JP2507903B2 - 任意の層間隔を有する層間架橋粘土の製造法 - Google Patents

任意の層間隔を有する層間架橋粘土の製造法

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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本発明は層間隔の異なる層間架橋
粘土の製造法に関するものであり、特に触媒、触媒担
体、吸着材、分離材等への利用が期待される。 【0002】 【従来の技術】従来、任意の層間隔を有する層間架橋粘
土の製造法は確立されていない。 【0003】 【発明が解決しようとする課題】層間架橋粘土の断面を
見ると、図1に示すように、シリケート層(1)間にア
ルミナやジルコニアなどのピラー(2)があり、ピラー
で押し広げられた2枚のシリケート層間に細孔(3)が
存在する。シリケート層間の距離を層間隔(4)と呼ぶ
が、従来層間隔を制御する技術は確立されていない。し
かるに、本発明は層間架橋粘土の層間隔を制御し、層間
隔の異なる層間架橋粘土を製造する方法を提供するもの
である。 【0004】 【課題を解決するための手段】層間架橋粘土の層間隔
は、図1に見るように、シリケート層を支えているピラ
ーの大きさに等しい。したがって、層間隔はピラーの大
きさを制御することにより変化させられることが示唆さ
れる。層間架橋粘土の従来の製造法は、アルミニウムや
ジルコニウム等の陽イオン性水酸化オリゴマーをイオン
交換によりヘクトライトやモンモリロナイト等の粘土層
間に導入するという方法である。このような方法で製造
される層間架橋粘土の層間隔は、陽イオン性水酸化オリ
ゴマーの形状を反映し約0.8nmである。また、従来
の製造法では層間隔を制御することは困難であり、新規
な製造法を考案することが必要となる。 【0005】本発明者らは全く新規な製造法を考案し、
約2.0nmの大きな層間隔を有する層間架橋粘土を製
造した(米国特許4629713号、特公昭62−12
172号、特公昭62−41167号、特公昭62−4
6489号、特公昭62−46490号等)。これは水
溶性高分子を粘土に共存させることを特徴とするもので
ある。その後大きな層間隔を有する層間架橋粘土合成の
メカニズムを詳細に調べた結果、本発明を成すに至った
ものである。【0006】 本発明は、水溶性高分子が共存した粘土
の懸濁液にピラー前駆体を添加し,乾燥、加熱すること
を特徴とする2.5nm以内の任意の層間隔を有する層
間架橋粘土の製造法であり、特にピラー前駆体の添加量
を制御することを特徴とする任意の層間隔を有する層間
架橋粘土の製造法に関するものである。以下、本発明の
詳しい内容について説明する。 【0007】本発明で用いる粘土は天然品あるいは合成
品を問わず水中で著しく膨潤するスメクタイトであり、
これにはヘクトライト、モンモリロナイト、サポナイ
ト、バイデライト、ノントロナイト、ソーコナイト、ス
チブンサイト等が包含される。スメクタイトの性質をヘ
クトライトについて説明する。ヘクトライトの構造を微
視的に見ると、それは約1nmの厚みを有するシリケー
ト層が幾層にも積層している。一層のシリケート層をさ
らに微視的に見ると、それは二枚のシリカ四面体層の間
に一枚のマグネシア八面体層がサンドイッチ状に挟まっ
た三層構造を形成している。マグネシア八面体層の中心
金属のMg2+の一部はそれよりも陽電荷量の少ないL
i+によって同形置換されており、そのことによりシリ
ケート層は負の電荷を帯びている。シリケート層の負電
荷を中和するために、主にアルカリ金属のNa+やアル
カリ土類金属のCa2+等がシリケート層間に存在す
る。これらの陽イオンは交換性を有しており、これらの
交換性を有する陽イオン量を粘土の陽イオン交換容量と
呼ぶ。陽イオン交換容量は粘土の種類により、および同
一種の粘土であっても産地間で異なり、例えばヘクトラ
イトでは約0.9meq/g、モンモリロナイトでは約
1.3meq/gである。ヘクトライトは水中で膨潤
し、その結果、シリケート層間は水の浸入により大きく
広がる特徴がある。他のスメクタイトもヘクトライトと
ほぼ同様の性質を有している。本発明で使用する粘土は
スメクタイトと同様の性質を有するものでありさえすれ
ばこれに限るものではない。 【0008】また、本発明で用いられる水溶性高分子は
ノニオン性のポリビニルアルコールやポリエチレンオキ
シド等であるが、これらと同様の性質を有する水溶性高
分子であればこれらに限るものではない。水溶性高分子
の使用量は、粘土1gあたり2g程度でよい。 【0009】粘土を水中に分散させると、シリケート層
間に水が浸入して層間が広がり、次にシリケート層が剥
離して水中に分散する。そこに水溶性高分子を添加する
と、水溶性高分子の一部はシリケート層に吸着する。水
溶性高分子の添加量が少なく、水溶性高分子濃度が低い
ときは態濁液の粘度も低く、シリケート層は液中を自由
に動き回る。水溶性高分子の添加量を増して濃度を高く
すると液の粘性およびシリケート層への吸着量が増加
し、懸濁液の粘弾性が発現し、ついにはゴム弾性が発現
する。そのような状態では液中で分散して存在するシリ
ケート層同士はもはや接近出来なくなる。すなわちシリ
ケート層同士は絶えず離れた状態に置かれることにな
る。このような状態の懸濁液にピラー前駆体のアルミニ
ウムやジルコニウム等の陽イオン性水酸化オリゴマーを
添加する。これらのオリゴマーはAl2(OH)5Cl
やZrOCl2を蒸溜水に溶解して静置するのみで調製
され、[Al13O4(OH)24(H2O)12]
7+や[Zr4(OH)14(H2O)10]2+の化
学式で表される。陽イオン性オリゴマーは粘土に含まれ
るNaやCa2+などの交換性陽イオンとのイオン交
換反応によりシリケート層間に取り込まれる。その後、
シリケート層間に取り込まれた陽イオン性オリゴマーは
エージングにより大きなオリゴマーになるが、その大き
さはオリゴマー濃度あるいは添加量と関係し、濃度の高
いほどあるいは添加量の多いほど大きなオリゴマーにな
る。 【0010】本発明の製造法は、最初に水溶性高分子と
粘土の懸濁液を調製し、次に陽イオン性オリゴマーを添
加した後、エージングを行う。本発明の製造法は、陽イ
オン性オリゴマーの添加量を制御することにより、製造
される層間架橋粘土の層間隔を制御することを特徴とす
るものである。 【0011】本発明の製造法は、引き続き乾燥し、加熱
する。乾燥に先立ち、水洗は行っても行わなくてもいず
れでも構わない。乾燥は風乾、加熱乾燥、真空乾燥、凍
結乾燥のどれでもよく、粘土が乾燥すればどのような方
法でも構わない。場合によってはろ過により水を切るだ
けでもよい。乾燥した後に加熱を行う。加熱は粘土に吸
着している水溶性高分子を焼去するために行うもので、
水溶性高分子が焼去する温度の400℃以上で行う。た
だし、900℃以上になると粘土の結晶構造が壊れるの
でそれ以下の温度で加熱することが大切である。このよ
うにして製造される層間架橋粘土の層間隔は2.5nm
までの範囲で制御される。 【0012】 【発明の効果】本発明は任意の層間隔を有する層間架橋
粘土の製造法を提供するものであり、触媒、触媒担体、
吸着材、分離材等への新たな応用が期待される。 【0013】以下、実施例にて本発明を詳細に説明す
る。 【0014】 【実施例 1】蒸溜水50mlにNa−ヘクトライト
1.0gを添加し、撹拌して調製した懸濁液に5wt%
ポリビニルアルコール(PVA)水溶液50mlを添加
してさらに撹拌する。得られたPVA/ヘクトライト溶
液100mlを激しく撹拌しながら2.0wt%Al2
(OH)5Cl・2.4H2O水溶液4mlを毎分1m
lの速さで添加する。添加終了後、60℃のオーブン中
で3日間エージングを行い、次に同温度で乾燥後500
℃、2時間加熱してアルミナ架橋ヘクトライトを製造し
た。粉末X線回折法にて層間隔を調べたところ0.49
nmであった。 【0015】 【実施例 2】実施例1に記載した同じ方法で調製した
PVA/ヘクトライト溶液100mlを激しく撹拌しな
がら2.0wt%Al2(OH)5Cl・2.4H2O
水溶液8mlを毎分1mlの速さで添加する。添加終了
後、60℃のオーブン中で3日間エージングを行い、次
に同温度で乾燥後500℃、2時間加熱してアルミナ架
橋ヘクトライトを製造した。粉末X線回折法にて層間隔
を調べたところ0.89nmであった。 【0016】 【実施例 3】実施例1に記載した同じ方法で調製した
PVA/ヘクトライト溶液100mlを激しく撹拌しな
がら2.0wt%Al2(OH)5Cl・2.4H2O
水溶液16mlを毎分1mlの速さで添加する。添加終
了後、60℃のオーブン中で3日間エージングを行い、
次に同温度で乾燥後500℃、2時間加熱してアルミナ
架橋ヘクトライトを製造した。粉末X線回折法にて層間
隔を調べたところ1.32nmであった。 【0017】 【実施例 4】実施例1に記載した同じ方法で調製した
PVA/ヘクトライト溶液100mlを激しく撹拌しな
がら2.0wt%Al2(OH)5Cl・2.4H2O
水溶液24mlを毎分1mlの速さで添加する。添加終
了後、60℃のオーブン中で3日間エージングを行い、
次に同温度で乾燥後500℃、2時間加熱してアルミナ
架橋ヘクトライトを製造した。粉末X線回折法にて層間
隔を調べたところ1.46nmであった。 【0018】 【実施例 5】実施例1に記載した同じ方法で調製した
PVA/ヘクトライト溶液100mlを激しく撹拌しな
がら2.0wt%Al2(OH)5Cl・2.4H2O
水溶液32mlを毎分1mlの速さで添加する。添加終
了後、60℃のオーブン中で3日間エージングを行い、
次に同温度で乾燥後500℃、2時間加熱してアルミナ
架橋ヘクトライトを製造した。粉末X線回折法にて層間
隔を調べたところ1.52nmであった。 【0019】 【実施例 6】実施例1に記載した同じ方法で調整した
PVA/ヘクトライト溶液100mlを激しく撹拌しな
がら2.0wt%Al2(OH)5Cl・2.4H2O
水溶液40mlを毎分1mlの速さで添加する。添加終
了後、60℃のオーブン中で3日間エージングを行い、
次に同温度で乾燥後500℃、2時間加熱してアルミナ
架橋ヘクトライトを製造した。粉末X線回折法にて層間
隔を調べたところ1.64nmであった。 【0020】 【実施例 7】実施例1に記載した同じ方法で調整した
PVA/ヘクトライト溶液100mlを激しく撹拌しな
がら2.0wt%Al2(OH)5Cl・2.4H2O
水溶液48mlを毎分1mlの速さで添加する。添加終
了後、60℃のオーブン中で3日間エージングを行い、
次に同温度で乾燥後500℃、2時間加熱してアルミナ
架橋ヘクトライトを製造した。粉末X線回折法にて層間
隔を調べたところ1.74nmであった。 【0021】 【実施例 8】実施例1に記載した同じ方法で調製した
PVA/ヘクトライト溶液100mlを激しく撹拌しな
がら2.0wt%Al2(OH)5Cl・2.4H2O
水溶液64mlを毎分1mlの速さで添加する。添加終
了後、60℃のオーブン中で3日間エージングを行い、
次に同温度で乾燥後500℃、2時間加熱してアルミナ
架橋ヘクトライトを製造した。粉末X線回折法にて層間
隔を調べたところ1.86nmであった。 【0022】 【実施例 9】実施例1に記載した同じ方法で調製した
PVA/ヘクトライト溶液100mlを激しく撹拌しな
がら2.0wt%Al2(OH)5Cl・2.4H2O
水溶液80mlを毎分1mlの速さで添加する。添加終
了後、60℃のオーブン中で3日間エージングを行い、
次に同温度で乾燥後500℃、2時間加熱してアルミナ
架橋ヘクトライトを製造した。粉末X線回折法にて層間
隔を調べたところ1.93nmであった。 【0023】 【実施例 10】実施例1に記載した同じ方法で調製し
たPVA/ヘクトライト溶液100mlを激しく撹拌し
ながら10wt%Al2(OH)5Cl・2.4H2O
水溶液17mlを毎分1mlの速さで添加する。添加終
了後、60℃のオーブン中で3日間エージングを行い、
次に同温度で乾燥後500℃、2時間加熱してアルミナ
架橋ヘクトライトを製造した。粉末X線回折法にて層間
隔を調べたところ2.44nmであった。【0024】 【比較例 1】 蒸留水50mlにNa−ヘクトライト
1.0gを添加し、撹拌して調製した懸濁液に蒸留水5
0mlを添加してさらに撹拌する。得られたヘクトライ
ト懸濁液100mlを激しく撹拌しながら2.0wt%
Al2(OH)5Cl・2.4H2O水溶液16mlを
毎分1mlの速さで添加する。添加終了後、60℃のオ
ーブン中で3日間エージングを行い,次に同温度で乾燥
後500℃,2時間加熱してアルミナ架橋ヘクトライト
を製造した。粉末X線回折法にて層間隔を調べたところ
0.80nmであった。 【0025】 【比較例 2】 蒸留水50mlにNa−ヘクトライト
1.0gを添加し撹拌して調製した懸濁液に蒸留水50
mlを添加してさらに撹拌する。得られたヘクトライト
懸濁液100mlを激しく撹拌しながら10wt%Al
2(OH)5Cl・2.4H2O水溶液17mlを毎分
1mlの速さで添加する。添加終了賀、60℃のオーブ
ン中で3日間エージングを行い、時に同温度で乾燥後5
00℃、2時間加熱してアルミナ架橋ヘクトライトを製
造した。粉末X線回折法にて層間隔を調べたところ0.
80nmであった。
【図面の簡単な説明】 【図1】層間架橋粘土の概念図である。 【符号の説明】 1 シリケート層 2 ピラー 3 細孔 4 層間隔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−131878(JP,A) 特開 平1−193568(JP,A)

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 水溶性高分子が共存した粘土の懸
    濁液にピラー前駆体を添加し、乾燥、加熱することによ
    り層間架橋粘土を製造するに際して、ピラー前駆体の添
    加量を制御することを特徴とする任意の層間隔を有する
    層間架橋粘土の製造法。
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