JP2024102795A - 複合材、端子及び端子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】微摺動摩耗を起こしにくく、従来技術と同程度に摩擦係数の低い端子嵌合部と、従来技術と同様の優れた半田付け性を備えた半田付け部とを備える端子やその製造方法、並びに前記端子の製造に利用可能な複合材を提供すること。【解決手段】銀及び錫の少なくとも一方を含む金属被膜と、炭素粒子を含有する銀層からなる複合被膜とが素材上に形成されてなる複合材であって、前記金属被膜が露出している部位と、前記複合被膜が露出している部位とが存在する、半田付け部及び端子嵌合部を有する端子の製造に使用される複合材。【選択図】図１

Description

本発明は、端子の製造に用いられる複合材、端子及び端子の製造方法に関する。

電子機器等のコネクタに用いられる端子には、一端がプリント基板等に半田付けされ、他端が相手の端子に接続されるものがある。例えば、自動車において使用される、プリント基板とワイヤハーネスを中継する棒状のオス端子は、一端は端子嵌合部と呼ばれメス端子と嵌合する機能を持ち、もう一端は半田付け部と呼ばれ基板と半田付けされる機能を持つ。

この場合、端子嵌合部はメス端子との安定した電気的接触を確保するため、接触抵抗の小さいことが要求される。また、電子制御ユニット（ＥＣＵ）の高度化等に伴い近年はコネクタ部位の端子の数が増えてきており（多極化）、オス端子とメス端子の嵌合に要する力が大きくなりやすい。このような場合に嵌合を容易とするため、端子嵌合部の摩擦係数が低いことも求められる。一方端子の半田付け部はプリント基板に半田付けされるため、半田付け性の良好なことが要求される。

コネクタ用の端子ではないが、特許文献１には、外部接続端子と一体で形成された接点が絶縁ケースの内底面に露呈するように設けられたプリント基板装着用電子部品において、上記外部接続端子と接点を一体で形成する材料に、接点の接触面側には接触抵抗の低い表面めっき処理（例えば銀めっき）をされ、その裏面側は半田付け性の良い表面めっき処理（例えば錫めっき）をされた金属板を用いてなるプリント基板装着用電子部品が開示されている。当該文献の図より、前記外部接続端子の一端が固定接点と接触し、他端が半田付け処理されることがわかる。

コネクタ用の端子については、特許文献２には、素材の一部領域がＳｎめっき薄層で被覆され、残部領域がＳｎめっき厚層で被覆されてなり、該Ｓｎめっき薄層および該Ｓｎめっき厚層の下地層として、前記素材側からＮｉめっき層とＣｕめっき層で形成された下地層を有する導電材が開示されている。摩擦係数の低い前記Ｓｎめっき薄層で被覆された部分が端子嵌合部として機能し、耐熱性や半田付け性に優れる前記Ｓｎめっき厚層で被覆された部分が半田付け部として機能する。

また、特許文献３には、メス端子と嵌合される嵌合部と半田付けされる半田付け部とを有する金属を素材としたオス端子であって、嵌合部と半田付け部とで異なる積層構成の３又は４層めっきがされた（表層はいずれもＳｎめっき）オス端子が開示されている。

特開平９－２９８０１８号公報 特開２００５－３０７２４０号公報 ＷＯ２００８／０７２４１８号公報

例えば自動車用のプリント回路板用端子では、（高温環境下に保持される）走行中の振動によって、オス端子とメス端子の接点部間の５０μｍ程度といった僅かな距離の摺動によって、最表層が摩耗（微摺動摩耗）し易くなり、このような微摺動摩耗によって接点部の抵抗が上昇する（接触信頼性が損なわれる）という問題がある。近年の自動車などのプリント回路板用端子では、端子の小型化により、ばね部の板厚が薄くなり、また、ばね変位量を十分に確保することができなくなって、オス端子とメス端子の間の接点において接触荷重が小さくなっている。これにより接点が動き易くなり、微小な摺動による微摺動摩耗を抑えるのが困難になる。

特許文献１に開示された端子構造（接点と接続する部位が銀めっきされた端子）では、銀は凝着を起こしやすいため、微摺動摩耗を起こしやすいという問題がある。特許文献２及び３では、微摺動摩耗についての考慮はなされていない。

以上より本発明は、微摺動摩耗を起こしにくく、従来技術と同程度に摩擦係数の低い端子嵌合部と（以下、微摺動摩耗を起こしにくいことを「微摺動摩耗特性に優れる」ともいう）、従来技術と同様の優れた半田付け性を備えた半田付け部とを備える端子やその製造方法、並びに前記端子の製造に利用可能な複合材を提供することを目的とする。

また、特許文献１～３に開示された端子において採用されているＳｎめっきは、回路短絡の原因となるウィスカの発生を防止するために、Ｓｎめっき層を形成した後に加熱処理すること（リフロー）が必要であり、このため端子の製造コストが高くなってしまう。更に、特許文献１については端子の表面と裏面で別種のめっきをするため、素材に対して最初のめっきをする際には、反対面がめっきされないようにマスクをする必要があり（めっき後にはマスク除去も必要である）、次に反対面をめっきする際には最初にめっきした面にマスクをする必要があり、やはり端子の製造コストが高い。

そこで本発明は、望ましくは、簡易な製造工程で安価に製造可能な端子、及びその製造方法を提供することを目的とする。

本発明者らは上記課題を解決するために鋭意検討した結果、半田付け部においては銀及び錫の少なくとも一方を含む金属被膜の構成とし、端子嵌合部においては炭素粒子が銀層中に分散した複合被膜の構成とすることで、端子嵌合部においては優れた微摺動摩耗特性及び従来技術と同程度の低摩擦係数を達成し、半田付け部においては従来技術と同様の優れた半田付け性を達成できることを見出した。

また、素材の表層全面に銀被膜が形成され、その上の、端子嵌合部となる部分に前記複合被膜が形成された構成とすれば、簡易な製造工程で安価に端子を製造することができることを見出した。

以上により、本発明者らは本発明を完成するに至った。すなわち本発明は、以下のとおりである。
［１］銀及び錫の少なくとも一方を含む金属被膜と、炭素粒子を含有する銀層からなる複合被膜とが素材上に形成されてなる複合材であって、前記金属被膜が露出している部位と、前記複合被膜が露出している部位とが存在する、半田付け部及び端子嵌合部を有する端子の製造に使用される複合材。

［２］前記複合材の、前記金属被膜が露出している部位が前記端子における半田付け部に対応し、前記複合被膜が露出している部位が前記端子における端子嵌合部に対応する、［１］に記載の複合材。

［３］［１］又は［２］に記載の複合材を端子の形状に加工する、端子の製造方法。

［４］素材上に被膜が形成されてなる、半田付け部及び端子嵌合部を有する端子であって、前記被膜は、前記素材上に形成された銀及び錫の少なくとも一方を含む金属被膜と、前記素材上に形成された炭素粒子を含有する銀層からなる複合被膜とを含み、前記端子の金属被膜が露出している部位が前記半田付け部を構成し、前記端子の複合被膜が露出している部位が前記端子嵌合部を構成する、端子。

［５］前記端子が、収容部を備えるメス端子と嵌合されるオス端子である、［４］に記載の端子。

［６］前記金属被膜が、前記素材の表層全面に形成された銀からなる銀被膜であり、前記銀被膜上の一部に前記複合被膜が形成されている、［４］又は［５］に記載の端子。

［７］前記金属被膜の厚さが０．０１～２．０μｍである、［４］～［６］のいずれかに記載の端子。

［８］前記複合被膜の表面における炭素粒子が占める割合が１～８０面積％である、［４］～［７］のいずれかに記載の端子。

［９］前記複合被膜の厚さが０．５～１５μｍである、［４］～［８］のいずれかに記載の端子。

［１０］前記素材上に、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ及びＡｇからなる群より選択される少なくとも一種からなる下地層が形成され、該下地層上に前記金属被膜及び複合被膜が形成されている、［４］～［９］のいずれかに記載の端子。

［１１］前記半田付け部及び端子嵌合部を離間させるスペーサ部を更に有する、［４］～［１０］のいずれかに記載の端子。

［１２］素材上に、銀及び錫の少なくとも一方を含む金属被膜と炭素粒子を含有する銀層からなる複合被膜とを形成し、得られた複合材を端子の形状に加工する工程を備える端子の製造方法であって、前記端子の金属被膜が露出している部位が半田付け部を構成し、前記端子の複合被膜が露出している部位が端子嵌合部を構成する、端子の製造方法。

［１３］素材を端子の形状に加工し、加工された素材上に、銀及び錫の少なくとも一方を含む金属被膜と炭素粒子を含有する銀層からなる複合被膜とを形成する工程を備える端子の製造方法であって、前記端子の金属被膜が露出している部位が半田付け部を構成し、前記端子の複合被膜が露出している部位が端子嵌合部を構成する、端子の製造方法。

［１４］素材の表層全面に銀からなる銀被膜を形成し、該銀被膜上の一部に炭素粒子を含有する銀層からなる複合被膜を形成し、得られた複合材を端子の形状に加工する工程を備える端子の製造方法であって、前記端子の銀被膜が露出している部位が半田付け部を構成し、前記端子の複合被膜が露出している部位が端子嵌合部を構成する、端子の製造方法。

［１５］素材を端子の形状に加工し、加工された素材の表層全面に銀からなる銀被膜を形成し、該銀被膜上の一部に炭素粒子を含有する銀層からなる複合被膜を形成する工程を備える端子の製造方法であって、前記端子の銀被膜が露出している部位が半田付け部を構成し、前記端子の複合被膜が露出している部位が端子嵌合部を構成する、端子の製造方法。

［１６］前記端子が、収容部を備えるメス端子と嵌合されるオス端子である、［１２］～［１５］のいずれかに記載の端子の製造方法。

［１７］前記銀被膜の露出している部位の一部と、前記複合被膜の露出している部位の一部との少なくとも一方の部分が、前記半田付け部及び端子嵌合部を離間させるスペーサ部を更に構成する、［１４］又は［１５］に記載の端子の製造方法。

［１８］前記銀被膜の厚さが０．０１～２．０μｍである、［１４］、［１５］又は［１７］に記載の端子の製造方法。

［１９］前記素材の表層全面に、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ及びＡｇからなる群より選択される少なくとも一種からなる下地層を形成し、該下地層の表層全面に前記銀被膜を形成する、［１４］又は［１５］に記載の端子の製造方法。

本発明によれば、微摺動摩耗を起こしにくく従来技術と同程度に摩擦係数の低い端子嵌合部と、従来技術と同様の優れた半田付け性を備えた半田付け部とを備える端子やその製造方法、並びに前記端子の製造に利用可能な複合材が提供される。更に本発明の好ましい態様によれば、簡易な製造工程で安価に製造可能な端子、及びその製造方法が提供される。

図１は、本発明の複合材の縦割断面の模式図である。 図２は、図１（ｂ）の態様を例として、金属被膜１４が露出した部位（金属被膜露出部位１８）などを示す模式図である。 図３は、スペーサ部を有する本発明の複合材の縦割断面の模式図である。 図４は、本発明の端子の一実施形態を上面（複合被膜が見える視点）から見た場合の形状の模式図である。 図５は、スペーサ部を有する本発明の端子の縦割断面の模式図である。 図６は、ケーシング部材を取り付けた態様の本発明の端子の縦割断面の模式図である。 図７は、オス端子とメス端子の縦割断面の模式図である。

以下、本発明の実施の形態について説明する。
［複合材］
本発明の複合材は、銀及び錫の少なくとも一方を含む金属被膜と、炭素粒子を含有する銀層からなる複合被膜とが素材上に形成されてなり、前記金属被膜が露出している部位と、前記複合被膜が露出している部位とが存在する構成である。当該複合材は半田付け部及び端子嵌合部を有する端子の製造に使用される。以下、この複合材の各構成について、その縦割断面の模式図である図１を参照しながら説明する。図１は、本発明の複合材１０の代表的な二つの態様を示す。

＜素材、素材及び複合材の形状＞
その上に金属被膜及び複合被膜を形成する素材１２の構成材料としては、スイッチやコネクタなどの摺動電気接点部品などの材料に求められる導電性を有するものが好適であり、更にコストの観点から、構成材料としてＣｕ（銅）及びＣｕ合金が好適である。前記Ｃｕ合金としては、導電性と強度などの観点から、Ｃｕと、Ｓｉ（ケイ素），Ｆｅ（鉄），Ｍｇ（マグネシウム），Ｐ（リン），Ｎｉ（ニッケル），Ｓｎ（スズ），Ｃｏ（コバルト），Ｚｎ（亜鉛），Ｂｅ（ベリリウム），Ｐｂ（鉛），Ｔｅ（テルル），Ａｇ（銀），Ｚｒ（ジルコニウム），Ｃｒ（クロム），Ａｌ（アルミニウム）及びＴｉ（チタン）からなる群より選ばれる少なくとも一種と、不可避不純物とで構成される合金が好ましい。Ｃｕ合金におけるＣｕの量は、好ましくは８５質量％以上であり、より好ましくは９２質量％以上である（Ｃｕの量は好ましくは９９．９５質量％以下である）。

素材１２の厚さは特に制限されないが、近年の端子の小型化に対応する観点からは、０．０５～１ｍｍであることが好ましく、０．１～０．６ｍｍであることがより好ましい。素材１２は代表的には平らな形状（平板形状など）で、金属被膜１４及び複合被膜１６が形成されて複合材１０となった後に、当該複合材１０の用途である端子の形状に成形される。反対に、素材１２を端子の形状に加工し、その後金属被膜１４と複合被膜１６を形成してもよい。前記複合材１０の形状は代表的には素材１２と実質的に同一の形状、すなわち平板形状などである。本発明の複合材１０は、後述する通り半田濡れ性に優れた部位と、微摺動摩耗特性に優れるとともに摩擦係数の低い部位とを有しているので、半田付け部及び端子嵌合部を有する端子の材料として好適である。

＜下地層＞
本発明の複合材１０は、素材上に下地層（図１には図示せず）が形成され、その下地層上に金属被膜１４及び複合被膜１６が形成されている構成であってもよい。特に金属被膜１４が厚さ０．１μｍ以下といった薄い層である場合には、下地層を備えることが、複合材１０の耐熱性の観点から好ましい。下地層の構成金属としては、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ及びＡｇからなる群より選択される少なくとも一種の金属又は合金が挙げられる。なお下地層は、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｓｎ，Ａｇ又はこれらの合金のそれぞれからなる単一層やそれらを組み合わせた（積層構造の）層であってもよく、下地層の形成は、製造される複合材１０の用途に応じて、素材の表層全体に対して行われてもよいし、その一部に対して行われてもよい。また複合材１０の製造性の観点からは、下地層の構成金属としてはＣｕ、Ｎｉ及びＡｇからなる群より選択される少なくとも一種の金属又は合金が好ましい。

例えば素材１２中の銅が金属被膜１４や複合被膜１６の表面に拡散して導電性が劣化することを防止する目的では、Ｎｉからなる下地層を形成することが好ましい。素材１２が黄銅などの亜鉛を含む銅合金で、素材１２中の亜鉛が金属被膜１４や複合被膜１６の表面に拡散することを防止する目的では、Ｃｕからなる下地層を形成することが好ましい。金属被膜１４や複合被膜１６の素材１２への密着性改善の目的では、Ａｇからなる下地層を形成することが好ましい。下地層の厚さは特に限定されないが、その機能発揮とコストの観点から、０．０５～２μｍであることが好ましく、０．１５～１μｍであることがより好ましい。

＜金属被膜＞
本発明の複合材においては、素材１２上又は以上説明した下地層上に金属被膜１４が形成されている。この金属被膜１４は、銀及び錫の少なくとも一方を含んでいる。より具体的には金属被膜１４は、例えば銀又は錫の単一金属で構成された被膜や、銀と錫の合金で構成された被膜である。前記金属や合金は、不可避不純物を含み得る。

銀と錫はいずれも半田濡れ性に優れた金属であり、このため金属被膜１４は、端子の半田付け部として好適である。半田濡れ性については、錫が特に優れる。一方錫からなる金属被膜を形成した場合、ウィスカ（短絡の原因となる）の発生が問題となり、これを防止するため、リフロー（加熱）処理して内部応力を低減するなどの追加の工程が必要となる。銀については半田濡れ性は錫ほどではないにしても実用上十分であり、ウィスカの問題はなく簡便な工程で製造可能であり、また耐熱性や導電性の点では錫よりも優れている。

金属被膜１４は素材１２の表層全面に形成されていてもよく、一部に形成されていてもよい。また金属被膜１４の厚さは、良好な半田濡れ性を発揮する限り特に制限されないが、好ましくは０．０１～２．０μｍであり、コストもあわせて考慮すると、０．０１～０．８μｍであることがより好ましく、０．０１５～０．６μｍであることが更により好ましく、０．０２～０．２μｍであることが特に好ましい。

＜複合被膜＞
本発明の複合材を構成する複合被膜１６は、炭素粒子を含有する銀層からなる。複合被膜１６は素材１２上に直接形成されていてもよく（例えば図１（ａ）の構成）、素材上に形成された金属被膜１４上の一部に形成されていてもよい（例えば図１（ｂ）の構成）。複合被膜１６を構成する銀層においては、銀からなるマトリクス中に炭素粒子が（好ましくは略均等に）分散している。

（炭素粒子）
複合被膜１６が炭素粒子を含むことで、当該被膜は微摺動摩耗特性に優れるとともに、摩擦係数が低い。このような機能の発揮の観点から、炭素粒子は黒鉛粒子であることが好ましい。この炭素粒子の平均一次粒子径は、複合被膜１６の微摺動摩耗特性及び低摩擦係数の観点から、０．５～１５μｍであることが好ましく、１～１０μｍであることがより好ましい。なお平均一次粒子径とは、粒子の長径の平均値であり、長径とは、複合材の複合被膜１６中の炭素粒子を適切な観察倍率で観察した画像（平面）における、粒子内にひくことのできる最も長さの長い線分の長さとする。また長径は、５０個以上の粒子について求めるものとする。更に、炭素粒子の形状は、略球状、鱗片形状、不定形など特に限定されないが、複合被膜１６の表面を平滑にすることで複合材の微摺動摩耗特性を高めるとともに摩擦係数を低減する観点から、鱗片形状であることが好ましい。

（ビッカース硬度）
本発明の複合材１０の複合被膜１６は好ましくは硬度が高く、具体的には、そのビッカース硬度Ｈｖは、好ましくは１００以上であり、より好ましくは１２０～２３０である。このように硬度が高いことで複合被膜１６が削れにくくなり複合材１０の微摺動摩耗特性が特に優れたものとなる。

（炭素の含有量及び面積率）
本発明の複合材１０の実施の形態における複合被膜１６は上記の通り炭素粒子を含有しており、複合被膜１６中の炭素の含有量は、複合材１０の微摺動摩耗特性、低摩擦係数及び導電性の観点から、好ましくは１～５０質量％であり、より好ましくは１．５～４０質量％であり、更に好ましくは２～３５質量％である。

また、炭素粒子を含んでいる複合被膜１６の表面における炭素粒子が占める割合（面積率）は、微摺動摩耗特性及び低摩擦係数の指標になり、これら二つの特性と導電性のバランスの観点から、好ましくは１～８０面積％であり、より好ましくは１２～５０面積％である。なお、複合被膜１６の表面には、付着しているだけで脱落しやすい炭素粒子が存在している場合がある。この場合には、後述する（複合被膜表面の炭素粒子の一部除去処理）の項にて説明するのと同様の超音波洗浄処理を施してから複合被膜１６の表面の炭素粒子の面積率を求めるものとする。前記面積率の測定方法の詳細については、実施例で説明する。

（複合被膜の元素組成）
本発明の複合材１０の実施の形態における複合被膜１６の元素組成については、典型的には実質的に銀と炭素とからなる（例えばエネルギー分散型Ｘ線分析装置を用いてＥＤＸ分析を行ったときに、複合被膜１６における銀の含有量と炭素の含有量の合計は１００質量％である）。

（複合被膜の厚さ）
複合被膜１６の厚さは特に制限されないが、微摺動摩耗特性及び低摩擦係数や導電性の点で、最低限の厚さがあることが好ましい。また厚さが大きすぎても複合被膜１６の効果は飽和し、原料コストが高まる。以上の観点から、複合被膜１６の厚さは０．５～１５μｍであることが好ましく、０．６～８μｍであることがより好ましく、０．７～６μｍであることが更に好ましい。なお複合被膜１６の厚さは蛍光Ｘ線膜厚計で測定するが、測定方法の詳細については、実施例で説明する。

＜半田付け部に対応する部位及び端子嵌合部に対応する部位＞
本発明の複合材１０は以上説明した通り、素材１２上に金属被膜１４及び複合被膜１６が形成された構成である。そして当該複合材１０には、金属被膜１４が露出した部位が存在する。「露出した」とは、前記「部位」が複合被膜１６やその他の層で被覆されていないということであり、別の言い方をすれば前記「部位」が複合材１０の最表面の一部を構成しているということである。図１（ｂ）の態様を例として、前記の金属被膜１４が露出した部位（金属被膜露出部位１８）を図２に示す。

金属被膜露出部位１８は半田濡れ性が良好であるので、半田付け部及び端子嵌合部を有する端子における半田付け部として良好に機能する。すなわち、複合材１０を加工して端子にした際、金属被膜露出部位１８を半田付け部として用いることが好ましい。

複合材１０には、複合被膜１６が露出した部位が存在する。「露出した」とは、前記「部位」が金属被膜１４やその他の層で被覆されていないということであり、別の言い方をすれば前記「部位」が複合材１０の最表面の一部を構成しているということである。この複合被膜露出部位２０は微摺動摩耗特性に優れるとともに摩擦係数が低いので、半田付け部及び端子嵌合部を有する端子における端子嵌合部として良好に機能する。すなわち、複合材１０を加工して端子にした際、複合被膜露出部位２０を端子嵌合部として用いることが好ましい。

＜スペーサ部に対応する部位＞
上述の通り本発明の複合材１０は、半田付け部及び端子嵌合部を有する端子の材料として好適である。このような端子においては後述する通り、半田付け部と端子嵌合部を離間させるスペーサ部が存在する場合がある。

この場合には、図３に示す通り、金属被膜露出部位１８の一部から複合被膜露出部位２０の一部にかけての部分２２の全体又は一部がスペーサ部である。スペーサ部の詳細については、後述の本発明の端子に関する説明の箇所にて説明する。

＜複合材の用途＞
以上説明した本発明の複合材は、半田付け部及び端子嵌合部を有する端子の製造に用いるのに好適である。前記端子の具体例としては、プリント回路板用端子が挙げられる。

［複合材の製造方法］
以上説明した本発明の複合材の製造方法について、以下説明する。

＜素材＞
素材は上述の通りその構成材料としてＣｕ及びＣｕ合金が好適であり、前記Ｃｕ合金としては、Ｃｕと、Ｓｉ，Ｆｅ，Ｍｇ，Ｐ，Ｎｉ，Ｓｎ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｂｅ，Ｐｂ，Ｔｅ，Ａｇ，Ｚｒ，Ｃｒ，Ａｌ及びＴｉからなる群より選ばれる少なくとも一種と、不可避不純物とで構成される合金が好ましく、Ｃｕ合金におけるＣｕの量は、好ましくは８５質量％以上であり、より好ましくは９２質量％以上であり（Ｃｕの量は好ましくは９９．９５質量％以下である）、素材の厚さ０．０５～１ｍｍであることが好ましく、０．１～０．６ｍｍであることがより好ましく、また素材の形状は代表的には平らな形状（平板形状など）である。このような素材は市販されており、従来公知の方法によって製造可能である。

＜下地層の形成＞
本発明の複合材において下地層を形成する場合、その形成方法は特に限定されない。なお上述の通り、下地層の構成金属としては、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ及びＡｇからなる群より選択される少なくとも一種の金属又は合金が挙げられ、製造性の観点からはＣｕ、Ｎｉ及びＡｇからなる群より選択される少なくとも一種の金属又は合金が好ましく、その厚さは０．０５～２μｍであることが好ましく、０．１５～１μｍであることがより好ましい。

例えば下地層の構成金属のイオンを含むめっき液を用いて、公知の方法により電気めっきすることで、下地層を形成することができる。また下地層は、上述の通り、素材の表層全体に形成してもよいし、素材の表層の一部に形成してもよい。

＜金属被膜の形成＞
金属被膜は、上述の通り銀及び錫の少なくとも一方を含んでおり、半田濡れ性の観点からは錫が好ましく、製造工程の簡便さや耐熱性・導電性の点では銀が好ましく、金属被膜の厚さは好ましくは０．０１～２．０μｍであり、０．０１～０．８μｍであることがより好ましく、０．０１５～０．６μｍであることが更により好ましく、０．０２～０．２μｍであることが特に好ましい。

金属被膜は従来公知の方法により素材上に形成することができ、例えば金属被膜の構成金属のイオンを含むめっき液を用いた電気めっきや、蒸着などの方法が採用可能である。錫被膜を形成した場合は、内部応力を除去してウィスカ形成を防止するため、リフロー（加熱）処理を行う。また、銀層と錫層を素材上に積層形成した後加熱することによって、これらの合金からなる被膜を形成することも可能である。

＜複合被膜の形成＞
複合被膜は、上述の通り炭素粒子を含有する銀層からなり、複合被膜のビッカース硬度Ｈｖは好ましくは１００以上であり、より好ましくは１２０～２３０であり、複合被膜中の炭素の含有量は好ましくは１～５０質量％であり、より好ましくは１．５～４０質量％であり、更に好ましくは２～３５質量％であり、複合被膜の表面における炭素粒子が占める割合（面積率）は、好ましくは１～８０面積％であり、より好ましくは１２～５０面積％であり、複合被膜の元素組成については、典型的には実質的に銀と炭素とからなり、複合被膜の厚さは０．５～１５μｍであることが好ましく、０．６～８μｍであることがより好ましく、０．７～６μｍであることが更に好ましい。

複合被膜は従来公知の方法により形成することができるが、以下、代表的な手法として、電気めっきを利用して銀めっき膜中に炭素粒子を巻き込ませることで複合被膜を形成する方法について説明する。

（銀ストライクめっき）
素材上に複合被膜を形成する前に、銀ストライクめっきにより非常に薄い中間層（銀ストライクめっき層）を形成して、素材と複合被膜との密着性を高めることが好ましい。なお、下地層を素材上に形成する場合は、下地層上に銀ストライクめっきを行う（それにより下地層と複合被膜の密着性を高める）。銀ストライクめっきの実施方法としては、本発明の効果を損なわない限り、従来公知の方法を特に制限なく採用することができる。また、上述の通り複合材における金属被膜は非常に薄いものであっても十分に優れた半田濡れ性を示すので、金属被膜が銀被膜である場合には、金属被膜を形成する部位及び複合被膜を形成する部位に銀ストライクめっきを行うことで、銀からなる金属被膜及びその上に複合被膜を形成するための銀ストライクめっき層を同時に形成することができる。これは製造工程の簡便さの点で非常に有利である。なお銀ストライクめっき層は薄い層とするのが一般的であるが、本発明においてはその厚さは０．０１～２．０μｍの範囲で調整することが好ましい。

（電気めっき）
銀ストライクめっき層を形成した後、炭素粒子を含む銀めっき液を用いた電気めっきを行って、銀マトリクスを形成するとともにその中に炭素粒子を巻き込ませることで、素材上に、銀層中に炭素粒子を含有する複合被膜を形成する。なお、複合被膜は素材上に直接形成してもよく、素材上に形成された金属被膜上の一部に形成してもよい。

前記銀めっき液は銀イオンを含み、この銀めっき液中の銀の濃度は、複合被膜の形成速度の観点や、複合被膜の外観ムラ抑制の観点から５～１５０ｇ／Ｌであるのが好ましく、１０～１２０ｇ／Ｌであるのがさらに好ましく、２０～１００ｇ／Ｌであるのが最も好ましい。

前記銀めっき液は炭素粒子を含む。炭素粒子の形状は、上述の通り略球状、鱗片形状、不定形など特に限定されないが、鱗片形状であることが好ましい。この炭素粒子の、レーザー回折・散乱式粒度分布測定装置により測定した体積基準の累積５０％粒径（Ｄ５０）は、銀マトリクスへの巻き込みやすさの観点から０．５～１５μｍであることが好ましく、１～１０μｍであることがより好ましい。また、この炭素粒子を酸化処理することにより、炭素粒子の表面に吸着している親油性有機物を除去することで、炭素粒子の銀めっき液中での分散性を高めることが好ましい。酸化処理の具体的な方法は公知である。

さらに、必要に応じて上記の酸化処理を行った炭素粒子に対して、ポリマーによる表面処理を行ってもよい。これにより、上記銀めっき液を使用して形成される複合被膜の表面の平滑性を高めることができる。

具体的には、前記炭素粒子を、ポリマーの存在下、水中で撹拌混合する。この際、前記ポリマーの官能基や三次元構造によって、ポリマーが炭素粒子に付着するものと考えられる。前記撹拌混合の後、ろ過及びろ取物（ポリマーで表面処理された炭素粒子）の水洗を行ってもよい。

ポリマーの重量平均分子量（ＧＰＣにより測定した標準ポリエチレングリコール及び標準ポリエチレンオキシド換算の分子量）は、１０００以上１５万以下であることが好ましい。また、ポリマーの具体例として、ポリ（ジアリルジメチルアンモニウムクロライド）やジアリルアミン塩酸塩・アクリルアミド共重合体が挙げられる。

炭素粒子を表面処理する際（上記の炭素粒子をポリマー存在下に水中で撹拌混合する場合）の、水中の炭素粒子濃度は２００ｇ／Ｌ以下であることが好ましく（通常１０ｇ／Ｌ以上である。より好ましくは５０～１２０ｇ／Ｌ）、炭素粒子１００質量部に対するポリマーの使用量は１０～１５０質量部であることが好ましく（２０～１００質量部であることがより好ましい）、液温は１５℃以上６０℃以下であることが好ましく、表面処理（撹拌混合）の時間は３ｈ以上３０ｈ以下であることが好ましい。水洗はろ液の電導度が１０μＳ／ｃｍ以下になるまで実施すればよい。

銀めっき液中の炭素粒子の濃度については、得られる複合材の微摺動摩耗特性や摩擦係数低減の観点と、複合被膜中に導入できる炭素粒子の量には限度があることから、１０～１５０ｇ／Ｌであることが好ましく、１５～１２０ｇ／Ｌであることがより好ましく、３０～１００ｇ／Ｌであることが特に好ましい。

銀めっき液は、好ましくは下記一般式（１）で表される化合物Ａを含む。化合物Ａは、析出した銀の表面に吸着して銀の結晶が成長することを抑えることで、電気めっきにより形成される複合被膜における銀の結晶子サイズを小さくして、複合被膜の硬度を高めるものと考えられる。

式（１）において、ｍは１～５の整数であり、Ｒａは、カルボキシル基であり、Ｒｂは、アルデヒド基、カルボキシル基、アミノ基、水酸基又はスルホン酸基であり、Ｒｃは、水素又は任意の置換基であり、Ｒａ及びＲｂはそれぞれ独立に、－Ｏ－及び－ＣＨ２－からなる群より選ばれる少なくとも一種で構成される２価の基を介してベンゼン環と結合していてもよい。前記２価の基の例としては、－ＣＨ_２－ＣＨ_２－Ｏ－、－ＣＨ_２－ＣＨ_２－ＣＨ_２－Ｏ－、（－ＣＨ_２－ＣＨ_２－Ｏ－）_ｎが挙げられる（ｎは２以上の整数である）。

式（１）において、ｍが２以上の場合、複数存在するＲｂは互いに同一であっても異なっていてもよく、ｍが３以下の場合、複数存在するＲｃは互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｒｃについて、前記「任意の置換基」としては、炭素数１～１０のアルキル基、アルキルアリール基、アセチル基、ニトロ基、ハロゲン基、炭素数１～１０のアルコキシル基が挙げられる。

銀めっき液中の化合物Ａの濃度は、複合被膜の外観ムラ抑制や、形成される複合被膜における銀の結晶子サイズを適切に制御する観点から２～２５０ｇ／Ｌであることが好ましく、３～２００ｇ／Ｌであることがより好ましい。

本発明で使用する銀めっき液は、好ましくは錯化剤を含有する。錯化剤は銀めっき液中の銀イオンを錯体化して、そのイオンとしての安定性を高める。錯化剤としては、形成される錯体の安定性の観点からスルホン酸基を有する化合物、例えば、炭素数１～１２のアルキルスルホン酸、炭素数１～１２のアルカノールスルホン酸及びヒドロキシアリールスルホン酸が好ましい。

更に、銀めっき液は、光沢剤、硬化剤、電導度塩を含有してもよい。
また、銀めっき液を構成する溶媒は、主に水である。水は、（錯体化した）銀イオンの溶解性、めっき液が含むその他の成分の溶解性や、環境への負荷が小さいことから好ましい。また、溶媒として、水とアルコールの混合溶媒を使用してもよい。

以上説明した銀めっき液を用いて電気めっきを行う。電気めっきする対象である素材がカソードである。溶解して銀イオンを提供する、例えば銀電極板がアノードである。銀めっき液（めっき浴）にカソード及びアノードを浸漬し、電流を流して銀めっきする。ここでの電流密度は、複合被膜の形成速度の観点及び複合被膜の外観のムラ抑制の観点から、０．５～１０Ａ／ｄｍ^２が好ましく、１～８Ａ／ｄｍ^２がより好ましく、１～５Ａ／ｄｍ^２が更に好ましい。電気めっきを行う際のめっき浴（銀めっき液）の温度（めっき温度）は、めっきの生産効率および液の過度な蒸発を防ぐ観点から１５～５０℃であることが好ましく、２０～４５℃であることがより好ましい。銀めっきの時間（電流をかける時間）は、目的とする複合被膜の厚さに応じて適宜調整することができるが、代表的には２５～１８００秒の範囲である。

（複合被膜表面の炭素粒子の一部除去処理）
例えば以上説明した電気めっきにより素材上に形成された複合被膜の表面には、銀マトリクスに巻き込まれて（埋まって）おり脱落しにくい炭素粒子と、巻き込まれたというよりも表面に付着しており、脱落しやすい炭素粒子が存在している。後者は複合材の曲げ加工時などに設備を汚染しうる。そこでこのような炭素粒子を洗浄して除去することが好ましい。洗浄方法の一つは、複合被膜の表面を超音波洗浄する処理である。超音波洗浄は、２０～１００ｋＨｚで１～３００秒間行われることが好ましい。また別の洗浄方法としては電解洗浄処理が挙げられる。この場合、電解洗浄が１～３０Ａ／ｄｍ^２で１０～３００秒間行われることが好ましい。

［端子］
次に、本発明の端子について説明する。
本発明の端子は、素材上に被膜が形成されてなり、半田付け部及び端子嵌合部を有する。前記被膜は、前記素材上に形成された銀及び錫の少なくとも一方を含む金属被膜と、前記素材上に形成された炭素粒子を含有する銀層からなる複合被膜とを含み、前記端子の、前記金属被膜が露出している部位が前記半田付け部を構成し、前記端子の、前記複合被膜が露出している部位が前記端子嵌合部を構成する。以下、本発明の端子の各構成について説明する。

＜素材＞
前記素材は本発明の複合材における素材と同様であり、その構成材料としてＣｕ及びＣｕ合金が好適であり、前記Ｃｕ合金としては、Ｃｕと、Ｓｉ，Ｆｅ，Ｍｇ，Ｐ，Ｎｉ，Ｓｎ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｂｅ，Ｐｂ，Ｔｅ，Ａｇ，Ｚｒ，Ｃｒ，Ａｌ及びＴｉからなる群より選ばれる少なくとも一種と、不可避不純物とで構成される合金が好ましく、Ｃｕ合金におけるＣｕの量は、好ましくは８５質量％以上であり、より好ましくは９２質量％以上であり（Ｃｕの量は好ましくは９９．９５質量％以下である）、素材の厚さは０．０５～１ｍｍであることが好ましく、０．１～０．６ｍｍであることがより好ましい。

＜下地層＞
本発明の端子においては、素材上に下地層が形成され、その上に金属被膜及び複合被膜が形成された構成であってもよい。前記下地層は、本発明の複合材における下地層と同様であり、その構成金属としては、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ及びＡｇからなる群より選択される少なくとも一種の金属又は合金が挙げられ、端子の製造性の観点から、Ｃｕ、Ｎｉ及びＡｇからなる群より選択される少なくとも一種の金属又は合金が好ましく、その厚さは０．０５～２μｍであることが好ましく、０．１５～１μｍであることがより好ましい。

＜金属被膜＞
本発明の端子における金属被膜は、本発明の複合材における金属被膜と同様であり、銀及び錫の少なくとも一方を含んでおり、半田濡れ性の観点からは錫が好ましく、製造工程の簡便さや耐熱性・導電性の点では銀が好ましく、金属被膜は素材の表層全面に形成されていてもよく、一部に形成されていてもよく、金属被膜の厚さは好ましくは０．０１～２．０μｍであり、０．０１～０．８μｍであることがより好ましく、０．０１５～０．６μｍであることが更により好ましく、０．０２～０．２μｍであることが特に好ましい。

＜複合被膜＞
本発明の端子における複合被膜は、本発明の複合材における複合被膜と同様であり、炭素粒子を含有する銀層からなり、炭素粒子の平均一次粒子径は０．５～１５μｍであることが好ましく、１～１０μｍであることがより好ましく、複合被膜のビッカース硬度Ｈｖは好ましくは１００以上であり、より好ましくは１２０～２３０であり、複合被膜中の炭素の含有量は好ましくは１～５０質量％であり、より好ましくは１．５～４０質量％であり、更に好ましくは２～３５質量％であり、複合被膜の表面における炭素粒子が占める割合（面積率）は、好ましくは１～８０面積％であり、より好ましくは１２～５０面積％であり、複合被膜の元素組成については、典型的には実質的に銀と炭素とからなり、複合被膜の厚さは０．５～１５μｍであることが好ましく、０．６～８μｍであることがより好ましく、０．７～６μｍであることが更に好ましい。

＜端子嵌合部＞
上述の通り、本発明の端子における端子嵌合部は、端子の複合被膜が露出している部位により構成される。「露出している」とは、前記「部位」が金属被膜やその他の層で被覆されていないということであり、別の言い方をすれば前記「部位」が端子の最表面の一部を構成しているということである。基本的には端子嵌合部は端子の一方の端部にある。この端子嵌合部の表面は複合被膜により構成されているので、微摺動摩耗特性に優れるとともに、摩擦係数が低い。

具体的には、後述する実施例における微摺動摩耗特性試験を実施した場合に、５０００回の往復摺動動作後に、マイクロスコープ（株式会社キーエンス製のＶＨＸ－１０００）によりインデント付き試験片及び平板状試験片の摺動痕の中心部を倍率２００倍で観察したときに、どちらの摺動痕からも素材が露出していないことが確認される。また後述する実施例における方法で測定した摩擦係数が０．５０以下であり、０．４０以下であることが好ましく、０．３０以下であることがより好ましい。なお、摩擦係数は通常０．０１以上である。

端子嵌合部は素材と複合被膜との積層体や素材と金属被膜と複合被膜との積層体である（複合被膜の露出部位があれば、他の層があってもよい）。本発明の端子の一実施形態を上面（複合被膜が見える視点）から見た場合の形状の模式図を図４に示す。

詳細は後述するが、端子は典型的にはオス端子とオス端子の端子嵌合部を収容する収容部を備えるメス端子のセットであり、本発明の端子はオス端子として好適である。本発明の端子の端子嵌合部３０は、代表的にはピンやタブなどの棒形状（円柱形や多角形柱の形状など）や凸形状や細長い板状の形状、あるいはこれらを組み合わせた形状に形成される。図４に示した態様では、直方体形状の先端が丸まって若干先細りになった形状（凸形状の一種）になっている。

端子嵌合部３０の表面は複合被膜により形成されているが、この被膜の半田濡れ性は金属被膜に比べて低い。金属被膜が２５０℃程度に加熱した半田に対して優れた濡れ性を示すのに対して、複合被膜はこの程度の温度の半田にはほとんど濡れず、３５０℃またはそれ以上の高温に加熱した場合に実用上許容し得る半田濡れ性を示す。

＜半田付け部＞
次に、図４を参照しつつ本発明の端子の半田付け部について説明する。半田付け部３２は、端子の金属被膜が露出している部位により構成される。「露出している」とは、前記「部位」が複合被膜やその他の層で被覆されていないということであり、別の言い方をすれば前記「部位」が端子の最表面の一部を構成しているということである。基本的には半田付け部３２は端子嵌合部３０と反対側の端部にある。金属被膜は銀及び錫の少なくとも一方という半田濡れ性に優れた金属で構成されているので、前記半田付け部３２は従来技術と同程度の優れた半田濡れ性を示す。具体的には、後述する実施例において説明する半田濡れ試験（加熱エージング後の半田濡れ性を求める試験である）を実施した場合に、半田付け部３２は８０面積％以上の半田濡れ面積率を示す。半田付け部３２の半田濡れ面積率は、好ましくは９０面積％以上であり、より好ましくは９５面積％以上である。更に、金属被膜が実質的に銀で構成される場合、銀は耐熱性に優れた金属であるので、半田付け部３２は優れた半田濡れ性を示す。ただし銀被膜が０．１μｍ以下といった薄層である場合には、優れた半田濡れ性を達成するためには下地層を形成して、素材からの銀被膜表面への原子拡散を抑制することが好ましい。

半田付け部３２は代表的には素材と金属被膜との積層体である（金属被膜の露出部位があれば、他の層があってもよい）。本発明の端子を上面視した場合の半田付け部３２の形状は、例えば丸棒もしくは角棒のような棒状、細長い板状の形状、あるいはこれらを組み合わせた形状である。

＜スペーサ部＞
本発明の端子は、半田付け部及び端子嵌合部を離間させるスペーサ部を更に有していてもよい。図５にスペーサ部を有する本発明の端子の縦割断面の模式図を示す。

スペーサ部３４には、後述するケーシング部材が取り付けられていてもよい。本発明の端子は、後述する通り、例えば本発明の複合材（素材上に金属被膜及び複合被膜を有する構成である）を打ち抜いて製造されるが、当該打ち抜きによって端子嵌合部３０、半田付け部３２及びスペーサ部３４は同時に形成される。すなわちこれらは一体に形成されているのが代表的である。金属被膜露出部位４２が半田付け部として最低限の寸法しか無く、複合被膜露出部位４４が端子嵌合部として最低限の寸法しか無い場合には、スペーサ部は存在しない。一方金属被膜露出部位４２及び／又は複合被膜露出部位４４の寸法を前記の最低限の寸法よりも長く設計すれば、スペーサ部３４が形成される。すなわち、スペーサ部３４は金属被膜３８の一部及び複合被膜４０の一部の少なくとも一方の部分と、当該部分に対応する素材３６の部分とで構成される。「当該部分に対応する素材３６の部分」とは、端子を水平に置いたときに前記「当該部分」の鉛直下方にある素材３６の部分のことである。

前記スペーサ部３４の部分で本発明の端子が折れ曲がっていれば、曲がっていない直線タイプの端子とは異なった形状のコネクタなどの製品設計が可能である。スペーサ部３４は、次に説明するケーシング部材を取り付けられることや、このような製品設計の自由度の点で有用である。

＜ケーシング部材＞
スペーサ部３４には上記の通りケーシング部材を取り付けてもよい。ケーシング部材を取り付けた態様の端子の縦割断面の模式図を図６に示す。

スペーサ部３４の箇所にケーシング部材５０が取り付けられている。代表的にはケーシング部材５０は開口部を有する箱型の形状であり、前記開口部と対向する壁面には端子６０が貫通できる孔が複数設けられている。孔の数は端子の用途によって適宜調整される。端子６０の半田付け部３２はケーシング部材５０の箱型の形状の外側に位置し、端子嵌合部３０はケーシング部材５０の箱型の形状の内側（前記孔からみて開口部の側）に位置する。またスペーサ部３４のケーシング部材５０の孔を貫通する部位には、ケーシング固定部Ｘを設けて、端子６０がケーシング部材５０から外れにくくすることができる。さらにケーシング部材５０の前記開口部の箇所には、後述するメス端子との固定を可能とする端子固定部Ｙが設けられていてもよい。

ケーシング部材５０は絶縁性の材料で構成され、当該材料の例としては樹脂が挙げられる。

＜端子の具体的態様＞
本発明の端子の具体的態様について、端子は典型的にはオス端子とメス端子のセットであり、本発明の端子はオス端子とすることが好ましい。以下、オス端子とメス端子について、これらの縦割断面の模式図である図７を参照しながら説明する。

メス端子７０は、オス端子６０の端子嵌合部３０を収容する形状に形成された収容部７２を備え、その内部に、嵌合したオス端子の端子嵌合部３０をメス端子の収容部７２内に固定して通電するための固定部７４を備えている。収容部７２の形状の例としては、円筒形状や箱型（直方体）形状が挙げられる。端子嵌合部３０が収容部７２に嵌まり込むことで、これらが物理的かつ電気的に接続する。良好な電気的接続等の実現のため収容部７２と端子嵌合部３０とは同一の材料で製造されることが好ましい。また、固定部７４の形状や端子嵌合部３０を固定する方式は、嵌まり込んだ端子嵌合部３０を固定できる限り特に制限されず、例えばツメ形状、バネなどである。

またメス端子７０にはケーシング部材７６が取り付けられていてもよい。代表的にはケーシング部材７６は開口部を有する箱型の形状であり、１つの壁面にはメス端子７０が貫通できる孔が複数設けられている。孔の数は端子の用途によって適宜調整される。メス端子７０の収容部７２はケーシング部材７６の開口部の箇所に位置する。ケーシング部材７６には、上述したオス端子６０の端子固定部Ｙと係合してオス端子６０とメス端子７０を固定する端子固定部Ｐが設けられていてもよい。オス端子６０とメス端子７０双方がケーシング部材を備えることで、小さな両端子を位置合わせするのでなく、ケーシング部材どうしを位置合わせすることで、複数のオス端子６０とメス端子７０をまとめて位置合わせ・嵌合することができる。

ケーシング部材７６の構成材料はオス端子６０のケーシング部材５０の構成材料と同様である。なお、ケーシング部材７６及び５０は弾性変形が可能な材料で構成されていることが好ましく、この場合、オス端子６０とメス端子７０を、端子嵌合部３０が収容部７２に嵌合するように互いに押し込むことで、ケーシング部材７６及び５０が変形してケーシング部材７６がオス端子６０のケーシング部材５０の内側に入り込むことができ、両ケーシング部材が固定部ＰとＹで係合して固定される。

＜端子の用途＞
以上説明した、半田付け部及び端子嵌合部を有する本発明の端子の具体的な用途としては、プリント回路板用端子が挙げられる。

［端子の製造方法］
本発明の端子の製造方法について説明する。当該製造方法では、素材上に、銀及び錫の少なくとも一方を含む金属被膜と、炭素粒子を含有する銀層からなる複合被膜とを形成する。なお上述の通り、端子には金属被膜の露出部位と複合被膜の露出部位があるが、これらの少なくとも一方の寸法を、それぞれ半田付け部および端子嵌合部としての最低限の寸法より長く設計することで端子にスペーサ部が形成される。

本発明の端子の製造方法では、用途の形状となっていない（例えば平板形状の）素材に金属被膜及び複合被膜を形成して複合材としてから端子の形状に加工する方法（被膜の先形成）と、素材を端子の形状に加工してから金属被膜及び複合被膜を形成する方法（被膜の後形成）とがある。以下、これらの二つの手法について説明する。

＜被膜の先形成＞
被膜の先形成の手法では、まず本発明の複合材を製造する（平板形状の素材上に金属被膜及び複合被膜を形成する）。次にこの複合材を、打ち抜き加工や曲げ加工などの公知の加工手法の一つ又は複数の組み合わせによって、所望の端子の形状に加工する。

＜被膜の後形成＞
被膜の後形成の手法では、素材を打ち抜き加工や曲げ加工などの公知の加工手法の一つ又は複数の組み合わせによって、所望の端子の形状に加工する。そして端子形状となった素材に対して、本発明の複合材の製造方法（金属被膜及び複合被膜の形成（必要に応じて下地層等をさらに形成））を実施する。

＜被膜の先形成と後形成に共通の各種構成＞
次に、被膜の先形成手法と後形成手法において共通の各種構成を説明する。

（素材、下地層の形成、金属被膜の形成、複合被膜の形成）
これらについては、いずれも本発明の複合材の製造方法についての説明箇所で説明したのと同様である。

（ケーシング部材の取り付け）
各手法にて形成した端子について、ケーシング部材を取り付けてもよい。例えば上記にて図６を参照して説明した、開口部と対向する壁面に本発明の端子が貫通できる孔が複数設けられている態様のケーシング部材の場合、例えば、樹脂を用いて射出成形を行うことで前記ケーシング部材を製造し、ケーシング部材の孔に端子を挿入し、押し込む。これにより、ケーシング部材の複数の孔に端子が挿通しかつケーシング固定部Ｘで固定された物品が得られる。

（金属被膜が銀被膜である場合）
金属被膜が銀被膜である場合、以下に説明する通り簡便な方法で本発明の端子を製造することができる。
まず、素材（被膜の後形成手法を採用する場合は端子の形状に加工したもの）の表層全面に銀からなる銀被膜を形成し、その後、銀被膜上の一部（端子嵌合部となる部位に対応する部分）に複合被膜を形成する。このような単純な工程２つで素材上に銀被膜及び複合被膜を形成できる。一方金属被膜が錫被膜である場合には、ウィスカ防止のためにリフロー処理という追加の処理が必要である。また、金属被膜が錫被膜や銀錫合金被膜などの錫を含む被膜である場合、当該被膜と複合被膜の密着性は十分ではない場合があり、金属被膜及び複合被膜のそれぞれが素材（下地層が形成されている場合は下地層）上に直接形成されることが好ましい。この場合には、一方の被膜を形成する場合に他方の被膜が形成される部分にマスクをして、被膜形成が終了したらマスクを除去（剥離）するという追加の工程が生じる。

上述の通り、複合被膜の形成においては、素材（下地層がある場合は下地層）と複合被膜の密着性の観点から、素材（下地層）に対して銀ストライクめっきをしたのち、複合被膜を形成することが好ましい。そして銀ストライクめっきを素材表層全面にした後、形成された銀ストライクめっき層上の一部に複合被膜を形成する。以上は複合被膜を形成する工程であるが、その工程で同時に銀被膜も形成される。

また複合被膜の形成について、銀めっき液を用いた手法により行い、銀ストライクめっきした素材の一部（端子嵌合部となる部分）を銀めっき液に浸漬してめっきを実施すれば、マスクの利用なしに銀被膜の一部上に複合被膜を形成することができる。めっきの際に銀めっき液が多少波打つので、銀被膜及び複合被膜の上面視での境界が直線とならない場合もあるが、端子を、スペーサ部を有しスペーサ部が前記の境界を包含するような寸法に設計しておけば、特に問題ない。

そして被膜の先形成手法を採用した場合には、以上の通り銀被膜及び複合被膜を形成した素材（代表的には平板形状）を端子の形状に加工して、本発明の端子を得る。得られた端子は、素材の表層全面に銀からなる銀被膜が形成され、この銀被膜上の一部に前記複合被膜が形成されている構成である。

以下、本発明の実施例について詳細に説明する。
［実施例１］
＜炭素粒子の準備 酸化処理＞
炭素粒子として平均粒径５μｍの鱗片形状黒鉛粒子（日本黒鉛工業株式会社製のＰＡＧ－３０００）８０ｇを１．４Ｌの純水中に添加し、この混合液を攪拌しながら５０℃に昇温させた。なお前記平均粒径は、レーザー回折・散乱式粒度分布測定装置（マイクロトラック・ベル株式会社製のＭＴ３３００（ＬＯＷ－ＷＥＴ ＭＴ３０００ＩＩ Ｍｏｄｅ））を用いて測定した、体積基準の累積値が５０％の粒径である。次に、この混合液に酸化剤として０．１モル／Ｌの過硫酸カリウム水溶液０．６Ｌを徐々に滴下した後、２時間攪拌することで酸化処理を行い、その後、ろ紙によりろ別を行い、得られた固形物に対して水洗を行った。

＜銀ストライクめっき＞
縦５．０ｃｍ、横５．０ｃｍ、厚さ０．２ｍｍのＣｕ－Ｎｉ－Ｓｎ－Ｐ合金からなる板材（１．０質量％のＮｉと０．９質量％のＳｎと０．０５質量％のＰを含み、残部がＣｕおよび不可避不純物である銅合金の板材）（ＤＯＷＡメタルテック株式会社製のＮＢ－１０９ＥＨ）を用意した。この板材を素材として、当該素材をカソード、（チタンのメッシュ素材を酸化イリジウムコーティングした）酸化イリジウムメッシュ電極板をアノードとして使用して、錯化剤としてメタンスルホン酸を含む２５℃のスルホン酸系銀ストライクめっき液（大和化成株式会社製のダインシルバーＧＰＥ－ＳＴ。銀濃度３ｇ／Ｌ、メタンスルホン酸濃度４２ｇ／Ｌ）中において、電流密度５Ａ／ｄｍ^２で２０秒間電気めっき（銀ストライクめっき）を行った。なお銀ストライクめっきは素材の表層全体に対して行った。

＜ＡｇＣめっき＞
錯化剤としてメタンスルホン酸を含む、銀濃度３０ｇ／Ｌ、メタンスルホン酸濃度６０ｇ／Ｌのスルホン酸系銀めっき液（大和化成株式会社製のダインシルバーＧＰＥ－ＨＢ（一般式（１）に該当する化合物Ａを４．２ｇ／Ｌの濃度で含み、溶媒は主に水である））に、上記の酸化処理を行った炭素粒子（黒鉛粒子）を添加して、濃度５０ｇ／Ｌの炭素粒子と濃度３０ｇ／Ｌの銀と濃度６０ｇ／Ｌのメタンスルホン酸を含む炭素粒子含有スルホン酸系銀めっき液を用意した。

次に、上記の銀ストライクめっきした素材をカソード、銀電極板をアノードとして使用して、上記の炭素粒子含有スルホン酸系銀めっき液中に銀ストライクめっきした素材の縦２．５ｃｍ、横５．０ｃｍを浸漬させて、スターラにより４００ｒｐｍで撹拌しながら、温度２５℃、電流密度３Ａ／ｄｍ^２で１２０秒間電気めっきを行い、銀層中に炭素粒子を含有する複合被膜（ＡｇＣめっき被膜）が素材の銀ストライクめっき層上に形成されてなる複合材を得た。なお複合被膜は素材の銀ストライクめっき層の表層半分（縦２．５ｃｍ、横５．０ｃｍの領域）に形成した。またＡｇＣめっきにおいて、銀ストライクめっきした素材のめっき液中に浸漬されていない部分については、マスクを施さなかった。

この実施例１で得られた複合材について、ＡｇＣめっきがされた側を端子嵌合部、ＡｇＣめっきがされておらず銀ストライクめっき層が露出した側を半田付け部とみなして、以下の評価を行った。

＜銀ストライクめっき層の厚さ＞
複合材の銀ストライクめっき層が露出した部分（２．５ｃｍ×５．０ｃｍの面）における中央部分の直径０．２ｍｍの円形の範囲の厚さを蛍光Ｘ線膜厚計（株式会社日立ハイテクサイエンス製のＦＴ１１０Ａ）で測定したところ、０．０３μｍであった。

＜複合被膜の厚さ＞
複合材の半田付け部側の２．５ｃｍ×５．０ｃｍの面における中央部分の直径０．２ｍｍの円形の範囲の厚さを蛍光Ｘ線膜厚計（株式会社日立ハイテクサイエンス製のＦＴ１１０Ａ）で測定した。これにより求められた厚さは複合被膜と銀ストライクめっき層の厚さの合計値であり、これから銀ストライクめっき層の厚さを差し引くことにより、複合被膜の厚さを求めた。その結果、複合皮膜の厚さは２μｍであった。なお蛍光Ｘ線膜厚計では（炭素粒子の）Ｃ原子の検出は困難でＡｇ原子を検出して厚さを求めているが、本発明ではこれにより求まる厚さを複合被膜と銀ストライクめっき層の厚さの合計とみなす。

＜超音波洗浄処理後の複合被膜表面の炭素面積率＞
得られた複合材の複合被膜表面に対して、超音波洗浄器（ＡＳ ＯＮＥ製のＶＳ－１００ＩＩＩ、出力１００Ｗ、槽内寸法：縦１４０ｍｍ×横２４０ｍｍ×深さ１００ｍｍ、使用液体は純水、水温は２０℃）を使用して、２８ｋＨｚで４分の超音波洗浄処理を実施した。

超音波洗浄処理後の複合被膜表面の炭素面積率は、以下のようにして測定した。
卓上顕微鏡（株式会社日立ハイテク製のＴＭ４０００ Ｐｌｕｓ）を使用して加速電圧５ｋＶで１０００倍に拡大して複合被膜の表面を観察した反射電子組成（ＣＯＭＰＯ）像（１視野）をＧＩＭＰ ２．１０．１０（画像解析ソフト）にて２値化し、複合被膜表面において炭素が占める面積率を算出した。具体的には、全ピクセル（８８０×１２７０＝１１１７６００ピクセル）のうち最も高い輝度を２５５、最も低い輝度を０とすると、輝度が１２７以下のピクセルが黒、輝度が１２７を超えるピクセルが白になるように階調を２値化し、銀の部分（白い部分）と炭素粒子の部分（黒い部分）に分離して、画像全体のピクセル数Ｐに対する炭素粒子の部分のピクセル数Ｑの比Ｑ／Ｐを、表面の炭素面積率（％）として算出した。その結果、超音波洗浄処理後の炭素面積率は２０面積％だった。

＜微摺動摩耗特性の評価＞
上記実施例１で得られた複合材の端子嵌合部から横２．０ｃｍ×縦３．０ｃｍの大きさの平板状試験片を切り出した。
一方、複数作成した上記実施例１で得られた複合材の端子嵌合部から横１．０ｃｍ×縦４．０ｃｍの試験片を切り出し、これに対して内径１．０ｍｍのインデント（半球形状に押し出す）加工を施して、インデント付き試験片（圧子）を得た。このように、実施例１では実施例１の複合材（の端子嵌合部）から平板状試験片及びインデント付き試験片の双方を作成した。以降の実施例及び比較例においても同様である（例えば実施例２では、実施例２の複合材から平板状試験片及びインデント付き試験片の双方を作成した）。

摺動摩耗試験機（株式会社山崎精機研究所製 ＣＲＳ－Ｇ２０５０－ＤＷＡ）により、上記平板状試験片に、前記インデント付き試験片の凸部が平板状試験片にあたるようにして、インデント付き試験片を一定の加重（２Ｎ）で平板状試験片に押し当てながら、往復摺動動作（摺動距離５０μｍ（１往復で１００μｍ）、摺動速度３ｍｍ／ｓ）を継続して、インデント付き試験片と平板状試験片の摩耗状態を確認する摩耗試験を行うことにより、微摺動摩耗特性の評価を行った。その結果、５０００回の往復摺動動作後に、マイクロスコープ（株式会社キーエンス製のＶＨＸ－１０００）によりインデント付き試験片及び平板状試験片の摺動痕の中心部を倍率２００倍で観察したところ、どちらの摺動痕からも（茶色の）素材が露出していないことが確認され、実施例１の複合材の端子嵌合部側は微摺動摩耗特性に優れていることがわかった。

＜摩擦係数の測定＞
微摺動摩耗特性の評価の場合と同様に、上記実施例１で得られた複合材の端子嵌合部を使用して平板状試験片及びインデント付き試験片を作成した。

そして、摺動摩耗試験機（株式会社山崎精機研究所製 ＣＲＳ－Ｇ２０５０－ＤＷＡ）により、平板状試験片の複合被膜の表面に、インデント付き試験片の凸部があたるようにして、インデント付き試験片を一定の加重（２Ｎ）で平板状試験片に押し当てながら、摺動速度０．４ｍｍ／秒で摺動させ、摺動開始から摺動距離５ｍｍまで摺動荷重を測定した。そして摺動距離２ｍｍ～３ｍｍの間の摺動荷重データを平均して、摩擦係数（摺動荷重の平均Ｆ／５Ｎ）を求めた。結果、端子嵌合部の摩擦係数は０．２０だった。

＜半田付け性の評価＞
上記実施例１で得られた複合材の半田付け部から横１．０ｃｍ×縦２．５ｃｍの大きさの平板状試験片を切り出した。１５５℃の大気中で１６時間保持（エージング）した後に、下記に示す試験条件で評価を行った。その結果、濡れ面積率は８５％と、実施例１の複合材の半田付け部は半田付け性に優れていることがわかった。

［試験条件］
半田 Ｓｎ－３Ａｇ－０．５Ｃｕ
半田槽温度 ２５０℃
フラックス 非活性ロジンフラックス（当該フラックスに試験片を浸漬した）
半田への試験片の浸漬速度 ２５ｍｍ／ｓ
半田への試験片の浸漬深さ ４ｍｍ
半田への試験片の浸漬時間 ５ｓ
判定方法 浸漬部のうち半田で濡れた面積率を求めた

［実施例２］
実施例１と同様の素材をカソード、Ｎｉ電極板をアノードとして使用して、濃度３４２ｇ／Ｌのスルファミン酸ニッケル（Ｎｉ濃度として８０ｇ／Ｌ）と濃度４５ｇ／Ｌのホウ酸からなるニッケルめっき浴（水溶液）中において、液温５５℃、電流密度４Ａ／ｄｍ^２で攪拌しながら４０秒間電気めっき（Ｎｉめっき）を行って、素材上に厚さ０．２μｍのＮｉ被膜（Ｎｉ下地層）を形成した。下地層の厚さは複合被膜の厚さを求める方法と同様の方法で測定した。

Ｎｉ下地を形成した素材に対して銀ストライクめっきを施した以外は、実施例１と同様にして複合材を作成した。

得られた複合材について、実施例１と同様に、複合被膜の厚さ、銀ストライクめっき層の厚さ、超音波洗浄処理後の複合被膜表面の炭素面積率及び摩擦係数を求め、微摺動摩耗特性及び半田付け性の評価を行った。

［実施例３］
Ｎｉ下地を形成した素材に対して電流密度５Ａ／ｄｍ^２で１５０秒間電気めっき（銀ストライクめっき）を実施した以外は、実施例２と同様にして複合材を作成した。得られた複合材について、実施例１と同様に、複合被膜の厚さ、銀ストライクめっき層の厚さ、超音波洗浄処理後の複合被膜表面の炭素面積率及び摩擦係数を求め、微摺動摩耗特性及び半田付け性の評価を行った。

［実施例４］
Ｎｉ下地を形成した素材に対して電流密度５Ａ／ｄｍ^２で３７５秒間電気めっき（銀ストライクめっき）を実施した以外は、実施例２と同様にして複合材を作成した。得られた複合材について、実施例１と同様に、複合被膜の厚さ、銀ストライクめっき層の厚さ、超音波洗浄処理後の複合被膜表面の炭素面積率及び摩擦係数を求め、微摺動摩耗特性及び半田付け性の評価を行った。

［実施例５］
実施例１で使用した、酸化処理を施した炭素粒子６０ｇを０．６Ｌの純水中に添加した後、ポリ（ジアリルジメチルアンモニウムクロライド）（重量平均分子量：１６００、数平均分子量：１５００）の水溶液（株式会社センカ製ユニセンスＦＰＡ１００Ｌ、ポリ（ジアリルジメチルアンモニウムクロライド）の濃度は２５～３５質量％）１００ｇを加え、液温２５℃の状態で２４ｈ攪拌混合することで炭素粒子に対する表面処理を行った。その後、ろ紙によりろ別を行い、得られた固形物に対して、ろ液の電導度が１０μＳ／ｃｍになるまで水洗を行った。なお平均分子量は、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）により測定した。測定条件の詳細は以下のとおりである。

溶離液：水（硝酸ナトリウムを濃度０．１ｍｏｌ／Ｌで、酢酸を濃度０．５ｍｏｌ／Ｌで含有）
標準物質：ポリエチレンオキシド（分子量１万以上についての標準物質）及びポリエチレングリコール（分子量１万未満についての標準物質）の混合物
試料濃度：０．２ｗ／ｖ％
注入量：１００μＬ
流量：１．０ｍＬ／分
カラム：Ｓｈｏｄｅｘ ＯＨｐａｋ ＳＢ－８０６Ｍ ＨＱ×２（昭和電工（株）製）
カラム温度：４０℃
ポンプ：ＬＣ－１０ＡＤｖｐ（（株）島津製作所製）
検出器：Ｓｈｏｄｅｘ ＲＩ－７１（昭和電工（株）製）

炭素粒子として、上記のポリマーによる表面処理を行った炭素粒子（黒鉛粒子）を使用し、ＡｇＣめっきにおけるめっき時間を６０秒に変更した以外は、実施例３と同様にして複合材を作成した。得られた複合材について、実施例１と同様に、複合被膜の厚さ、銀ストライクめっき層の厚さ、超音波洗浄処理後の複合被膜表面の炭素面積率及び摩擦係数を求め、微摺動摩耗特性及び半田付け性の評価を行った。

［比較例１］
＜銀ストライクめっき＞
縦５．０ｃｍ、横５．０ｃｍ、厚さ０．２ｍｍのＣｕ－Ｎｉ－Ｓｎ－Ｐ合金からなる板材（１．０質量％のＮｉと０．９質量％のＳｎと０．０５質量％のＰを含み、残部がＣｕおよび不可避不純物である銅合金の板材）（ＤＯＷＡメタルテック株式会社製のＮＢ－１０９ＥＨ）の表層半分（縦２．５ｃｍ、横５．０ｃｍの領域）に銀ストライクめっきしたこと以外は実施例３と同様にして銀ストライクめっきを行った。

＜ＡｇＣめっき＞
上記の銀ストライクめっきした素材をカソード、銀電極板をアノードとして使用して、炭素粒子含有スルホン酸系銀めっき液中に素材の銀ストライクめっきした部分である縦２．５ｃｍ、横５．０ｃｍを浸漬させたこと以外は実施例１と同様にして複合材を作成した。得られた複合材について、実施例１と同様に、複合被膜の厚さ、銀ストライクめっき層の厚さ、超音波洗浄処理後の複合被膜表面の炭素面積率及び摩擦係数を求め、微摺動摩耗特性及び半田付け性の評価を行った。なお、銀ストライクめっき層の厚さは、複合皮膜を形成する前に測定した。また、半田付け性の評価はめっきがされていない素材部分で行った。

［比較例２］
実施例３と同様にして、Ｎｉ下地層を素材上に形成し、続いて銀ストライクめっきを実施した。この、銀ストライクめっきした素材をカソード、銀電極板をアノードとして使用して、実施例１で用いたのと同様の炭素粒子含有スルホン酸系銀めっき液中に銀ストライクめっきした素材の縦５．０ｃｍ、横５．０ｃｍ（素材全面）を浸漬させて、スターラにより４００ｒｐｍで撹拌しながら、温度２５℃、電流密度３Ａ／ｄｍ^２で１２０秒間電気めっきを行い、銀層中に炭素粒子を含有する複合被膜が素材（の銀ストライクめっき層）上全面に形成されてなる複合材を得た。

得られた複合材について、実施例１と同様に、複合被膜の厚さ、銀ストライクめっき層の厚さ、超音波洗浄処理後の複合被膜表面の炭素面積率及び摩擦係数を求め、微摺動摩耗特性及び半田付け性の評価を行った。なお銀ストライクめっき層の厚さについては、複合皮膜を形成する前に測定した。更に半田付け性の評価については、比較例１の複合材から横１．０ｃｍ×縦２．５ｃｍの大きさの平板状試験片を切り出して（当該試験片の切り口以外の部分の最表面は複合皮膜で構成されている）、これを使用して評価を行った。

［比較例３］
＜Ｓｎめっき＞
硫酸第一錫（ＳｎＳＯ４）７０ｇ／Ｌと（Ｓｎ濃度として３９ｇ／Ｌ）、硫酸（Ｈ_２ＳＯ_４）７５ｇ／Ｌと、レベリング剤 としてクレゾールスルホン酸３０ｇ／Ｌと、界面活性剤としてポリオキシエチレンステアリルアミン２ｇ／Ｌとを含有する水溶液からなるＳｎめっき液を用意した。

実施例１と同様の素材をカソード、Ｓｎ電極板をアノードとして使用して、上記のＳｎめっき液中に素材の縦５．０ｃｍ、横５．０ｃｍ（素材全面）を浸漬させて、スターラにより４００ｒｐｍで撹拌しながら、温度２５℃、電流密度４Ａ／ｄｍ^２で５５秒間電気めっきを行い、錫の金属被膜（Ｓｎめっき被膜）が素材上に形成されてなるめっき材を得た。なお金属被膜は素材の表層全面（縦５．０ｃｍ、横５．０ｃｍの領域）に形成した。

得られたＳｎめっき材に対してリフロー処理（Ｓｎ溶融処理）を行った。このリフロー処理では、近赤外線ヒーター（株式会社ハイベック製のＨＹＷ－８Ｎ、定格電圧１００Ｖ、定格電力５６０Ｗ）を使用し、電源コントローラ（株式会社ハイベック製のＨＹＷ－２０ＣＣＲ－αＮ）によって設定電流値を１０．８Ａとして、大気雰囲気においてＳｎめっき材を１１秒間加熱（約２５０℃）してＳｎめっき層の表面を溶融させた直後に２０℃の水槽内に浸漬して冷却した。

得られたリフローＳｎめっき材について、実施例１と同様に、Ｓｎめっき膜の厚さ及び摩擦係数を求め、微摺動摩耗特性及び半田付け性の評価を行った。

［比較例４］
＜Ａｇめっき＞
めっき時間を１５０秒に変更した以外は、実施例１と同様にして、素材に対して銀ストライクめっきを実施した。

実施例１で使用したのと同様のスルホン酸系銀めっき液（大和化成株式会社製のダインシルバーＧＰＥ－ＨＢ）を用意した。上記の銀ストライクメッキした素材をカソード、銀電極板をアノードとして使用して、前記のスルホン酸系銀めっき液中に銀ストライクめっきした素材の縦５．０ｃｍ、横５．０ｃｍ（素材全面）を浸漬させて、スターラにより４００ｒｐｍで撹拌しながら、温度２５℃、電流密度３Ａ／ｄｍ^２で１２０秒間電気めっきを行い、Ａｇめっき被膜が素材上に形成されてなるめっき材を得た。なおＡｇめっき被膜は素材の表層全面（縦５．０ｃｍ、横５．０ｃｍの領域）に形成した。

得られたＡｇめっき材について、実施例１と同様に、銀被膜の厚さ及び摩擦係数を求め、微摺動摩耗特性及び半田付け性の評価を行った。

以上の実施例１～５並びに比較例１～４の複合材、Ｓｎめっき材及びＡｇめっき材の製造条件を下記表１に、各種評価結果を下記表２にまとめた。

１０ 複合材
１２ 素材
１４ 金属被膜
１６ 複合被膜
１８ 金属被膜露出部位
２０ 複合被膜露出部位
２２ 金属被膜露出部位１８の一部から複合被膜露出部位２０の一部にかけての部分
３０ 端子嵌合部
３２ 半田付け部
３４ スペーサ部
３６ 素材
３８ 金属被膜
４０ 複合被膜
４２ 金属被膜露出部位
４４ 複合被膜露出部位
５０ ケーシング部材
６０ 端子
７０ メス端子
７２ 収容部
７４ 固定部
７６ ケーシング部材

Claims (19)

1. 銀及び錫の少なくとも一方を含む金属被膜と、炭素粒子を含有する銀層からなる複合被膜とが素材上に形成されてなる複合材であって、
   前記金属被膜が露出している部位と、前記複合被膜が露出している部位とが存在する、
   半田付け部及び端子嵌合部を有する端子の製造に使用される複合材。
2. 前記複合材の、前記金属被膜が露出している部位が前記端子における半田付け部に対応し、前記複合被膜が露出している部位が前記端子における端子嵌合部に対応する、請求項１に記載の複合材。
3. 請求項１又は２に記載の複合材を端子の形状に加工する、端子の製造方法。
4. 素材上に被膜が形成されてなる、半田付け部及び端子嵌合部を有する端子であって、
   前記被膜は、前記素材上に形成された銀及び錫の少なくとも一方を含む金属被膜と、前記素材上に形成された炭素粒子を含有する銀層からなる複合被膜とを含み、
   前記端子の金属被膜が露出している部位が前記半田付け部を構成し、
   前記端子の複合被膜が露出している部位が前記端子嵌合部を構成する、
   端子。
5. 前記端子が、収容部を備えるメス端子と嵌合されるオス端子である、請求項４に記載の端子。
6. 前記金属被膜が、前記素材の表層全面に形成された銀からなる銀被膜であり、
   前記銀被膜上の一部に前記複合被膜が形成されている、請求項４又は５に記載の端子。
7. 前記金属被膜の厚さが０．０１～２．０μｍである、請求項６に記載の端子。
8. 前記複合被膜の表面における炭素粒子が占める割合が１～８０面積％である、請求項４又は５に記載の端子。
9. 前記複合被膜の厚さが０．５～１５μｍである、請求項４又は５に記載の端子。
10. 前記素材上に、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ及びＡｇからなる群より選択される少なくとも一種からなる下地層が形成され、該下地層上に前記金属被膜及び複合被膜が形成されている、請求項４又は５に記載の端子。
11. 前記半田付け部及び端子嵌合部を離間させるスペーサ部を更に有する、請求項４又は５に記載の端子。
12. 素材上に、銀及び錫の少なくとも一方を含む金属被膜と炭素粒子を含有する銀層からなる複合被膜とを形成し、得られた複合材を端子の形状に加工する工程を備える端子の製造方法であって、
    前記端子の金属被膜が露出している部位が半田付け部を構成し、
    前記端子の複合被膜が露出している部位が端子嵌合部を構成する、
    端子の製造方法。
13. 素材を端子の形状に加工し、加工された素材上に、銀及び錫の少なくとも一方を含む金属被膜と炭素粒子を含有する銀層からなる複合被膜とを形成する工程を備える端子の製造方法であって、
    前記端子の金属被膜が露出している部位が半田付け部を構成し、
    前記端子の複合被膜が露出している部位が端子嵌合部を構成する、
    端子の製造方法。
14. 素材の表層全面に銀からなる銀被膜を形成し、該銀被膜上の一部に炭素粒子を含有する銀層からなる複合被膜を形成し、得られた複合材を端子の形状に加工する工程を備える端子の製造方法であって、
    前記端子の銀被膜が露出している部位が半田付け部を構成し、
    前記端子の複合被膜が露出している部位が端子嵌合部を構成する、
    端子の製造方法。
15. 素材を端子の形状に加工し、加工された素材の表層全面に銀からなる銀被膜を形成し、該銀被膜上の一部に炭素粒子を含有する銀層からなる複合被膜を形成する工程を備える端子の製造方法であって、
    前記端子の銀被膜が露出している部位が半田付け部を構成し、
    前記端子の複合被膜が露出している部位が端子嵌合部を構成する、
    端子の製造方法。
16. 前記端子が、収容部を備えるメス端子と嵌合されるオス端子である、請求項１２～１５のいずれかに記載の端子の製造方法。
17. 前記銀被膜の露出している部位の一部と、前記複合被膜の露出している部位の一部との少なくとも一方の部分が、前記半田付け部及び端子嵌合部を離間させるスペーサ部を更に構成する、請求項１４又は１５に記載の端子の製造方法。
18. 前記銀被膜の厚さが０．０１～２．０μｍである、請求項１４又は１５に記載の端子の製造方法。
19. 前記素材の表層全面に、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ及びＡｇからなる群より選択される少なくとも一種からなる下地層を形成し、
    該下地層の表層全面に前記銀被膜を形成する、請求項１４又は１５に記載の端子の製造方法。