JP2500648B2 - ビ―ムスキャン式レ―ザマ―キング装置 - Google Patents
ビ―ムスキャン式レ―ザマ―キング装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子部品のモールド部等
にマーキングを行なうレーザマーキング装置に関し、特
に、ＣＷ励起Ｑスイッチパルス発振レーザ光をビームス
キャンニングによりワーク面に結像してマーキングを行
なうビームスキャン式レーザマーキング装置に関する。
にマーキングを行なうレーザマーキング装置に関し、特
に、ＣＷ励起Ｑスイッチパルス発振レーザ光をビームス
キャンニングによりワーク面に結像してマーキングを行
なうビームスキャン式レーザマーキング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、レーザマーキング装置におけるマ
ーキング方法はパルス励起レーザをマーキング内容が描
かれたマスクを透過させ一括でマーキング面に結像し焼
付ける方法（第１の方法）や、マスクに描かれた文字を
第１のスキャナミラーで選択し第２のスキャナミラーで
ワーク面に結像し順次文字や商標を焼付ける方法（第２
の方法）があり、マスクに代えて液晶パネルを駆動させ
パルス励起レーザ光を一括照射するか、あるいは液晶パ
ネル面にＣＷ励起Ｑスイッチパルス発振レーザ光を走査
させ、透過レーザ光でマーキングする方法（第３の方
法）がある。また、ＣＷ励起Ｑスイッチパルス発振で得
られるレーザ光をマーキング面に集光させてスキャナミ
ラーでレーザ光を走査させてマーキングする方法（第４
の方法）もある。
ーキング方法はパルス励起レーザをマーキング内容が描
かれたマスクを透過させ一括でマーキング面に結像し焼
付ける方法（第１の方法）や、マスクに描かれた文字を
第１のスキャナミラーで選択し第２のスキャナミラーで
ワーク面に結像し順次文字や商標を焼付ける方法（第２
の方法）があり、マスクに代えて液晶パネルを駆動させ
パルス励起レーザ光を一括照射するか、あるいは液晶パ
ネル面にＣＷ励起Ｑスイッチパルス発振レーザ光を走査
させ、透過レーザ光でマーキングする方法（第３の方
法）がある。また、ＣＷ励起Ｑスイッチパルス発振で得
られるレーザ光をマーキング面に集光させてスキャナミ
ラーでレーザ光を走査させてマーキングする方法（第４
の方法）もある。
【０００３】第４の方法は１例としてを図４（ａ）に示
すレーザ発振時間１０μｓのＱスイッチ制御パルス（オ
ン）によって同図（ｂ）のレーザパルスが発振され、こ
のレーザパルスをワーク面に集光させてマーキングを行
なっている。この場合、集光前のレーザ光のエネルギー
は進行方向に直角な方向において図２（ａ）に示す分布
となっている。
すレーザ発振時間１０μｓのＱスイッチ制御パルス（オ
ン）によって同図（ｂ）のレーザパルスが発振され、こ
のレーザパルスをワーク面に集光させてマーキングを行
なっている。この場合、集光前のレーザ光のエネルギー
は進行方向に直角な方向において図２（ａ）に示す分布
となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のレーザ
マーキング方法は、第１および第２の方法では、マーキ
ング内容を描いたマスクを作成して管理する必要がある
ので、費用と時間が嵩むという欠点がある。また、第３
の方法では第１、第２の方法におけるマスク作成による
欠点が解消されるが、液晶マスクの駆動回路が新たに必
要となり装置コストが上がるとともに、液晶マスクの寿
命が有限なためにランニングコストが高くなる欠点があ
る。第４の方法は装置コストやランニングコストは低
く、上述した方法の欠点が解消されるが、発振時間１０
μｓのＱスイッチ制御パルスで発生したレーザ光を集光
させてマーキングを行なうので、マーキング面でのレー
ザ光の単位面積当たりのエネルギーが高められ、照射部
が瞬時に気化蒸発して図３（ｃ）に例を示す加工断面の
深さが５０μｍ〜１００μｍに達するとともに、マーク
の視認性が不充分で薄形の電子部品などには使用でき
ず、さらに、通常電子部品のマーキングには商標が含ま
れるが、その場合スキャン方式では輪郭のマーキングに
加えて塗り潰しをするなどの必要があるため処理能力が
低いという欠点がある。
マーキング方法は、第１および第２の方法では、マーキ
ング内容を描いたマスクを作成して管理する必要がある
ので、費用と時間が嵩むという欠点がある。また、第３
の方法では第１、第２の方法におけるマスク作成による
欠点が解消されるが、液晶マスクの駆動回路が新たに必
要となり装置コストが上がるとともに、液晶マスクの寿
命が有限なためにランニングコストが高くなる欠点があ
る。第４の方法は装置コストやランニングコストは低
く、上述した方法の欠点が解消されるが、発振時間１０
μｓのＱスイッチ制御パルスで発生したレーザ光を集光
させてマーキングを行なうので、マーキング面でのレー
ザ光の単位面積当たりのエネルギーが高められ、照射部
が瞬時に気化蒸発して図３（ｃ）に例を示す加工断面の
深さが５０μｍ〜１００μｍに達するとともに、マーク
の視認性が不充分で薄形の電子部品などには使用でき
ず、さらに、通常電子部品のマーキングには商標が含ま
れるが、その場合スキャン方式では輪郭のマーキングに
加えて塗り潰しをするなどの必要があるため処理能力が
低いという欠点がある。
【０００５】本発明の目的は、装置コストやランニング
コストが低く、薄形の電子部品にも使用でき、かつ処理
能力の高いレーザマーキング装置を提供することであ
る。
コストが低く、薄形の電子部品にも使用でき、かつ処理
能力の高いレーザマーキング装置を提供することであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のビームスキャン
式レーザマーキング装置は、レーザ光の外周部および中
心部を遮光するためのマスクパターンが設けられたマス
クを有し、前記マスクパターンを使用して整形されたレ
ーザ光によりマーキング面にリング状の結像を形成して
マーキングを行なう。
式レーザマーキング装置は、レーザ光の外周部および中
心部を遮光するためのマスクパターンが設けられたマス
クを有し、前記マスクパターンを使用して整形されたレ
ーザ光によりマーキング面にリング状の結像を形成して
マーキングを行なう。
【０００７】サイズの異なる複数のマスクパターンを有
し、前記複数のマスクパターンのうち、任意に選択され
たマスクパターンにより整形されたレーザ光の結像を形
成するものを含む。
し、前記複数のマスクパターンのうち、任意に選択され
たマスクパターンにより整形されたレーザ光の結像を形
成するものを含む。
【０００８】ＣＷ励起Ｑスイッチパルス発振レーザ光の
発振周波数が５ＫＨｚから２０ＫＨｚの範囲に設定さ
れ、前記パルス発振レーザ光の１サイクルにおける発振
時間が２０μ秒から２００μ秒の範囲に設定されている
ものを含む。
発振周波数が５ＫＨｚから２０ＫＨｚの範囲に設定さ
れ、前記パルス発振レーザ光の１サイクルにおける発振
時間が２０μ秒から２００μ秒の範囲に設定されている
ものを含む。
【０００９】
【作用】マスクパターンにより整形されたリング状レー
ザ光をワーク面に結像させ走査するので、ワーク面での
加工深さが均等化して深くならず、マーキングの視認性
が改善されるとともに、薄い電子部品などにも使用でき
る。
ザ光をワーク面に結像させ走査するので、ワーク面での
加工深さが均等化して深くならず、マーキングの視認性
が改善されるとともに、薄い電子部品などにも使用でき
る。
【００１０】また、レーザ光の１サイクルにおける発振
時間が長いので、レーザ光の波形が改善されて、ワーク
面を瞬時に気化させることなく、加工深さを充分浅くす
ることができ、かつマーキングの視認性も向上する。
時間が長いので、レーザ光の波形が改善されて、ワーク
面を瞬時に気化させることなく、加工深さを充分浅くす
ることができ、かつマーキングの視認性も向上する。
【００１１】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１２】図１（ａ）は本発明のビームスキャン式レ
ーザマーキング装置の一実施例の平面図、同図（ｂ）は
同図（ａ）のレーザマーキング部の側面図、図２（ａ）
は図１のレーザ発振器１から射出されたレーザ光の進行
方向に直角な方向のエネルギー分布図、同図（ｂ）は図
１のマスク５に設けられたマスクパターンの断面図、同
図（ｃ）は同図（ｂ）の透過部１２を透過したレーザ光
の進行方向に直角な断面図、同図（ｄ）は同図（ｃ）の
レーザ光の進行方向に直角な方向のエネルギー分布図、
図３（ａ）は図２（ａ）のレーザ光によるワーク面１１
の集光スポットを示す図、同図（ｂ）は図２（ｃ）のレ
ーザ光によるワーク面１１の結像を示す図、同図（ｃ）
は同図（ａ）の集光スポットにより加工された描線の断
面図、同図（ｄ）は同図（ｂ）の結像により加工された
描線の断面図、同図（ｅ）は図２（ａ）のレーザ光の外
周部のみを遮光したレーザ光によるワーク面１１の結像
を示す図、同図（ｆ）は同図（ｅ）の結像により加工さ
れた描線の断面図、図４（ａ），（ｃ）および（ｅ）は
それぞれＱスイッチユニットに送られるオン時間が１０
μｓ，５０μｓおよび８０μｓである制御パルスのオン
・オフを示す図、同図（ｂ），（ｄ）および（ｆ）はそ
れぞれ同図（ａ），（ｃ）および（ｅ）の制御パルスに
より発振されたレーザの波形図である。
ーザマーキング装置の一実施例の平面図、同図（ｂ）は
同図（ａ）のレーザマーキング部の側面図、図２（ａ）
は図１のレーザ発振器１から射出されたレーザ光の進行
方向に直角な方向のエネルギー分布図、同図（ｂ）は図
１のマスク５に設けられたマスクパターンの断面図、同
図（ｃ）は同図（ｂ）の透過部１２を透過したレーザ光
の進行方向に直角な断面図、同図（ｄ）は同図（ｃ）の
レーザ光の進行方向に直角な方向のエネルギー分布図、
図３（ａ）は図２（ａ）のレーザ光によるワーク面１１
の集光スポットを示す図、同図（ｂ）は図２（ｃ）のレ
ーザ光によるワーク面１１の結像を示す図、同図（ｃ）
は同図（ａ）の集光スポットにより加工された描線の断
面図、同図（ｄ）は同図（ｂ）の結像により加工された
描線の断面図、同図（ｅ）は図２（ａ）のレーザ光の外
周部のみを遮光したレーザ光によるワーク面１１の結像
を示す図、同図（ｆ）は同図（ｅ）の結像により加工さ
れた描線の断面図、図４（ａ），（ｃ）および（ｅ）は
それぞれＱスイッチユニットに送られるオン時間が１０
μｓ，５０μｓおよび８０μｓである制御パルスのオン
・オフを示す図、同図（ｂ），（ｄ）および（ｆ）はそ
れぞれ同図（ａ），（ｃ）および（ｅ）の制御パルスに
より発振されたレーザの波形図である。
【００１３】このビームスキャン式レーザマーキング装
置は、レーザ発振器１と受光板３と光軸調整ミラー４と
マスク５とパルスモータ６とビームエキススパンダ７と
ガルバノメータ８，９とｆθレンズ１０がフレーム１３
上にセットされて構成されている。レーザ発振器１は超
短波Ｑスイッチユニット２を備えていて制御装置（不図
示）の制御によりＲＦパワーの繰り返し周波数である制
御パルスに同期してＣＷ励起Ｑスイッチパルス発振によ
るレーザ光を射出する。レーザ発振器１から射出された
レーザ光は光軸調整ミラー４で反射されビームエキスパ
ンダ７でビーム径が拡大されたのち、ガルバノメータ
８，９のミラーの反射によりｆθレンズ１０の方向に向
けられ、ｆθレンズ１０を通ってワーク面１１上に結像
するようになっている。ビームスキャンはガルバノメー
タ８，９の回転によって行なわれる。
置は、レーザ発振器１と受光板３と光軸調整ミラー４と
マスク５とパルスモータ６とビームエキススパンダ７と
ガルバノメータ８，９とｆθレンズ１０がフレーム１３
上にセットされて構成されている。レーザ発振器１は超
短波Ｑスイッチユニット２を備えていて制御装置（不図
示）の制御によりＲＦパワーの繰り返し周波数である制
御パルスに同期してＣＷ励起Ｑスイッチパルス発振によ
るレーザ光を射出する。レーザ発振器１から射出された
レーザ光は光軸調整ミラー４で反射されビームエキスパ
ンダ７でビーム径が拡大されたのち、ガルバノメータ
８，９のミラーの反射によりｆθレンズ１０の方向に向
けられ、ｆθレンズ１０を通ってワーク面１１上に結像
するようになっている。ビームスキャンはガルバノメー
タ８，９の回転によって行なわれる。
【００１４】ここまでに説明した構成は従来のビームス
キャン式レーザマーキング装置と同様であるが、本実施
例では光軸調整ミラー４とビームエキスパンダ７の間に
マスク５とパルスモータ６が設けられ、さらに受光板３
が設けられている点が従来と異なっている。マスク５に
は図２（ｂ）の断面図に示すような、サイズがそれぞれ
異なる数個のリング状パターンをなしている透過部１２
が形成されていて、透過部１２を透過したビーム光によ
りワーク面１１で円形リング状の結像が得られるように
してある。マスク５はここで反射されたレーザ光が光軸
上を逆戻りしないように光軸に対し斜交するように配置
されるため、マスク５上の透過部１２のパターンは楕円
リング状にされている。また、サイズの異なる透過部１
２が同心円上にマスク５上に配置されていて、マスク５
を回転させる回転機構であるパルスモータ６によって任
意のサイズのリング状マスクパターンを選択できるよう
になっている。マスク５で反射されたレーザ光は受光板
３で受光され、レーザ発振器１からのレーザ光に影響を
与えないようにしてある。マスク５を透過したレーザ光
はビームエキスパンダ７で拡げられたのち、ガルバノメ
ータ８，９で走査され、ｆθレンズ１０を通ってワーク
の加工面１１に図３（ｂ）に示すようなリング状の像を
結び、マーキングが行なわれる。
キャン式レーザマーキング装置と同様であるが、本実施
例では光軸調整ミラー４とビームエキスパンダ７の間に
マスク５とパルスモータ６が設けられ、さらに受光板３
が設けられている点が従来と異なっている。マスク５に
は図２（ｂ）の断面図に示すような、サイズがそれぞれ
異なる数個のリング状パターンをなしている透過部１２
が形成されていて、透過部１２を透過したビーム光によ
りワーク面１１で円形リング状の結像が得られるように
してある。マスク５はここで反射されたレーザ光が光軸
上を逆戻りしないように光軸に対し斜交するように配置
されるため、マスク５上の透過部１２のパターンは楕円
リング状にされている。また、サイズの異なる透過部１
２が同心円上にマスク５上に配置されていて、マスク５
を回転させる回転機構であるパルスモータ６によって任
意のサイズのリング状マスクパターンを選択できるよう
になっている。マスク５で反射されたレーザ光は受光板
３で受光され、レーザ発振器１からのレーザ光に影響を
与えないようにしてある。マスク５を透過したレーザ光
はビームエキスパンダ７で拡げられたのち、ガルバノメ
ータ８，９で走査され、ｆθレンズ１０を通ってワーク
の加工面１１に図３（ｂ）に示すようなリング状の像を
結び、マーキングが行なわれる。
【００１５】図３（ａ）に示す従来の集光スポットによ
って加工される描線の断面は同図（ｃ）に示すように、
中心部が極めて深くなる。また、同図（ｅ）に示す外周
部のみを遮光したレーザ光の結像によって加工される描
線の断面は同図（ｆ）に示すように、やはり中心部が深
くなる。
って加工される描線の断面は同図（ｃ）に示すように、
中心部が極めて深くなる。また、同図（ｅ）に示す外周
部のみを遮光したレーザ光の結像によって加工される描
線の断面は同図（ｆ）に示すように、やはり中心部が深
くなる。
【００１６】これに比べ、本実施例では加工面でのマー
キングはビームスキャンにより図３（ｂ）に示すような
リング状の結像が移動して得られる描線の巾方向に加え
られるエネルギーが平準化されているので、同図（ｄ）
のように加工深さがほぼ均等になる。また、このレーザ
マーキング装置では超短波Ｑスイッチユニットで制御さ
れるレーザ光の発振周波数は５ＫＨｚから２０ＫＨｚの
範囲に設定されているが、図４に示すように、制御装置
により制御パルスをオンとする時間を（ｃ）に示す５０
μｓとすることによって、（ｄ）に示す波形のレーザパ
ルスが発振され、また、制御パルスのオン時間を（ｅ）
に示す８０μｓとすることによって、（ｆ）に示す波形
のレーザパルスが発振される。制御パルスのオン時間が
５０μｓおよび８０μｓであるため、発振されるレーザ
パルスはＣＷ励起Ｑスイッチパルス発振レーザの特性
上、同図（ｄ）および（ｆ）のように、主パルスＰ1 に
続いて複数個の副パルスＰ2 が発生し、レーザ光の時間
軸方向のエネルギーが従来のように急峻とならない。し
たがって、マーキングにおける描線の加工深さは従来の
ように深くならず、前述した描線の巾方向に加えられる
エネルギーの平準化と相まって２０μｍ以下とすること
ができる。また、制御パルス信号のパルス巾を変化させ
ることにより、ワークの樹脂表面の変色を最適化できる
のでコントラストのよい描線が得られて視認性が高まる
ほか、二次的効果として加工時に発生する煤の量をコン
トロールすることもできる。
キングはビームスキャンにより図３（ｂ）に示すような
リング状の結像が移動して得られる描線の巾方向に加え
られるエネルギーが平準化されているので、同図（ｄ）
のように加工深さがほぼ均等になる。また、このレーザ
マーキング装置では超短波Ｑスイッチユニットで制御さ
れるレーザ光の発振周波数は５ＫＨｚから２０ＫＨｚの
範囲に設定されているが、図４に示すように、制御装置
により制御パルスをオンとする時間を（ｃ）に示す５０
μｓとすることによって、（ｄ）に示す波形のレーザパ
ルスが発振され、また、制御パルスのオン時間を（ｅ）
に示す８０μｓとすることによって、（ｆ）に示す波形
のレーザパルスが発振される。制御パルスのオン時間が
５０μｓおよび８０μｓであるため、発振されるレーザ
パルスはＣＷ励起Ｑスイッチパルス発振レーザの特性
上、同図（ｄ）および（ｆ）のように、主パルスＰ1 に
続いて複数個の副パルスＰ2 が発生し、レーザ光の時間
軸方向のエネルギーが従来のように急峻とならない。し
たがって、マーキングにおける描線の加工深さは従来の
ように深くならず、前述した描線の巾方向に加えられる
エネルギーの平準化と相まって２０μｍ以下とすること
ができる。また、制御パルス信号のパルス巾を変化させ
ることにより、ワークの樹脂表面の変色を最適化できる
のでコントラストのよい描線が得られて視認性が高まる
ほか、二次的効果として加工時に発生する煤の量をコン
トロールすることもできる。
【００１７】本実施例のビームスキャン式レーザマーキ
ング装置は、ワーク面の加工深さが浅いので薄形の電子
部品に使用できるとともに、マーキングの視認性が改善
され、また、マスクパターンのサイズ切り替えが可能な
ので、小さなリング状結像で商標輪郭を描いたのち、大
きなサイズのマスクパターンにより内方の塗り潰しを行
なうことなどができるので、品質向上とともに加工時間
の短縮が実現される。
ング装置は、ワーク面の加工深さが浅いので薄形の電子
部品に使用できるとともに、マーキングの視認性が改善
され、また、マスクパターンのサイズ切り替えが可能な
ので、小さなリング状結像で商標輪郭を描いたのち、大
きなサイズのマスクパターンにより内方の塗り潰しを行
なうことなどができるので、品質向上とともに加工時間
の短縮が実現される。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、マスクを
介してレーザ光をリング状に形成し結像させることによ
り、ビームスキャンによるワーク面上の描線の加工深さ
が均等化して最深深さが減少するので薄形の電子部品な
どのレーザマーキングが可能となり、レーザ光の１サイ
クルの発振時間を２０μ秒〜２００μ秒の範囲とするこ
とにより、レーザ光の波形が改善されてワーク面の加工
深さを一層浅くするとともに、ワーク材料の変色効果と
併せて視認性が向上するほか、発生する煤の量のコント
ロールができ、さらに、複数のパターンサイズのマスク
の中から任意サイズのマスクを選択することにより、商
標などの場合、小さいサイズのマスクパターンにより輪
郭をマーキングしたのち、大きいサイズのマスクパター
ンに切り替えて塗り潰しが行なえるなど、処置能力が向
上するという効果がある。
介してレーザ光をリング状に形成し結像させることによ
り、ビームスキャンによるワーク面上の描線の加工深さ
が均等化して最深深さが減少するので薄形の電子部品な
どのレーザマーキングが可能となり、レーザ光の１サイ
クルの発振時間を２０μ秒〜２００μ秒の範囲とするこ
とにより、レーザ光の波形が改善されてワーク面の加工
深さを一層浅くするとともに、ワーク材料の変色効果と
併せて視認性が向上するほか、発生する煤の量のコント
ロールができ、さらに、複数のパターンサイズのマスク
の中から任意サイズのマスクを選択することにより、商
標などの場合、小さいサイズのマスクパターンにより輪
郭をマーキングしたのち、大きいサイズのマスクパター
ンに切り替えて塗り潰しが行なえるなど、処置能力が向
上するという効果がある。
【図１】（ａ）本発明のビームスキャン式レーザマーキ
ング装置の一実施例の平面図、（ｂ）は（ａ）のレーザ
マーキング部の側面図である。
ング装置の一実施例の平面図、（ｂ）は（ａ）のレーザ
マーキング部の側面図である。
【図２】（ａ）は図１のレーザ発振器１から射出された
レーザ光の進行方向に直角な方向のエネルギー分布図で
ある。（ｂ）は図１のマスク５に設けられたマスクパタ
ーンの断面図である。（ｃ）は（ｂ）の透過部１２を透
過したレーザ光の進行方向に直角な断面図である。
（ｄ）は（ｃ）のレーザ光の進行方向に直角な方向のエ
ネルギー分布図である。
レーザ光の進行方向に直角な方向のエネルギー分布図で
ある。（ｂ）は図１のマスク５に設けられたマスクパタ
ーンの断面図である。（ｃ）は（ｂ）の透過部１２を透
過したレーザ光の進行方向に直角な断面図である。
（ｄ）は（ｃ）のレーザ光の進行方向に直角な方向のエ
ネルギー分布図である。
【図３】（ａ）は図２（ａ）のレーザ光によるワーク面
１１の集光スポットを示す図である。（ｂ）は図２
（ｃ）のレーザ光によるワーク面１１の結像を示す図で
ある。（ｃ）は（ａ）の集光スポットにより加工された
描線の断面図である。（ｄ）は（ｂ）の結像により加工
された描線の断面図である。（ｅ）は図２（ａ）のレー
ザ光の外周部のみを遮光したレーザ光によるワーク面１
１の結像を示す図である。（ｆ）は（ｅ）の結像により
加工された描線の断面図である。
１１の集光スポットを示す図である。（ｂ）は図２
（ｃ）のレーザ光によるワーク面１１の結像を示す図で
ある。（ｃ）は（ａ）の集光スポットにより加工された
描線の断面図である。（ｄ）は（ｂ）の結像により加工
された描線の断面図である。（ｅ）は図２（ａ）のレー
ザ光の外周部のみを遮光したレーザ光によるワーク面１
１の結像を示す図である。（ｆ）は（ｅ）の結像により
加工された描線の断面図である。
【図４】（ａ）は図１のＱスイッチユニット２に送られ
るオン時間が１０μｍの制御パルスのオン・オフを示す
図である。（ｂ）は（ａ）の制御パルスにより発振され
たレーザの波形図である。（ｃ）はオン時間が５０μｍ
の制御パルスのオン・オフを示す図である。（ｄ）は
（ｃ）の制御パルスにより発振されたレーザの波形図で
ある。（ｅ）はオン時間が８０μｍの制御パルスのオン
・オフを示す図である。（ｆ）は（ｅ）の制御パルスに
より発振されたレーザの波形図である。
るオン時間が１０μｍの制御パルスのオン・オフを示す
図である。（ｂ）は（ａ）の制御パルスにより発振され
たレーザの波形図である。（ｃ）はオン時間が５０μｍ
の制御パルスのオン・オフを示す図である。（ｄ）は
（ｃ）の制御パルスにより発振されたレーザの波形図で
ある。（ｅ）はオン時間が８０μｍの制御パルスのオン
・オフを示す図である。（ｆ）は（ｅ）の制御パルスに
より発振されたレーザの波形図である。
１ レーザ発振器 ２ 超短波Ｑスイッチユニット ３ 受光板 ４ 光軸調整ミラー ５ マスク ６ パルスモータ ７ ビームエキスパンダ ８ ｆθレンズ ９，１０ ガルバノメータ １１ ワーク面 １２ 透過部 Ｐ1 主パルス Ｐ2 副パルス
Claims (3)
- 【請求項１】 ＣＷ励起Ｑスイッチパルス発振レーザ光
をビームスキャンニングによりマーキングを行なうビー
ムスキャン式レーザマーキング装置において、 レーザ光の外周部および中心部を遮光するためのマスク
パターンが設けられたマスクを有し、 前記マスクパターンを使用して整形されたレーザ光によ
りマーキング面にリング状の結像を形成してマーキング
を行なうことを特徴とするビームスキャン式レーザマー
キング装置。 - 【請求項２】 サイズの異なる複数のマスクパターンを
有し、 前記複数のマスクパターンのうち、任意に選択されたマ
スクパターンにより整形されたレーザ光の結像を形成す
る請求項１に記載のビームスキャン式レーザマーキング
装置。 - 【請求項３】 ＣＷ励起Ｑスイッチパルス発振レーザ光
の発振周波数が５ＫＨｚから２０ＫＨｚの範囲に設定さ
れ、前記パルス発振レーザ光の１サイクルにおける発振
時間が２０μ秒から２００μ秒の範囲に設定されている
請求項１または２に記載のビームスキャン式レーザマー
キング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5271726A JP2500648B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | ビ―ムスキャン式レ―ザマ―キング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5271726A JP2500648B2 (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | ビ―ムスキャン式レ―ザマ―キング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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