)から供給されるADコンバータ(3)
    によりAD変換してシェーディング補正用の暗補正データ
    (di)および明補正データ(li)を得るシェーディング
    補正用データ変換装置において、 前記第1基準電位発生手段(11,13;14)は、前記暗出力
    信号(gdi′)を暗補正データ(di)に変換する際には
    暗補正データ書込用の第1基準電位(VB2)を出力する
    とともに明出力信号(gli′)を明補正データ(li)に
    変換する際には明補正データ書込用の第1基準電位(VB
    1)を出力するように構成され、さらに|VB1|>|VB2|に
    設定されたことを特徴とする、シェーディング補正用デ
    ータ変換装置。
JP1989001252U 1989-01-10 1989-01-10 シェ―ディング補正用デ―タ変換装置 Expired - Lifetime JP2508508Y2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS6129275A (ja) * 1984-07-19 1986-02-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 中間調画像の補正方法
JPS6172474A (ja) * 1984-09-17 1986-04-14 Ricoh Co Ltd シエ−デイング補正方式

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