JP2503358Y2 - ラテラル型バイポ―ラデバイス - Google Patents
ラテラル型バイポ―ラデバイスInfo
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- insulating layer
- emitter
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- lateral bipolar
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- Expired - Lifetime
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- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1989008106U JP2503358Y2 (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | ラテラル型バイポ―ラデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1989008106U JP2503358Y2 (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | ラテラル型バイポ―ラデバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0298633U JPH0298633U (US06521211-20030218-C00004.png) | 1990-08-06 |
JP2503358Y2 true JP2503358Y2 (ja) | 1996-06-26 |
Family
ID=31213688
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1989008106U Expired - Lifetime JP2503358Y2 (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | ラテラル型バイポ―ラデバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2503358Y2 (US06521211-20030218-C00004.png) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5588372A (en) * | 1978-12-26 | 1980-07-04 | Sanyo Electric Co Ltd | Lateral type transistor |
JPS58210671A (ja) * | 1982-06-01 | 1983-12-07 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPS60153548U (ja) * | 1984-03-24 | 1985-10-12 | 三洋電機株式会社 | ラテラル型トランジスタ |
-
1989
- 1989-01-26 JP JP1989008106U patent/JP2503358Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0298633U (US06521211-20030218-C00004.png) | 1990-08-06 |
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