JP2024142951A5 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JP2024142951A5 JP2024142951A5 JP2023055375A JP2023055375A JP2024142951A5 JP 2024142951 A5 JP2024142951 A5 JP 2024142951A5 JP 2023055375 A JP2023055375 A JP 2023055375A JP 2023055375 A JP2023055375 A JP 2023055375A JP 2024142951 A5 JP2024142951 A5 JP 2024142951A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- laser element
- embedded
- photonic crystal
- emitting laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2023055375A JP2024142951A (ja) | 2023-03-30 | 2023-03-30 | 面発光半導体レーザ素子の製造方法及び面発光半導体レーザ素子 |
| DE112024001490.9T DE112024001490T5 (de) | 2023-03-30 | 2024-03-15 | Verfahren zur herstellung eines oberflächenemitterhalbleiterlaserelementes und oberflächenemitterhalbleiterlaserelement |
| PCT/JP2024/010328 WO2024203480A1 (ja) | 2023-03-30 | 2024-03-15 | 面発光半導体レーザ素子の製造方法及び面発光半導体レーザ素子 |
| CN202480016642.2A CN120836125A (zh) | 2023-03-30 | 2024-03-15 | 面发光半导体激光元件的制造方法及面发光半导体激光元件 |
| TW113110327A TWI899900B (zh) | 2023-03-30 | 2024-03-20 | 面發光半導體雷射元件的製造方法及面發光半導體雷射元件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2023055375A JP2024142951A (ja) | 2023-03-30 | 2023-03-30 | 面発光半導体レーザ素子の製造方法及び面発光半導体レーザ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2024142951A JP2024142951A (ja) | 2024-10-11 |
| JP2024142951A5 true JP2024142951A5 (https=) | 2026-03-27 |
Family
ID=92905993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023055375A Pending JP2024142951A (ja) | 2023-03-30 | 2023-03-30 | 面発光半導体レーザ素子の製造方法及び面発光半導体レーザ素子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2024142951A (https=) |
| CN (1) | CN120836125A (https=) |
| DE (1) | DE112024001490T5 (https=) |
| TW (1) | TWI899900B (https=) |
| WO (1) | WO2024203480A1 (https=) |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007258260A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Kyoto Univ | 2次元フォトニック結晶面発光レーザ |
| KR100990702B1 (ko) * | 2006-08-23 | 2010-10-29 | 가부시키가이샤 리코 | 면 발광 레이저 어레이, 광학 주사 장치 및 화상 형성 장치 |
| JP5117156B2 (ja) * | 2007-10-05 | 2013-01-09 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
| JP7101370B2 (ja) | 2017-02-27 | 2022-07-15 | 国立大学法人京都大学 | 面発光レーザ及び面発光レーザの製造方法 |
| JP7173478B2 (ja) * | 2017-12-22 | 2022-11-16 | 国立大学法人京都大学 | 面発光レーザ素子及び面発光レーザ素子の製造方法 |
| JP7219552B2 (ja) * | 2018-05-15 | 2023-02-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | 発光デバイス |
| JP7125867B2 (ja) * | 2018-06-20 | 2022-08-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 発光素子 |
| JP7279875B2 (ja) * | 2018-09-03 | 2023-05-23 | 国立大学法人京都大学 | 面発光レーザ素子及び面発光レーザ素子の製造方法 |
| CN115298916B (zh) * | 2020-03-16 | 2025-07-11 | 国立大学法人京都大学 | 面发射激光元件及面发射激光元件的制造方法 |
-
2023
- 2023-03-30 JP JP2023055375A patent/JP2024142951A/ja active Pending
-
2024
- 2024-03-15 CN CN202480016642.2A patent/CN120836125A/zh active Pending
- 2024-03-15 DE DE112024001490.9T patent/DE112024001490T5/de active Pending
- 2024-03-15 WO PCT/JP2024/010328 patent/WO2024203480A1/ja not_active Ceased
- 2024-03-20 TW TW113110327A patent/TWI899900B/zh active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5571503B2 (ja) | 基板構造体及びその製造方法 | |
| US7999272B2 (en) | Semiconductor light emitting device having patterned substrate | |
| JP5105621B2 (ja) | シリコン基板上にInGaAlN膜および発光デバイスを形成する方法 | |
| JP4818464B2 (ja) | 微細構造の製造方法 | |
| JP4614125B2 (ja) | 欠陥の少ない窒化物半導体薄膜及びその成長方法 | |
| JP2003124573A5 (https=) | ||
| JP2012142545A (ja) | テンプレート、その製造方法及びこれを用いた垂直型窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
| JP6324654B2 (ja) | GaN薄膜構造物、その製造方法、及びそれを含む半導体素子 | |
| KR20110009709A (ko) | 질화물 반도체층을 포함하는 구조체, 질화물 반도체층을 포함하는 복합 기판, 및 이것들의 제조 방법 | |
| TW201230383A (en) | Template, method for manufacturing the template, and method for manufacturing vertical type nitride-based semiconductor light emitting device using the template | |
| TW201301551A (zh) | 外延襯底及其製備方法、外延襯底作為生長外延層的應用 | |
| EP1837924B1 (en) | Semiconductor light emitting device using a post structure | |
| EP2638564A1 (en) | High quality devices growth on pixelated patterned templates | |
| JP4651312B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JP2006196693A (ja) | 半導体素子の形成方法および半導体素子のマウント方法 | |
| TWI378556B (https=) | ||
| TWI384535B (zh) | Epitaxial substrate | |
| JP2024142951A5 (https=) | ||
| JP5906108B2 (ja) | フォトニック結晶の製造方法及び面発光レーザの製造方法 | |
| TWI375258B (https=) | ||
| JP2018520506A (ja) | 窒素化合物半導体デバイスの製造方法 | |
| JP2010171427A (ja) | 低欠陥密度を有するエピタキシャル構造およびその製造方法 | |
| JP2008078684A5 (https=) | ||
| JP4794425B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2004134501A (ja) | 発光素子及びその作製方法 |