JP2024077614A - 配線基板およびその製造方法、半導体装置および無線通信装置 - Google Patents

Abstract

【課題】有機成分と金属成分を含む上部配線を備え、上部配線と下部配線の電気的接続に優れ、上部配線の配線抵抗が低い配線基板を提供すること。【解決手段】基材１と、基材に配された下部配線２と、下部配線２上に配され開口部５を有する絶縁層３と、絶縁層３上に配された上部配線４とを有し、開口部５において下部配線２と上部配線４とが接続する配線基板であって、上部配線４が少なくとも金属成分と有機成分とを含み、開口部５内に、平面視において上部配線４が存在しない領域を有する。【選択図】図１

Description

本発明は、配線基板およびその製造方法、半導体装置および無線通信装置に関する。

近年、ＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ＩＤｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）技術を用いた無線通信システムが注目されている。ＲＦＩＤタグは、電界効果型トランジスタ（以下、ＦＥＴという）などで構成された回路を有するＩＣチップと、リーダ／ライタと無線通信するためのアンテナとを有する。タグ内に設置されたアンテナが、リーダ／ライタから送信される搬送波を受信し、ＩＣチップ内の駆動回路が動作する。

ＲＦＩＤタグは、物流管理、商品管理、万引き防止などの様々な用途での利用が期待されており、交通カードなどのＩＣカード、商品タグなど一部で導入が始まっている。

今後、あらゆる商品でＲＦＩＤタグを使用するためには、製造コストの低減が必要である。そこで、ＲＦＩＤタグの製造プロセスにおいて、真空や高温を使用するプロセスから脱却し、塗布・印刷技術を用いた、フレキシブルで安価なプロセスを利用することが検討されている。その一例として、導電体と感光性有機成分を含有する導電ペーストを用いて、ＦＥＴやキャパシタの構成要素である下部電極や上部電極を塗布・印刷技術を用いて形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

国際公開第２０１７／０３００７０号

しかしながら、特許文献１に記載のような導電ペーストを用いて電極層を形成する場合、下部電極と上部電極との電気的接続が得られにくいとの課題が存在した。

そこで本発明は、有機成分と金属成分を含む上部配線を備えた配線基板であって、上部配線と下部配線の電気的接続に優れ、上部配線の配線抵抗が低い配線基板を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
［１］基材と、前記基材に配された下部配線と、前記下部配線上に配され開口部を有する絶縁層と、前記絶縁層上に配された上部配線とを有し、前記開口部において前記下部配線と前記上部配線とが接続する配線基板であって、前記上部配線が少なくとも金属成分と有機成分とを含み、前記開口部内に、平面視において前記上部配線が存在しない領域を有する配線基板。
［２］前記上部配線が開口部を有し、前記上部配線の開口部の少なくとも一部が前記絶縁層の開口部と重なるように配された［１］に記載の配線基板。
［３］前記上部配線が複数の開口部を有し、前記上部配線の複数の開口部の各々少なくとも一部が前記絶縁層の開口部と重なるように配された［１］または［２］に記載の配線基板。
［４］前記有機成分として、少なくとも、炭素－炭素二重結合を有する化合物と、カルボキシル基を有する化合物と、を含有する、［１］～［３］のいずれかに記載の配線基板。
［５］［１］～［４］のいずれかに記載の配線基板の製造方法であって、少なくとも金属成分および有機成分を含有するペーストを塗布し、乾燥、露光および現像を含む工程を通して前記上部配線を形成することを特徴とする、配線基板の製造方法。
［６］［１］～［４］のいずれかに記載の配線基板と、電界効果型トランジスタと、を少なくとも有する半導体装置。
［７］［６］に記載の半導体装置と、アンテナと、を少なくとも有する無線通信装置。

本発明によれば、電気的接続に優れ、上部配線の配線抵抗が低い配線基板を得ることができる。

本発明の実施の形態１に係る配線基板を示した模式図 本発明の実施の形態２に係る配線基板を示した模式図 本発明の実施の形態３に係る配線基板を示した模式図 本発明の実施の形態３に係る配線基板の製造方法を示した模式図 本発明の実施の形態に係る配線基板を用いた半導体装置の模式図 本発明の実施の形態に係る半導体装置を用いた無線通信装置の一例を示すブロック図 実施例にて作製した配線基板を示す模式図 実施例における配線基板中のパターンを作製するためのフォトマスクの模式図 実施例における配線基板中のパターンを作製するためのフォトマスクの模式図 実施例における配線基板中のパターンを作製するためのフォトマスクの模式図 実施例にて作製した配線基板を示す模式図 実施例における配線基板中のパターンを作製するためのフォトマスクの模式図

以下、本発明に係る配線基板、配線基板の製造方法、半導体装置および無線通信装置の好適な実施の形態を詳細に説明する。ただし、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、目的や用途に応じて種々に変更して実施することができる。

＜配線基板＞
本発明の実施の形態に係る配線基板は、基材と、基材に配された下部配線と、下部配線上に配され開口部を有する絶縁層と、絶縁層上に配された上部配線とを有し、開口部において下部配線と上部配線とが接続する配線基板であって、上部配線が少なくとも金属成分と有機成分とを含み、開口部内に、平面視において上部配線が存在しない領域（以下、この領域を「開放領域」と称する場合がある。）を有することを特徴とする配線基板である。ここで平面視とは、配線基板において上部配線や下部配線が形成されている側の面を上方から見ることをいう。

本発明における配線基板は、電界をつくったり、電流を流したり、電気信号を取り出したりするのに用いられるものであり、またトランジスタのソース・ドレイン・ゲート電極、コンデンサの上部・下部電極、整流素子の１対の電極などと組み合わせ多層構成の回路において層間の電気的接続をとるために異なる導電体同士を接合させた領域などに適用できる。

［実施の形態１］
図１は、本発明の実施の形態１に係る配線基板を示した模式斜視図（ａ）、模式平面図（ｂ）および図１（ｂ）のＩ－Ｉ’線における模式断面図（ｃ）である。本実施の形態に係る配線基板は、基材１と、基材１に配された下部配線２と、下部配線２上に配され開口部５を有する絶縁層３と、絶縁層３上に配された上部配線４とを有し、開口部５において下部配線２と上部配線４とが接続する。

本実施の形態１に係る配線基板は、上部配線４が少なくとも金属成分と有機成分とを含むことで上部配線４の折り曲げ耐性を向上し、開口部５内に平面視において上部配線４が存在しない領域６（開放領域６）を有することで電気的接続および歩留まりに優れた配線基板とすることができる。

（上部配線）
上部配線４は、少なくとも金属成分と有機成分とを含む。有機成分を含むことで上部配線４の屈曲性が向上する。

上部配線４は、開口部５を全て覆うのではなく、部分的に覆うように形成されている。すなわち、開口部５内には平面視において上部配線４が存在しない領域６がある。本実施の形態に係る配線基板は、このような構成であることで、電気的接続および歩留まりに優れる。

開放領域６によって電気的接続および歩留まりに優れた配線基板となる詳細な機序は不明であるが、以下のように推定される。

まず、開放領域６が存在しない場合に下部配線２と上部配線４との電気的接続が得られにくい原因として、上部配線４が絶縁層３の開口部５を埋め込んでおらず、物理的に下部配線２と接続不良を発生していることが考えられる。

例えば、上部配線４を導電性ペーストを用いて塗布形成する場合、開放領域６が存在しないように絶縁層３の全面にペーストを塗布すると、塗布時に開口部５に空気が入り込んでしまい、ペーストが開口部５を埋め込まない可能性がある。そこで、塗布時に開放領域６ができるようにペーストを選択的に塗布すれば、塗布時における開口部５内の空気の逃げ場として開放領域６が機能する。そのため、上部配線４が形成される領域においては開口部５の埋め込みが良好になり、電気的接続が得やすくなると考えられる。

一方、ペーストを絶縁層３の全面に塗布した場合であっても、後工程で開放領域６を設けることで、電気的接続が良好になることも考えられる。例えば、上部配線４を感光性導電性ペーストを用いて塗布形成する場合は、ペーストを絶縁層３の全面に塗布してからフォトリソグラフィ法によって開放領域６を形成することが考えられる。この場合、塗布時に埋め込み不良が発生したとしても、現像工程にて領域６を形成した際に、残存するペーストが流動し開口部５内に落ち込んだり空隙を埋めたりすることで下部配線２と接し、良好な電気的接続が得やすくなると考えられる。

また、開放領域６が存在しない場合に下部配線２と上部配線４との電気的接続が得られにくい別の原因として、配線基板の構成材料の熱的・機械的性質の違いから、製造プロセスにおいて配線間の接続不良が生じることが考えられる。具体的には、例えば、熱や張力などの外部負荷を受ける過程で、配線内部に熱応力、残留応力や熱変形を生じ、上部配線４の金属成分が下部配線２からはがれてしまうことや、上部配線４内の金属成分に亀裂が入り下部配線２と上部配線４との電気が流れる経路が遮断されてしまうことが考えられる。そこで、開放領域６を有することで、上部配線４が絶縁層の開口部５内を全て覆うように形成された状態に比べ、熱応力、残留応力や熱変形を緩和し、上記のような問題が発生するのを抑制できると考えられる。

開口部５内に開放領域６を有するかどうかは、図１（ｃ）に示すように配線基板の断面を切り出し、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により断面観察することで確認できる。例えば、断面観察において開口部５内における下部配線２の上部に観察される層の膜厚を比較したときに、上部配線４の膜厚に対して開放領域において１／３００以上の膜厚の層が観察されない時に開放領域を有するとみなすことができる。膜厚は下部配線２と垂直な方向に５点以上測定した平均値である。

開放領域６の平面視における形状は特に限定されない。図１では、開放領域６の平面形状が矩形であるが、半円形や一部が突出した形状などであってもよい。

開放領域６の面積は、絶縁層３の開口部５の面積に対し、１０％以上８０％以下であることが好ましい。この範囲とすることで上下配線の密着性を保ちつつ、電気的接続の歩留まりを良好にすることができる。開放領域６の面積は、絶縁層３の開口部５の面積に対し、２０％以上６０％以下であることがより好ましい。この範囲とすることで上下配線の密着性を保ちつつ、電気的接続の歩留まりをより良好にする効果が得られる。

絶縁層上および絶縁層の開口部における上部配線４の膜厚は、１．５～１０．０μｍが好ましい。膜厚の下限値としては、より好ましくは２．０μｍ以上である。また、膜厚の上限値としては、より好ましくは５．０μｍ以下であり、さらに好ましくは４．０μｍ以下である。この範囲にすることで、上部配線の配線抵抗を低くすることができる。

上部配線４に用いられる金属成分としては、金、銀、銅、ニッケル、錫、ビスマス、鉛、亜鉛、パラジウム、白金、アルミニウム、タングステン、モリブデンなどが挙げられる。より好ましい金属成分は、金、銀、銅、ニッケル、錫、ビスマス、鉛、亜鉛、パラジウム、白金およびアルミニウムからなる群より選ばれる少なくとも一つの元素を含有する金属成分である。これらの金属成分は、単独で用いられてもよいし、合金として用いられてもよい。また、金属成分は金属粒子であってもよく、その場合、混合粒子として用いられてもよい。金属成分は、銀粒子であることがより好ましく、この場合、上部配線４の導電性および安定性により優れる。

上部配線４に用いられる有機成分としては、特に制限はないが、モノマー、オリゴマー、ポリマー、光重合開始剤、カルボキシル基を有する化合物、重合禁止剤、可塑剤、レベリング剤、界面活性剤、シランカップリング剤、消泡剤、顔料などが挙げられる。

オリゴマーもしくはポリマーとしては、特に限定されず、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ノボラック樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド前駆体、ポリイミドなどを用いることができる。これらの中でも、電極を屈曲した時の耐クラック性の観点から、アクリル樹脂が好ましい。これは、アクリル樹脂のガラス転移温度が１００℃以下であり、導電膜の熱硬化時に軟化し、間の結着が高まるためと推定される。

アクリル樹脂とは、繰返し単位に少なくともアクリル系モノマーに由来する構造を含む樹脂である。アクリル系モノマーの具体例としては、メチルアクリレート、メチルメタクリレート、アクリル酸、メタクリル酸、２－ヒドロキシエチルアクリレート、イソボニルアクリレート等が挙げられ、これらのアクリル系モノマーは、単独で用いられてもよいし、２種以上を組み合わせて用いられてもよい。

モノマーとしては、炭素－炭素二重結合を有する化合物を用いることができる。モノマーの具体例としては、前述のアクリル系モノマーに加え、スチレン、α－メチルスチレン、マレイン酸、フマル酸などが挙げられる。

カルボキシル基を有する化合物としては、構成モノマーの一部として不飽和カルボン酸等の不飽和酸を用いたアクリル樹脂、カルボキシル基を有する界面活性剤、カルボキシル基を有するその他の添加剤が挙げられる。

有機成分として、少なくとも、炭素－炭素二重結合を有する化合物と、カルボキシル基を有する化合物とを含有することが好ましい。少なくともこれらの化合物を含有することにより、ラジカル重合、カチオン重合、アニオン重合などの重合反応による硬化反応性と、アルカリ現像液に対する溶解性を付与することができるため、感光性導電性ペーストを作製でき、フォトリソグラフィ法による微細なパターン加工が可能となる。

開放領域６を形成する方法は、特に制限はないが、例えば以下の２つの例が挙げられる。一例目は、スクリーン印刷を用いて導電ペーストのパターン印刷を行う方法である。基板１上に下部配線２および絶縁層３を形成し、絶縁層３の開口部５も形成した後、上部配線４を形成すべき箇所全体に導電ペーストをパターン印刷する。この際、開放領域６が形成されるように直接パターン印刷する。

二例目は、上部配線４を、感光性導電性ペーストを用いて形成する方法である。基板１上に下部配線２および絶縁層３を形成し、絶縁層３の開口部５も形成した後、その上に例えばネガ型感光性導電性ペーストを塗布する。フォトマスクとして、開放領域６に対応する箇所は黒化部としたフォトマスクを用いて露光、現像することで、開放領域６を形成することができる。

上部配線４は、絶縁層３上における領域と、下部配線２と接続する領域とが、連続相であることがより好ましい。連続相とは、上記の各領域における上部配線を構成する材料が入り混じり、各材料の濃度が段階的に変化する形で一体化しているか、または上記の各領域における上部配線を構成する材料が互いに同一であり、両者の接続部に接続面が存在しないことをいう。連続相であることは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）や透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）などで接続部の断面を観察することで確認することができる。連続相とすることにより、接続部における抵抗上昇を抑制することができる。

連続相を形成する方法としては、絶縁層３上における領域と、下部配線２と接続する領域との上部配線に対応するパターンとを導電性ペーストを用いて一括形成する方法や、前述の感光性導電性ペーストを用いて、絶縁層３上における領域と、下部配線２と接続する領域における上部配線とをフォトリソ加工により一括して形成する方法が挙げられる。

上部配線４中の金属成分の含有比率は、２０～４０体積％が好ましい。この範囲にすることで、上部配線形成時の塗布性や微細配線加工性が良好となる。上部配線中の金属成分の含有比率の測定は、配線層の膜面に垂直な断面をＳＥＭにより観察し、画像解析することにより行うことができる。ＳＥＭによる断面観察は、断面を５箇所観察することとする。このとき、上部配線から無作為に５個所選び、それぞれの断面を１つずつ計５箇所の断面を観察してもよいし、上部配線から無作為に１個選び、それについて５箇所の断面を観察してもよい。ＳＥＭ画像における金属成分と有機成分は、Ｘ線による元素分析（ＳＥＭ－ＥＤＸ）により特定することができる。

（基材）
基材１は、少なくとも電極系が配置される面が絶縁性を備える基材であれば、いかなる材質のものでもよい。基材としては、例えば、シリコンウエハ、ガラス、サファイア、アルミナ焼結体等の無機材料からなる基材、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリビニルクロライド、ポリエチレンテレフタレート、ポリフッ化ビニリデン、ポリシロキサン、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリフェニレンスルフィド、ポリパラキシレン等の有機材料からなる基材が採用可能であるが、より安価な製造プロセスの採用のため、単位面積あたりのコストが低く、フレキシブル性に優れる材料が好ましい。

また、基材としては、例えば、シリコンウエハ上にＰＶＰ膜を形成したものや、ポリエチレンテレフタレート上にポリシロキサン膜を形成したものなど、複数の材料が積層されたものであってもよい。

（下部配線）
下部配線２に用いられる材料は、一般的に電極として使用されうる導電材料であれば、いかなるものでもよい。導電材料としては、例えば、酸化錫、酸化インジウム、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）などの導電性金属酸化物；白金、金、銀、銅、鉄、錫、亜鉛、アルミニウム、インジウム、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、カルシウム、マグネシウム、パラジウム、モリブデン、アモルファスシリコン、ポリシリコンなどの金属やこれらの合金；ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質；ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン；ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸との錯体など；ヨウ素などのドーピングにより導電率を向上させた導電性ポリマーなど；炭素材料など；および有機成分と導電体とを含有する材料など、が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

（絶縁層）
絶縁層３に用いられる材料は、下部配線２と上部配線４との間の絶縁が確保できれば特に限定されないが、酸化シリコン、アルミナ等の無機材料；ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリビニルクロライド、ポリエチレンテレフタレート、ポリフッ化ビニリデン、ポリシロキサン、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）等の有機高分子材料；あるいは無機材料粉末と有機材料の混合物を挙げることができる。

中でもケイ素と炭素の結合を含む有機化合物を含むものが好ましく、ポリシロキサンが特に好ましい。

絶縁層は、フォトリソグラフィ法によるパターン加工性を付与するため、感光性有機成分を含有することが好ましい。感光性有機成分としては、ラジカル重合性化合物、光重合開始剤、光酸発生剤、増感剤、連鎖移動剤、重合禁止剤、などが挙げられる。

ラジカル重合性化合物とは、分子中に複数の炭素－炭素二重結合を有する化合物をいう。ＵＶ光の照射により、光重合開始剤から発生するラジカルによって、ラジカル重合性化合物のラジカル重合が進行し、ゲート絶縁層の架橋密度が向上し、硬度を向上させることができる。ラジカル重合性化合物としては、ラジカル重合の進行しやすい、（メタ）アクリル基を有する化合物が好ましい。

光重合開始剤とは、ＵＶ光の照射によって結合開裂及び／又は反応してラジカルを発生する化合物であり、前述したラジカル重合性化合物のラジカル重合を開始することができる。

光酸発生剤とは、ＵＶ光の照射によって酸を発生する化合物であり、光照射部のアルカリ可溶性を上げることができる。光酸発生剤としては、オニウム塩化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物、ジアゾメタン化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、スルホンイミド化合物などが挙げられる。

絶縁層の膜厚は０．０５～５μｍが好ましく、０．１～１μｍがより好ましい。この範囲の膜厚にすることにより、均一な薄膜形成が容易になる。膜厚は、原子間力顕微鏡、エリプソメトリ法、分光反射率法などにより測定できる。

絶縁層は、単層でも複数層でもよい。また、１つの層を複数の絶縁性材料から形成してもよいし、複数の絶縁性材料を積層して複数の絶縁層を形成しても構わない。

絶縁層内には、下部配線と上部配線とを接続するための開口部５が設けられる。開口部の形成方法としては、フォトリソグラフィ法、ドライエッチング法、ウェットエッチング法などの一般的な加工方法を用いることができる。

開口部の大きさは、下部配線と上部配線が接続し上下配線間の電気的接続が取り得る限りにおいては特に限定しないが、アスペクト比（コンタクト径に対するコンタクト深さの比率）が少なくとも１より小さい、つまり開口部の深さより、開口部の直径が大きい方が、上部配線の埋め込みが容易との観点から、好ましい。

［実施の形態２］
図２は、本発明の実施の形態２に係る配線基板を示した模式斜視図（ａ）、模式平面図（ｂ）および図２（ｂ）のＩＩ－ＩＩ’線における模式断面図（ｃ）である。本実施の形態２に係る配線基板は、基材１と、基材１に配された下部配線２と、下部配線２上に配され開口部５を有する絶縁層３と、絶縁層３上に配された上部配線４とを有し、開口部５において下部配線２と上部配線４とが接続する。

本実施の形態２は、絶縁層３の開口部５上において上部配線４が開口部７を有し、それによって絶縁層の開口部５内に開放領域６が形成されるという構成をとる。実施の形態２におけるその他の構成は実施の形態１と同じである。

図２では上部配線４の開口部７の全体が絶縁層３の開口部５上に重なるように配置されているが、本実施の形態２において、絶縁層３の開口部５と上部配線４の開口部７とがずれて重なっていても構わない。すなわち、本実施の形態２では、上部配線４の開口部７の少なくとも一部が絶縁層３の開口部５と重なるように配されていればよい。そのような構成であれば、実施の形態１と同様、上部配線４が少なくとも金属成分と有機成分とを含むことで上部配線４の屈曲性が良好となり、上部配線４の開口部５内に開放領域６を有することで電気的接続および歩留まりに優れた配線基板とすることができる。 なお、図２に示すように上部配線４の開口部７の全体が絶縁層３の開口部５内に収まるように重なっている方が、絶縁層３の開口部５の側面を上部配線４で完全に覆うことができ、上部配線４の剥がれや断線を抑制できるため、好ましい。

［実施の形態３］
図３は、本発明の実施の形態３に係る配線基板を示した模式斜視図（ａ）、模式平面図（ｂ）および図３（ｂ）のＩＩＩ－ＩＩＩ’線における模式断面図（ｃ）である。本実施の形態３に係る配線基板は、基材１と、基材１に配された下部配線２と、下部配線２上に配され開口部５を有する絶縁層３と、絶縁層３上に配された上部配線４とを有し、開口部５において下部配線２と上部配線４とが接続する。る。

本実施の形態３は、絶縁層の開口部５内において上部配線４が３か所の開口部７ａ、７ｂ、７ｃを有し、それらによって３か所の開放領域６ａ、６ｂ、６ｃが形成されるという構成をとる。実施の形態３におけるその他の構成は実施の形態１と同じである。

本実施の形態３において、上部配線４の開口部の数は３か所には限定されず、２か所であっても４か所以上であってもよい。すなわち、上部配線は複数の開口部を有していればよい。

また、図３では上部配線４の開口部７ａ～７ｃの全体が絶縁層３の開口部５上に重なるように配置されているが、本実施の形態３において、絶縁層３の開口部５と上部配線４の開口部７ａ～７ｃとがそれぞれずれて重なっていても構わない。すなわち、本実施の形態３では、上部配線４の開口部７ａ～７ｃの各々少なくとも一部が絶縁層３の開口部５と重なるように配されていればよい。

上部配線４の各開口部の大きさは同じでも異なっていてもよい。また、上部配線４の開口部の数が３か所以上である場合、開口部間の間隔は互いに同じでも異なっていてもよい。熱応力、残留応力や熱変形の影響を緩和しやすくなる観点からは、上部配線４には同じ大きさの開口部が一定の間隔で存在することが好ましい。

（配線基板の製造方法）
以下、図３に示す構造の配線基板を製造する場合を例に挙げて、本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法を具体的に説明する。本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法は、少なくとも金属成分および有機成分を含有するペーストを塗布し、乾燥、露光および現像を含む工程を通して上部配線を形成する工程を有する。この方法は、他の実施の形態に係る配線基板を製造する場合にも当然適用できる。

まず、図４（ａ）に示すように、基材１の上に下部配線２を形成する。下部配線２の形成方法としては、特に制限はなく、抵抗加熱蒸着、電子線ビーム、スパッタリング、メッキ、化学気相成長法（ＣＶＤ）、イオンプレーティングコーティング、インクジェット、印刷などの、公知技術を用いた方法が挙げられる。また、下部配線２の形成方法の別の例として、有機成分および導電体を含むペーストを、スピンコート法、ブレードコート法、スリットダイコート法、スクリーン印刷法、バーコーター法、鋳型法、印刷転写法、浸漬引き上げ法などの、公知の技術で、絶縁基板上に塗布し、オーブン、ホットプレート、赤外線などを用いて乾燥を行い、形成する方法などが挙げられる。

また、下部配線２のパターン形成方法としては、上記方法で作製した配線薄膜を、公知のフォトリソグラフィ法などで所望の形状にパターン形成してもよいし、あるいは、配線物質の蒸着やスパッタリング時に、所望の形状のマスクを介することで、パターンを形成してもよい。

次に、図４（ｂ）に示すように、下部配線の上に開口部５を有する絶縁層３を形成する。開口部５を有する絶縁層３の作製方法は、特に制限はないが、例えば、絶縁層を形成する材料を含む組成物を基板に塗布し、乾燥することで得られたコーティング膜を、フォトリソグラフィ法で開口部５を形成した後、必要に応じ熱処理する方法が挙げられる。塗布方法としては、スピンコート法、ブレードコート法、スリットダイコート法、スクリーン印刷法、バーコーター法、鋳型法、印刷転写法、浸漬引き上げ法、インクジェット法などの公知の塗布方法が挙げられる。コーティング膜の熱処理の温度としては、１００～３００℃の範囲にあることが好ましい。

次に、図４（ｃ）に示すように、絶縁層３および下部配線２の上部に開口部６を有する上部配線４を形成する。開口部６を有する上部配線４の開口部の形成方法としては、少なくとも金属成分および有機成分を含有するペーストを塗布し、乾燥、露光、現像を含む工程を通して上部配線４およびその開口部６を形成することが好ましい。

塗布法としては、スピンコート法、ブレードコート法、スリットダイコート法、スクリーン印刷法、バーコーター法、鋳型法、印刷転写法、浸漬引き上げ法などの、公知の技術が挙げられる。乾燥法としては、オーブン、ホットプレート、赤外線などを用いた乾燥法が挙げられる。

露光法としては、通常のフォトリソグラフィ法で行われるように、フォトマスクを介して露光する方法が一般的である。また、レーザー光等で直接描画する方法を用いても構わない。露光装置としては、例えば、ステッパー露光機又はプロキシミティ露光機が挙げられる。この際使用される活性光源としては、例えば、近紫外線、紫外線、電子線、Ｘ線又はレーザー光等が挙げられるが、紫外線が好ましい。紫外線の光源としては、例えば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ハロゲンランプ又は殺菌灯が挙げられるが、超高圧水銀灯が好ましい。

現像法としては、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウムなどのアルカリ現像液を用いて、基板を静置又は回転させながら現像液をスプレーする方法、基板を現像液中に浸漬する方法などが挙げられる。現像により得られたパターンは、水やアルコール水溶液によるリンス処理を施しても構わない。

さらに、必要に応じて、得られたパターンをキュアすることも好ましい。キュアする方法としては、例えば、オーブン、イナートオーブン、ホットプレート若しくは赤外線等による加熱乾燥又は真空乾燥が挙げられる。この形成方法により、微細な配線パターンを簡便に形成することができる。

これらの方法の中でも、感光性導電性ペーストを塗布し、フォトリソグラフィ法によってパターン形成することが好ましい。その方法としては、絶縁層３および下部配線２の上に感光性導電性ペーストを塗布し塗布膜を形成する工程と、塗布膜を露光する工程と、露光した塗布膜を現像する工程とを含み、さらに塗布膜をキュアすることで対応するパターンの導電性を発現させる工程とを含むことが好ましい。この際、下部配線材料が銅を含み、また上部配線材料が、金属成分として銀を、有機成分として炭素－炭素二重結合とカルボキシル基とを有する化合物を、それぞれ含むことで、下部配線と上部配線の密着性を良好とすることができる。

感光性導電性ペーストは、少なくとも導電性粒子として上述の金属成分と感光性有機成分として炭素－炭素二重結合を有する化合物と、カルボキシル基を有するモノマー、オリゴマーまたはポリマーを含むものであることが好ましい。重合性不飽和基としては、例えば、ビニル基、アリル基、アクリレート基、メタクリレート基等のエチレン性不飽和基又はアクリルアミド基が挙げられる。

感光性導電性ペーストは、必要な材料を混合した後、例えば、三本ローラー、ボールミル若しくは遊星式ボールミル等の分散機又は混練機を用いて製造される。

（光重合開始剤・増感剤）
上記のような感光性有機成分を光反応によって光硬化させるために、導電性ペーストには、光重合開始剤が含まれることが好ましい。光重合開始剤としては、例えば、光ラジカル重合開始剤又は光カチオン重合開始剤が挙げられるが、露光工程で用いる光によって適宜選択すればよい。

また、導電性ペーストには、光重合開始剤と共に増感剤を使用することで感度を向上させ、反応に有効な波長範囲を拡大することができる。

（溶剤）
感光性導電性ペーストは、粘度調整及び塗布膜の表面平滑性向上の観点から、有機溶剤を含むことが好ましい。導電性ペースト粘度（ブルックフィールド型粘度計で３ｒｐｍ測定した値）は、導電性粒子の沈降による塗布不良や液垂れ防止又は被覆性向上の観点から、１～１００Ｐａ・ｓが好ましく、１～５０Ｐａ・ｓがより好ましい。

有機溶剤としては、例えば、メチルエチルケトン、ジオキサン、アセトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、イソブチルアルコール、イソプロピルアルコール、テトラヒドロフラン、γ－ブチロラクトン、ブロモベンゼン、クロロベンゼン、ジブロモベンゼン、ジクロロベンゼン、ブロモ安息香酸、クロロ安息香酸等、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、２－メチル－２，４－ペンタンジオール、３－メチル－１，５－ペンタンジオール、２－エチル－１，３－ヘキサンジオール、テルピネオール、３－メチル－３－メトキシブタノール、テキサノール、ベンジルアルコール、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル又はプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが挙げられる。

（その他の成分）
導電性ペーストには、例えば、有機系若しくは無機系の顔料、ガラス粉末、フィラー、可塑剤、特殊ビニル系重合物若しくは特殊アクリル系重合物等のレベリング剤、界面活性剤、シランカップリング剤、消泡剤又は酸化防止剤等の添加剤が配合されていても構わない
＜半導体装置＞
次に、上記配線基板を有する、本発明の実施の形態に係る半導体装置について説明する。本発明の実施の形態に係る半導体装置は、上述の配線基板と、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）と、を少なくとも有するものである。

図５は本発明の実施の形態に係る半導体装置を示した模式図である。図５においてＦＥＴ２０は、絶縁性の基材１と、基材１の上に形成された下部電極であるゲート電極１２と、ゲート電極１２の上に配された絶縁層であるゲート絶縁層１３と、その上に設けられた上部電極であるソース電極１４ａおよびドレイン電極１４ｂと、ソース電極１４ａおよびドレイン電極１４ｂの間に設けられた半導体層１６と、を有する。

この構造は、ゲート電極が半導体層の下側に配置され、半導体層の上面にソース電極およびドレイン電極が配置される、いわゆるボトムゲート・トップコンタクト構造である。

なお、図５の点線外の部分（右側の部分）は、実施の形態３に係る配線基板と同様の構造である。すなわち、ＦＥＴと共通の基材１の上に、下部配線２を有し、その上に開口部５を有する絶縁層３、１３を有する。絶縁層の一部はＦＥＴ２０のゲート絶縁層１３としての機能を兼ねている。その絶縁層３、１３の上に、開口部７ａ、７ｂ、７ｃを有する上部配線４、１４を有する、上部配線の一部はＦＥＴ２０のドレイン電極１４ｂとしての機能を兼ねている。

ＦＥＴ２０における半導体層１６としては、一般的な半導体材料を用いることができるが、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）、フラーレン、グラフェン、カーボンナノホーン、グラフェンナノリボン、内包ＣＮＴなどのナノカーボンや、有機半導体や金属酸化物半導体など塗布・印刷技術により形成できる材料がより好ましい。

下部配線２とゲート電極１２はそれぞれ別々に加工して形成してもよいし、２つを一括して加工して形成してもよい。加工工程の低減、及びパターンの接続の観点からは、下部配線２およびゲート電極を一括して加工することが好ましい。絶縁層３とゲート絶縁層１３や、上部配線４とソース電極１４ａとドレイン電極１４ｂについても、同様の理由で、それぞれ一括して加工することが好ましい。

＜無線通信装置＞
次に、上記半導体装置を有する、本発明の実施の形態に係る無線通信装置について説明する。本発明の実施の形態に係る無線通信装置は、上述の半導体装置と、アンテナと、を少なくとも有するものである。

この無線通信装置は、アンテナが受信する無線電波を用いて動作する装置である。無線通信装置の例としては、特に制限はないが、（１）アダプタによる有線接続を用いず非接触でエネルギーの給電を行う給電装置、（２）センシングに用いられるような搬送波を一部変調して電気通信を行う装置、（３）リーダ／ライタに搭載されたアンテナから送信される搬送波を受信することで情報のやりとりを行う装置、などが挙げられる。（３）のより具体的な例としては、商品タグ、万引防止タグ、各種チケットやスマートカードなどの、非接触型タグであるＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ＩＤｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）タグが挙げられる。

無線通信装置の具体的な動作を、ＲＦＩＤタグを例に挙げて説明する。例えば、図６に示すようなものが挙げられる。これは、アンテナ５０で受信した外部からの変調波信号の整流を行い各部に電源を供給する電源生成部と、上記変調波信号を復調して制御回路へ送る復調回路と、制御回路から送られたデータを変調してアンテナに送り出す変調回路と、復調回路で復調されたデータの記憶回路への書込み、および記憶回路からデータを読み出して変調回路への送信を行う制御回路と、で構成され、各回路部が電気的に接続されている。

上記復調回路、制御回路、変調回路、記憶回路は上述のＦＥＴを含んでもよく、さらにコンデンサ、抵抗素子、ダイオードを含んでいても良い。上記電源生成部は、コンデンサと、ダイオードとから構成される。

アンテナ、コンデンサ、抵抗素子、ダイオードは、一般的に使用されるものであればよく、用いられる材料、形状は特に限定はされない。また、上記の各構成要素を電気的に接続する材料も、一般的に使用されうる導電材料であればいかなるものでもよい。各構成要素の接続方法も、電気的に導通を取ることができれば、いかなる方法でもよい。各構成要素の接続部の幅や厚みは、任意である。

＜商品タグ＞
次に、本発明の実施の形態に係る無線通信装置を含有する商品タグについて説明する。この商品タグは、例えば基体と、この基体によって被覆された上記無線通信装置とを有している。

基体は、例えば、平板状に形成された、紙などの非金属材料によって形成されている。例えば、基体は、２枚の平板状の紙を貼り合わせた構造をしており、この２枚の紙の間に、上記無線通信装置が配置されている。上記無線記憶装置の記憶回路に、例えば、商品を個体識別する個体識別情報が予め格納されている。

この商品タグと、リーダ／ライタとの間で、無線通信を行う。リーダ／ライタとは、無線により、商品タグに対するデータの読み取りおよび書き込みを行う装置である。リーダ／ライタは、商品の流通過程や決済時に、商品タグとの間でデータのやり取りを行う。リーダ／ライタには、例えば、携帯型のものや、レジに設置される固定型のものがある。本発明の実施の形態に係る商品タグに対しては、リーダ／ライタは公知のものが利用できる。

商品タグは、識別情報返信機能を備えている。これは、商品タグが、所定のリーダ／ライタから、個体識別情報の送信を要求するコマンドを受けたときに、自身が記憶している個体識別情報を無線により返信する機能である。リーダ／ライタからの１度のコマンドで、多数の商品タグから、各タグの個体識別情報が送信される。この機能により、例えば、商品の精算レジにおいて、非接触で多数の商品を同時に識別することが可能となる。それゆえ、バーコードでの識別と比較して、決済処理の容易化や迅速化を図ることができる。

また、例えば、商品の会計の際に、リーダ／ライタが、商品タグから読み取った商品情報をＰＯＳ（Ｐｏｉｎｔ ｏｆ ｓａｌｅ ｓｙｓｔｅｍ、販売時点情報管理）端末に送信することが可能である。この機能により、ＰＯＳ端末において、その商品情報によって特定される商品の販売登録をすることもできるため、在庫管理の容易化や迅速化を図ることができる。

以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明する。なお、本発明は下記実施例に限定して解釈されるものではない。実施例における各評価法を以下の［１］～［６］で説明する。

［１］上部配線と下部配線のコンタクト抵抗
図７に示す配線基板１００を５つ用意し、各素子中のケルビンパターン１１０を用いて、コンタクト抵抗を測定した。図７（ｂ）は図７（ａ）におけるＩＶ－ＩＶ’線における断面である。図中の白色部分が上部配線１０４、黒色部分が下部配線１０２である。図中の破線は、破線内に開口部１０５ａ～１０５ｃが存在することを意味している。測定には、半導体特性評価システム４２００－ＳＣＳ型（ケースレーインスツルメンツ株式会社製）を用い、大気中で測定した。図７のパッド１－パッド４間の電流を０～１０μＡに変化させた時のパッド２－パッド３間の電圧を４端子法で測定し、電流１０μＡでの電圧値からコンタクト抵抗を算出した。合計５つのケルビンパターンを測定し、その平均値を実施例におけるコンタクト抵抗として算出し、以下の基準で評価を行った。
Ａ（良好）：コンタクト抵抗が５０Ω以下である。
Ｂ（可）：コンタクト抵抗が５０Ωより大きく１００Ω以下である。
Ｃ（不可）：コンタクト抵抗が１００Ωより大きい。

［２］上部配線膜厚の測定
図７に示す配線基板１００中のＩＶ－ＩＶ’断面を切り出した。走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により、該断面中の開口部５とその周辺を含む幅２００μｍの範囲を観察した。観察範囲内において、絶縁層上および下部配線上の上部配線から無作為に抽出した５箇所の厚みを計測し、それらの平均値を膜厚として算出した。

［３］上部配線中の金属成分含有比率の測定
図７に示す配線基板１００を５つ用意し、各素子のＩＶ－ＩＶ’断面を切り出した。走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により、各断面中の開口部５とその周辺を含む幅２００μｍの範囲、を観察した。Ｘ線による元素分析（ＳＥＭ－ＥＤＸ）から金属粒子と有機成分を区別し、画像解析を行うことで、絶縁層上および下部配線上における上部配線中の金属成分の含有比率を求めた。５箇所の観察箇所でそれぞれ求められた値の平均値を算出し、含有比率（体積％）とした。

［４］上部配線の配線抵抗
図７に示す配線基板１００を５つ用意し、各素子中の配線抵抗測定用パターン１２０を用いて、配線抵抗を測定した。抵抗測定用パターン１２０の細線部は長さ５００μｍ、線幅１００μｍとした。測定には、半導体特性評価システム４２００－ＳＣＳ型（ケースレーインスツルメンツ株式会社製）を用い、大気中で測定した。パッド５－パッド６間の電流を０～１０μＡに変化させた時のパッド５－パッド６間の電圧を４端子法で測定し、電流１０μＡでの電圧値から配線抵抗を算出した。５つの配線抵抗測定用パターンでそれぞれ求められた値の平均値を実施例における配線抵抗とした。

［５］上部配線と下部配線の連結コンタクト抵抗
図９に示す配線基板２００を５つ用意し、各素子中の連結コンタクト抵抗パターン２１０を用いて、連結コンタクト抵抗を測定した。図９（ｂ）は図９（ａ）におけるＶ－Ｖ’線における断面である。図中の白色部分が上部配線２０４、黒色部分が下部配線２０２である。図中の破線は、破線内に開口部２０５が存在することを意味している。測定には、半導体特性評価システム４２００－ＳＣＳ型（ケースレーインスツルメンツ株式会社製）を用い、大気中で測定した。図９のパッド１－パッド２間の電流を０～１０μＡに変化させた時のパッド１－パッド２間の電圧を２端子法で測定し、電流１０μＡでの電圧値からコンタクト抵抗を算出した。合計５つの連結コンタクト抵抗パターンを測定し、その平均値を実施例における連結コンタクト抵抗として算出し、以下の基準で評価を行った。
Ａ（良好）：連結コンタクト抵抗が５００Ω以下である。
Ｂ（可）：連結コンタクト抵抗が５００Ωより大きく１０００Ω以下である。
Ｃ（不可）：連結コンタクト抵抗が１０００Ωより大きい。

［６］折り曲げ耐性の評価
評価［５］で使用した配線基板２００を用いて、パターンが山折になるようにし、図９に示す基材の辺Ａと辺Ｂとの距離が１０ｍｍになるまで近づけては元に戻す屈曲動作を実施した。動作前後のパターン２１０を光学顕微鏡で観察し、剥がれ、断線の有無を確認し、以下の基準で評価を行った。
Ａ（良好）：折り曲げ動作を３００回繰り返しても剥がれ、断線が見られない。
Ｂ（可）：折り曲げ動作を１００回繰り返しても剥がれ、断線が見られない。
Ｃ（不可）：折り曲げ動作の繰り返しが１００回未満で、剥がれ、断線が見られた。

各実施例および比較例で用いた材料は、以下の通りである。

（ポリシロキサン溶液Ａの作製）
３－トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物（ＳｕｃＳｉ）１３．１２ｇ（０．０５モル）、３－アクリロキシプロピルトリメトキシシラン（ＡｃｒＳｉ）９３．７３ｇ（０．４０モル）およびフェニルトリメトキシシラン（ＰｈｅＳｉ）１０９．０６ｇ（０．５５モル）をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ、沸点１４６℃）２１５．９１ｇに溶解し、これに、水５４．９０ｇ、リン酸０．８６４ｇを撹拌しながら加えた。得られた溶液をバス温１０５℃で２時間加熱し、内温を９０℃まで上げて、主として副生するメタノールからなる成分を留出せしめた。次いでバス温１３０℃で２時間加熱し、内温を１１８℃まで上げて、主として水とメタノールからなる成分を留出せしめた後、室温まで冷却し、固形分濃度２６．０質量％のポリシロキサン溶液Ａを得た。得られたポリシロキサン溶液Ａを１０ｇはかり取り、ＰＧＭＥＡ０．８３ｇを混合して、室温にて２時間撹拌し、ポリシロキサン溶液Ａ（固形分濃度２４質量％）を得た。

（絶縁層材料溶液Ｂの作製）
ポリシロキサン溶液Ａを１０ｇはかり取り、ＤＰＨＡ（商品名「ＫＡＹＡＲＡＤ」、日本化薬（株）製；ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート）を１．０４ｇ、ＯＸＥ－０１（商品名「イルガキュア」、ＢＡＳＦ（株）製）を０．１５ｇとＰＧＭＥＡ４．６０ｇを混合して、室温にて２時間撹拌し、ネガ型感光性を有する絶縁層材料溶液Ｂ（固形分濃度２３質量％）を得た。

（カルボキシル基を有する化合物Ｃの合成）
共重合比率（質量基準）：エチルアクリレート（以下、「ＥＡ」）／メタクリル酸２－エチルヘキシル（以下、「２－ＥＨＭＡ」）／ｎ－ブチルアクリレート（以下、「ＢＡ」）／グリシジルメタクリレート（以下、「ＧＭＡ」）／アクリル酸（以下、「ＡＡ」）＝＝２０／４０／２０／５／１５。

窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇのジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（ＤＭＥＡ）を仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、２０ｇのＥＡ、４０ｇの２－ＥＨＭＡ、２０ｇのＢＡ、１５ｇのＡＡ、０．８ｇの２，２’－アゾビスイソブチロニトリルおよび１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに８０℃で６時間加熱して重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。引き続き、５ｇのグリシジルメタクリレート（以下、「ＧＭＡ」）、１ｇのトリエチルベンジルアンモニウムクロライドおよび１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、０．５時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに２時間加熱して付加反応を行った。得られた反応溶液をメタノールで精製することにより未反応不純物を除去し、さらに２４時間真空乾燥することで、カルボキシル基を有する化合物Ｃを得た。

（カルボキシル基を有する化合物Ｄの合成）
窒素雰囲気の反応容器中に、４９２．１ｇのＤＭＥＡ、８６０．０ｇのＥＯＣＮ－１０３Ｓ（日本化薬（株）製；クレゾールノボラック型エポキシ樹脂；エポキシ当量：２１５．０ｇ／当量）、２８８．３ｇのＡＡ、４．９２ｇの２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－ｐ－クレゾールおよび４．９２ｇのトリフェニルホスフィンを仕込み、９８℃の温度で反応液の酸価が０．５ｍｇ・ＫＯＨ／ｇ以下になるまで加熱して反応させ、エポキシカルボキシレート化合物を得た。引き続き、この反応液に１６９．８ｇのＤＭＥＡおよび２０１．６ｇのテトラヒドロ無水フタル酸を仕込み、９５℃で４時間加熱して反応させ、カルボキシル基を有する化合物Ｄを得た。

（感光性導電性ペーストＥの調製）
調製例１；感光性導電性ペーストＥ
１００ｍｌクリーンボトルに、上記により得られた化合物Ｃを１６ｇ、炭素－炭素二重結合を有する化合物であるライトアクリレートＢＰ－４ＥＡ（共栄社化学（株）製）を８ｇ、光重合開始剤ＯＸＥ－０１（ＢＡＳＦジャパン株式会社製）１．０、ＤＭＥＡを１５ｇ入れ、自転－公転真空ミキサー“あわとり練太郎”（登録商標）（ＡＲＥ－３１０；（株）シンキー製）で混合し、感光性樹脂溶液４０．０ｇを得た。得られた感光性樹脂溶液１３．０ｇと平均粒子径０．５μｍのＡｇ粒子３７．０ｇを混ぜ合わせ、３本ローラー“ＥＸＡＫＴ Ｍ－５０”（商品名、ＥＸＡＫＴ社製）を用いて混練し、５０ｇの感光性導電ペーストＥを得た。

調整例２；感光性導電性ペーストＦ
化合物Ｃの代わりに化合物Ｄを用いたこと以外は、調整例１と同様の方法で、感光性導電性ペーストＦを得た。

実施例１
実施例１では、図７に示す配線基板１００を５個作製した。ＰＥＴフィルム（厚み０．０５ｍｍ）上に、抵抗加熱法により銅を厚さ１００ｎｍで真空蒸着した。次に、ポジ型フォトレジストＬＣ１４０－１０ｃＰ（ローム・アンド・ハース電子材料（株）製）を銅蒸着膜上にスピンコート塗布し、１００℃５分で乾燥した。次に図８（ａ）のフォトマスクを介して、乾燥膜を露光・現像した。なお、露光は露光装置“ＰＥＭ－８Ｍ” （商品名、ユニオン光学（株）製）を用いて、露光量５０ｍＪ／ｃｍ^２（波長３６５ｎｍ換算）で全線露光を行い、現像は２．３８重量％のＴＭＡＨ水溶液で４０秒間浸漬現像し、超純水でリンス処理を施して行った。次に、３．０重量％の過硫酸アンモニウム水溶液を用いてエッチング後、洗浄・乾燥して、下部配線パターンを得た。フォトレジスト剥離は、ＡＺリムーバ１００（商品名、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製）に２分間浸漬し、超純水でリンス処理を施し後、水滴をエアナイフで除去した。

次に、絶縁層材料溶液Ｂを上記基板上にスピンコート塗布し、１００℃で２分乾燥した。次に図８（ｂ）のフォトマスクを介して、乾燥膜を露光・現像して、開口部を形成した後に、窒素気流下、１５０℃で３０分の熱処理を行い、絶縁層を形成した。なお、露光は露光装置“ＰＥＭ－８Ｍ”（商品名、ユニオン光学（株）製）を用いて、露光量２００ｍＪ／ｃｍ^２（波長３６５ｎｍ換算）で全線露光を行い、現像は２．３８重量％のＴＭＡＨ水溶液で４０秒間浸漬現像し、超純水でリンス処理を施して行った。作製した開口部の大きさは、平面視で１００μｍ×１００μｍとなるようにした。

次に感光性導電性ペーストＥを上記基板上にスクリーン印刷で塗布し、乾燥オーブンで１００℃、１０分間乾燥した。図８（ｃ）のフォトマスクを介して乾燥膜を露光、現像して、パターンを得た。その後、得られたパターンを窒素気流下、１５０℃で３０分の熱処理を行い、上部配線を形成した。作製した配線基板において、絶縁層の開口部内に上部配線が存在しない領域の大きさは、平面視で１００μｍ×５０μｍとなるようにした。なお、露光は露光装置“ＰＥＭ－８Ｍ” （商品名、ユニオン光学（株）製）を用いて、露光量８０ｍＪ／ｃｍ^２（波長３６５ｎｍ換算）で全線露光を行い、現像は０．２重量％のＮａ_２ＣＯ_３溶液で６０秒間浸漬現像し、超純水でリンス処理を施して行った。この実施例１では、開口部１０５ａの部分形状は本発明の実施の形態１に示すようになっている。

こうして、得られたコンタクト抵抗および配線抵抗測定パターンについて、［１］～［４］に記載の方法で評価を行った。［１］～［４］の結果を表１に示す。また、光学顕微鏡観察の結果、全ての配線基板で上下配線間の接続箇所の欠けはなかった。

実施例２
実施例２では、上部配線を形成する際に、感光性導電性ペーストＥのかわりに感光性導電性ペーストＦを用いた以外は実施例１と同様にしてパターンを作製し、評価した。［１］～［４］の結果を表１に示す。また、光学顕微鏡観察の結果、全ての配線基板で上下配線間の接続箇所の欠けはなかった。

実施例３
実施例３では、上部配線形成時に図８（ｃ）のフォトマスクの代わりに図８（ｄ）のフォトマスクを用いた以外は実施例１と同様にして、パターン作製し、同様の評価をした。この実施例３では、開口部１０５ａの部分形状は本発明の実施の形態２に示すようになっている。開放領域の大きさは、平面視で５０μｍ×５０μｍとなるようにした。［１］～［４］の結果を表１に示す。また、光学顕微鏡観察の結果、また、光学顕微鏡観察の結果、全ての配線基板で上下配線間の接続箇所の欠けはなかった。

実施例４
実施例４では、上部配線形成時に図８（ｃ）のフォトマスクの代わりに図８（ｅ）のフォトマスクを用いた以外は実施例１と同様にして、パターン作製し、同様の評価をした。この実施例３では、開口部１０５ａの部分形状は本発明の実施の形態３に示すようになっている。開放領域の大きさは、３か所とも平面視で５０μｍ×２０μｍとなるようにし、上部配線が存在しない３か所の領域間隔は２０μｍピッチとなるようにした。［１］～［４］の結果を表１に示す。また、光学顕微鏡観察の結果、全ての配線基板で上下配線間の接続箇所の欠けはなかった。

実施例５
実施例５では、上部配線形成時に図８（ｃ）のフォトマスクの代わりに図８（ｆ）のフォトマスクを用いた以外は実施例１と同様にして、パターン作製し、同様の評価をした。この実施例３では、開口部１０５ａの部分形状は本発明の実施の形態２に示すようになっている。開放領域の大きさは、平面視で５０μｍ×２０μｍとなるようにした。［１］～［４］の結果を表１に示す。また、光学顕微鏡観察の結果、全ての配線基板で上下配線間の接続箇所の欠けはなかった。

実施例６
実施例６では、上部配線形成時に図８（ｃ）のフォトマスクの代わりに図８（ｇ）のフォトマスクを用いた以外は実施例１と同様にして、パターン作製し、同様の評価をした。この実施例３では、開口部１０５ａの部分形状は本発明の実施の形態３に示すようになっている。開放領域の大きさは、２か所とも平面視で８０μｍ×４０μｍとなるようにし、上部配線が存在しない領域間隔は１０μｍとなるようにした。［１］～［４］の結果を表１に示す。また、光学顕微鏡観察の結果、全ての配線基板で上下配線間の接続箇所の欠けはなかった。

比較例１
比較例１では、上部配線形成時に図８（ｃ）のフォトマスクの代わりに図８（ｆｈ）のフォトマスクを用いた以外は実施例１と同様にして、パターン作製し、同様の評価をした。この比較例１では、絶縁層の開口部内に上部配線が存在しない領域はなかった。また、光学顕微鏡観察の結果、全ての配線基板で上下配線間の接続箇所の欠けはなかった。

実施例７
実施例７では、図９に示す配線基板２００を５個作製した。下部配線、絶縁層、上部配線それぞれの形成時に図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）のフォトマスクの代わりに図１０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）のフォトマスクをそれぞれ用いた以外は実施例１と同様にして、パターン作製し、［５］、［６］に記載の方法で評価を行った。その結果を表２に示す。この実施例３では、開口部２０５の部分形状は本発明の実施の形態３に示すようになっている。絶縁層の開口部の大きさは、平面視で１００μｍ×１００μｍとし、開放領域の大きさは実施例４と同様にした。また、光学顕微鏡観察の結果、全ての配線基板で上下配線間の接続箇所の欠けはなかった。

実施例８
実施例８では、上部配線形成時に図１０（ｃ）のフォトマスクの代わりに図１０（ｄ）のフォトマスクを用いた以外は実施例５と同様にして、パターン作製し、同様の評価をした。この実施例８では、開口部２０５の部分形状は本発明の実施の形態２に示すようになっている。開放領域の大きさは実施例３と同様にした。絶縁層の開口部内に上部配線が存在しない領域はなかった。また、光学顕微鏡観察の結果、全ての配線基板で上下配線間の接続箇所の欠けはなかった。

比較例２
比較例２では、上部配線形成時に図１０（ｃ）のフォトマスクの代わりに図１０（ｅ）のフォトマスクを用いた以外は実施例５と同様にして、パターン作製し、同様の評価をした。この比較例２では、絶縁層の開口部内に上部配線が存在しない領域はなかった。連結コンタクト抵抗は抵抗値が高すぎて測定不能だった。また、光学顕微鏡観察の結果、全ての配線基板で上下配線間の接続箇所の欠けはなかった。

１ 基材
２ 下部配線
３ 絶縁層
４ 上部配線
５ 開口部
６、６ａ、６ｂ、６ｃ 開放領域
７、７ａ、７ｂ、７ｃ 開口部
１２ ゲート電極
１３ ゲート絶縁層
１４ａ ソース電極
１４ｂ ドレイン電極
１６ 半導体層
２０ ＦＥＴ
５０ アンテナ
１００ 配線基板
１０１ 基材
１０２ 下部配線
１０３ 絶縁層
１０４ 上部配線
１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ 開口部
１１０ ケルビンパターン
１２０ 配線抵抗測定用パターン
２００ 配線基板
２０１ 基材
２０２ 下部配線
２０３ 絶縁層
２０４ 上部配線
２１０ 連結コンタクト抵抗パターン

Claims (7)

1. 基材と、前記基材に配された下部配線と、前記下部配線上に配され開口部を有する絶縁層と、前記絶縁層上に配された上部配線とを有し、前記開口部において前記下部配線と前記上部配線とが接続する配線基板であって、
   前記上部配線が少なくとも金属成分と有機成分とを含み、
   前記開口部内に、平面視において前記上部配線が存在しない領域を有する配線基板。
2. 前記上部配線が開口部を有し、前記上部配線の開口部の少なくとも一部が前記絶縁層の開口部と重なるように配された請求項１に記載の配線基板。
3. 前記上部配線が複数の開口部を有し、前記上部配線の複数の開口部の各々少なくとも一部が前記絶縁層の開口部と重なるように配された請求項１に記載の配線基板。
4. 前記有機成分として、少なくとも、炭素－炭素二重結合を有する化合物と、カルボキシル基を有する化合物と、を含有する、請求項１に記載の配線基板。
5. 請求項１～４のいずれかに記載の配線基板の製造方法であって、
   少なくとも金属成分および有機成分を含有するペーストを塗布し、乾燥、露光および現像を含む工程を通して前記上部配線を形成することを特徴とする、配線基板の製造方法。
6. 請求項１～４のいずれかに記載の配線基板と、電界効果型トランジスタと、を少なくとも有する半導体装置。
7. 請求項６に記載の半導体装置と、アンテナと、を少なくとも有する無線通信装置。

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