JP2024500218A - 水電解用イリジウム含有触媒 - Google Patents

水電解用イリジウム含有触媒 Download PDF

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Abstract

Figure 2024500218000001
本発明は、
-担体材料と、
-担体材料上に設けられ、酸化イリジウム、水酸化イリジウム、又は水酸化酸化イリジウムを含有するイリジウム含有コーティングと
を含有する粒状触媒であって、
担体材料は、2m/g~50m/gの範囲のBET表面積を有し、触媒のイリジウム含有量は、以下の条件:
(1.505(g/m)×BET)/(1+0.0176(g/m)×BET)≦Ir-G≦(4.012(g/m)×BET)/(1+0.0468(g/m)×BET)
(式中、BETは、m/g単位で表される、担体材料のBET表面積であり、Ir-Gは、重量%単位で表される、触媒のイリジウム含有量である)
を満たす、粒状触媒に関する。
【選択図】図1

Description

本発明は、水電解における酸素発生反応のためのイリジウム含有触媒に関する。
水素は、持続可能なエネルギー貯蔵を可能にし、長期にわたって利用可能であり、回生エネルギー技術を使用して生成することもできることから、将来のエネルギーキャリアであると考えられている。
水蒸気改質は現在、水素を生成するための最も一般的な方法である。水蒸気改質においては、メタン及び水蒸気を反応させて水素及びCOを生成する。水電解は、水素生成の更なる変化形態を代表するものである。高純度の水素は、水電解を介して得ることができる。
水電解の様々な方法があり、特に、アルカリ水電解、高分子電解質膜(polymer electrolyte membrane)を使用する酸性水電解(「PEM」、PEM水電解)及び高温固体酸化物電解がある。
水電解セルは、酸素発生反応(oxygen evolution reaction、「OER」)が起こる電極を有するハーフセル、及び水素発生反応(hydrogen evolution reaction、「HER」)が起こる電極を有する更なるハーフセルを含有する。酸素発生反応が起こる電極は、アノードと呼ばれる。
水電解技術、特にPEM水電解の概要は、例えば、M.Carmo et al.,International Journal of Hydrogen Energy,38,2013、pp.4901-4934、及びV.Himabindu et al.,Materials Science for Energy Technologies,2,2019,pp.442-454に見出すことができる。
高分子電解質膜水電解セル(以下、PEM水電解セルとも称する)では、高分子膜は、プロトン輸送媒体として機能し、電極を互いに電気的に絶縁する。酸素発生反応及び水素発生反応のための触媒組成物は、例えば、膜(「触媒被覆膜CCM」)の前面及び背面にアノード及びカソードとして適用され、それによって膜電極接合体(「MEA」)が得られる。
PEM水電解セルのアノードで起こる酸素発生反応は、以下の反応式によって表すことができる。
2HO→4H+O+4e
その複雑な反応機構により、酸素発生反応は遅い反応速度を示し、これが、十分に高い変換速度を達成するためにアノードにおける著しい過電位が必要とされる理由である。加えて、酸素発生反応は、高酸性条件(すなわち、低pH)下で進行する。
水電解セルの効率的な動作には、触媒の存在が必要である。アノードでの酸素発生反応は、高度に腐食性の条件(低pH、著しい過電圧)下で進行するので、好適な触媒材料は、特に、ルテニウム及びイリジウムなどの貴金属並びにそれらの酸化物である。
触媒活性金属又は金属酸化物は、触媒材料の比表面積を増加させるために、担体材料上に任意に存在し得る。
担体材料の場合も、酸素発生反応の高腐食性条件下で十分に高い安定性を有する材料のみが適しており、例えば、TiOなどの遷移金属酸化物又はAlなどの特定の主族元素の酸化物である。しかしながら、これらの酸化物ベースの担体材料の多くは非導電性であり、これは酸素発生反応の効率、したがって水電解の効率にも不利な影響を及ぼす。
酸性条件下での(すなわち、PEM水電解セルのアノードでの)酸素発生反応のための触媒の概要は、例えば、P.Strasser et al.,Adv.Energy Mater.,7,2017,1601275、及びF.M.Sapountzi et al.,Progress in Energy and Combustion Science,58,2017,pp.1-35に見出すことができる。
国際公開第2005/049199(A1)号は、PEM水電解における酸素発生反応のための触媒組成物を記載している。この触媒は、酸化イリジウムと、担体材料として作用する無機酸化物とを含有する。担体材料は、50m/g~400m/gの範囲のBET表面積を有し、組成物中に20重量%未満の量で存在する。したがって、触媒組成物は高いイリジウム含有量を含む。
イリジウムの埋蔵量は非常に限られている。M.Bernt et al.,”Analysis of Voltage Losses in PEM Water Electrolyzers with Low Platinum Group Metal Loadings”,J.Electrochem.Soc.165,2018,F305-F314,及びM.Bernt et al.,”Current Challenges in Catalyst Development for PEM Water Electrolyzers”,Chem.Ing.Tech.,2020,92,no.1-2,pp.31-39には、触媒被覆膜のアノード側へのイリジウムの現在一般的な装填度は、被覆膜表面1cm当たり約2mgのイリジウムであるが、この装填度は、利用可能なイリジウム量に基づいてPEM電解の大規模使用を可能にするために、なお大幅に低減されなければならないことが記載されている。
M.Bernt et al.,J.Electrochem.Soc.165,2018,F305-F314は、TiO担持IrOを含む市販の触媒組成物を使用した触媒被覆膜の製造を記載している。触媒組成物は、(IrOの形態での)75重量%の量のイリジウムを含有する。表面基準イリジウム装填度が可能な限り低いアノードを得るために、アノードの層厚さを減少させた。膜1cm当たりイリジウム0.20mg~5.41mgの範囲の表面基準装填度のイリジウムを製造し、水電解におけるそれらの効率について試験した。膜1cm当たり1mg~2mgのイリジウムの装填度では、依然として良好な結果が得られたが、膜1cm当たり0.5mg未満のイリジウムの装填度では、アノードの層厚さが薄く、結果として電極層が不均一になるため、水電解の効率が著しく悪化した。したがって、この刊行物は、触媒組成物の構造又は形態を変化させて、アノード層におけるイリジウム充填密度を低下させ、それによって、同じアノード層厚さ(例えば、4μm~8μm)に対して、被覆膜表面1cm当たりイリジウム0.5mg未満のイリジウム装填度の低減を達成することを提案している。
M.Bernt et al.,Chem.Ing.Tech.,2020,92,no.1-2,pp.31-39は、アノードにおけるイリジウム充填密度低減のための可能なアプローチが、高い比表面積(すなわち、高いBET表面積)の担体材料を使用すること、及びこの担体材料上に触媒活性金属イリジウム又は酸化イリジウムを可能な限り微細に分散させることにあることを記載している。これに関連して、この刊行物には、十分に高い安定性を有する通常の担体材料、例えばTiOの多くは非導電性であり、したがって、非導電性の担体材料の表面上にIr又はIrOナノ粒子のネットワークを可能な限り近接して生成するために、比較的大量のIr又はIrO(>40重量%)が触媒組成物中に必要とされることが記載されている。この刊行物はまた、これを解決するための可能なアプローチとして、酸化イリジウムを導電性担体材料、例えばアンチモンドープ酸化スズ上に分散させることができることを記載している。
欧州特許第2608297(A1)号は、担体材料として作用する無機酸化物と、この担体材料上に分散された酸化イリジウムとを含有する、水電解のための触媒組成物を記載している。酸化物系担体材料は、組成物中に25重量%~70重量%の量で存在し、30m/g~200m/gの範囲のBET表面積を含む。
C.Van Pham et al.,Applied Catalysis B:Environmental,269,2020,118762は、TiOがコアを形成しIrOがシェルを形成するコアシェル構造を含む、水電解の酸素発生反応のための触媒を記載している。コアシェル粒子は、50重量%のIrOを含有する。X線回折及びシェラーの式を用いて、IrOシェルについて10nmの平均結晶子サイズが決定される。触媒被覆膜が製造され、そのアノードは、膜1cm当たり1.2mgのイリジウム又は膜1cm当たり0.4mgのイリジウムの表面基準イリジウム装填度を有する。
欧州特許第2608298(A1)号は、(i)コアシェル構造を有する担体材料と、(ii)このコアシェル担体上に分散された金属ナノ粒子とを含有する触媒を記載している。この触媒組成物は燃料電池に使用される。
本発明の目的は、酸性水電解(「PEM水電解」)における酸素発生反応のための触媒を提供することであり、それによって、膜電極ユニット中のアノードを製造することができ、上記アノードは、可能な限り低い表面基準イリジウム装填量を有する(すなわち、膜1cm当たりのイリジウムの量が可能な限り少ない)が、なお酸素発生反応に関して高い活性を示す。
本発明の第1の態様によれば、上記目的は、
-担体材料と、
-担体材料上に設けられ、酸化イリジウム、水酸化イリジウム、若しくは水酸化酸化イリジウム、又はこれらのイリジウム化合物のうちの少なくとも2種の混合物を含有し、1.5nm~5.0nmの範囲の平均層厚さを有するイリジウム含有コーティングと
を含有する粒状触媒であって、
触媒は、最大50重量%のイリジウム含有量を含む、
粒状触媒によって達成される。
本発明による触媒は、比較的少量(最大50重量%)のイリジウムを含有し、このイリジウムは、酸化イリジウム、水酸化イリジウム又は水酸化酸化イリジウムとして、粒状担体材料上のコーティングの形態で存在する。本発明の第1の態様に関連して、担体材料の粒子上のこのイリジウム含有コーティングの平均層厚さが1.5nm~5.0nmの範囲である場合、非常に低い表面基準イリジウム装填量(例えば、1cm当たりイリジウム0.4mg未満)を有するが、なお酸素発生反応に関して高い活性を示すアノードが製造され得る触媒が得られることが見出された。層厚さは、担体材料上に堆積される酸化イリジウム、水酸化イリジウム又は水酸化酸化イリジウムの量によって、及び担体材料のBET表面積によって調節され得る。一定量の塗布された酸化イリジウム、水酸化イリジウム又は水酸化酸化イリジウムに対する担体材料のBET表面積が大きいほど、イリジウム含有コーティングの層厚さは小さくなる。
イリジウム含有コーティングは、好ましくは比較的均一な層厚さを有する。例えば、平均層厚さは、局所的に最大2倍変化する。平均層厚さからの相対標準偏差は、好ましくは最大35%である。一般的に知られているように、変動係数と呼ばれることもある相対標準偏差SDrel(%)は、以下の関係式によって与えられる。
SDrel=[SD/M]×100
(式中、
Mは、測定された変数の平均値、すなわち、この場合、nm単位で表される、平均層厚さであり、
SDは、nm単位で表される、平均層厚さからの標準偏差である)。
(絶対)標準偏差は、知られているように、分散の平方根によって与えられる。
本発明の第2の態様によれば、上記目的は、
-担体材料と、
-担体材料上に設けられ、酸化イリジウム、水酸化イリジウム、又は水酸化酸化イリジウムを含有するイリジウム含有コーティングと
を含有する粒状触媒であって、
担体材料は、2m/g~50m/gの範囲のBET表面積を有し、触媒のイリジウム含有量は、以下の条件:
(1.505(g/m)×BET)/(1+0.0176(g/m)×BET)≦Ir-G≦(4.012(g/m)×BET)/(1+0.0468(g/m)×BET)
(式中、
BETは、m/g単位で表される、担体材料のBET表面積であり、
Ir-Gは、重量%単位で表される、触媒のイリジウム含有量である)
を満たす、粒状触媒によって達成される。
比較的低いBET表面積(最大50m/g)を有する担体材料の使用は、触媒のイリジウム含有量を減少させることを可能にする。本発明の文脈において、驚くべきことに、酸素発生反応に関して可能な限り低いイリジウム含有量と可能な限り高い活性との間の改善された折衷は、触媒のイリジウム含有量が、上述の条件が満たされるように担体材料のBET表面積に適合する場合に達成され得ることが見出された。例えば、10m/gのBET表面積を有する担体材料が使用される場合、これは、上述の条件を使用して、13重量%~27重量%の範囲のイリジウム含有量が触媒のために選択されるべきであることを意味する。
別段の指示がない限り、以下の記述は、本発明の第1の態様による触媒及び第2の態様による触媒の両方に適用される。
触媒は、好ましくは金属イリジウム(すなわち、ゼロ酸化状態のイリジウム)を一切含有しない。イリジウムは、好ましくは、+3酸化状態のイリジウム(イリジウム(III))及び/又は+4酸化状態のイリジウム(イリジウム(IV))として排他的に存在する。イリジウムの酸化状態、したがってイリジウム(0)の不存在、並びにイリジウム(III)及び/又はイリジウム(IV)の存在は、XPS(X線光電子分光法(X-ray photoelectron spectroscopy))によって検証され得る。
触媒は、好ましくは最大40重量%、より好ましくは最大35重量%の量でイリジウムを含む。例えば、触媒は、イリジウムを5重量%~40重量%、より好ましくは5重量%~35重量%の量で含有する。
イリジウム含有コーティングは、好ましくは1.5nm~4.0nm、より好ましくは1.7nm~3.5nmの範囲の平均厚さを有する。
例示的な一実施形態では、イリジウム含有コーティングは、1.7nm~3.5nmの範囲の平均厚さを有し、触媒のイリジウム含有量は、最大40重量%である。
担体材料のBET表面積は、好ましくは2m/g~40m/g、より好ましくは2m/g~<10m/g、更により好ましくは2m/g~9m/gである。
好ましい実施形態において、触媒のイリジウム含有量は、以下の条件:
(1.705(g/m)×BET)/(1+0.0199(g/m)×BET)≦Ir-G≦(3.511(g/m)×BET)/(1+0.0410(g/m)×BET)
(式中、
BETは、m/g単位で表される、担体材料のBET表面積であり、
Ir-Gは、重量%単位で表される、触媒のイリジウム含有量である)
を満たす、粒状触媒によって達成される。
更により好ましくは、触媒のイリジウム含有量は以下の条件:
(1.805(g/m)×BET)/(1+0.0211(g/m)×BET)≦Ir-G≦(3.009(g/m)×BET)/(1+0.0351(g/m)×BET)
(式中、
BETは、m/g単位で表される、担体材料のBET表面積であり、
Ir-Gは、重量%単位で表される、触媒のイリジウム含有量である)
を満たす、粒状触媒によって達成される。
イリジウム含有コーティングは、好ましくは水酸化酸化イリジウムを含む。オキシドアニオンに加えて、水酸化酸化イリジウムは、ヒドロキシドアニオンも含有し、例えば以下の式によって表すことができる:IrO(OH)x(式中、1≦x<2である)。
例えば、イリジウム含有コーティングにおいて、X線光電子分光法(XPS)によって決定されるイリジウム(IV)対イリジウム(III)の原子比は、多くとも4.7/1.0である。例えば、イリジウム含有層中のイリジウム(IV)/イリジウム(III)原子比は、1.0/1.0~4.7/1.0の範囲である。これにより、触媒の電気化学活性を更に向上させることができる。高い電気化学活性と高い導電性との間の有利な折衷を達成するために、イリジウム含有層中のイリジウム(IV)/イリジウム(III)原子比が1.9/1.0~4.7/1.0、より好ましくは2.5/1.0~4.7/1.0の範囲であることが好ましい場合がある。イリジウム(IV)/イリジウム(III)原子比は、触媒の熱処理の温度によって調節することができる。高温での触媒の熱処理は、イリジウム(IV)/イリジウム(III)比の高い値に有利である。触媒の熱処理のための好ましい温度もまた以下に指定される。
触媒は、好ましくは金属状貴金属(白金、パラジウム、イリジウム、ロジウム、ルテニウム、オスミウム、銀又は金など)を含有しない。金属状貴金属は、ゼロ酸化状態にある貴金属を意味する。金属状貴金属が存在しないことは、XPSによって検証され得る。
任意に、イリジウム含有コーティングはまた、+3酸化状態(Ru(III))及び/又は+4酸化状態(Ru(IV))のルテニウムを含んでもよい。
イリジウム含有コーティングが適用され得る好適な担体材料は、当業者に既知である。例えば、担体材料は、遷移金属の酸化物(例えば、酸化チタン(例えば、TiO)、酸化ジルコニウム(例えば、ZrO)、酸化ニオブ(例えば、Nb)、酸化タンタル(例えば、Ta)又は酸化セリウム)、主族金属の酸化物(例えば、Alなどの酸化アルミニウム)、SiO又は前述の担体材料のうちの2種以上の混合物である。好ましい実施形態において、担体材料は酸化チタンである。
担体材料は、通常、粒状担体材料である。
触媒の電気化学活性のために、高温でのより長い熱処理を回避することが有利であり得る。換言すれば、装填された担体材料が穏和な温度で乾燥され、その後の材料の高温焼成が省かれる場合、又は少なくともより高い温度での熱処理の持続時間が比較的短く保たれる場合、この材料は、酸性条件下での酸素発生反応において高レベルの触媒活性を示す。
例えば、その製造中に、触媒は、250℃を超える温度で1時間を超える期間の熱処理には供されない。
例えば、その製造中に、触媒は、最大250℃、より好ましくは最大200℃の温度で乾燥され、乾燥後にはいかなる更なる熱処理にも供されない。
触媒がその製造中に熱後処理に供されない場合、これは、かなり低い導電性を有する触媒をもたらし得る。水電解セルのアノードにおいて、膜上に存在する触媒含有コーティングは、例えば、多孔質輸送層(porous transport layer、PTL)に隣接し得る。多孔質輸送層は、例えばチタンから作られ、薄い酸化物層を金属上に形成することが可能である。触媒がかなり低い導電性を有する場合、このことは、触媒含有コーティングと多孔質輸送層との間の界面における接触抵抗の望ましくない増加をもたらし、したがって、水電解セルの効率に悪影響を及ぼし得る。触媒含有コーティングとチタン製多孔質輸送層との間の接触抵抗は、例えば、貴金属(例えば白金)が多孔質輸送層に適用され、それによって触媒含有コーティングがこの金属状白金層に隣接する場合に低減され得る。
触媒の導電性を改善し、したがって水電解セル内の多孔質輸送層への貴金属層の適用を回避するために、触媒がその製造中にいくらか高い温度で熱後処理に供された場合、このことは有利であり得る。
触媒の十分に高い導電性と高い電気化学活性との間の有利な折衷は、例えば、その製造中に、触媒が250℃超、例えば>250℃~550℃、より好ましくは300℃~450℃、更により好ましくは300℃~380℃の温度で熱処理に供された場合に達成することができる。熱処理は、例えば、酸素含有雰囲気中で行うことができる。熱処理は、例えば、少なくとも1時間、ただし好ましくは3時間以下の期間にわたって行われる。この熱処理(好ましくは300℃~450℃、更により好ましくは300℃~380℃)の結果として、触媒の導電性は、非熱処理触媒と比較して著しく増加させることができ(例えば、50倍~100倍)、一方で、電気化学活性は適度に低減されるだけである(例えば、1.5倍~2倍)。
例えば、触媒は、その製造中に、360℃を超える温度で60分を超える期間の熱処理には供されない。
粒状触媒は、好ましくは、担体材料がコアを形成し、イリジウム含有コーティングがシェルを形成する、コアシェル構造を含む。好ましくは、コアはシェルによって完全に取り囲まれている。
本発明の第3の態様によれば、上記目的は、
-2m/g~<10m/g、より好ましくは2m/g~9m/gの範囲のBET表面積を含む担体材料と、
-担体材料上に設けられ、酸化イリジウム、水酸化イリジウム、若しくは水酸化酸化イリジウム、又はこれらのイリジウム化合物のうちの少なくとも2種の混合物を含有するイリジウム含有コーティングと
を含有する粒状触媒であって、
触媒は、5重量%~20重量%、より好ましくは5重量%~14重量%のイリジウム含有量を含む、
粒状触媒によって達成される。
好適な担体材料に関しては、上記の記載を参照することができる。例えば、担体材料は、遷移金属の酸化物(例えば、酸化チタン(例えば、TiO)、酸化ジルコニウム(例えば、ZrO)、酸化ニオブ(例えば、Nb)、酸化タンタル(例えば、Ta)又は酸化セリウム)、主族金属の酸化物(例えば、Alなどの酸化アルミニウム)、SiO又は前述の担体材料のうちの2種以上の混合物である。好ましい実施形態において、担体材料は酸化チタンである。担体材料は、通常、粒状担体材料である。
イリジウム含有コーティングの好ましい特性に関しても、上記の記載を参照することができる。イリジウム含有コーティングは、好ましくは水酸化酸化イリジウムを含む。オキシドアニオンに加えて、水酸化酸化イリジウムは、ヒドロキシドアニオンも含有し、例えば以下の式によって表すことができる:IrO(OH)x(式中、1≦x<2である)。例えば、イリジウム含有コーティングにおいて、X線光電子分光法(XPS)によって決定されるイリジウム(IV)対イリジウム(III)の原子比は、多くとも4.7/1.0である。例えば、イリジウム含有層中のイリジウム(IV)/イリジウム(III)原子比は、1.0/1.0~4.7/1.0の範囲である。これにより、触媒の電気化学活性を更に向上させることができる。高い電気化学活性と高い導電性との間の有利な折衷を達成するために、イリジウム含有層中のイリジウム(IV)/イリジウム(III)原子比が1.9/1.0~4.7/1.0、より好ましくは2.5/1.0~4.7/1.0の範囲であることが好ましい場合がある。イリジウム(IV)/イリジウム(III)原子比は、触媒の熱処理の温度によって調節することができる。
本発明の第3の態様による触媒に関しても、触媒の十分に高い導電性と高い電気化学活性との間の有利な折衷は、例えば、その製造中に、触媒が250℃超、例えば>250℃~550℃、より好ましくは300℃~450℃、更により好ましくは300℃~380℃の温度で熱処理に供された場合に達成することができる。
また、本発明の第3の態様による触媒は、金属状貴金属(白金、パラジウム、イリジウム、ロジウム、ルテニウム、オスミウム、銀、金など)を含有しないことが好ましい。金属状貴金属は、ゼロ酸化状態にある貴金属を意味する。金属状貴金属が存在しないことは、XPSによって検証され得る。
本発明はまた、上記粒状触媒を製造するための方法であって、酸化イリジウム、水酸化イリジウム又は水酸化酸化イリジウムを含有するイリジウム含有コーティングが担体材料上に堆積する、方法に関する。
担体材料上へのイリジウム含有コーティングの堆積は、例えば、酸化イリジウム、水酸化イリジウム又は水酸化酸化イリジウムがアルカリ性条件下で粒状担体材料に適用される湿式化学プロセスによって、及び任意選択で熱後処理によって、行われる。
あるいは、イリジウム含有コーティングを噴霧熱分解によって担体材料上に堆積させることも可能である。
例えば、触媒は、以下の方法を用いて製造される。
-イリジウム化合物を含有する水性媒体中で、イリジウム含有固体が、pH≧9で担体材料上に堆積され、
-イリジウム含有固体が装填された担体材料が、水性媒体から分離され、任意に熱処理に供される。
被覆される担体材料は、例えば、水性媒体中に分散形態で存在する。水性媒体は、アルカリ性条件下でイリジウム含有固体として沈殿することができるイリジウム化合物を含有する。そのようなイリジウム化合物は、当業者に既知である。これは、好ましくは、イリジウム(IV)又はイリジウム(III)化合物である。
既に述べたように、層厚さは、担体材料上に堆積される酸化イリジウム、水酸化イリジウム又は水酸化酸化イリジウムの量によって、及び担体材料のBET表面積によって調節され得る。一定量の塗布された酸化イリジウム、水酸化イリジウム又は水酸化酸化イリジウムに対する担体材料のBET表面積が大きいほど、イリジウム含有コーティングの層厚さは小さくなる。
担体材料のBET表面積に関しては、上記の記載を参照することができる。担体材料のBET表面積は、好ましくは2m/g~40m/g、より好ましくは2m/g~<10m/g、更により好ましくは2m/g~9m/gである。
水溶液中のアルカリ条件下で固体として沈殿する好適なイリジウム(III)又はイリジウム(IV)化合物は、当業者に既知である。例えば、イリジウム(III)又はイリジウム(IV)化合物は、塩(例えば、IrCl若しくはIrClなどのハロゲン化イリジウム;アニオンが塩素錯体IrCl 2-である塩;硝酸イリジウム若しくは酢酸イリジウム)、又はHIrClなどのイリジウム含有酸である。好ましい実施形態では、水性媒体は、ハロゲン化イリジウム(IV)、特に塩化Ir(IV)を含有する。
任意に、ルテニウム(III)及び/又はルテニウム(IV)化合物もまた、水性媒体中に存在し得る。これにより、担体材料上への水酸化酸化イリジウム-ルテニウムの堆積が可能になる。ルテニウム前駆体化合物が水性媒体中に存在する場合、それは、例えば、Ru(III)又はRu(IV)塩、例えば、ハロゲン化物、硝酸塩又は酢酸塩であり得る。
担体材料上にイリジウム含有固体を堆積させるために、水性媒体は、好ましくは、≧10、より好ましくは≧11のpH値を有する。例えば、水性媒体は、9~14、より好ましくは10~14、又は11~14のpH値を有する。
水性媒体は通常、少なくとも50体積%、より好ましくは少なくとも70体積%、又は更には少なくとも90体積%の割合で水を含有する。
担体材料上にイリジウム含有固体を堆積させるために、水性媒体の温度は、例えば、40℃~100℃、より好ましくは60℃~80℃である。
担体材料は、例えば、1つ以上のイリジウム(III)及び/又はイリジウム(IV)化合物を既に含有するが、<9のpHを有する、水性媒体中に(例えば室温で)分散させることができる。次いで、塩基の添加によって水性媒体のpHを≧9の値に増加させ、任意に、水性媒体の温度も、イリジウム含有固体を沈殿反応を介して担体材料上に堆積させるまで、上昇させる。あるいは、例えば、イリジウム化合物をまだ含有しない水性媒体中に担体材料を分散させ、好適なpH値及び任意に特定の沈殿温度に設定した後に初めて、イリジウム(III)及び/又はイリジウム(IV)化合物を水性媒体に添加することも可能である。
ルテニウム(III)及び/又はルテニウム(IV)化合物が水性媒体中にも存在する限り、担体材料への沈殿によって適用される固体は、イリジウムに加えて、更にルテニウムを含有する。イリジウム対ルテニウムの原子比は、例えば、90/10~10/90の範囲であり得る。
イリジウム含有固体が装填された担体材料の水性媒体からの分離は、当業者に既知の方法によって(例えば、濾過によって)行われる。
イリジウム含有固体が装填された担体材料を乾燥させる。担体材料上に存在する乾燥イリジウム含有固体は、例えば水酸化酸化イリジウムである。オキシドアニオンに加えて、水酸化酸化イリジウムは、ヒドロキシドアニオンも含有し、例えば以下の式によって表すことができる:IrO(OH)x(式中、1≦x<2である)。
熱処理の温度及び持続時間は、酸化イリジウム、水酸化イリジウム又は水酸化酸化イリジウムが、担体材料上に存在するコーティング中に存在するかどうかを制御するために使用することができる。高温及び長時間の熱処理は、酸化イリジウムの形成に有利である。
既に上で説明したように、触媒の製造中に高温でのより長い熱処理が回避される場合、このことは触媒の電気化学活性にとって有利であり得る。換言すれば、装填された担体材料が穏和な温度で乾燥され、その後の材料の高温焼成が省かれる場合、又は少なくともより高い温度での熱処理の持続時間が比較的短く保たれる場合、この材料は、酸性条件下での酸素発生反応において高レベルの触媒活性を示す。
例えば、本方法では、被覆担体材料は、250℃を超える温度で1時間を超える期間の熱処理には供されない。例えば、本方法では、被覆担体材料は、200℃を超える温度で30分を超える期間の熱処理には供されない。
例えば、被覆担体材料は、最大250℃、より好ましくは最大200℃の温度で乾燥され、乾燥後に任意の更なる熱処理には供されない。
既に上記で説明したように、担体材料上に存在するイリジウム含有コーティングの導電性、したがって触媒の導電性は、熱後処理がいくらか高い温度で行われる場合に改善され得る。触媒の十分に高い導電性と高い電気化学活性との間の有利な折衷は、例えば、被覆担体材料が、250℃超、例えば>250℃~550℃、より好ましくは300℃~450℃、更により好ましくは300℃~380℃の温度で熱処理に供される場合に達成され得る。熱処理は、例えば、酸素含有雰囲気中で行うことができる。熱処理は、例えば、少なくとも1時間、ただし好ましくは3時間以下の期間にわたって行われる。
本発明は更に、上記の方法に従って得られる粒状触媒に関する。
本発明は更に、
-上述の触媒と、
-アイオノマー、特にスルホン酸基含有アイオノマー(例えば、スルホン酸基含有フッ素化アイオノマー)と
を含有する組成物に関する。
好適なアイオノマーは当業者に既知である。例えば、スルホン酸基含有フッ素化アイオノマーは、モノマーとして、フルオロエチレン(例えば、テトラフルオロエチレン)とスルホン酸基含有フルオロビニルエーテル(例えば、スルホン酸基含有パーフルオロビニルエーテル)とを含有する共重合体である。これらのアイオノマーの概要は、例えば、以下の刊行物に見出すことができる:A.Kusoglu及びA.Z.Weber,Chem.Rev.,2017,117,p.987-1104。
組成物は、例えば、触媒及びアイオノマーに加えて、液状媒体を含むインクである。液状媒体は、例えば、1種以上の短鎖アルコール(例えば、メタノール、エタノール若しくはn-プロパノール又はこれらのアルコールのうちの少なくとも2種の混合物)を含有する。触媒は、例えば、5重量%~60重量%、より好ましくは10重量%~50重量%又は20重量%~40重量%の濃度でインク中に存在する。アイオノマーは、例えば、5重量%~50重量%、より好ましくは10重量%~30重量%の濃度でインク中に存在する。
組成物は固体として存在することもできる。例えば、水電解セルのアノードは、この組成物を含有する。
本発明は更に、上記触媒又は上記組成物の、水電解用アノードとしての使用に関する。酸素発生反応はアノードで起こる。水電解は、好ましくはPEM水電解であり、すなわち、酸素発生反応は、好ましくは酸性条件下で起こる。
測定方法
本発明の文脈内で、以下の測定方法を使用した。
担体材料上のイリジウム含有コーティングの平均厚さ
担体材料上のイリジウム含有コーティングの平均厚さを、TEM(transmission electron microscopy、透過型電子顕微鏡)によって決定した。
調査する数μgの材料をエタノール中に懸濁させた。続いて、懸濁液の液滴を、穿孔された炭素フィルム被覆Cuプレートレット(Plano、200メッシュ)上にピペットで移し、乾燥させた。層厚さの測定を、500,000倍の倍率で行った。担体材料中に存在する元素(例えば、Ti)及びIrの並行EDX元素分析によって、TEM画像は、担体材料粒子上のどの領域がイリジウムを含有するかを示す。
イリジウム含有コーティングの厚さを、少なくとも2つのTEM画像上で、それぞれの場合にTEM画像上の少なくとも5つの点において決定した。各TEM画像は、いくつかの粒子を示す。これらの層厚さの算術平均から、イリジウム含有コーティングの平均厚さを得た。
変動係数と呼ばれることもある、平均層厚さからの相対標準偏差SDrel(%)は、知られているように、以下の関係式から与えられる。
SDrel=[SD/M]×100
(式中、
Mは、nm単位で表される、平均層厚さであり、
SDは、nm単位で表される、平均層厚さからの標準偏差である)。
nm単位で表される、(絶対)標準偏差は、知られているように、分散の平方根によって与えられる。
触媒のイリジウム含有量
イリジウム含有量及び存在する場合、ルテニウムの含有量を、誘導結合プラズマ発光分光分析(optical emission spectrometry with inductively coupled plasma、ICP-OES)によって決定する。
BET表面積
BET表面積を、BET理論(多点法、ISO9277:2010)に従って77Kで窒素を吸着質として用いて決定した。
Ir(IV)対Ir(III)の原子比
酸化状態+4のIr原子対酸化状態+3のIr原子の相対的な割合、したがって、担持された水酸化酸化イリジウム中のIr(IV)/Ir(III)原子比を、X線光電子分光法(XPS)により決定した。この比は、Ir(4f)二重線(BE75~55eV、Al-kα源)の詳細スペクトルにおいて、シャーリーバックグラウンドを用いた補正非対称ローレンツピークフィットによって決定される。更に、O(1s)の詳細スペクトル(BE約531eV、Al-kα源)中のIrOH種の存在もまた、非対称ピークフィット(Shirleyバックグラウンド、ガウスコンテンツ30%のガウス-ローレンツ複合関数)によって検出される。対応する手順は、例えば、Abbott et al.,Chem.Mater.,2016,6591-6604に記載されている。
XPS分析はまた、イリジウム(0)が組成物中に存在するかどうかを確認するためにも使用され得る。
以下の実施例を参照して本発明をより詳細に説明する。
発明実施例IE1
27.80gの塩化イリジウム(IV)(IrCl水和物、Heraeus Deutschland GmbH&Co.KG)を4000mLの水に室温で溶解した。次に、29.94gのTiO(DT20、Tronox、BET表面積:20m/g)を添加した。NaOHを添加することによってpHを10.3に調整した。水性媒体を70℃に加熱し、pHを11に調整した。水性媒体を70℃で一晩撹拌した。pHを>11.0に維持した。イリジウム含有固体が装填されたTiO担体材料を濾別し、洗浄し、乾燥させた。酸素含有雰囲気中、350℃で1時間の熱後処理を行った。触媒はコアシェル構造を含む。XPS分析は、担体材料上に存在するイリジウム含有コーティングが水酸化酸化イリジウムであることを示した。Ir(IV)/Ir(III)比:4.0:1.0。
発明実施例IE2
64.59gの塩化イリジウム(IV)(IrCl水和物、Heraeus Deutschland GmbH&Co.KG)を2500mLの水に室温で溶解した。次に、53.15gのTiO(DT30、Tronox、BET表面積:30m/g)を添加した。NaOHを添加することによってpHを9.0に調整した。水性媒体を70℃に加熱し、pHを9.2に調整した。水性媒体を70℃で一晩撹拌した。pHを>9.0に維持した。イリジウム含有固体が装填されたTiO担体材料を濾別し、洗浄し、乾燥させた。酸素含有雰囲気中、350℃で1時間の熱後処理を行った。触媒はコアシェル構造を含む。XPS分析は、担体材料上に存在するイリジウム含有コーティングが水酸化酸化イリジウムであることを示した。Ir(IV)/Ir(III)比:3.9:1.0。
発明実施例IE3
9.23gの塩化イリジウム(IV)(IrCl水和物、Heraeus Deutschland GmbH&Co.KG)を1000mLの水に室温で溶解した。次に、44.85gのTiO(DT-X5、Tronox、BET表面積:5m/g)を添加した。NaOHを添加することによってpHを9.0に調整した。水性媒体を70℃に加熱し、pHを9.2に調整した。水性媒体を70℃で一晩撹拌した。pHを>9.0に維持した。イリジウム含有固体が装填されたTiO担体材料を濾別し、洗浄し、乾燥させた。酸素含有雰囲気中、350℃で1時間の熱後処理を行った。触媒はコアシェル構造を含む。XPS分析は、担体材料上に存在するイリジウム含有コーティングが水酸化酸化イリジウムであることを示した。Ir(IV)/Ir(III)比:4.6:1.0。
比較例CE1
48.35gの塩化イリジウム(IV)(IrCl水和物、Heraeus Deutschland GmbH&Co.KG)を4000mLの水に室温で溶解した。次に、51.9gのTiO(Activ G5、Evonik、BET表面積:150m/g)を添加した。NaOHを添加することによってpHを11.2に調整した。水性媒体を70℃に加熱し、pHを>11に調整した。水性媒体を70℃で一晩撹拌した。pHを>11に維持した。イリジウム含有固体が装填されたTiO担体材料を濾別し、洗浄し、乾燥させた。酸素含有雰囲気中、350℃で1時間の熱後処理を行った。分離されたイリジウム含有アイランドが担体材料上に存在する。XPS分析は、担体材料上に存在する分離されたイリジウム含有アイランドが水酸化酸化イリジウムを含有することを示した。
触媒のイリジウム含有量及び担体材料上に存在するイリジウム含有コーティングの平均層厚さを、以下の表1にまとめる。
表2は、担体材料のBET表面積をまとめる。加えて、表2は、試料のそれぞれについて、担体材料の関連するBET表面積に基づき、以下の関係式
(1.505(g/m)×BET)/(1+0.0176(g/m)×BET)≦Ir-G≦(4.012(g/m)×BET)/(1+0.0468(g/m)×BET)
を用いて、請求項に記載のイリジウム含有量範囲を計算する。本発明の試料IE1、IE2及びIE3において、担体材料のBET表面積及び触媒のイリジウム含有量は、本発明の関係式が満たされるように互いに適合される。比較材料CE1では、担体材料のBET表面積に対して低すぎるイリジウム含有量が使用されている。
試料IE1~IE3では、イリジウム含有コーティングの平均厚さの相対標準偏差は最大20%である。
(1)(1.505(g/m)×BET)/(1+0.0176(g/m)×BET)≦Ir-G≦(4.012(g/m)×BET)/(1+0.0468(g/m)×BET)
被覆膜の製造及び活性の測定
実施例IE1、IE2、IE3及びCE1で製造された触媒材料を、被覆膜の製造に使用した。この目的のために、実施例IE1、IE2、IE3及びCE1の触媒材料をインク中に分散させ、スルホン酸基含有フッ素化高分子を含有する膜に適用して、アノードを形成した。
コーティングは、PTFE転写フィルムを高分子膜(Nafion 117、178μm、Chemours)上に転写するデカール法と呼ばれる方法によって達成した。PTFEフィルムのコーティングは、メイヤーバーコーティング機を用いて行った。5cmのデカールを乾燥層から打ち抜き、圧力(2.5MPa)及び温度(155℃)下で高分子膜上にプレスした。装填量を、転写プロセスの前後にPTFEを秤量することによって決定した。
被覆膜のそれぞれについて、セル電圧を電流密度の関数として求めた。
IE1、IE2、IE3及びCE1についての試験手順は同一であり、現場での測定構成において自動化された様式で行った。電流-電圧管理を、ポテンシオスタット及びブースター(Metrohm製Autolab PGSTAT302N及びBooster 10A)を用いて制御した。ウォームアップ段階及びコンディショニング工程の後、定電流分極曲線を、80℃のセル温度で0.01A/cm~2.00A/cmの電流密度範囲で記録した。各電流点において、平衡状態となった後の10秒間にわたる平均値に対応するセル電圧を決定した。図1は、測定曲線(IE1、IE2、IE3及びCE1についての電流密度の関数としてのセル電圧)を示す。図2はまた、図1からのIE1、IE2及びIE3の関連範囲の増加を示す。並行して、高周波抵抗を、特定の電流点における電気化学インピーダンス分光測定によって決定し、その結果、セル抵抗を補正することができた(IRフリー)。これらの曲線は示されていない。
結果を表3にまとめる。
結果は、本発明による触媒が、非常に低い表面基準イリジウム装填量(被覆膜表面1cm当たり0.30mg未満のイリジウム)を有し、それにもかかわらず非常に高い電気化学活性を有するアノードを製造することを可能にすることを示す。
図1は、測定曲線(IE1、IE2、IE3及びCE1についての電流密度の関数としてのセル電圧)を示す。 図2は、図1からのIE1、IE2及びIE3の関連範囲の増加を示す。

Claims (16)

  1. -担体材料と、
    -前記担体材料上に設けられ、酸化イリジウム、水酸化イリジウム、又は水酸化酸化イリジウムを含有するイリジウム含有コーティングと
    を含有する粒状触媒であって、
    前記担体材料は、2m/g~50m/gの範囲のBET表面積を有し、前記触媒のイリジウム含有量は、以下の条件:
    (1.505(g/m)×BET)/(1+0.0176(g/m)×BET)≦Ir-G≦(4.012(g/m)×BET)/(1+0.0468(g/m)×(BET)
    (式中、BETは、m/g単位で表される、前記担体材料の前記BET表面積であり、Ir-Gは、重量%単位で表される、前記触媒の前記イリジウム含有量である)
    を満たす、
    粒状触媒。
  2. -担体材料と、
    -前記担体材料上に設けられ、
    -酸化イリジウム、水酸化イリジウム、若しくは水酸化酸化イリジウム、又はこれらのイリジウム化合物のうちの少なくとも2種の混合物を含有し、
    -1.5nm~5.0nmの範囲の平均層厚さを有する
    イリジウム含有コーティングと
    を含有する粒状触媒であって、
    前記触媒は、最大50重量%のイリジウム含有量を含む、
    粒状触媒。
  3. 前記触媒の前記イリジウム含有量が、最大40重量%、より好ましくは最大35重量%である、請求項1又は2に記載の粒状触媒。
  4. 前記担体材料の前記BET表面積が、2m/g~40m/g、より好ましくは2m/g~<10m/g、更により好ましくは2m/g~9m/gである、請求項1~3のいずれか一項に記載の粒状触媒。
  5. -2m/g~<10m/g、より好ましくは2m/g~9m/gの範囲のBET表面積を含む担体材料と、
    -前記担体材料上に設けられ、酸化イリジウム、水酸化イリジウム、若しくは水酸化酸化イリジウム、又はこれらのイリジウム化合物のうちの少なくとも2種の混合物を含有するイリジウム含有コーティングと
    を含有する粒状触媒であって、
    前記触媒は、5重量%~20重量%、より好ましくは5重量%~14重量%のイリジウム含有量を含む、
    粒状触媒。
  6. 前記触媒の前記イリジウム含有量が、以下の条件:
    (1.705(g/m)×BET)/(1+0.0199(g/m)×BET)≦Ir-G≦(3.511(g/m)×BET)/(1+0.0410(g/m)×(BET)
    (式中、BETは、m/g単位で表される、前記担体材料の前記BET表面積であり、Ir-Gは、重量%単位で表される、前記触媒の前記イリジウム含有量である)
    を満たす、請求項1~5のいずれか一項に記載の粒状触媒。
  7. 前記イリジウム含有コーティングの平均層厚さが、1.5nm~4.0nm、より好ましくは1.7nm~3.5nmである、請求項1~6のいずれか一項に記載の粒状触媒。
  8. 前記触媒粒子が、前記担体材料がコアを形成し、前記イリジウム含有コーティングがシェルを形成するコアシェル構造を含む、請求項1~7のいずれか一項に記載の粒状触媒。
  9. 前記イリジウムが、+3酸化状態のイリジウム(イリジウム(III))及び/又は+4酸化状態のイリジウム(イリジウム(IV))として排他的に存在する、請求項1~8のいずれか一項に記載の粒状触媒。
  10. 前記担体材料が、遷移金属の酸化物、主族金属の酸化物、SiO、又は前述の担体材料のうちの2種以上の混合物である、請求項1~9のいずれか一項に記載の粒状触媒。
  11. 前記担体材料が、酸化チタンである、請求項10に記載の粒状触媒。
  12. 前記触媒が、250℃超、好ましくは>250℃~550℃、より好ましくは300℃~450℃、更により好ましくは300℃~380℃の温度で熱処理に供されたものである、又は前記イリジウム含有コーティングが、X線光電子分光法(XPS)によって決定される、1.9/1.0~4.7/1.0の範囲のイリジウム(IV)対イリジウム(III)原子比を有する、請求項1~11のいずれか一項に記載の粒状触媒。
  13. 酸化イリジウム、水酸化イリジウム又は水酸化酸化イリジウムを含有するイリジウム含有コーティングが、担体材料上に堆積する、請求項1~12のいずれか一項に記載の粒状触媒を製造するための方法。
  14. 前記被覆担体材料が、250℃超、好ましくは>250℃~550℃、より好ましくは300℃~450℃、更により好ましくは300℃~380℃の温度で熱処理に供される、請求項13に記載の方法。
  15. -請求項1~12のいずれか一項に記載の粒状触媒と、
    -アイオノマー、特にスルホン酸基含有アイオノマーと
    を含有する組成物。
  16. 請求項1~12のいずれか一項に記載の粒状触媒又は請求項15に記載の組成物の、水電解用アノードとしての使用。
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