JP2024078106A - 導電デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】導電性部分の抵抗値の変化を抑制でき、かつ、導電性部分の断線を抑制する。【解決手段】導電デバイス１は、基板２と、導電性部分３と、を備える。基板２は、可撓性と伸縮性との少なくとも一方の性能を有する。導電性部分３は、基板２の第１主面２１の上に形成されている。導電性部分３は、ジグザグ状である。導電性部分３は、複数の折り返し部３１と、複数の中間部３２と、を含む。複数の折り返し部３１は、千鳥配置されている。複数の中間部３２の各々は、複数の折り返し部３１のうち２つの折り返し部３１をつないでいる。複数の折り返し部３１の各々の第１折り返し幅Ｗ１は、複数の中間部３２のうち対応する２つの中間部３２から想定される仮想折り返し部Ｖ３１の第２折り返し幅Ｗ２よりも広い。複数の折り返し部３１の各々の少なくとも一部の厚さＴ１は、複数の中間部３２のうち対応する２つの中間部３２の各々の厚さＴ２よりも厚い。【選択図】図２

Description

本開示は、導電デバイスに関し、より詳細には、基板と導電性部分とを備える導電デバイスに関する。

従来、導電デバイスとして、例えば、伸縮性フレキシブル回路基板が知られている（特許文献１）。

特許文献１に開示された伸縮性フレキシブル回路基板の回路基板本体は、絶縁ベース部材（基板）と、絶縁ベース部材上に形成された配線層（導電性部分）と、を備えている。配線層は、金属箔から形成されている。

特開２０１３－１８７３８０号公報

導電デバイスでは、引き伸ばされたときの伸び率が大きくなったときに、導電性部分の抵抗値の変化が大きくなるとともに、導電性部分が断線しやすくなる。

本開示の目的は、導電性部分の抵抗値の変化を抑制でき、かつ、導電性部分の断線を抑制することが可能な導電デバイスを提供することにある。

本開示の一態様に係る導電デバイスは、基板と、導電性部分と、を備える。前記基板は、第１主面及び第２主面を有する。前記基板は、可撓性と伸縮性との少なくとも一方の性能を有する。前記導電性部分は、前記基板の前記第１主面の上に形成されている。前記導電性部分は、ジグザグ状である。前記導電性部分は、複数の折り返し部と、複数の中間部と、を含む。前記複数の折り返し部は、千鳥配置されている。前記複数の中間部の各々は、前記複数の折り返し部のうち２つの折り返し部をつないでいる。前記複数の折り返し部の各々の第１折り返し幅は、前記複数の中間部のうち対応する２つの中間部から想定される仮想折り返し部の第２折り返し幅よりも広い。前記複数の折り返し部の各々の少なくとも一部の厚さは、前記複数の中間部のうち対応する前記２つの中間部の各々の厚さよりも厚い。

本開示の一態様に係る導電デバイスは、基板と、導電性部分と、を備える。前記基板は、第１主面及び第２主面を有する。前記導電性部分は、前記基板の前記第１主面の上に形成されている。前記導電性部分は、ジグザグ状である。前記導電性部分は、複数の折り返し部と、複数の中間部と、を含む。前記複数の折り返し部は、千鳥配置されている。前記複数の中間部の各々は、前記複数の折り返し部のうち２つの折り返し部をつないでいる。前記複数の折り返し部は、第１折り返し部と、前記第１折り返し部の幅よりも幅が広く前記第１折り返し部よりも高抵抗の第２折り返し部と、を含む。前記複数の中間部は、前記第１折り返し部につながっている第１中間部と、前記第２折り返し部につながっている第２中間部と、を含む。前記第２折り返し部の折り返し幅は、前記第２中間部の幅の０．８倍よりも大きく１．８倍以下である。前記第２折り返し部の最大厚さは、前記第２中間部の最大厚さの０．８倍よりも大きく１．８倍以下である。

本開示の上記態様に係る導電デバイスによれば、導電性部分の抵抗値の変化を抑制でき、かつ、導電性部分の断線を抑制することが可能となる。

図１は、実施形態１に係る導電デバイスの一部破断した平面図である。 図２Ａは、同上の導電デバイスの要部平面図である。図２Ｂは、同上の導電デバイスを示し、図２ＡのＡ１－Ａ１線断面図である。 図３は、同上の導電デバイスの断面図である。 図４は、同上の導電デバイスが引き伸ばされたときの導電デバイスの、一部破断した平面図である。 図５Ａは、一実施例の導電デバイスの光学顕微鏡写真である。図５Ｂは、同上の導電デバイスが３倍に引き伸ばされたときの導電デバイスの光学顕微鏡写真である。 図６は、実施例の導電デバイス及び比較例の導電デバイスの伸び率と導電性部分の規格化抵抗との関係を示すグラフである。 図７は、実施例の導電デバイスに関し、伸び率と導電性部分の折り返し部及び中間部の規格化抵抗との関係を示すグラフである。 図８は、比較例の導電デバイスに関し、伸び率と導電性部分の折り返し部及び中間部の規格化抵抗との関係を示すグラフである。 図９は、実施形態２に係る導電デバイスを備える複合部材の断面図である。 図１０Ａは、同上の導電デバイスの要部平面図である。図１０Ｂは、同上の導電デバイスの要部側面図である。 図１１Ａ～図１１Ｃは、同上の複合樹脂筐体の製造方法を説明するための工程断面図である。

下記の実施形態１、２等において説明する図１～４、９、１０Ａ、１０Ｂ、１１Ａ、１１Ｂ及び１１Ｃは、模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。

（実施形態１）
（１）概要
以下では、実施形態１に係る導電デバイス１について図１～４に基づいて説明する。

導電デバイス１は、導電機能を有する構成要素として導電性部分３を備えるデバイスである。

図１、２Ａ及び２Ｂに示すように、導電デバイス１は、基板２と、導電性部分３と、を備える。基板２は、第１主面２１及び第２主面２２を有する。基板２は、可撓性と伸縮性との少なくとも一方の性能を有する。導電性部分３は、基板２の第１主面２１の上に形成されている。導電性部分３は、ジグザグ状である。図１及び４では、導電性部分３にドットハッチングを施してあるが、これらのドットハッチングは、断面を表すものではなく、導電性部分３の形状を分かりやすくするために付してあるにすぎない。

（２）導電デバイスの各構成要素
次に、導電デバイス１の各構成要素について、図１～４を参照して説明する。

（２．１）基板
基板２は、基板２の厚さ方向Ｄ１（図２Ｂ参照）からの平面視で、矩形状である。基板２は、厚さ方向Ｄ１に直交する第１主面２１及び第１主面２１とは反対側の第２主面２２を有する。基板２の厚さは、例えば、３０μｍ以上２００μｍ以下であり、一例として、１００μｍである。

基板２は、例えば、プラスチックフィルムである。より詳細には、基板２は、例えば、ポリカーボネートフィルムである。基板２は、ポリカーボネートフィルムに限らず、例えば、ＡＢＳフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエーテルサルフォンフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタラートフィルム等であってもよい。

（２．２）導電性部分
導電性部分３は、基板２の第１主面２１の上に形成されており、基板２と密着している。導電性部分３は、上述のように、ジグザグ状である。より詳細には、導電性部分３は、基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、ジグザグ状である。

導電性部分３は、複数の折り返し部３１と、複数の中間部３２と、を含む。複数の折り返し部３１は、千鳥配置されている。複数の中間部３２の各々は、複数の折り返し部３１のうち２つの折り返し部３１をつないでいる。複数の折り返し部３１は、基板２の厚さ方向Ｄ１に直交する第１方向Ｄ１１において一列（以下、第１列ともいう）に並んでいる３つ以上の折り返し部３１と、第１方向Ｄ１１において別の一列（以下、第２列ともいう）に並んでいる３つ以上の折り返し部３１と、を含んでいる。第１列に並んでいる３つ以上の折り返し部３１は、第１方向Ｄ１１において、等間隔で並んでいる。また、第２列に並んでいる３つ以上の折り返し部３１は、第１方向Ｄ１１において、等間隔で並んでいる。第２列に並んでいる３つ以上の折り返し部３１は、第１方向Ｄ１１に直交する第２方向Ｄ１２において、第１列に並んでいる３つ以上の折り返し部３１のいずれとも重ならない。第１方向Ｄ１１において、第１列の折り返し部３１は、第２列の隣り合う２つの折り返し部３１の間の中央に位置している。また、第１方向Ｄ１１において、第２列の折り返し部３１は、第１列の隣り合う２つの折り返し部３１の間の中央に位置している。なお、第１列に並んでいる３つ以上の折り返し部３１は、等間隔で並んでいるが、これに限らず、例えば、不等間隔で並んでいてもよい。また、第２列に並んでいる３つ以上の折り返し部３１は、等間隔で並んでいるが、これに限らず、例えば、不等間隔で並んでいてもよい。

基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、複数の折り返し部３１の各々は、円形状であるが、これに限らない。また、基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、複数の中間部３２の各々は、第１方向Ｄ１１及び第２方向Ｄ１２の各々に対して交差する方向に沿って形成されている。基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、複数の中間部３２の各々は、直線状であるが、これに限らず、例えば、曲線状であってもよい。

導電性部分３は、伸縮性を有する。導電性部分３は、例えば、銅はく、めっき層等と比べて伸縮性を有する。導電性部分３は、例えば、導電性ペーストを利用して形成されている。導電性部分３は、図３に示すように、複数の導電性粒子３１０と有機バインダ３２０とを含む。複数の導電性粒子３１０の各々は、金属粒子であるが、これに限らず、例えば、金属化合物粒子等であってもよい。導電性ペーストは、例えば、銀ペーストであるが、これに限らず、例えば、銅ペースト等であってもよい。導電性ペーストが銀ペーストの場合、複数の導電性粒子３１０の各々は、銀粒子である。導電性ペーストが銅ペーストの場合、複数の導電性粒子３１０の各々は、銅粒子である。

複数の導電性粒子３１０の各々の形状は、例えば、鱗片状であるが、これに限らず、例えば、球状であってもよい。導電性粒子３１０の平均粒径は、例えば、１μｍ～４μｍである。

有機バインダ３２０としては、例えば、アクリル樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン、ポリアクリルニトリル、ポリビニルアセタール、ポリアミド、ポリイミド、ジアクリルフタレート樹脂、セルロース系樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、その他の熱可塑性樹脂、又は、これらの樹脂を構成する単量体の２種以上の共重合体である。

図２Ａに示すように、複数の折り返し部３１の各々の第１折り返し幅Ｗ１は、対応する２つの中間部３２から想定される仮想折り返し部Ｖ３１の第２折り返し幅Ｗ２よりも広い。仮想折り返し部Ｖ３１とは、第１方向Ｄ１１において隣り合う２つの中間部３２それぞれの幅を一定として当該２つの中間部３２を延長したときに形成される仮想的な折り返し部である。図２Ａでは、中間部３２の延長部分と仮想折り返し部Ｖ３１とを一点鎖線で示してある。導電性部分３の抵抗値の変化を抑制し、かつ、導電性部分３の断線を抑制する観点において、複数の折り返し部３１の各々の第１折り返し幅Ｗ１は、対応する仮想折り返し部Ｖ３１の第２折り返し幅の１．２倍以上であることが好ましい。また、導電性部分３の形状制御性の観点において、複数の折り返し部３１の各々の第１折り返し幅Ｗ１は、対応する仮想折り返し部Ｖ３１の第２折り返し幅の２倍以下であることが好ましい。導電性部分３では、例えば、複数の仮想折り返し部Ｖ３１の各々の第２折り返し幅Ｗ２が４００μｍであり、複数の折り返し部３１の各々の第１折り返し幅Ｗ１が７５０μｍである。

また、図２Ｂに示すように、複数の折り返し部３１の各々の少なくとも一部の厚さＴ１（以下、複数の折り返し部３１の各々の最大厚さＴ１ともいう）は、複数の中間部３２のうち対応する２つの中間部３２の各々の厚さＴ２よりも厚い。複数の折り返し部３１の各々の最大厚さＴ１は、折り返し部３１において基板２の第１主面２１に接する面３１２と、基板２側とは反対側の主面３１１と、の間の厚さである。複数の中間部３２の各々の厚さＴ２は、中間部３２において基板２の第１主面２１に接する面３２２と、基板２側とは反対側の主面３２１と、の間の厚さである。導電性部分３では、複数の中間部３２の各々の厚さＴ２が１５μｍであり、複数の折り返し部３１の各々の最大厚さＴ１が２５μｍであるが、これらの数値に限定されない。

複数の折り返し部３１の各々の側面３１３は、中間部３２の主面３２１と滑らかにつながっている。

（３）導電デバイスの製造方法
導電デバイス１の製造方法では、例えば、基板２を準備した後、以下の第１工程、第２工程を順次行う。

第１工程では、基板２上の導電性部分３の形成予定領域に導電性粒子３１０（図３参照）と有機バインダ３２０（図３参照）と溶剤とを含む導電性ペーストを塗布する。導電性ペーストとしては、例えば、複数の導電性粒子３１０を含む粉末に有機バインダ３２０及び有機溶剤を混合させたペーストを用いる。第１工程では、例えば、ディスペンサシステム（dispenser system）等を利用して導電性ペーストを塗布する。ディスペンサシステムは、基板２を保持するテーブル、ディスペンサヘッドと、ディスペンサヘッドに保持され導電性ペーストを吐出するノズルと、を備える。第１工程では、ディスペンサヘッドを基板２上に導電性部分３の形成予定領域に沿って移動させつつ、ノズルから導電性ペーストを吐出させて塗布する。

ディスペンサシステムでは、ノズルからの導電性ペーストの吐出速度を変化させることにより、単位時間当たりの導電性ペーストの滴下量（塗布量）を変化させることができ、滴下量とディスペンサヘッド移動速度を変えることにより、単位面積当たりに塗布する導電性ペーストの量を制御することができ、導電性ペーストを導電性部分３の３次元形状（幅、高さ等）に基づく塗布形状とすることが可能となる。ここにおいて、ディスペンサシステムは、ディスペンサヘッドを移動させるロボットからなる移動機構と、テーブルから基板２の第１主面２１及びノズルそれぞれまでの高さを測定するセンサ部と、移動機構及びノズルからの導電性ペーストの吐出速度を制御するコントローラと、を備えているのが好ましい。コントローラは、例えば、マイクロコンピュータに適宜のプログラムを搭載することにより実現することができる。コントローラは、例えば、ＣＡＤ（Computer Aided Design）で設計された導電性部分３の設計形状における平面視での所定パターンのデータに基づいてディスペンサヘッドを移動させる。

また、導電性ペーストの塗布形状は、例えば、導電性ペーストの粘度、チクソ性等を調整することで制御することも可能である。また、導電性ペーストの塗布形状は、例えば、導電性ペーストの粘度等を調整することで制御することも可能である。

第２工程では、導電性ペーストを加熱して有機溶剤を蒸発させ導電性ペーストを熱硬化させることによって導電性部分３を形成する。

（４）導電デバイスの特性
導電デバイス１は、例えば、第１方向Ｄ１１（図１参照）に引っ張られて伸びた場合、図４に示すように、導電性部分３の形状が変化する。より詳細には、第１方向Ｄ１１において隣り合う２つの折り返し部３１の中心線間の距離Ｌ１１が距離Ｌ１（図１参照）よりも長くなる。図４の例では、複数の折り返し部３１の各々の折り返し幅Ｗ１１が第１折り返し幅Ｗ１（図１参照）よりも狭くなる。図４の例では、複数の折り返し部３１の各々の折り返し幅Ｗ１１が、中間部３２の幅Ｗ１３の０．８倍よりも大きく１．８倍以下である。なお、図４の例では、複数の折り返し部３１の各々の形状が、第２方向Ｄ１２の長さよりも第１方向Ｄ１１の長さが長い形状である。

また、図４の例では、複数の折り返し部３１の各々の厚さが、導電デバイス１が第１方向Ｄ１１に引っ張られる前の複数の折り返し部３１の各々の厚さＴ１（図２Ｂ参照）よりも薄くなる。図４の例において、複数の折り返し部３１の各々の厚さは、複数の中間部３２のうち対応する２つの中間部３２の各々の厚さの０．８倍よりも大きく１．８倍以下である。

図５Ａは、一実施例の導電デバイス１に関し、導電デバイス１が第１方向Ｄ１１に引き伸ばされる前の状態を観察した光学顕微鏡写真であり、図５Ｂは、上記一実施例の導電デバイス１が第１方向Ｄ１１において３倍の長さに引き伸ばされた後の状態を観察した光学顕微鏡写真である。図５Ｂの光学顕微鏡写真において、導電性部分３に断線箇所及びクラックは発見されなかった。なお、複数の折り返し部３１の各々の代わりに上述の仮想折り返し部Ｖ３１と同様の形状を採用したジグザグ状の導電性部分を有する比較例の導電デバイスでは、３倍の長さに引き伸ばされた後の状態を観察した光学顕微鏡写真において、複数の折り返し部の各々にクラックが発生していることが確認された。

図６では、上記一実施例の導電デバイス１の第１方向Ｄ１１における伸び率と導電性部分３の規格化抵抗との関係を実線Ｇ１で示し、上記比較例の導電デバイスの伸び率と導電性部分の規格化抵抗との関係を実線Ｇ２で示してある。

図６における縦軸の「規格化抵抗」は、第１方向Ｄ１１における導電デバイス１の伸び率を変化させて導電性部分３の抵抗値を測定し、導電性部分３の抵抗値を、第１方向Ｄ１１における導電デバイス１の伸び率を０％としたときの導電性部分３の抵抗値で除算した値である。例えば規格化抵抗の値が２ということは、導電デバイス１が引き伸ばされたことにより導電性部分３の抵抗値が２倍に増加したことを意味する。また、伸び率が１００％ということは第１方向Ｄ１１において導電デバイス１が２倍の長さになるように引き伸ばされたことを意味する。

図６から、上記比較例の導電デバイスでは伸び率０～１００％の範囲において伸び率の増加に伴い規格化抵抗が増加しているのに対し、上記一実施例の導電デバイス１では、伸び率０～１００％の範囲において規格化抵抗が略一定であることが分かる。よって、上記一実施例の導電デバイス１では、上記比較例の導電デバイスと比べて、引き伸ばされたときの抵抗値の変化を抑制できることが分かる。

図７では、上記一実施例の導電デバイス１の特性に関し、第１方向Ｄ１１における伸び率と中間部３２の規格化抵抗との関係を実線Ｇ１２で示し、第１方向Ｄ１１における伸び率と折り返し部３１の規格化抵抗との関係を破線Ｇ１１で示してある。

図８では、上記比較例の導電デバイスの特性に関し、伸び率と中間部の規格化抵抗との関係を実線Ｇ２２で示し、伸び率と折り返し部の規格化抵抗との関係を破線Ｇ２１で示してある。

図８から、上記比較例の導電デバイスでは、導電性部分の抵抗変化は折り返し部の抵抗変化が中間部の抵抗変化よりも支配的であることが分かる。

また、図７から、上記一実施例の導電デバイス１では、導電性部分３の抵抗変化は折り返し部３１の抵抗変化が中間部３２の抵抗変化よりも支配的であるが、折り返し部３１の抵抗変化が、比較例の導電デバイスの折り返し部の抵抗変化よりも小さいことが分かる。

図７及び図８から、上記一実施例の導電デバイス１では、比較例の導電デバイスと比べて折り返し部３１の抵抗変化を抑制でき、導電性部分３の抵抗変化を抑制できることが分かる。

（５）効果
実施形態１に係る導電デバイス１では、導電性部分３がジグザグ状であり、複数の折り返し部３１の各々の第１折り返し幅Ｗ１は、複数の中間部３２のうち対応する２つの中間部３２から想定される仮想折り返し部Ｖ３１の第２折り返し幅Ｗ２よりも広く、かつ、複数の折り返し部３１の各々の少なくとも一部の厚さＴ１は、複数の中間部３２のうち対応する２つの中間部３２の各々の厚さＴ２よりも厚い。これにより、実施形態１に係る導電デバイス１によれば、導電性部分３の抵抗値の変化を抑制でき、かつ、導電性部分３の断線を抑制することが可能となる。

導電デバイス１は、基板２の第１主面２１の上に、導電性部分３を備えていればよく、導電性部分３とは別にアンテナ用の放射導体を備えていてもよい。この場合、例えば、基板２が、アンテナ装置に含まれる誘電体基板を兼ねる。また、導電性部分３が、放射導体に接続された配線部を兼ねていてもよい。

また、導電デバイス１は、例えば、基板２の第１主面２１の上に導電性部分３に接続されている配線部を備えることにより、回路基板として用いることができる。また、導電デバイス１は、配線部に接続されたチップ部品、アンテナ用の放射導体、センサ等を更に備えていてもよい。

（実施形態２）
以下、実施形態２に係る導電デバイス１Ａについて、図９、１０Ａ、１０Ｂ、１１Ａ、１１Ｂ及び１１Ｃに基づいて説明する。

実施形態２に係る導電デバイス１Ａは、実施形態１に係る導電デバイス１と略同じであり、実施形態１に係る導電デバイス１とは基板２の形状及び導電性部分３の一部の形状が異なる。なお、実施形態２に係る導電デバイス１Ａに関し、実施形態１に係る導電デバイス１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

導電デバイス１Ａは、例えば、図９に示すように、側面視で逆Ｕ字状の形状である。

導電デバイス１Ａは、導電デバイス１を用いて形成されている。より詳細には、導電デバイス１Ａは、導電デバイス１を熱真空成形によって所定形状に成形することによって形成されている。

図１０Ａ及び１０Ｂに示すように、導電デバイス１Ａでは、導電性部分３の複数の折り返し部３１は、第１折り返し部３１Ａと、第１折り返し部３１Ａの幅Ｈ１よりも幅Ｈ２が広く第１折り返し部３１Ａよりも高抵抗の第２折り返し部３１Ｂと、を含む。複数の中間部３２は、第１折り返し部３１Ａにつながっている第１中間部３２Ａと、第２折り返し部３１Ｂにつながっている第２中間部３２Ｂと、を含む。第２折り返し部３１Ｂの折り返し幅Ｗ１１は、第２中間部３２Ｂの幅Ｗ１３の０．８倍よりも大きく１．８倍以下である。第２折り返し部３１Ｂの最大厚さは、第２中間部３２Ｂの最大厚さの０．８倍よりも大きく１．８倍以下である。

以下、導電デバイス１Ａの製造方法について図１１Ａ及び１１Ｂを参照しながら説明する。

導電デバイス１Ａの製造方法では、まず、実施形態１で説明した導電デバイス１の製造方法によって製造した導電デバイス１を準備する（図１１Ａ参照）。その後、導電デバイス１を基板２の第２主面２２側から吸引して導電デバイス１の基板２を成形型６の成形面６１に沿った所定形状に成形する（図１１Ｂ参照）。所定形状は、例えば、Ｕ字状であり、図１１Ｂの例では、成形型６の成形面６１は、第１成形面６１１と、第２成形面６１２と、第３成形面６１３と、を含む。第１成形面６１１は、平面状の天面である。第２成形面６１２は、第１成形面６１１に隣り合う平面状の側面である。第３成形面６１３は、第１成形面６１１に隣り合う平面状の側面である。成形面６１の形状は、特に限定されない。成形面６１は、１つの曲面状の成形面であってもよい。

導電デバイス１Ａでは、成形面６１の第１成形面６１１の端部と第２成形面６１２とに跨った部分において基板２が伸びる。これにより、基板２は、第１成形面６１１の中央部に重なっている部分よりも第１成形面６１１の端部と第２成形面６１２とに跨った部分のほうが薄くなる。これにより、導電デバイス１Ａでは、導電性部分３が、図１１Ａと同様に引き伸ばされていない形状となる第１導電性部分３０１と、図１１Ｂと同様に引き伸ばされた形状となる第２導電性部分３０２と、を含む。

また、導電デバイス１Ａは、基板２の第１主面２１の上に形成されている配線部を備えており、基板２の第１主面２１の上にアンテナ用の放射導体が形成されていてもよい。また、導電デバイス１Ａは、基板２の第１主面２１の上に形成されている導電性のランド部を備えており、ランド部に実装されたチップ部品を更に備えててもよい。導電デバイス１Ａが放射導体を備える場合、チップ部品は、例えば、インピーダンス整合用のチップインダクタ、チップキャパシタ等である。また、導電デバイス１Ａが基板２の第１主面２１の上に形成されている非接触式タッチセンサ用の検出電極を備える場合、チップ部品は、例えば、検出電極に接続される信号処理用のＩＣチップである。

以下、導電デバイス１Ａと樹脂筐体９とを備える複合部材１０（図９参照）の製造方法について図１１Ｂ及び１１Ｃを参照しながら説明する。

複合部材１０の製造方法では、熱真空成形した導電デバイス１Ａ（図１１Ｂ参照）の不要部分を切除してから、図１１Ｃに示すように導電デバイス１Ａを金型８内にセットする。これにより、金型８内には、樹脂筐体形成用のキャビティ８３が形成される。金型８は、樹脂注入用のゲート８４を有する。ゲート８４は、金型８において、例えば、基板２の第１主面２１と第２主面２２とのうち第１主面２１側にある。金型８は、下型（第１型）８１と上型（第２型）８２とを含む。ゲート８４は、上型８２に形成されている。金型８の材料は、例えば、金属又は合金を含む。

導電デバイス１Ａを金型８内にセットした後、溶融した成形樹脂材料を、金型８のゲート８４を通してキャビティ８３に注入する。そして、成形樹脂材料を硬化させることにより、導電デバイス１Ａと樹脂筐体９とを備える複合部材１０（図９参照）を成形する。成形樹脂材料は、ポリカーボネートであるが、これに限らず、例えば、ＡＢＳ樹脂、ポリスチレンであってもよい。複合部材１０の製造方法では、金型８内に複合部材１０を成形した後、複合部材１０を金型８から離型する。複合部材１０は、導電デバイス１Ａを備えるフィルムインサート成形品とも言える。複合部材１０の製造方法では、導電デバイス１Ａの導電性部分３が伸縮性を有するので、フィルムインサート成形の際に導電性部分３が破断するのを抑制することが可能となる。

樹脂筐体９の形状は、特に限定されない。樹脂筐体９としては、例えば、煙感知器の筐体、照明器具の筐体、電気錠装置の筐体、配線器具（コンセント、スイッチ等）、通信装置の筐体、制御機器の筐体を採用することができる。

（変形例）
実施形態１、２等は、本開示の様々な実施形態の一つに過ぎない。実施形態１、２等は、本開示の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。

また、導電性部分３は、例えば、銅はく、めっき層等であってもよい。また、導電性部分３は、単層構造に限らず、積層構造を有していてもよい。この場合、導電性部分３は、第１導電層と、第１導電層に重なり第１導電層よりも抵抗率が小さい第２導電層と、を含む。第１導電層は、導電性ペーストを利用して形成され、第２導電層は、導電性インクを利用して形成される。第１導電層は、実施形態１で説明した導電性部分３と同様に複数の導電性粒子３１０と有機バインダ３２０とを含む。第２導電層は、複数の導電性ナノ粒子を含む焼結金属層である。焼結金属層は、導電性ナノ粒子同士が焼結により結合された焼結体である。焼結金属層は、多孔質金属である。したがって、第２導電層は、銅はく、めっき層等と比べて高い伸縮性を有する。導電性ナノ粒子の形状は、例えば、球状である。導電性ナノ粒子の平均粒径は、導電性粒子３１０の平均粒径よりも小さい。導電性ナノ粒子の平均粒径は、例えば、１０ｎｍ～３００ｎｍである。第２導電層では、導電性ナノ粒子が、例えば、銀ナノ粒子であり、焼結金属層が、例えば、焼結銀層（多孔質銀層）である。第１導電層と第２導電層との積層順は、特に限定されない。つまり、基板２の第１主面２１上に第１導電層が形成され第１導電層上に第２導電層が積層されていてもよいし、基板２の第１主面２１上に第２導電層が形成され第２導電層上に第１導電層が積層されていてもよい。導電性部分３が積層構造を有する場合、導電性部分３が単層構造の場合と比べて、導電性部分３の低抵抗化を図ることが可能となる。

また、導電デバイス１は、導電性部分３を保護するための保護シートを更に備えていてもよい。保護シートは、ガスバリア性及び耐湿性を有するのが好ましい。保護シートは、撥水性を有していてもよい。保護シートは、導電性部分３を覆うように基板２の第１主面２１に積層されている。保護シートは、例えば、伸縮性と可撓性との少なくとも一方の性能を有する。保護シートの厚さは、例えば、３０μｍ以上２００μｍ以下であり、一例として、５０μｍである。保護シートは、例えば、プラスチックフィルムである。プラスチックフィルムは、ポリカーボネートフィルムであるが、これに限らず、例えば、ＡＢＳフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエーテルサルフォンフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタラートフィルム等であってもよい。保護シートは、例えば、基板２にラミネートされる。

（態様）
以上説明した実施形態１、２等から本明細書には以下の態様が開示されている。

第１の態様に係る導電デバイス（１）は、基板（２）と、導電性部分（３）と、を備える。基板（２）は、第１主面（２１）及び第２主面（２２）を有する。基板（２）は、可撓性と伸縮性との少なくとも一方の性能を有する。導電性部分（３）は、基板（２）の第１主面（２１）の上に形成されている。導電性部分（３）は、ジグザグ状である。導電性部分（３）は、複数の折り返し部（３１）と、複数の中間部（３２）と、を含む。複数の折り返し部（３１）は、基板（２）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、千鳥配置されている。複数の中間部（３２）の各々は、複数の折り返し部（３１）のうち２つの折り返し部（３１）をつないでいる。複数の折り返し部（３１）の各々の第１折り返し幅（Ｗ１）は、複数の中間部（３２）のうち対応する２つの中間部（３２）から想定される仮想折り返し部（Ｖ３１）の第２折り返し幅（Ｗ２）よりも広い。複数の折り返し部（３１）の各々の少なくとも一部の厚さ（Ｔ１）は、複数の中間部（３２）のうち対応する２つの中間部（３２）の各々の厚さ（Ｔ２）よりも厚い。

この態様によれば、導電性部分（３）の抵抗値の変化を抑制でき、かつ、導電性部分（３）の断線を抑制することが可能となる。

第２の態様に係る導電デバイス（１）では、第１の態様において、導電性部分（３）は、複数の導電性粒子（３１０）と有機バインダ（３２０）とを含む。

この態様によれば、導電性部分（３）が銅はく又はめっき層である場合と比べて、導電性部分（３）の伸縮性を高めることが可能となる。

第３の態様に係る導電デバイス（１）では、第１又は２の態様において、基板（２）は、ポリカーボネートフィルムである。

この態様によれば、基板（２）が伸縮性を有する。

第４の態様に係る導電デバイス（１）では、第１～３の態様のいずれか一つにおいて、複数の折り返し部（３１）の各々の第１折り返し幅（Ｗ１）は、対応する仮想折り返し部（Ｖ３１）の第２折り返し幅の１．２倍以上２倍以下である。

第５の態様に係る導電デバイス（１）では、第１～４の態様のいずれか一つにおいて、前記複数の折り返し部の各々の最大厚さは、複数の中間部（３２）のうち対応する２つの中間部（３２）の各々の最大厚さの１．２倍以上２倍以下である。

第６の態様に係る導電デバイス（１Ａ）は、基板（２）と、導電性部分（３）と、を備える。基板（２）は、第１主面（２１）及び第２主面（２２）を有する。導電性部分（３）は、基板（２）の第１主面（２１）の上に形成されている。導電性部分（３）は、ジグザグ状である。導電性部分（３）は、複数の折り返し部（３１）と、複数の中間部（３２）と、を含む。複数の折り返し部（３１）は、千鳥配置されている。複数の中間部（３２）の各々は、複数の折り返し部（３１）のうち２つの折り返し部（３１）をつないでいる。複数の折り返し部（３１）は、第１折り返し部（３１Ａ）と、第１折り返し部（３１Ａ）の幅（Ｈ１）よりも幅（Ｈ２）が広く第１折り返し部（３１Ａ）よりも高抵抗の第２折り返し部（３１Ｂ）と、を含む。複数の中間部（３２）は、第１折り返し部（３１Ａ）につながっている第１中間部（３２Ａ）と、第２折り返し部（３１Ｂ）につながっている第２中間部（３２Ｂ）と、を含む。第２折り返し部（３１Ｂ）の折り返し幅は、第２中間部（３２Ｂ）の幅の０．８倍よりも大きく１．８倍以下である。第２折り返し部（３１Ｂ）の最大厚さは、第２中間部（３２Ｂ）の最大厚さの０．８倍よりも大きく１．８倍以下である。

この態様によれば、導電性部分（３）の抵抗値の変化を抑制でき、かつ、導電性部分（３）の断線を抑制することが可能となる。

１、１Ａ 導電デバイス
２ 基板
３ 導電性部分
３１ 折り返し部
３１Ａ 第１折り返し部
３１Ｂ 第２折り返し部
３２ 中間部
３２Ａ 第１中間部
３２Ｂ 第２中間部
３１０ 導電性粒子
３２０ 有機バインダ
Ｖ３１ 仮想折り返し部
Ｗ１ 第１折り返し幅
Ｗ２ 第２折り返し幅
Ｔ１ 厚さ
Ｔ２ 厚さ
Ｈ１ 幅
Ｈ２ 幅

Claims (6)

1. 第１主面及び第２主面を有し、可撓性と伸縮性との少なくとも一方の性能を有する基板と、
   前記基板の前記第１主面の上に形成されているジグザグ状の導電性部分と、を備え、
   前記導電性部分は、
   千鳥配置されている複数の折り返し部と、
   各々が前記複数の折り返し部のうち２つの折り返し部をつないでいる、複数の中間部と、を含み、
   前記複数の折り返し部の各々の第１折り返し幅は、前記複数の中間部のうち対応する２つの中間部から想定される仮想折り返し部の第２折り返し幅よりも広く、
   前記複数の折り返し部の各々の少なくとも一部の厚さは、前記複数の中間部のうち対応する前記２つの中間部の各々の厚さよりも厚い、
   導電デバイス。
2. 前記導電性部分は、複数の導電性粒子と有機バインダとを含む、
   請求項１に記載の導電デバイス。
3. 前記基板は、ポリカーボネートフィルムである、
   請求項１又は２に記載の導電デバイス。
4. 前記複数の折り返し部の各々の前記第１折り返し幅は、対応する前記仮想折り返し部の第２折り返し幅の１．２倍以上２倍以下である、
   請求項１又は２に記載の導電デバイス。
5. 前記複数の折り返し部の各々の最大厚さは、前記複数の中間部のうち対応する前記２つの中間部の最大厚さの１．２倍以上２倍以下である、
   請求項１又は２に記載の導電デバイス。
6. 第１主面及び第２主面を有する基板と、
   前記基板の前記第１主面の上に形成されているジグザグ状の導電性部分と、を備え、
   前記導電性部分は、
   千鳥配置されている複数の折り返し部と、
   各々が前記複数の折り返し部のうち２つの折り返し部をつないでいる、複数の中間部と、を含み、
   前記複数の折り返し部は、
   第１折り返し部と、
   前記第１折り返し部よりも幅が広く前記第１折り返し部よりも高抵抗の第２折り返し部と、を含み、
   前記複数の中間部は、
   前記第１折り返し部につながっている第１中間部と、
   前記第２折り返し部につながっている第２中間部と、を含み、
   前記第２折り返し部の折り返し幅は、前記第２中間部の幅の０．８倍よりも大きく１．８倍以下であり、
   前記第２折り返し部の最大厚さは、前記第２中間部の最大厚さの０．８倍よりも大きく１．８倍以下である、
   導電デバイス。

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