JP2024063924A

JP2024063924A - 電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法

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Publication number: JP2024063924A
Application number: JP2022172118A
Authority: JP
Inventors: 侑樹八代; Yuki Yashiro
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2022-10-27
Filing date: 2022-10-27
Publication date: 2024-05-14
Also published as: US20240142839A1; US11982915B1

Abstract

【課題】画素電極とトランジスターとの間のレンズ層を貫通するコンタクトホールの形成が容易な電気光学装置を提供すること。【解決手段】トランジスター１と、トランジスター１に対応して設けられた画素電極１０と、トランジスター１と画素電極１０との間の層に設けられたレンズ層３４と、レンズ層３４と画素電極１０との間の層に設けられ、レンズ層３４とともに平坦化された透光層３６と、トランジスター１とレンズ層３４との間の層に設けられた中継層３０と、透光層３６と画素電極１０との間の層に設けられ、コンタクトホール３３を介して、中継層３０に電気的に接続された中継層２０と、を備える。【選択図】図６

Description

本発明は、電気光学装置、電気光学装置を備えた電子機器、および電気光学装置の製造方法に関する。

素子基板の基板本体上に設けられた画素電極と、画素電極と基板との間に設けられたトランジスターと、画素電極とトランジスターとの間に形成されたレンズと、レンズが設けられる層を貫通して設けられ、画素電極に電気的に接続された導通部と、を備えた電気光学装置が、特許文献１に記載されている。

特開２０２１－１６７８８４号公報

画素電極とトランジスターとの間のレンズが設けられる層の層厚が厚いため、レンズが設けられる層を貫通する導通部を設けるためには、高アスペクト比のコンタクトホールを設ける必要がある。しかし、高アスペクト比のコンタクトホールは、形成が難しい、という課題があった。

本願の一態様に係る電気光学装置は、トランジスターと、前記トランジスターに対応して設けられた画素電極と、前記トランジスターと前記画素電極との間の層に設けられたレンズ層と、前記レンズ層と前記画素電極との間の層に設けられ、前記レンズ層とともに平坦化された第１透光層と、前記トランジスターと前記レンズ層との間の層に設けられた第１導電層と、前記第１透光層と前記画素電極との間の層に設けられ、第１コンタクトホールを介して、前記第１導電層に電気的に接続された第２導電層と、を備える。

本願の一態様に係る電気光学装置は、トランジスターと、前記トランジスターに対応して設けられた画素電極と、前記トランジスターと前記画素電極との間の層に設けられたレンズ層と、前記レンズ層と前記画素電極との間の層に設けられ、平面視で前記レンズ層の隣り合うレンズ曲面間に設けられた第１透光層と、前記トランジスターと前記レンズ層との間の層に設けられた第１導電層と、前記第１透光層と前記画素電極との間の層に設けられ、前記第１導電層と第１コンタクトホールを介して電気的に接続された第２導電層と、を備える。

本願の一態様に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備える。

本願の一態様に係る電気光学装置の製造方法は、第１導電層を形成する工程と、前記第１導電層上にレンズ面を有するレンズ層を形成する工程と、前記レンズ層に第１透光層を積層する工程と、前記第１透光層を前記レンズ層の前記レンズ面の一部が露出するまで研磨処理またはエッチングする工程と、前記第１透光層及び前記レンズ層をエッチングして第１コンタクトホールを形成する工程と、前記第１コンタクトホールと重なる位置に第２導電層を形成する工程と、を備える。

実施形態１に係る電気光学装置の平面図。図１のＩＩ－ＩＩ線に沿う電気光学装置の断面図。素子基板の電気的な構成を示す等価回路図。素子基板の表示領域の断面構造を示す説明図。素子基板の表示領域の一部を示す平面図。図５のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図。光学機能層の製造方法を示すフローチャート。図７のステップＳ６０の詳細を示すフローチャート。図７のステップＳ７０の詳細を示すフローチャート。製造過程における一態様を示す断面図。製造過程における一態様を示す断面図。製造過程における一態様を示す断面図。製造過程における一態様を示す断面図。製造過程における一態様を示す断面図。製造過程における一態様を示す断面図。製造過程における一態様を示す断面図。製造過程における一態様を示す断面図。実施形態２に係る電気光学装置の断面図。素子基板の表示領域の一部を示す平面図。図７のステップＳ７０の詳細を示すフローチャート。製造過程における一態様を示す断面図。製造過程における一態様を示す断面図。製造過程における一態様を示す断面図。実施形態３に係る電子機器の一例を示す模式図。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
なお、以下の各図面においては各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。
また、以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を適宜用いて説明する。また、Ｘ軸に沿う一方向をＸ１方向と表記し、Ｘ１方向とは反対の方向をＸ２方向と表記する。同様に、Ｙ軸に沿う一方向をＹ１方向と表記し、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向と表記する。Ｚ軸に沿う一方向をＺ１方向と表記し、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向と表記する。また、以下では、Ｚ１方向またはＺ２方向に見ることを「平面視」とし、Ｚ軸を含む断面に対して垂直方向から見ることを「断面視」とする。

さらに、以下の説明において、例えば基板に対して、「基板上に」との記載は、基板の上に接して配置される場合、基板の上に他の構造物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接して配置され、一部が他の構造物を介して配置される場合のいずれかを表すものとする。また、ある構成の上面との記載は、当該構成のＺ１方向側の面、例えば「透光層の上面」は透光層のＺ１方向側の面、を示すものとする。また、ある構成の下面との記載は、当該構成のＺ２方向側の面、例えば「コンタクトプラグの下面」はコンタクトプラグのＺ２方向側の面、を示すものとする。

１．実施形態１
本実施形態では、電気光学装置として、画素ごとにスイッチング素子としてＴＦＴ（Thin Film Transistor）を備えたアクティブ駆動型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する電子機器としての投射型表示装置において、光変調装置として用いられる。

１．１．液晶装置の構造の概要
本実施形態に係る電気光学装置としての液晶装置の構造について、図１と図２とを参照して説明する。図１は、実施形態１に係る電気光学装置の平面図を示し、電気光学装置として透過型の液晶装置３００の概略的な平面構成を示す。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線に沿う電気光学装置の断面図であり、液晶装置３００の概略的な断面構成を示す。

図１および図２に示すように、液晶装置３００は、透光性を有する素子基板１００と、透光性を有する対向基板２００と、枠状に設けられたシール部材８と、液晶層Ｌｃとを有する。なお、「透光性」とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％以上であることをいう。

液晶装置３００は、画像を表示する表示領域Ａ１と、平面視において表示領域Ａ１の外側に位置する外側領域Ａ２とを有する。表示領域Ａ１には、行列状に配列される複数の画素Ｐが設けられる。なお、図１に示す液晶装置３００の形状は、四角形であるが、例えば円形であってもよい。

図２に示すように、素子基板１００と対向基板２００とは、液晶層Ｌｃを介して配置される。
本実施形態では、液晶層Ｌｃの光入射側に、対向基板２００が配置され、液晶層Ｌｃの光出射側に、素子基板１００が配置される。対向基板２００に入射した入射光ＩＬは、液晶層Ｌｃで変調されて、変調光ＭＬとして素子基板１００から射出される。

素子基板１００は、基体９０と層間絶縁層８２を含む複数の層間絶縁層と画素電極１０と配向膜１２とを有する。また、図示しないが、画素電極１０と層間絶縁層８２との間には、後述するレンズ層３４が設けられる。

基体９０は、透光性および絶縁性を有する平板である。基体９０は、例えばガラス基板または石英基板である。複数の層間絶縁層の層間には、後述するトランジスター１が配置される。
画素電極１０は、透光性を有する。画素電極１０は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、およびＦＴＯ（Fluorine-doped tin oxide）等の透明導電材料によって、形成される。画素電極１０の厚さ方向は、Ｚ１方向またはＺ２方向と一致する。
配向膜１２は、透光性および絶縁性を有する。配向膜１２は、液晶層Ｌｃの液晶分子を配向させる。配向膜１２の材料としては、例えば酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）またはポリイミドが挙げられる。

対向基板２００は、素子基板１００に対向して配置される基板である。対向基板２００は、基体２１０、絶縁層２２０、共通電極２３０、および配向膜２４０を有する。

基体２１０は、透光性および絶縁性を有する平板である。基体２１０は、例えばガラス基板または石英基板である。
絶縁層２２０は、透光性および絶縁性を有する。絶縁層２２０の材料は、例えば酸化ケイ素等の無機材料である。

共通電極２３０は、複数の画素電極１０に対向して配置される電極であり、対向電極と言い換えられる。共通電極２３０は、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ、およびＦＴＯ等の透明導電材料を含む。共通電極２３０と画素電極１０とは、液晶層Ｌｃに電界を印加する。
配向膜２４０は、透光性および絶縁性を有する。

シール部材８は、素子基板１００と対向基板２００との間に配置される。シール部材８は、例えばエポキシ樹脂等の各種硬化性樹脂を含む接着剤等を用いて形成される。シール部材８は、ガラス等の無機材料で構成されるギャップ材を含んでもよい。

液晶層Ｌｃは、素子基板１００、対向基板２００、およびシール部材８によって囲まれる領域内に配置される。液晶層Ｌｃは、画素電極１０と共通電極２３０とによって生じる電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層である。液晶層Ｌｃは、正または負の誘電異方性を有する液晶分子を含む。液晶分子の配向は、液晶層Ｌｃに印加される電界に応じて変化する。液晶層Ｌｃは、印加される電界に応じて入射光ＩＬを変調する。

図１に示すように、素子基板１００の外側領域Ａ２に、複数の走査線駆動回路６、データ線駆動回路７、および複数の外部端子９が配置される。複数の外部端子９の一部は、図示しない配線を介して走査線駆動回路６またはデータ線駆動回路７に接続される。また、複数の外部端子９は、外部から共通電位が印加される端子を含む。

１．２．素子基板の電気的な構成
図３は、素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。
図３に示すように、素子基板１００の表示領域Ａ１には、スイッチング素子としての複数のトランジスター１、ｎ本の走査線３、ｍ本のデータ線４、およびｍ本の容量線５が設けられる。ｎおよびｍはそれぞれ２以上の整数である。ｎ本の走査線３とｍ本のデータ線４との各交差に対応してトランジスター１が配置される。

ｎ本の走査線３のそれぞれはＸ１方向に延在し、ｎ本の走査線３はＹ１方向に等間隔で並ぶ。ｎ本の走査線３のそれぞれは、対応するトランジスター１のゲート電極に電気的に接続される。ｎ本の走査線３は、図１に示す走査線駆動回路６に電気的に接続される。
走査線駆動回路６は、１～ｎ本の走査線３に、走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎを、線順次で供給する。

ｍ本のデータ線４のそれぞれはＹ１方向に延在し、ｍ本のデータ線４はＸ１方向に等間隔で並ぶ。ｍ本のデータ線４のそれぞれは、対応する複数のトランジスター１のソース領域に電気的に接続される。ｍ本のデータ線４は、図１に示すデータ線駆動回路７に電気的に接続される。
データ線駆動回路７は、１～ｍ本のデータ線４に、画像信号Ｅ１、Ｅ２、…、およびＥｍを、供給する。

ｎ本の走査線３とｍ本のデータ線４とは、互いに電気的に絶縁されており、平面視において格子状に配置される。隣り合う２つの走査線３と隣り合う２つのデータ線４とで囲まれる領域が画素Ｐに対応する。
画素Ｐ毎に画素電極１０が設けられる。画素電極１０は、トランジスター１のドレイン領域に電気的に接続される。

ｍ本の容量線５のそれぞれはＹ１方向に延在し、ｍ本の容量線５はＸ１方向に等間隔で並ぶ。また、ｍ本の容量線５は、ｍ本のデータ線４およびｎ本の走査線３に対して電気的に絶縁されており、これらに対して間隔をもって配置される。各容量線５には、共通電位またはグランド電位等の固定電位が印加される。

容量素子２の一方の電極は、容量線５に電気的に接続される。容量素子２の他方の電極は、画素電極１０に電気的に接続され、画素電極１０に供給される画像信号の電位を保持する。

１．３．素子基板の表示領域の断面構造
図４は、素子基板の表示領域の断面構造を示す説明図であり、表示領域Ａ１に設けられた画素Ｐの断面構造を示す。
図４に示すように、表示領域Ａ１において、素子基板１００は、絶縁性または導電性の機能層または機能膜が基体９０上に積層された、断面構造を有する。

基体９０と層間絶縁層８２との間には、遮光層８０が配置される。
遮光層８０は、遮光性を有する導電材料で形成される。遮光性を有する導電材料としては、例えば、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、およびアルミニウム（Ａｌ）等の金属、金属窒化物ならびに金属シリサイド等の金属材料を用いることができる。遮光層８０は、走査線３の一部を構成する。なお、「遮光性」とは、可視光に対する遮光性を意味し、好ましくは、可視光の透過率が５０％未満であることをいい、より好ましくは、１０％以下であることをいう。

層間絶縁層８２は、透光性および絶縁性を有する。層間絶縁層８２は、例えば、酸化ケイ素等の無機材料によって、形成される。
層間絶縁層８２上には、トランジスター１が配置される。

トランジスター１は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有する半導体層７０と、ゲート電極７４と、ゲート絶縁層７２とを有する。
半導体層７０は、ドレイン領域７０ｄ、ＬＤＤ領域７０ａ、チャネル領域７０ｃ、ＬＤＤ領域７０ｂ、およびソース領域７０ｓを有する。

チャネル領域７０ｃは、ソース領域７０ｓとドレイン領域７０ｄとの間に位置する。ＬＤＤ領域７０ｂは、チャネル領域７０ｃとソース領域７０ｓとの間に位置する。ＬＤＤ領域７０ａは、チャネル領域７０ｃとドレイン領域７０ｄとの間に位置する。
半導体層７０は、例えば、ポリシリコンであり、チャネル領域７０ｃを除く領域には、導電性を高める不純物がドープされる。ＬＤＤ領域７０ｂおよびＬＤＤ領域７０ａ中の不純物濃度は、ソース領域７０ｓおよびドレイン領域７０ｄ中の不純物濃度よりも低い。

半導体層７０上には、ゲート絶縁層７２を介して、ゲート電極７４が設けられる。ゲート電極７４は、半導体層７０のチャネル領域７０ｃに重なる。
ゲート電極７４は、例えば、ポリシリコンに導電性を高める不純物がドープされることにより形成される。なお、ゲート電極７４は、金属、金属シリサイド、および金属化合物の導電性を有する材料を用いて形成されてもよい。

ゲート絶縁層７２は、例えば、熱酸化またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等で成膜される酸化ケイ素で構成される。
ゲート電極７４と遮光層８０との間は、ゲート絶縁層７２と層間絶縁層８２とを貫通するコンタクトホール８１を介して電気的に接続される。

トランジスター１上には、層間絶縁層７６を介して、導電層６０と中継層６２とが設けられる。導電層６０と中継層６２とは、同層に設けられ、遮光性の導電材料で形成される。層間絶縁層７６は、層間絶縁層８２と同様の材料によって、形成される。
導電層６０は、データ線４の一部を構成する。導電層６０は、層間絶縁層７６を貫通するコンタクトホール７３を介して、半導体層７０のソース領域７０ｓに電気的に接続される。
中継層６２は、層間絶縁層７６を貫通するコンタクトホール７１を介して、半導体層７０のドレイン領域７０ｄに電気的に接続される。

導電層６０および中継層６２上には、層間絶縁層６４が設けられ、層間絶縁層６４上には、中継層５２が設けられる。中継層５２は、遮光性の導電材料で形成される。層間絶縁層６４は、層間絶縁層８２と同様の材料によって、形成される。
中継層５２は、層間絶縁層６４を貫通するコンタクトホール６１を介して、中継層６２に電気的に接続される。

中継層５２上には、層間絶縁層５４を介して、容量素子２が設けられる。
容量素子２は、基体９０側に設けられた容量電極５０、画素電極１０側に設けられた容量電極４０、および容量電極５０と容量電極４０との間に設けられた誘電体層５６を有する。容量電極４０と容量電極５０とは、いずれも遮光性の導電材料で形成される。層間絶縁層５４は、層間絶縁層８２と同様の材料によって、形成される。

容量電極５０は、容量線５の一部を構成する。
容量電極４０は、層間絶縁層５４を貫通するコンタクトホール５１を介して、中継層５２に電気的に接続される。これによって、容量電極４０は、トランジスター１のドレイン領域７０ｄに電気的に接続される。

容量電極４０と画素電極１０との間には、レンズ層３４を含む光学機能層ＬＳが設けられる。
光学機能層ＬＳは、光量ロスを抑制するために設けられる。具体的には、画素電極１０を通過した通過光が、データ線４や容量線５等の遮光性の材料層に当たってロスとならないように、通過光の光路を調整する。光学機能層ＬＳは、透光層４２、レンズ層３４、透光層３６、透光層２２と保護層２４とを含む。

透光層４２は、光路長を調整するためのパス層と称せられる光路長調整層である。透光層４２は、酸化ケイ素等の無機材料によって形成される。また、透光層４２の上面は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等によって平坦化されている。

レンズ層３４は、画素電極１０側に突出するレンズ面３４ｓを有する。
レンズ面３４ｓは、ＣＭＰ等によって平坦化された平坦部３４ｓｆと、平坦部３４ｓｆを囲むレンズ曲面部としての曲面部３４ｓｃ１を有する。

レンズ層３４は、各透光層よりも高い屈折率を有する無機材料、例えば、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）によって形成される。
レンズ層３４は、各透光層よりも厚い層厚を有し、本実施形態において、レンズ層３４は、約６０００ｎｍの厚さに形成される。レンズ層３４の厚い層厚は、光路長調整層として機能する。

透光層３６は、曲面部３４ｓｃ１上に設けられる。透光層３６は、レンズ層３４とともに平坦化された上面３６ｔ１を有する。したがって、透光層３６の上面３６ｔ１は、レンズ層３４の平坦部３４ｓｆと同じ平面に含まれる。
透光層３６は、透光層４２と同様に酸化ケイ素等の無機材料によって形成される。

透光層２２は、レンズ層３４の平坦部３４ｓｆ、透光層３６の上面３６ｔ１、および中継層２０上に設けられる。透光層２２は、透光層４２と同様に酸化ケイ素等の無機材料によって形成される。

コンタクトホール２３は、画素電極１０と接続部材としてのコンタクトプラグ３１とを電気的に接続するために設けられている。コンタクトホール３３は、後述するように、隣り合う４つの画素電極１０の間の隙間に設けられるため、画素電極１０とコンタクトプラグ３１とを直接接続することができない。
したがって、画素電極１０とコンタクトプラグ３１とは、中継層２０とコンタクトホール２３内に設けられた画素コンタクトプラグ２１とを介して電気的に接続される。

中継層２０は、透光層３６上に設けられ、平面視で、コンタクトプラグ３１と画素電極１０とに重なるように設けられる。画素コンタクトプラグ２１は、平面視で、中継層２０と画素電極１０とに重なるように設けられる。
このように、中継層２０と画素電極１０との間に透光層２２を設けることで、隣り合う４つの画素電極１０の間の隙間に、コンタクトプラグ３１を設けることができ、レイアウトの制約を満たすことができる。

保護層２４は、透光層２２上に設けられる。保護層２４は、例えば、ＢＳＧ（Borosilicate Glass）等の透光性および吸湿性を有する無機材料で構成される。保護層２４上に、画素電極１０が設けられる。画素電極１０上には、配向膜１２が設けられる。

画素電極１０と容量電極４０とは、画素コンタクトプラグ２１、中継層２０、コンタクトプラグ３１、中継層３０、および接続部材としてのコンタクトプラグ４１を介して、電気的に接続される。これによって、画素電極１０は、トランジスター１のドレイン領域７０ｄに電気的に接続される。

画素コンタクトプラグ２１は、コンタクトホール２３内に設けられる。コンタクトホール２３は、保護層２４と透光層２２とを貫通して設けられる。画素コンタクトプラグ２１は、タングステン等の導電材料によって形成される。

中継層２０は、画素コンタクトプラグ２１の材料としてタングステンを用いる場合、タングステンと良好な導通が取れる材料、例えば、窒化チタン等で形成する。

コンタクトプラグ３１は、コンタクトホール３３内に設けられる。コンタクトホール３３は、レンズ層３４と透光層３６とを貫通して設けられる。コンタクトプラグ３１は、タングステン等の導電材料によって形成される。

中継層３０は、透光層３６と透光層４２との間に設けられる。コンタクトプラグ３１の材料としてタングステンを用いる場合、中継層３０は、タングステンと良好な導通が取れる材料、例えば、窒化チタン等で形成する。

コンタクトプラグ４１は、コンタクトホール４３内に設けられる。コンタクトホール４３は、透光層４２を貫通して設けられる。
コンタクトプラグ４１は、タングステン等の導電材料によって形成される。コンタクトプラグ４１は、中継層３０および容量電極４０に接触して、中継層３０と容量電極４０とを電気的に接続する。

１．４．素子基板の表示領域の平面構造
図５は、素子基板の表示領域の一部を示す平面図であり、素子基板１００の表示領域Ａ１を、液晶層Ｌｃ側からＺ２方向に見た図である。

図５では、画素電極１０を実線で描画し、画素電極１０よりも基体９０側に設けられた光学機能層ＬＳに含まれる構成を破線で描画した。また、レンズ層３４の曲面部３４ｓｃ１のレンズ面３４ｓを二点鎖線で示すとともに、隣り合うレンズ面３４ｓ同士が接する境界３４ｂ１を破線で示した。

また、レンズ層３４の平坦部３４ｓｆと曲面部３４ｓｃ１との境界３４ｂ２を破線で示した。境界３４ｂ２で囲まれた領域の内側が平坦部３４ｓｆであり、境界３４ｂ２の外側が曲面部３４ｓｃ１である。本実施形態において、透光層３６は、曲面部３４ｓｃ１と重なり、平坦部３４ｓｆと重なっていない。

画素電極１０は、Ｘ軸およびＹ軸に沿ってマトリクス状に配置される。
画素コンタクトプラグ２１は、画素電極１０と重なる位置、本実施形態では画素電極１０の四隅のうちの図面左下の角と重なる位置に設けられる。

中継層２０の形状は、矩形である。中継層２０の四隅のそれぞれは、画素電極１０のＸ２方向、Ｙ２方向、および対角方向に隣り合う４つの画素電極１０のそれぞれの角と、重なるように設けられる。
画素コンタクトプラグ２１は、平面視において中継層２０の四隅のうちの一つの角に設けられる。

コンタクトホール３３は、平面視において中継層２０と重なる位置に設けられ、隣り合う４つの画素電極１０の間の隙間と重なるように設けられる。
コンタクトプラグ３１は、本実施形態において、画素コンタクトプラグ２１と、平面視において重ならない位置に設けられる。コンタクトプラグ３１と画素コンタクトプラグ２１とが重ならないにようにするため、コンタクトプラグ３１は、中継層２０において画素コンタクトプラグ２１が設けられた角の対角の角に寄せて設けられる。

このように画素コンタクトプラグ２１をコンタクトプラグ３１と重ならない位置に設けた場合、画素コンタクトプラグ２１をコンタクトプラグ３１と重なる位置に設けた場合よりも、画素コンタクトプラグ２１と重なる画素電極１０の成膜性を向上させることができる。

中継層３０は、中継層２０より小さい矩形である。
コンタクトプラグ４１は、コンタクトプラグ３１と重なる位置に設けられる。より具体的には、コンタクトプラグ４１とコンタクトプラグ３１とは、平面視において略完全に重なる。

容量電極４０は、幅広部４０ｗと、幅広部４０ｗから走査線３と重なるようにＸ１方向に沿って延在する延在部と、幅広部４０ｗからデータ線４と重なるようにＹ１方向に沿って延在する延在部と、を有する。
幅広部４０ｗは、平面視において、中継層２０および中継層３０の全部と重なる大きさおよび形状を有する。

本実施形態において、境界３４ｂ１が交差する箇所とコンタクトプラグ３１とが重なっている。これは、コンタクトプラグ３１が、レンズ層３４を貫通して設けられていることを示す。

上述した画素コンタクトプラグ２１、コンタクトプラグ３１、およびコンタクトプラグ４１の配置関係は、画素コンタクトプラグ２１をコンタクトホール２３で、コンタクトプラグ３１をコンタクトホール３３でおよびコンタクトプラグ４１をコンタクトホール４３で読み替えても同様である。

１．５．素子基板の表示領域の光学機能層の構造
図６は、図５のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図であり、光学機能層ＬＳの断面構造を示す。
図６に示すように、レンズ層３４の平坦部３４ｓｆと透光層３６の上面３６ｔ１とは、同じ平面に含まれる。

コンタクトホール３３は、透光層３６とレンズ層３４とを貫通する。
コンタクトプラグ３１は、逆四角錐台の形状を有する。したがって、コンタクトプラグ３１の上面側の方が、下面側よりも太い。
コンタクトホール３３のアスペクト比は、他のコンタクトホール、例えば、コンタクトホール４３のアスペクト比に比べて約２倍程度大きい。本実施形態において、コンタクトホール３３の深さＬ１は、約５～７μｍであり、コンタクトホール３３の内径Ｄが、約１μｍである。アスペクト比Ｌ１／Ｄは、約５～７である。

コンタクトホール３３は、ドライエッチング等の異方性エッチングによって形成する。コンタクトホール３３のエッチング処理を、コンタクトホール３３が透光層３６とレンズ層３４とを貫通した後、中継層３０の上面をちょうど露出する位置で、止めることは難しい。したがって、図示しないが、コンタクトホール３３の底は、中継層３０内に、形成されてもよい。

コンタクトホール３３は、コンタクトプラグ４１と重なる位置に設けられる。これによって、エッチング処理がより容易となる。なぜならば、コンタクトホール３３が中継層３０を貫通しても、コンタクトホール３３の底は、コンタクトプラグ４１内に形成される。したがって、コンタクトホール３３に充填されるコンタクトプラグ３１とコンタクトプラグ４１との電気的な接続を確実に行うことができる。

１．６．光学機能層の製造方法
次に、光学機能層ＬＳの製造方法について、図７から図１７を参照して説明する。
図７は、素子基板１００の光学機能層ＬＳの製造方法を示すフローチャートである。図８は、図７のフローチャートのステップＳ６０の詳細フローチャートである。図９は、図７のフローチャートのステップＳ７０の詳細フローチャートである。図１０から図１７は、各製造過程における一態様を示す断面図であり、各図における断面位置は、図６と同様である。

ステップＳ１０では、中継層としての容量電極４０を形成する。容量電極４０は、窒化チタンを含む導電材料を誘電体層５６上に成膜した後、パターニングして形成する。
ステップＳ２０では、容量電極４０上に、酸化ケイ素からなる透光層４２を形成する。
ステップＳ３０では、透光層４２にコンタクトホール４３を形成する。
ステップＳ４０では、コンタクトホール４３にタングステンを充填して、コンタクトプラグ４１を形成する。
ステップＳ５０では、コンタクトプラグ４１と、平面視において重なる位置に、窒化チタンを含む導電材料からなる中継層３０を形成する。

ステップＳ６０では、レンズ層３４を形成する。ステップＳ６０の詳細は、図８を参照して説明する。
ステップＳ６１では、レンズ層３４を成膜する。図１０に示すように、透光層４２および中継層３０上に、酸窒化ケイ素を４０００ｎｍから６０００ｎｍの厚さに成膜する。

ステップＳ６２では、レジストパターン９５を形成する。レンズ層３４上にフォトレジスト層を形成した後、フォトレジスト層をパターニングして、図１１に示すようなレジストパターン９５を形成する。

ステップＳ６３では、レジストパターン９５を熱処理する。
図１２に示すように、レジストパターン９５を加熱することによって軟化させ、リフローさせる。図１１に示した熱処理前のレジストパターン９５の断面形状は、角が立った矩形状である。レジストパターン９５を熱処理することで、レジストパターン９５の角がだれて、レジストパターン９５の断面形状は、図１２に示すように、なだらかに湾曲した表面を有する楕円形状となる。

ステップＳ６４では、エッチングを行う。図１３に示すように、ドライエッチングによってレンズ層３４の上面にレジストパターン９５の形状を転写する。エッチングによって、レジストパターン９５の形状が反映された凸形状が、レンズ層３４の上面に形成される。
本実施形態では、隣り合う凸形状の間におけるレンズ層３４の層厚が、５００ｎｍから３０００ｎｍになるようにエッチングを行う。

ステップＳ６５では、追加成膜を行う。レンズ層３４の凸形状と隣り合う凸形状の間とに、酸窒化ケイ素を１５００ｎｍから２０００ｎｍの厚さに成膜する。この工程では、図１４に示すように、隣り合う凸形状の間が埋まるとともに、隣り合う凸形状同士が接するまで、追加成膜を行う。

図７に戻る。
ステップＳ７０では、透光層３６を形成する。ステップＳ７０の詳細は、図９を参照して説明する。
ステップＳ７１では、透光層３６を成膜する。図１５に示すように、レンズ層３４上に、酸化ケイ素を約６０００ｎｍの厚さに成膜する。

ステップＳ７２では、ＣＭＰを行う。ＣＭＰによって、透光層３６は、平坦化される。ＣＭＰを、レンズ面３４ｓの中央部分が露出するまで行うことで、レンズ面３４ｓの中央部分には、図１６に示すように、ＣＭＰによって平坦化された平面からなる平坦部３４ｓｆが形成される。平坦部３４ｓｆは、透光層３６の上面３６ｔ１と同じ平面に属する。
この工程によって、レンズ面３４ｓには、平坦化された平坦部３４ｓｆと、平坦部３４ｓｆの周りに平坦化されていない曲面部３４ｓｃ１とが設けられる。

図７に戻る。
ステップＳ８０では、コンタクトホール３３を形成する。透光層３６およびレンズ層３４を異方性エッチングして、中継層３０を露出するコンタクトホール３３を形成する。
本実施形態では、ＣＭＰによって、透光層３６の層厚を、レンズ面３４ｓの中央部分が露出するまで薄くしているため、コンタクトホール３３のアスペクト比は、ＣＭＰしない場合よりも小さくなる。したがって、コンタクトホール３３の形成を容易に行うことができる。

ステップＳ９０では、コンタクトプラグ３１を形成する。コンタクトホール３３内に、タングステンからなるコンタクトプラグ３１を形成する。本実施形態では、コンタクトホール３３のアスペクト比を小さくしているため、コンタクトプラグ３１の形成も容易に行うことができる。したがって、高品質なコンタクトプラグ３１を形成することでき、画素電極１０とトランジスター１との電気的接続の信頼性を高めることができる。

ステップＳ１００では、中継層２０を形成する。図１７に示すように、コンタクトプラグ３１上に、窒化チタンおよびアルミニウムを含む材料またはタングステンからなる中継層２０を形成する。
ステップＳ１１０では、中継層２０上に、酸化ケイ素からなる透光層２２を形成する。
ステップＳ１２０では、保護層２４を形成する。

ステップＳ１３０では、保護層２４および透光層２２を貫通して、中継層２０を露出するコンタクトホール２３を形成する。
ステップＳ１４０では、コンタクトホール２３に画素コンタクトプラグ２１を形成する。
ステップＳ１５０では、画素電極１０を形成する。

以上、述べたとおり、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置３００は、トランジスター１と、トランジスター１に対応して設けられた画素電極１０と、トランジスター１と画素電極１０との間の層に設けられたレンズ層３４と、レンズ層３４と画素電極１０との間の層に設けられ、レンズ層３４とともに平坦化された透光層３６と、トランジスター１とレンズ層３４との間の層に設けられた中継層３０と、透光層３６と画素電極１０との間の層に設けられ、コンタクトホール３３を介して、中継層３０に電気的に接続された中継層２０と、を備える。

このように、透光層３６は、レンズ層３４とともに平坦化されるため、透光層３６の層厚を薄くすることができる。よって、コンタクトホール３３のアスペクト比を小さくすることができ、コンタクトホール３３を容易に形成することができる。

本実施形態の液晶装置３００は、さらに、レンズ層３４は、画素電極１０側に平坦部３４ｓｆと、平坦部３４ｓｆを囲む曲面部３４ｓｃ１と、を有する。
このように、レンズ層３４が、透光層３６とともに平坦化された平坦部３４ｓｆを有するため、透光層３６の層厚が薄くなり、コンタクトホール３３の形成が容易となる。さらには、画素Ｐに対して、Ｚ２方向に沿って入射する光、換言すると、画素Ｐにまっすぐに入射する光は、平坦部３４ｓｆで屈折されることなく、レンズ層３４をまっすぐに通過する。したがって、明るい画素Ｐを実現することができる。

本実施形態の液晶装置３００は、さらに、レンズ層３４は、画素電極１０側に突出するレンズ面３４ｓを有する。
このように、画素電極１０側に突出するレンズ面３４ｓは、画素Ｐに対して、斜めに入射する光を屈折し、Ｚ２方向の光とすることができるので、ロスとなる光を抑制して、明るい画素Ｐを実現することができる。

本実施形態の液晶装置３００は、さらに、中継層２０と画素電極１０とを電気的に接続するためのコンタクトホール２３を有する透光層２２を備え、コンタクトホール３３とコンタクトホール２３とは平面視において互いに重ならないように設けられている。
このように、コンタクトホール３３とコンタクトホール２３とは平面視において互いに重ならないため、コンタクトホール３３を、隣り合う画素Ｐの隙間に配置することができ、光が透過する開口領域を広く確保することができる。さらには、画素電極１０の成膜性を向上させることができる。

本実施形態の液晶装置３００は、さらに、中継層３０とトランジスター１とを電気的に接続するためのコンタクトホール４３を有する透光層４２を備え、コンタクトホール４３とコンタクトホール３３とは、平面視において互いに重なるように設けられている。

このように、コンタクトホール４３とコンタクトホール３３とは、平面視において互いに重なるように設けられているため、コンタクトホール３３を形成する際に、コンタクトホール３３が、中継層３０を貫通しても、コンタクトホール３３を介した電気的な導通を取ることができる。よって、コンタクトホール３３を容易に形成することができる。さらには、コンタクトホール３３およびコンタクトホール４３によって、遮光される領域を小さくすることができ、光が透過する開口領域を広く確保することができる。

本実施形態の液晶装置３００は、さらに、コンタクトホール３３、コンタクトホール２３、及びコンタクトホール４３内に、それぞれ接続部材としてのコンタクトプラグ３１、画素コンタクトプラグ２１、およびコンタクトプラグ４１を備える。
本実施形態の液晶装置３００は、コンタクトホール３３のアスペクト比を小さくすることができるので、コンタクトホール３３およびコンタクトホール３３内に設けられるコンタクトプラグ３１を容易に形成することができる。よって、コンタクトホール３３およびコンタクトプラグ３１の品質が向上して、画素電極１０とトランジスター１との電気的接続の信頼性を高めることができる。

本実施形態の電気光学装置としての液晶装置３００の製造方法は、中継層３０を形成する工程と、中継層３０上にレンズ面３４ｓを有するレンズ層３４を形成する工程と、レンズ層３４に透光層３６を積層する工程と、透光層３６をレンズ層３４のレンズ面３４ｓの一部が露出するまで研磨処理する工程と、透光層３６及びレンズ層３４をエッチングしてコンタクトホール３３を形成する工程と、コンタクトホール３３と重なる位置に中継層２０を形成する工程と、を備える。

このように、透光層３６は、レンズ層３４のレンズ面３４ｓの一部が露出するまで研磨処理されるため、透光層３６の層厚を薄くすることができる。よって、コンタクトホール３３のアスペクト比を小さくすることができ、コンタクトホール３３を容易に形成することができる。

２．実施形態２
２．１．素子基板の表示領域の構造
実施形態２に係る電気光学装置としての液晶装置３００の構造について、図１８および図１９を参照して説明する。
図１８は、実施形態２に係る電気光学装置の断面図であり、図１９のＸＶＩＩＩ－ＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図１９は、素子基板の表示領域の一部を示す平面図であり、図５と同様に、素子基板１００の表示領域Ａ１を、液晶層Ｌｃ側からＺ２方向に見た図である。

実施形態２は、レンズ面３４ｓが、平坦部３４ｓｆを有しない点で、実施形態１と異なる。なお、実施形態１と同じ構成には、同じ符号を付して、説明を省略する。

図１８に示すように、レンズ面３４ｓは、中央に頂点３４ｓｔを有し、頂点３４ｓｔは、透光層３６の上面３６ｔ２よりも画素電極１０側に位置する。
透光層３６の上面３６ｔ２の外縁３６ｂは、レンズ面３４ｓの曲面と接する。
本実施形態では、レンズ面３４ｓの曲面のうち、透光層３６の上面３６ｔ２の外縁３６ｂよりも画素電極１０側の曲面を、換言すると、透光層３６と重なっていない曲面を、レンズ曲面としての曲面部３４ｓｃ２として説明する。
中継層２０は、断面視で、隣り合う曲面部３４ｓｃ２間に設けられる。

本実施形態において、コンタクトホール３３の深さＬ２は、実施形態１のコンタクトホール３３の深さＬ１よりも浅く、コンタクトホール３３のアスペクト比Ｌ２／Ｄは、実施形態１のコンタクトホール３３のアスペクト比Ｌ１／Ｄより小さい。これは、後述するように、透光層３６を選択的にエッチングすることで、透光層３６の上面３６ｔ２の位置を、レンズ面３４ｓの頂点３４ｓｔよりも中継層３０側に寄せることができるからである。

図１９では、透光層３６の上面３６ｔ２の外縁３６ｂを破線で示した。
円形状の外縁３６ｂの外側が、レンズ面３４ｓ上に透光層３６が設けられた領域であり、内側は、透光層３６と重なっていない曲面部３４ｓｃ２を示す。

透光層３６は、平面視でレンズ層３４の隣り合う曲面部３４ｓｃ２間に、設けられている。透光層３６は、隣り合う曲面部３４ｓｃ２間において、Ｘ軸およびＹ軸に沿って、連続して設けられている。

２．２．光学機能層の製造方法
次に、実施形態２の光学機能層ＬＳの製造方法について、図２０から図２３を参照して説明する。
図２０は、図７のフローチャートのステップＳ７０の詳細フローチャートである。図２１から図２３は、各製造過程における一態様を示す断面図であり、各図における断面位置は、図６と同様である。
本実施形態では、図７のフローチャートにおいて、ステップＳ７０が実施形態１と異なる。ステップＳ１０からステップＳ６０およびステップＳ８０からステップＳ１５０までは、実施形態１と同じであるため、説明を省略または簡略する。

ステップＳ７１では、透光層３６を成膜する。実施形態１と同様に、レンズ層３４上に、酸化ケイ素を約６０００ｎｍの厚さに成膜する。

ステップＳ７２では、ＣＭＰを行う。ＣＭＰによって、透光層３６は、平坦化される。
本実施形態では、レンズ面３４ｓ上の透光層３６が、１０００ｎｍから２０００ｎｍ程度になるまで、ＣＭＰを行う。図２１に示すように、レンズ面３４ｓ上には、透光層３６が残る。

ステップＳ７３では、エッチバックを行う。この工程では、酸化ケイ素と酸窒化ケイ素とのエッチレート差を利用して、酸化ケイ素を選択的にエッチングする。したがって、酸化ケイ素からなる透光層３６のエッチングが、酸窒化ケイ素よりなるレンズ層３４のエッチングよりも早く進む。
本実施形態では、図２２に示したように、透光層３６の上面３６ｔ２が、レンズ面３４ｓの頂点３４ｓｔよりも、中継層３０側に位置するまで、エッチバックを行う。

その後、図２３に示したように、透光層３６の上面３６ｔ２にコンタクトホール３３を形成し、コンタクトホール３３内に、コンタクトプラグ３１を形成し、コンタクトプラグ３１上に中継層２０を形成する。
本実施形態では、コンタクトホール３３のアスペクト比Ｌ２／Ｄを、実施形態１よりも小さくすることができ、実施形態１以上にコンタクトホール３３の形成およびコンタクトプラグ３１の形成を容易に行うことができる。したがって、高品質なコンタクトホール３３およびコンタクトプラグ３１を形成することでき、画素電極１０とトランジスター１との電気的接続の信頼性を高めることができる。

以上、述べたとおり、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置３００によれば、上記実施形態の効果に加え、以下の効果を得ることができる。
本実施形態の液晶装置３００は、トランジスター１と、トランジスター１に対応して設けられた画素電極１０と、トランジスター１と画素電極１０との間の層に設けられたレンズ層３４と、レンズ層３４と画素電極１０との間の層に設けられ、平面視でレンズ層３４の隣り合うレンズ曲面としての曲面部３４ｓｃ２間に設けられた透光層３６と、トランジスター１とレンズ層３４との間の層に設けられた中継層３０と、透光層３６と画素電極１０との間の層に設けられ、中継層３０とコンタクトホール３３を介して電気的に接続された中継層２０と、を備える。
このように、透光層３６は、平面視でレンズ層３４の隣り合う曲面部３４ｓｃ２間に設けられているため、透光層３６の層厚を薄くすることができる。よって、コンタクトホール３３のアスペクト比を小さくすることができ、コンタクトホール３３を容易に形成することができる。

本実施形態の液晶装置３００は、さらに、中継層２０は、平面視でレンズ層３４の隣り合うレンズ曲面としての曲面部３４ｓｃ２間に設けられている。
このように、中継層２０は、平面視でレンズ層３４の隣り合う曲面部３４ｓｃ２間に設けられているため、中継層２０を中継層３０に近づけることができる。よって、コンタクトホール３３のアスペクト比を小さくすることができ、コンタクトホール３３を容易に形成することができる。

本実施形態の液晶装置３００は、さらに、レンズ層３４のレンズ面３４ｓの中央の頂点３４ｓｔは、透光層３６の画素電極１０側の上面３６ｔ２よりも画素電極１０側に位置する。
この構成によれば、透光層３６の上面３６ｔ２は、レンズ層３４のレンズ面３４ｓの頂点３４ｓｔよりも、中継層３０側に位置する。よって、コンタクトホール３３のアスペクト比を小さくすることができ、コンタクトホール３３を容易に形成することができる。

本実施形態の液晶装置３００は、さらに、コンタクトホール３３、コンタクトホール２３、及びコンタクトホール４３内に、それぞれ接続部材としてのコンタクトプラグ３１、画素コンタクトプラグ２１、およびコンタクトプラグ４１を備える。
本実施形態の液晶装置３００は、コンタクトホール３３のアスペクト比を小さくすることができるので、コンタクトホール３３およびコンタクトホール３３内に設けられるコンタクトプラグ３１を容易に形成することができる。よって、画素電極１０とトランジスター１との電気的接続の信頼性を高めることができる。

本実施形態の電気光学装置としての液晶装置３００の製造方法は、中継層３０を形成する工程と、中継層３０上にレンズ面３４ｓを有するレンズ層３４を形成する工程と、レンズ層３４に透光層３６を積層する工程と、透光層３６をレンズ層３４のレンズ面３４ｓの一部が露出するまでエッチングする工程と、透光層３６及びレンズ層３４をエッチングしてコンタクトホール３３を形成する工程と、コンタクトホール３３と重なる位置に中継層２０を形成する工程と、を備える。

このように、透光層３６は、レンズ層３４のレンズ面３４ｓの一部が露出するまでエッチングされるため、透光層３６の層厚を薄くすることができる。よって、コンタクトホール３３のアスペクト比を小さくすることができ、コンタクトホール３３を容易に形成することができる。

３．実施形態３
図２４は、電子機器の一例である投射型表示装置としてのプロジェクターを示す模式図である。
プロジェクター１０００は、例えば、上述した液晶装置３００を３枚備えた３板式のプロジェクターである。液晶装置３００Ｒは赤色の表示色に対応し、液晶装置３００Ｇは緑色の表示色に対応し、液晶装置３００Ｂは青色の表示色に対応する。制御部１００５は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、液晶装置３００Ｒ，３００Ｇ，３００Ｂの動作を制御する。

照明光学系１００１は、光源である照明装置１００２からの出射光のうち赤色成分ＲＬを液晶装置３００Ｒに供給し、緑色成分ＧＬを液晶装置３００Ｇに供給し、青色成分ＢＬを液晶装置３００Ｂに供給する。各液晶装置３００Ｒ，３００Ｇ，３００Ｂは、照明光学系１００１から供給される各色光ＲＬ，ＧＬ，ＢＬを表示画像に応じて変調する光変調装置として機能する。
投射光学系１００３は、各液晶装置３００Ｒ，３００Ｇ，３００Ｂからの出射光を合成してプロジェクタースクリーン１００４に投射する。

以上、述べたとおり、本実施形態の電子機器としてのプロジェクター１０００は、上述した液晶装置３００を備える。
よって、光学性能および電気的な信頼性の高い液晶装置３００を採用することで、プロジェクター１０００の性能を向上させることができる。

なお、電子機器は、例示した３板式のプロジェクター１０００に限定されない。例えば、単板式、２板式、または、４枚以上の液晶装置３００を備えたプロジェクターであってもよい。また、電子機器は、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、車載用の表示器、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、およびＰＯＳ（Point of sale）、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、またはタッチパネルを備えた機器等であってもよい。

以上、好適な実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されない。また、本発明の各部の構成は、上述の実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成に置換でき、また、任意の構成を付加できる。

１…トランジスター、２…容量素子、３…走査線、４…データ線、５…容量線、６…走査線駆動回路、７…データ線駆動回路、８…シール部材、９…外部端子、１０…画素電極、１２…配向膜、２０…中継層、２１…画素コンタクトプラグ、２２…透光層、２３…コンタクトホール、２４…保護層、３０…中継層、３１…コンタクトプラグ、３３…コンタクトホール、３４…レンズ層、３４ｂ１，３４ｂ２…境界、３４ｓ…レンズ面、３４ｓｃ１，３４ｓｃ２…曲面部、３４ｓｆ…平坦部、３４ｓｔ…頂点、３６…透光層、３６ｂ…外縁、３６ｔ１，３６ｔ２…上面、４０…容量電極、４０ｗ…幅広部、４１…コンタクトプラグ、４２…透光層、４３…コンタクトホール、５０…容量電極、５１…コンタクトホール、５２…中継層、５４…層間絶縁層、５６…誘電体層、６０…導電層、６１…コンタクトホール、６２…中継層、６４…層間絶縁層、７０…半導体層、７０ａ，７０ｂ…ＬＤＤ領域、７０ｃ…チャネル領域、７０ｄ…ドレイン領域、７０ｓ…ソース領域、７１…コンタクトホール、７２…ゲート絶縁層、７３…コンタクトホール、７４…ゲート電極、７６…層間絶縁層、８０…遮光層、８１…コンタクトホール、８２…層間絶縁層、９０…基体、９５…レジストパターン、１００…素子基板、２００…対向基板、２１０…基体、２２０…絶縁層、２３０…共通電極、２４０…配向膜、３００，３００Ｂ，３００Ｇ，３００Ｒ…液晶装置、１０００…プロジェクター、１００１…照明光学系、１００２…照明装置、１００３…投射光学系、１００４…プロジェクタースクリーン、１００５…制御部、Ａ１…表示領域、Ａ２…外側領域、Ｅ１…画像信号、Ｇ１…走査信号、Ｌ１…深さ、Ｌ２…深さ、ＬＳ…光学機能層

Claims

トランジスターと、
前記トランジスターに対応して設けられた画素電極と、
前記トランジスターと前記画素電極との間の層に設けられたレンズ層と、
前記レンズ層と前記画素電極との間の層に設けられ、前記レンズ層とともに平坦化された第１透光層と、
前記トランジスターと前記レンズ層との間の層に設けられた第１導電層と、
前記第１透光層と前記画素電極との間の層に設けられ、第１コンタクトホールを介して、前記第１導電層に電気的に接続された第２導電層と、を備える、
電気光学装置。
前記レンズ層は、前記画素電極側に平坦部と、前記平坦部を囲むレンズ曲面部と、を有する、
請求項１に記載の電気光学装置。
前記レンズ層は、前記画素電極側に突出するレンズ面を有する、
請求項１に記載の電気光学装置。
前記第２導電層と前記画素電極とを電気的に接続するための第２コンタクトホールを有する第２透光層を備え、
前記第１コンタクトホールと前記第２コンタクトホールとは平面視において互いに重ならないように設けられている、
請求項１に記載の電気光学装置。
前記第１導電層と前記トランジスターとを電気的に接続するための第３コンタクトホールを有する第３透光層を備え、
前記第３コンタクトホールと前記第１コンタクトホールとは、平面視において互いに重なるように設けられている、
請求項４に記載の電気光学装置。
前記第１コンタクトホール、前記第２コンタクトホール、及び前記第３コンタクトホール内に、それぞれ接続部材を備える、
請求項５に記載の電気光学装置。
トランジスターと、
前記トランジスターに対応して設けられた画素電極と、
前記トランジスターと前記画素電極との間の層に設けられたレンズ層と、
前記レンズ層と前記画素電極との間の層に設けられ、平面視で前記レンズ層の隣り合うレンズ曲面間に設けられた第１透光層と、
前記トランジスターと前記レンズ層との間の層に設けられた第１導電層と、
前記第１透光層と前記画素電極との間の層に設けられ、前記第１導電層と第１コンタクトホールを介して電気的に接続された第２導電層と、を備える、
電気光学装置。
前記第２導電層は、平面視で前記レンズ層の隣り合うレンズ曲面間に設けられている、
請求項７に記載の電気光学装置。
前記レンズ層は、前記画素電極側に突出するレンズ面を有する、
請求項７に記載の電気光学装置。
前記レンズ層のレンズ面の中央は、前記第１透光層の前記画素電極側の面よりも前記画素電極側に位置する、
請求項７に記載の電気光学装置。
前記第２導電層と前記画素電極とを電気的に接続するための第２コンタクトホールを有する第２透光層を備え、
前記第１コンタクトホールと前記第２コンタクトホールとは平面視において互いに重ならないように設けられている、
請求項７に記載の電気光学装置。
前記第１導電層と前記トランジスターとを電気的に接続するための第３コンタクトホールを有する第３透光層を備え、
前記第３コンタクトホールと前記第１コンタクトホールとは、平面視において互いに重なるように設けられている、
請求項１１に記載の電気光学装置。
前記第１コンタクトホール、前記第２コンタクトホール、及び前記第３コンタクトホール内に、それぞれ接続部材を備える、
請求項１２に記載の電気光学装置。
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えた電子機器。
第１導電層を形成する工程と、
前記第１導電層上にレンズ面を有するレンズ層を形成する工程と、
前記レンズ層に第１透光層を積層する工程と、
前記第１透光層を前記レンズ層の前記レンズ面の一部が露出するまで研磨処理またはエッチングする工程と、
前記第１透光層及び前記レンズ層をエッチングして第１コンタクトホールを形成する工程と、
前記第１コンタクトホールと重なる位置に第２導電層を形成する工程と、を備える、
電気光学装置の製造方法。