JP2021167884A - 液晶装置および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】入射した光を透光領域に導く第2レンズ部のパワーを高めることのできる液晶装置、および電子機器を提供すること。【解決手段】液晶装置1は、光の入射側に配置された第1基板20と、第1基板20に対して液晶層50を介して対向する第2基板10とを有している。第2基板10の表示領域10aには、基板本体19と画素電極9aとの間に格子状の遮光部18が設けられている。第2基板10は、基板本体19と遮光部18との間に設けられた第1レンズ部51と、遮光部18と画素電極9aとの間に設けられた第2レンズ部52とを有しており、第2レンズ部52に対して光の入射側に光学補償部70が設けられている。例えば、光学補償部70は、第1基板20の基板本体29と対向電極21との間に設けられる。第2レンズ部52は空隙Sと界面を構成する第2レンズ面520を有する。【選択図】図18
Description
本発明は、液晶装置、および電子機器に関するものである。
投射型表示装置のライトバルブ等として用いられる透過型の液晶装置では、画素電極およびスイッチング素子が形成された素子基板と、対向電極が形成された対向基板との間に液晶層が配置されている。かかる液晶装置において、素子基板では、基板本体と画素電極との間に配線等からなる格子状の遮光部が設けられており、遮光部で囲まれた透光領域を透過した光のみが表示に寄与する。そこで、遮光部に対して光の入射側、および遮光部に対して光の出射側の各々にレンズを設けた構造が提案されている。かかる構造によれば、素子基板に入射した光のうち、遮光部に向かって進行しようとする光を入射側のレンズによって透光領域に導くことができ、透光領域から出射された後の光線の傾きを出射側のレンズによって適正化することができる(特許文献1、2参照)。
しかしながら、特許文献1、2に記載の構成では、遮光部に対して光の入射側に設けられたレンズでは、酸化シリコンや酸窒化シリコン等の透光層の屈折率差を利用しているため、正のパワーが十分でない。このため、入射した光を透光領域に適正に導くことができないという課題がある。
上記課題を解決するために、本発明に係る液晶装置の一態様は、光の入射側に配置された第1基板と、前記第1基板に対して光の出射側に配置された第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に設けられた液晶層と、を備え、前記第2基板は、基板本体と、前記基板本体と前記液晶層との間に設けられた画素電極と、前記基板本体と前記画素電極との間に設けられた遮光部と、前記基板本体と前記遮光部との間に設けられた第1レンズ部と、前記遮光部と前記画素電極との間に空隙および前記空隙と界面を構成するレンズ面を有する第2レンズ部と、を有することを特徴とする。
本発明に係る液晶装置は、各種電子機器に用いることができる。電子機器が投射型表示装置である場合、電子機器には、前記液晶装置に入射する照明光を出射する光源部と、前記液晶装置から出射された変調光を投射する投射光学系と、が設けられる。
図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明において、第2基板10に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは基板本体19が位置する側とは反対側(第1基板20が位置する側)を意味し、下層側とは基板本体19が位置する側を意味する。
[第1実施形態]
1.液晶装置の構成
図1は、本発明を適用した液晶装置1に用いた液晶パネル100の一態様を示す平面図であり、液晶装置1を第1基板20側からみた様子を示してある。図2は、本発明の第1実施形態に係る液晶装置1の断面を模式的に示す説明図である。図3は、図2に示す断面を拡大して模式的に示す説明図である。
1.液晶装置の構成
図1は、本発明を適用した液晶装置1に用いた液晶パネル100の一態様を示す平面図であり、液晶装置1を第1基板20側からみた様子を示してある。図2は、本発明の第1実施形態に係る液晶装置1の断面を模式的に示す説明図である。図3は、図2に示す断面を拡大して模式的に示す説明図である。
図1、図2および図3に示すように、液晶装置1では、第1基板20と第2基板10とが所定の隙間を介してシール材107によって貼り合わされた液晶パネル100を有しており、液晶パネル100において、第1基板20と第2基板10とは対向している。シール材107は第1基板20の外縁に沿うように枠状に設けられており、第1基板20と第2基板10との間でシール材107によって囲まれた領域に液晶層50が配置されている。シール材107は、光硬化性を備えた接着剤、あるいは光硬化性および熱硬化性を備えた接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。第1基板20および第2基板10はいずれも四角形であり、液晶装置1の略中央には、表示領域10aが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材107も略四角形に設けられている。
第1基板20は、基板本体29として、石英基板、サファイア基板、ガラス基板等の透光性基板を有している。基板本体29において第2基板10と対向する一方面29s側には、ITO(Indium Tin Oxide)膜等からなる透光性の対向電極21が形成されており、対向電極21に対して第2基板10側には第1配向膜26が形成されている。対向電極21は、基板本体29の略全面に形成されており、第1配向膜26によって覆われている。従って、基板本体29から第1配向膜26までが第1基板20に相当する。
基板本体29と対向電極21との間には、樹脂、金属または金属化合物からなる遮光層27aが形成され、遮光層27aと対向電極21との間には、酸化シリコン等からなる透光層22が形成されている。遮光層27aは、例えば、表示領域10aの外周縁に沿って延在する額縁状の見切りとして形成されている。このため、第1基板20において、表示領域10aには、遮光層27aは形成されていない。
第2基板10は、基板本体19として、石英基板、サファイア基板、ガラス基板等の透光性基板を有している。基板本体19の第1基板20側の一方面19s側において、表示領域10aの外側には、第2基板10の一辺に沿ってデータ線駆動回路101および複数の端子102が形成され、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路104が形成されている。端子102には、フレキシブル配線基板105が接続されており、第2基板10には、フレキシブル配線基板105を介して各種電位や各種信号が入力される。基板本体19の一方面19sにおいて、表示領域10aには、ITO膜等からなる透光性の複数の画素電極9a、および複数の画素電極9aの各々に電気的に接続するスイッチング素子(図2には図示せず)がマトリクス状に形成されている。画素電極9aに対して第1基板20側には第2配向膜16が形成されており、画素電極9aは、第2配向膜16によって覆われている。従って、基板本体19から第2配向膜16までが第2基板10に相当する。第2基板10には、遮光層27aと平面視で重なる領域に、画素電極9aと同時形成されたダミー画素電極が形成されることがある。
第2基板10には、シール材107より外側において第1基板20の角部分と重なる領域に、第1基板20と第2基板10との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極109が形成されている。基板間導通用電極109には、導電粒子を含んだ基板間導通材109aが配置されており、第1基板20の対向電極21は、基板間導通材109aおよび基板間導通用電極109を介して、第2基板10側に電気的に接続されている。このため、対向電極21は、第2基板10の側から共通電位が印加されている。
本実施形態の液晶装置1において、画素電極9aおよび対向電極21が透光性導電膜により形成されており、液晶装置1は、透過型液晶装置として構成されている。本実施形態の液晶装置1では、矢印Lで示すように、第1基板20の側から液晶層50に入射した光が第2基板10を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。従って、第1基板20は光の入射側に設けられ、第2基板10は、第1基板20に対して光の出射側で対向している。
2.液晶層50等の構成
第1配向膜26および第2配向膜16は、SiOx(x≦2)、TiO2、MgO、Al2O3等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜である。従って、第1配向膜26および第2配向膜16は、カラムと称せられる柱状体が第1基板20および第2基板10に対して斜めに形成された柱状構造体層からなる。それ故、第1配向膜26および第2配向膜16は、液晶層50に用いた負の誘電率異方性を備えた液晶分子50aを第1基板20および第2基板10に対して斜め傾斜配向させ、液晶分子50aにプレチルトを付している。
第1配向膜26および第2配向膜16は、SiOx(x≦2)、TiO2、MgO、Al2O3等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜である。従って、第1配向膜26および第2配向膜16は、カラムと称せられる柱状体が第1基板20および第2基板10に対して斜めに形成された柱状構造体層からなる。それ故、第1配向膜26および第2配向膜16は、液晶層50に用いた負の誘電率異方性を備えた液晶分子50aを第1基板20および第2基板10に対して斜め傾斜配向させ、液晶分子50aにプレチルトを付している。
ここで、画素電極9aと対向電極21との間に電圧を印加しない状態で、第1基板20および第2基板10に対して垂直な方向と、液晶分子50aの長軸方向で規定される配向方向とがなす角度がプレチルト角である。プレチルト角は、例えば5°である。
このようにして、液晶装置1は、VA(Vertical Alignment)モードの液晶装置として構成されている。かかる液晶装置1では、画素電極9aと対向電極21との間に電圧が印加されると、液晶分子50aは、プレチルトの方向において、第1基板20および第2基板10に対する傾き角が小さくなる方向に変位する。かかる変位の方向がいわゆる明視方向である。本実施形態においては、図1に示すように、フレキシブル配線基板が接続されている側を時計の6時の方向としたとき、液晶分子50aの配向方向Pは、平面視において、時計の4時30分の方向から10時30分に向かう方向である。
このようにして、液晶装置1は、VA(Vertical Alignment)モードの液晶装置として構成されている。かかる液晶装置1では、画素電極9aと対向電極21との間に電圧が印加されると、液晶分子50aは、プレチルトの方向において、第1基板20および第2基板10に対する傾き角が小さくなる方向に変位する。かかる変位の方向がいわゆる明視方向である。本実施形態においては、図1に示すように、フレキシブル配線基板が接続されている側を時計の6時の方向としたとき、液晶分子50aの配向方向Pは、平面視において、時計の4時30分の方向から10時30分に向かう方向である。
3.防塵用の透光性基板
図2および図3に示すように、液晶装置1を後述する投射型表示装置のライトバルブ等として使用する場合、第1基板20の基板本体29の第2基板10とは反対側の他方面29tには、防塵用の第1透光性基板61が接着剤等によって接合される。また、第2基板10の基板本体19の第1基板20とは反対側の他方面19tには、防塵用の第2透光性基板62が接着剤等によって接合されている。従って、液晶パネル100に直接、塵等の異物が付着することがないので、異物が画像に映り込むことを抑制することができる。
図2および図3に示すように、液晶装置1を後述する投射型表示装置のライトバルブ等として使用する場合、第1基板20の基板本体29の第2基板10とは反対側の他方面29tには、防塵用の第1透光性基板61が接着剤等によって接合される。また、第2基板10の基板本体19の第1基板20とは反対側の他方面19tには、防塵用の第2透光性基板62が接着剤等によって接合されている。従って、液晶パネル100に直接、塵等の異物が付着することがないので、異物が画像に映り込むことを抑制することができる。
4.格子状の遮光部18
図3に示すように、表示領域10aにおいて、第2基板10には、基板本体19と画素電極9aとの間に格子状の遮光部18が設けられており、平面視において、遮光部18は、隣り合う画素電極9aの間に沿って延在している。本実施形態において、遮光部18は、図4および図5を参照して以下に説明する遮光層8a、走査線3a、容量線5aおよびデータ線6a等からなる。
図3に示すように、表示領域10aにおいて、第2基板10には、基板本体19と画素電極9aとの間に格子状の遮光部18が設けられており、平面視において、遮光部18は、隣り合う画素電極9aの間に沿って延在している。本実施形態において、遮光部18は、図4および図5を参照して以下に説明する遮光層8a、走査線3a、容量線5aおよびデータ線6a等からなる。
5.画素の具体的構成例
図4は、図1に示す液晶パネル100において隣り合う複数の画素の平面図である。図5は、図4に示す液晶パネル100のF−F′断面図である。なお、図4では、各層を以下の線で表してある。また、図4では、互いの端部が平面視で重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。また、図5では、コンタクトホール43aの位置をずらして示してある。
遮光層8a=細くて長い破線
半導体層31a=細くて短い点線
走査線3a=太い実線
ドレイン電極4a=細い実線
データ線6aおよび中継電極6b=細い一点鎖線
容量線5a=太い一点鎖線
中継電極7b=細い二点鎖線
画素電極9a=太い破線
図4は、図1に示す液晶パネル100において隣り合う複数の画素の平面図である。図5は、図4に示す液晶パネル100のF−F′断面図である。なお、図4では、各層を以下の線で表してある。また、図4では、互いの端部が平面視で重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。また、図5では、コンタクトホール43aの位置をずらして示してある。
遮光層8a=細くて長い破線
半導体層31a=細くて短い点線
走査線3a=太い実線
ドレイン電極4a=細い実線
データ線6aおよび中継電極6b=細い一点鎖線
容量線5a=太い一点鎖線
中継電極7b=細い二点鎖線
画素電極9a=太い破線
図4に示すように、第2基板10において第1基板20と対向する面には、複数の画素の各々に画素電極9aが形成されており、隣り合う画素電極9aにより挟まれた画素間領域に沿ってデータ線6aおよび走査線3aが形成されている。画素間領域は縦横に延在しており、走査線3aは画素間領域のうち、X方向に延在する第1画素間領域に沿って直線的に延在し、データ線6aは、Y方向に延在する第2画素間領域に沿って直線的に延在している。データ線6aと走査線3aとの交差に対応してスイッチング素子30が形成されており、スイッチング素子30は、データ線6aと走査線3aとの交差領域およびその付近を利用して形成されている。第2基板10には容量線5aが形成されており、容量線5aには共通電位が印加されている。容量線5aは、走査線3aおよびデータ線6aに重なるように延在して格子状に形成されている。スイッチング素子30の下層側には遮光層8aが形成されており、遮光層8aは、走査線3aおよびデータ線6aと重なるように格子状に延在している。従って、第2基板10には、遮光層8a、走査線3a、容量線5aおよびデータ線6a等の配線や、これらの配線と同層の遮光層によって、格子状の遮光部18が形成され、遮光部18で囲まれた透光領域180を透過した光のみが表示に寄与する。
図3および図5に示すように、表示領域10aにおいて、基板本体19の一方面19s側には、基板本体19と遮光部18との間の層に第1レンズ面510を備えた第1レンズ部51が設けられ、遮光部18と画素電極9aとの間の層に第2レンズ面520を備えた第2レンズ部52が設けられている。第1レンズ部51および第2レンズ部52の構成は後述する。
第1レンズ部51の上層には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる遮光層8aが形成されている。遮光層8aは、基板本体19とスイッチング素子30との間において、走査線3aおよびデータ線6aに沿うように延在しており、画素電極9aと平面視で重なる領域が開口部になっている。遮光層8aは、タングステンシリサイド(WSi)、タングステン、窒化チタン等の遮光層からなり、第2基板10に入射した光が、後述する半導体層31aに入射してスイッチング素子30で光電流に起因する誤動作が発生することを防止する。遮光層8aを走査線として構成する場合もあり、この場合、後述するゲート電極3bと遮光層8aを導通させた構成とする。
遮光層8aの上層側には、酸化シリコンからなる透光性の層間絶縁層41が形成され、層間絶縁層41の上層側に、半導体層31aを備えたスイッチング素子30が形成されている。スイッチング素子30は、データ線6aの延在方向に長辺方向を向けた半導体層31aと、半導体層31aの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層31aの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極3bとを備えている。本実施形態において、ゲート電極3bは走査線3aの一部からなる。スイッチング素子30は、半導体層31aとゲート電極3bとの間に透光性のゲート絶縁層32を有している。半導体層31aは、ゲート電極3bに対してゲート絶縁層32を介して対向するチャネル領域31gを備えているとともに、チャネル領域31gの両側にソース領域31bおよびドレイン領域31cを備えている。スイッチング素子30は、LDD(Lightly Doped Drain)構造を有している。従って、ソース領域31bおよびドレイン領域31cは各々、チャネル領域31gの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域31gとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。
半導体層31aは、ポリシリコン膜等によって構成されている。ゲート絶縁層32は、半導体層31aを熱酸化した酸化シリコンからなる第1ゲート絶縁層32aと、減圧CVD(Chemical Vapor Deposition)法等により形成された酸化シリコンからなる第2ゲート絶縁層32bとの2層構造からなる。ゲート電極3bおよび走査線3aは、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる。
ゲート電極3bの上層側には酸化シリコン等からなる透光性の層間絶縁層42が形成され、層間絶縁層42の上層には、ドレイン電極4aが形成されている。ドレイン電極4aは、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる。ドレイン電極4aは、半導体層31aのドレイン領域31cと一部が重なるように形成されており、層間絶縁層42およびゲート絶縁層32を貫通するコンタクトホール42aを介してドレイン領域31cに導通している。
ドレイン電極4aの上層側には、酸化シリコン等からなる透光性のエッチングストッパー層48、および透光性の誘電体層49が形成されており、誘電体層49の上層側には容量線5aが形成されている。誘電体層49としては、酸化シリコンやシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる。容量線5aは、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる。容量線5aは、誘電体層49を介してドレイン電極4aと重なっており、保持容量5cを構成している。
容量線5aの上層側には、酸化シリコン等からなる透光性の層間絶縁層43が形成されており、かかる層間絶縁層43の上層側には、データ線6aと中継電極6bとが同一の導電膜により形成されている。データ線6aおよび中継電極6bは、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる。データ線6aは、層間絶縁層43、エッチングストッパー層48、層間絶縁層42およびゲート絶縁層32を貫通するコンタクトホール43aを介してソース領域31bに導通している。中継電極6bは、層間絶縁層43およびエッチングストッパー層48を貫通するコンタクトホール43bを介してドレイン電極4aに導通している。
データ線6aおよび中継電極6bの上層側には酸化シリコン等からなる透光性の層間絶縁層44が形成されており、層間絶縁層44の上層側に中継電極7bが形成されている。中継電極7bは、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる。中継電極7bは、層間絶縁層44を貫通するコンタクトホール44aを介して中継電極6bに導通している。
中継電極7bの上層側には第2レンズ部52が形成されており、第2レンズ部52の上層側にはITO膜等からなる画素電極9aが形成されている。第2レンズ部52と中継電極7bとの間には、後述する導通部17が形成されており、画素電極9aは、導通部17を介して中継電極7bに電気的に接続している。その結果、画素電極9aは、中継電極7b、中継電極6bおよびドレイン電極4aを介してスイッチング素子30のドレイン領域31cに電気的に接続している。画素電極9aの表面側には、ポリイミドや無機配向膜からなる透光性の第2配向膜16が形成されている。第2レンズ部52と画素電極9aとの間には、ボロンドープドシリケートガラス等からなる保護層が形成される場合がある。
6.第2基板10のレンズ部の構成
図6は、図3に示す第2レンズ部52等の断面を拡大して示す説明図である。図7は、図6に示す第2レンズ部52等の平面的なレイアウトを示す説明図である。
図6は、図3に示す第2レンズ部52等の断面を拡大して示す説明図である。図7は、図6に示す第2レンズ部52等の平面的なレイアウトを示す説明図である。
図3に示すように、第2基板10の基板本体19と遮光部18との間には、第1レンズ面510を有する複数の第1レンズ部51が設けられており、複数の第1レンズ面510は各々、画素電極9aに平面視で重なっている。第1レンズ部51を構成するにあたって、基板本体19の一方面19sには凹曲面からなる第1レンズ面510が形成されており、基板本体19の一方面19sには第1レンズ面510を覆うレンズ層40が積層されている。レンズ層40の表面は平面になっている。基板本体19とレンズ層40とは屈折率が相違しており、第1レンズ面510によって、第1レンズ部51が構成されている。レンズ層40の屈折率は、基板本体19の屈折率より大である。例えば、基板本体19は、屈折率が1.48の酸化シリコンであるのに対して、レンズ層40は、屈折率が1.58〜1.68の酸窒化シリコンである。それ故、第1レンズ部51は、正のパワーを有している。なお、第1レンズ面510を形成するにあたっては、基板本体19の一方面19sにエッチングマスクを設けた状態で、エッチングマスクの開口部を介して基板本体19に等方性エッチングを行い、第1レンズ面510を構成する凹曲面を形成する。
第2基板10の遮光部18と画素電極9aとの間には、空隙Sおよび空隙Sと界面を構成する第2レンズ面520を有する複数の第2レンズ部52が設けられている。すなわち、複数の第2レンズ部52は各々、空隙Sと、第2レンズ面520とを含んでいる。複数の第2レンズ面520は各々、画素電極9aに平面視で重なっている。第2レンズ部52を構成するにあたって、第2基板10には、透光性の第1部材11と、第1部材11に対して画素電極9aの側で空隙Sを介して対向する透光性の第2部材12とが設けられており、第1部材11の第2部材12と対向する面、および第2部材12の第1部材11と対向する面の一方に凸曲面からなる第2レンズ面520が構成されている。従って、第2レンズ部52は、光を収束させる正のパワーを有している。本実施形態においては、第1部材11の第2部材12と対向する面に第2レンズ面520が形成されている。
第2レンズ部52は、図8から図12を参照して後述する方法によって形成する。従って、第1部材11および第2部材12は各々、空隙Sを介して対向する透光層からなる。第1部材11の第2部材12側の面には、表示領域10aを含む領域に凹部111が設けられ、第1部材11と第2部材12とは、凹部111を外側で囲む外周領域で接している。それ故、凹部111によって空隙Sが構成されている。また、複数の第1レンズ面510は、凹部111の底部112と空隙Sを介して対向している。
図6および図7に示すように、第2部材12には、表示領域10aの外側で空隙Sと平面視で重なる複数の貫通穴125が設けられており、貫通穴125は、画素電極9aの側から空隙Sを貫通して第1部材11と接するように設けられた第3部材13によって塞がれている。従って、空隙Sは気密空間となっており、空隙Sの内部は、空気等の気体が充満した雰囲気、または真空雰囲気になっている。なお、空隙Sは気密空間でなくてもよい。第3部材13は透光層からなる。また、第2レンズ面520で囲まれた位置等を利用して、図5に示す導通部17が設けられている。
7.液晶装置1の製造方法
図8−図12は、本発明を適用した液晶装置1の製造方法を示す工程断面図である。図8−図12には、第2レンズ部52および導通部17を形成する工程を示してあり、それ以外の工程は、周知の方法を採用できるので、説明を省略する。
図8−図12は、本発明を適用した液晶装置1の製造方法を示す工程断面図である。図8−図12には、第2レンズ部52および導通部17を形成する工程を示してあり、それ以外の工程は、周知の方法を採用できるので、説明を省略する。
図8に示す工程ST1では、層間絶縁層45の上層側に酸化シリコン等の透光層からなる第1部材11を形成した後、表示領域10a平面視で重なる凹部111を形成する。なお、層間絶縁層45を、第2レンズ部52を形成するための第1部材11としてもよい。工程ST2では、凹部111等に沿うように第1犠牲層181を形成する。第1犠牲層181は、酸化シリコン等とのエッチング選択比が高ければ材質に制約がない。本実施形態において、第1犠牲層181はシリコンである。次に、工程ST3では、凹部111を埋めるように、酸化シリコンからなる第2犠牲層182を成膜した後、第2犠牲層182の表面をCMP(Chemical Mechanical Polishing)法等により平坦化する。
次に、工程ST4において、第2犠牲層182の表面にエッチングマスクを設けた状態でエッチングマスクの開口部から第2犠牲層182に等方性エッチングを行い、第2犠牲層182の表面に半球状の凹曲面186を形成する。次に、第2犠牲層182の表面に沿うように、シリコンからなる第3犠牲層183を形成する。
次に、図9に示す工程ST5において、酸化シリコン膜を形成した後、表面を平坦化し、第2部材12とする。その結果、第2部材12において第2犠牲層182の凹曲面186に第3犠牲層183を介して重なる部分は、凸曲面からなる第2レンズ面520となる。
次に、工程ST6において、第2部材12、第3犠牲層183、第2犠牲層182、第1犠牲層181、および層間絶縁層45を貫通して中継電極7bに到達するコンタクトホール170を形成する。コンタクトホール170は、図6および図7を参照して説明したように、第2レンズ面520によって囲まれた位置等に形成する。次に、工程ST7において、第1保護層171および第2保護層172を順に形成する。第1保護層171は、酸化シリコン等からなる。第2保護層172は、シリコン等からなる。第1保護層171および第2保護層172は、第2部材12の表面、およびコンタクトホール170の内壁に積層される。
次に、図10に示す工程ST8において、異方性プラズマエッチングによるエッチバックによって、第2部材12の表面、およびコンタクトホール170の底部から第1保護層171および第2保護層172を除去する。その結果、コンタクトホール170の内壁のみに第1保護層171および第2保護層172が残り、コンタクトホール170の底部では、中継電極7bが露出する。次に、工程ST9において、コンタクトホール170の内部を埋めるように、導電膜を形成した後、CMP法等により、第1保護層171の表面から導電膜を除去する。その結果、コンタクトホール170の内部に残った導電膜によって、プラグ173が形成される。
次に、工程ST10において、第2部材12の表面にエッチングマスクを形成した後、エッチングマスクの開口部からエッチングを行い、第2部材12に貫通穴125を形成する。
次に、図11に示す工程ST11において、第2部材12を覆うように、シリコン等からなる第4犠牲層184を形成した後、第4犠牲層184にエッチングマスクを設けた状態でエッチングマスクの開口部から第4犠牲層184にドライエッチングを行い、貫通穴125と重なる貫通穴185を形成する。
次に、工程ST12において、貫通穴125、185からエッチングを行い、酸化シリコンからなる第2犠牲層182を除去し、空隙Sを構成する。次に、工程ST13において、エッチングを行い、シリコンからなる第1犠牲層181、第3犠牲層183、および第4犠牲層184を除去する。その際、第2保護層172は除去されるが、第1保護層171は除去されない。酸化シリコンをエッチングする際は、フッ化水素(HF)等のフッ素系のエッチングガスを用いたガスエッチング、または、フッ化水素(HF)等のフッ素系のエッチング液を用いたウェットエッチングが行われる。シリコンをエッチングする際は、六フッ化硫黄(SF6)等のフッ素系ガスを用いたドライエッチング、フッ硝酸等を用いたウェットエッチング、または三フッ化塩素(ClF3)等のフッ素系ガスを用いたガスエッチングが行われる。
次に、図12に示す工程ST14において、酸化シリコンからなる第3部材13を形成した後、工程ST14において、CMP法等により、第2部材12の表面から第3部材12を除去する。その結果、プラグ173が露出する。また、第3部材13は、貫通穴125を塞ぐとともに、空隙Sを貫通して第1部材11と接する。次に、図6に示すように、画素電極9aおよび第2配向膜16を形成し、第2基板10とする。
8.本実施形態の主な効果
以上説明したように、本実施形態の液晶装置1において、第2基板10には、格子状の遮光部18より光の入射側に正のパワーを有する第2レンズ部52が設けられている。このため、第1基板20の側から第2基板10に入射した光のうち、遮光部18に向かおうとする光を透光領域180に導くことができる。ここで、第2レンズ部52は、空隙Sと界面を構成する第2レンズ面520を有しており、第2レンズ面520が構成する界面での屈折率の差が大きい。従って、第2レンズ部52のパワーが大きいので、第2基板10に入射した光のうち、遮光部18に向かおうとする光を透光領域180に効率よく導くことができる。それ故、液晶装置1からの出射光量を増やすことができるので、明るい画像を表示することができる。
以上説明したように、本実施形態の液晶装置1において、第2基板10には、格子状の遮光部18より光の入射側に正のパワーを有する第2レンズ部52が設けられている。このため、第1基板20の側から第2基板10に入射した光のうち、遮光部18に向かおうとする光を透光領域180に導くことができる。ここで、第2レンズ部52は、空隙Sと界面を構成する第2レンズ面520を有しており、第2レンズ面520が構成する界面での屈折率の差が大きい。従って、第2レンズ部52のパワーが大きいので、第2基板10に入射した光のうち、遮光部18に向かおうとする光を透光領域180に効率よく導くことができる。それ故、液晶装置1からの出射光量を増やすことができるので、明るい画像を表示することができる。
また、第2基板10には、格子状の遮光部18より光の出射側に正のパワーを有する第1レンズ部51が設けられている。このため、液晶装置1から出射される光線の傾きを第1レンズ部51によって適正化することができる。従って、液晶装置1を後述する投射型表示装置のライトバルブとして用いた際、投射光学系によるケラレを抑制することができる。それ故、明るくて品位の高い画像を表示することができる。
[第2実施形態]
図13は、本発明の第2実施形態に係る液晶装置1の説明図である。図13では、液晶装置1の断面を拡大して模式的に示してある。なお、本実施形態および後述する実施形態の基本的な構成は、第1実施形態と同様であるため、共通する部分には、共通の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
図13は、本発明の第2実施形態に係る液晶装置1の説明図である。図13では、液晶装置1の断面を拡大して模式的に示してある。なお、本実施形態および後述する実施形態の基本的な構成は、第1実施形態と同様であるため、共通する部分には、共通の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
図13に示すように、本実施形態の液晶装置1でも、第1実施形態と同様、第2基板10には、遮光部18と画素電極9aとの間に、空隙Sと界面を構成する第2レンズ面520を有する第2レンズ部52が設けられ、基板本体19と遮光部18との間に第1レンズ部51が設けられている。このため、液晶装置1からの出射光量を増やすことができるとともに、液晶装置1から出射される光線の傾きを適正化することができる。
さらに、本実施形態の液晶装置1において、遮光部18と第2レンズ部52との間には第3レンズ面530を備えた複数の第3レンズ部53が設けられており、複数の第3レンズ部53は各々、画素電極9aと平面視で重なっている。従って、第2基板10に入射した光のうち、遮光部18に向かおうとする光を透光領域180に効率よく導くことができるため、液晶装置1からの出射光量を増やすことができる。
第3レンズ部53を構成するにあたって、遮光部18と第2レンズ部52との間に設けられた透光層14の画素電極9a側の面には凹曲面からなる第3レンズ面530が形成され、透光層14の画素電極9a側の面は、第3レンズ面530を覆うレンズ層15が積層されている。ここで、レンズ層15の屈折率は、透光層14の屈折率より大である。例えば、透光層14は、屈折率が1.48の酸化シリコンであるのに対して、レンズ層40は、屈折率が1.58〜1.68の酸窒化シリコンである。それ故、第1レンズ部51は、正のパワーを有している。
[第3実施形態]
図14は、本発明の第3実施形態に係る液晶装置1の説明図である。図14では、液晶装置1の断面を拡大して模式的に示してある。図14に示すように、本実施形態の液晶装置1でも、第1実施形態と同様、第2基板10には、遮光部18と画素電極9aとの間に、空隙Sと界面を構成する第2レンズ面520を有する第2レンズ部52が設けられ、基板本体19と遮光部18との間に第1レンズ部51が設けられている。このため、液晶装置1からの出射光量を増やすことができるとともに、液晶装置1から出射される光線の傾きを適正化することができる。
図14は、本発明の第3実施形態に係る液晶装置1の説明図である。図14では、液晶装置1の断面を拡大して模式的に示してある。図14に示すように、本実施形態の液晶装置1でも、第1実施形態と同様、第2基板10には、遮光部18と画素電極9aとの間に、空隙Sと界面を構成する第2レンズ面520を有する第2レンズ部52が設けられ、基板本体19と遮光部18との間に第1レンズ部51が設けられている。このため、液晶装置1からの出射光量を増やすことができるとともに、液晶装置1から出射される光線の傾きを適正化することができる。
さらに、本実施形態の液晶装置1において、遮光部18と第1レンズ部51との間には、第3レンズ面530を有する複数の第3レンズ部53が設けられており、複数の第3レンズ部53は各々、画素電極9aと平面視で重なっている。従って、液晶装置1から出射される光線の傾きをより適正化することができる。
第3レンズ部53を構成するにあたって、遮光部18と第1レンズ部51との間に設けられた透光層14の画素電極9a側の面には凹曲面からなる第3レンズ面530が形成され、透光層14の画素電極9a側の面は、第3レンズ面530を覆うレンズ層15が積層されている。ここで、レンズ層15の屈折率は、透光層14の屈折率より大である。例えば、透光層14は、屈折率が1.48の酸化シリコンであるのに対して、レンズ層40は、屈折率が1.58〜1.68の酸窒化シリコンである。それ故、第1レンズ部51は、正のパワーを有している。
[第4実施形態]
図15は、本発明の第4実施形態に係る液晶装置1の説明図である。図15では、液晶装置1の断面を拡大して模式的に示してある。図15に示すように、本実施形態の液晶装置1でも、第1実施形態と同様、第2基板10には、遮光部18と画素電極9aとの間に、空隙Sと界面を構成する第2レンズ面520を有する第2レンズ部52が設けられ、基板本体19と遮光部18との間に第1レンズ部51が設けられている。このため、液晶装置1からの出射光量を増やすことができるとともに、液晶装置1から出射される光線の傾きを適正化することができる。
図15は、本発明の第4実施形態に係る液晶装置1の説明図である。図15では、液晶装置1の断面を拡大して模式的に示してある。図15に示すように、本実施形態の液晶装置1でも、第1実施形態と同様、第2基板10には、遮光部18と画素電極9aとの間に、空隙Sと界面を構成する第2レンズ面520を有する第2レンズ部52が設けられ、基板本体19と遮光部18との間に第1レンズ部51が設けられている。このため、液晶装置1からの出射光量を増やすことができるとともに、液晶装置1から出射される光線の傾きを適正化することができる。
本実施形態において、第2レンズ面520は、第1部材11の凹部111の底部112に設けられており、空隙Sと界面を構成している。従って、第1実施形態と同様、第2レンズ部52は大きな正のパワーを有している。かかる第2レンズ部52を構成するにあたっては、図8−図12を参照して説明した製造工程において、凹部111の底部112に半球状のレジストマスクを形成した状態でドライエッチングを行い、レジストマスクの形状を転写することによって、第2レンズ面520を形成する。
[第5実施形態]
図16は、本発明の第6実施形態に係る液晶装置1の説明図である。図16では、液晶装置1の断面を拡大して模式的に示してある。図16に示すように、本実施形態の液晶装置1でも、第1実施形態と同様、第2基板10には、遮光部18と画素電極9aとの間に、空隙Sと界面を構成する第2レンズ面520を有する第2レンズ部52が設けられ、基板本体19と遮光部18との間に第1レンズ部51が設けられている。このため、液晶装置1からの出射光量を増やすことができるとともに、液晶装置1から出射される光線の傾きを適正化することができる。
図16は、本発明の第6実施形態に係る液晶装置1の説明図である。図16では、液晶装置1の断面を拡大して模式的に示してある。図16に示すように、本実施形態の液晶装置1でも、第1実施形態と同様、第2基板10には、遮光部18と画素電極9aとの間に、空隙Sと界面を構成する第2レンズ面520を有する第2レンズ部52が設けられ、基板本体19と遮光部18との間に第1レンズ部51が設けられている。このため、液晶装置1からの出射光量を増やすことができるとともに、液晶装置1から出射される光線の傾きを適正化することができる。
このように構成した液晶装置1において、コントラストや視野角特性等を向上するための光学補償部70が設けられている。光学補償部70は、第2レンズ部52より光の入射側に設けられている。本実施形態において、光学補償部70は、第1基板20より光の入射側に設けられている。より具体的には、光学補償部70は、第1基板20に接合された第1透光性基板61の第1基板20とは反対側の面に重なるように設けられている。
このように、本実施形態の液晶装置1では、光学補償部70が第2レンズ部52より光の入射側に設けられている。このため、表示領域10aにおいて、液晶層50と光学補償部70との間には、回折作用を有する格子状の遮光部18やレンズ部が存在しない。従って、光学補償部70に入射する光線と液晶層50を通る光線との間に、遮光部18やレンズでの回折に起因する角度のずれが発生しにくいので、光学補償の効果が高い。
ここで、光学補償部70は、少なくとも、負の一軸性屈折率異方性を有する光学補償部、正の一軸性屈折率異方性を有する光学補償部、および第1基板20の基板本体29の一方の面に対して一軸性または二軸性の屈折率楕円体が傾斜した光学補償部のいずれかを含む。例えば、光学補償部70は、Aプレート、Cプレート、およびOプレートのいずれかを含む。光学補償部70は、例えば、第1透光性基板61に成膜された無機膜71からなる。光学補償部70は、屈折率楕円体(屈折率の3次元分布)に関して、以下のように定義される。
第2基板10または第1基板20の基板面内の座標軸をxy軸とし、法線方向をz軸とする。x軸方向の主屈折率をNxとし、y軸方向の主屈折率をNyとし、z軸方向の主屈折率をNzとする。
Aプレート(正のAプレート)は、以下の条件式
Nx>Ny=Nz
を満たす。
Aプレート(正のAプレート)は、以下の条件式
Nx>Ny=Nz
を満たす。
Cプレート(負のCプレート)は、以下の条件式
Nx=Ny>Nz
を満たす。かかるCプレートは、光軸が第1基板20および第2基板10に対する法線を向いており、基板面内において光学的に等方性であるが、基板面に対し垂直な面内においては光学異方性を有する。従って、液晶層50に斜め方向から入射する光の位相差を光学補償部70により補償することができるので、コントラストや視野角特性を向上することができる。
Nx=Ny>Nz
を満たす。かかるCプレートは、光軸が第1基板20および第2基板10に対する法線を向いており、基板面内において光学的に等方性であるが、基板面に対し垂直な面内においては光学異方性を有する。従って、液晶層50に斜め方向から入射する光の位相差を光学補償部70により補償することができるので、コントラストや視野角特性を向上することができる。
Cプレートは、例えば、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層した無機膜からなる。高屈折率層は、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、チタン酸化膜、シリコン窒化膜、酸窒化シリコン等からなる。例えば、高屈折率層は、屈折率が2.3のニオブ酸化膜で形成され、低屈折率層は、屈折率が1.5の酸化シリコンで形成される。
Oプレートは、屈折率楕円体自体が基板に対して傾いているものであり、例えば、Nx>Ny>Nzに対してY軸を回転軸として、基板法線からある角度で傾いている。従って、Oプレートは、光軸が第1基板20および第2基板10に対する法線方向からずれて斜め方向を向いており、基板面内、および基板面に対し垂直な面内において光学異方性を有する。Oプレートは、2つ配置される場合があり、その場合、2つのOプレートは、基板法線方向からみたとき、異なる方位に光学軸を向けており、2つのOプレートの光学軸に挟まれた角度範囲内に液晶分子50aの配向方向Pが位置する。Oプレートは、例えば、タンタル酸化膜等の無機膜を斜方蒸着することにより形成される。
光学補償部70の屈折率特性や厚さ等は、全体的な位相差が好適に補償されるように設定される。
なお、本実施形態では、光学補償部70として、サファイアやアルミナ等の基板のように、負の一軸性の屈折率楕円体が傾いた部材を用いてもよい。この場合、光学補償部70を第1透光性基板61に接着した態様、および光学補償部70を第1透光性基板61に接着せずに対向させた態様であってもよい。
[第6実施形態]
図17は、本発明の第6実施形態に係る液晶装置1の説明図である。図17では、液晶装置1の断面を拡大して模式的に示してある。図17に示すように、本実施形態の液晶装置1でも、第1実施形態と同様、第2基板10には、遮光部18と画素電極9aとの間に、空隙Sと界面を構成する第2レンズ面520を有する第2レンズ部52が設けられ、基板本体19と遮光部18との間に第1レンズ部51が設けられている。このため、液晶装置1からの出射光量を増やすことができるとともに、液晶装置1から出射される光線の傾きを適正化することができる。
図17は、本発明の第6実施形態に係る液晶装置1の説明図である。図17では、液晶装置1の断面を拡大して模式的に示してある。図17に示すように、本実施形態の液晶装置1でも、第1実施形態と同様、第2基板10には、遮光部18と画素電極9aとの間に、空隙Sと界面を構成する第2レンズ面520を有する第2レンズ部52が設けられ、基板本体19と遮光部18との間に第1レンズ部51が設けられている。このため、液晶装置1からの出射光量を増やすことができるとともに、液晶装置1から出射される光線の傾きを適正化することができる。
また、第2実施形態と同様、液晶装置1には、第2レンズ部52より光の入射側に光学補償部70が設けられている。本実施形態において、光学補償部70は、第1基板20より光の入射側に設けられている。より具体的には、光学補償部70は、Cプレートであり、第1透光性基板61に対して第1基板20とは反対側に、第1基板20に対して斜めに配置されている。従って、表示領域10aにおいて、液晶層50と光学補償部70との間には、回折作用を有する格子状の遮光部18やレンズが存在しない。それ故、光学補償の効果が高い。
[第7実施形態]
図18は、本発明の第7実施形態に係る液晶装置1の説明図である。図18には、液晶装置1の断面を拡大して模式的に示してある。図18に示すように、本実施形態の液晶装置1でも、第1実施形態と同様、第2基板10には、遮光部18と画素電極9aとの間に、空隙Sと界面を構成する第2レンズ面520を有する第2レンズ部52が設けられ、基板本体19と遮光部18との間に第1レンズ部51が設けられている。このため、液晶装置1からの出射光量を増やすことができるとともに、液晶装置1から出射される光線の傾きを適正化することができる。
図18は、本発明の第7実施形態に係る液晶装置1の説明図である。図18には、液晶装置1の断面を拡大して模式的に示してある。図18に示すように、本実施形態の液晶装置1でも、第1実施形態と同様、第2基板10には、遮光部18と画素電極9aとの間に、空隙Sと界面を構成する第2レンズ面520を有する第2レンズ部52が設けられ、基板本体19と遮光部18との間に第1レンズ部51が設けられている。このため、液晶装置1からの出射光量を増やすことができるとともに、液晶装置1から出射される光線の傾きを適正化することができる。
また、第2実施形態と同様、液晶装置1には、第2レンズ部52より光の入射側に光学補償部70が設けられている。本実施形態において、光学補償部70は、第1基板20より光の入射側に設けられている。より具体的には、光学補償部70は、第1基板20と第1透光性基板61との間に設けられている。光学補償部70は、例えば、第1透光性基板61の第1基板20側の面に形成された無機膜71であり、第1透光性基板61は、無機膜71を介して第1基板20と接着されている。また、光学補償部70は、第1基板20の第1透光性基板61側の面に形成された無機膜71であってもよく、この場合も、第1透光性基板61は、無機膜71を介して第1基板20と接着される。いずれの場合でも、表示領域10aにおいて、液晶層50と光学補償部70との間には、回折作用を有する格子状の遮光部18やレンズが存在しない。それ故、光学補償の効果が高い。
[第8実施形態]
図19は、本発明の第8実施形態に係る液晶装置1の説明図である。図19には、液晶装置1の断面を拡大して模式的に示してある。図19に示すように、本実施形態の液晶装置1でも、第1実施形態と同様、第2基板10には、遮光部18と画素電極9aとの間に、空隙Sと界面を構成する第2レンズ面520を有する第2レンズ部52が設けられ、基板本体19と遮光部18との間に第1レンズ部51が設けられている。このため、液晶装置1からの出射光量を増やすことができるとともに、液晶装置1から出射される光線の傾きを適正化することができる。
図19は、本発明の第8実施形態に係る液晶装置1の説明図である。図19には、液晶装置1の断面を拡大して模式的に示してある。図19に示すように、本実施形態の液晶装置1でも、第1実施形態と同様、第2基板10には、遮光部18と画素電極9aとの間に、空隙Sと界面を構成する第2レンズ面520を有する第2レンズ部52が設けられ、基板本体19と遮光部18との間に第1レンズ部51が設けられている。このため、液晶装置1からの出射光量を増やすことができるとともに、液晶装置1から出射される光線の傾きを適正化することができる。
また、第5実施形態と同様、液晶装置1には、第2レンズ部52より光の入射側に光学補償部70が設けられている。本実施形態において、光学補償部70は、対向電極21と、第1基板20の基板本体29との間に設けられた無機膜71である。より具体的には、光学補償部70は、第1基板20の基板本体29と透光層22との間に設けられている。従って、表示領域10aにおいて、液晶層50と光学補償部70との間には、回折作用を有する格子状の遮光部18やレンズが存在しない。それ故、光学補償の効果が高い。なお、光学補償部70は、透光層22と対向電極21との間に設けてもよい。また、透光層22によって、光学補償部70を構成してもよい。
[第9実施形態]
図20は、本発明の第9実施形態に係る液晶装置1の説明図である。図20には、液晶装置1の断面を拡大して模式的に示してある。図20に示すように、本実施形態の液晶装置1でも、第1実施形態と同様、第2基板10には、遮光部18と画素電極9aとの間に、空隙Sと界面を構成する第2レンズ面520を有する第2レンズ部52が設けられ、基板本体19と遮光部18との間に第1レンズ部51が設けられている。このため、液晶装置1からの出射光量を増やすことができるとともに、液晶装置1から出射される光線の傾きを適正化することができる。
図20は、本発明の第9実施形態に係る液晶装置1の説明図である。図20には、液晶装置1の断面を拡大して模式的に示してある。図20に示すように、本実施形態の液晶装置1でも、第1実施形態と同様、第2基板10には、遮光部18と画素電極9aとの間に、空隙Sと界面を構成する第2レンズ面520を有する第2レンズ部52が設けられ、基板本体19と遮光部18との間に第1レンズ部51が設けられている。このため、液晶装置1からの出射光量を増やすことができるとともに、液晶装置1から出射される光線の傾きを適正化することができる。
また、第5実施形態と同様、液晶装置1には、第2レンズ部52より光の入射側に光学補償部70が設けられている。本実施形態において、光学補償部70は、第2基板10において第2レンズ部52と画素電極9aとの間に設けられた無機膜71である。従って、表示領域10aにおいて、液晶層50と光学補償部70との間には、回折作用を有する格子状の遮光部18やレンズが存在しない。それ故、光学補償の効果が高い。
[第10実施形態]
図21は、本発明の第10実施形態に係る液晶装置1の説明図である。図21には、液晶装置1の断面を拡大して模式的に示してある。図22は、図11に示す傾斜面76の説明図である。図20に示すように、本実施形態の液晶装置1でも、第1実施形態と同様、第2基板10には、遮光部18と画素電極9aとの間に、空隙Sと界面を構成する第2レンズ面520を有する第2レンズ部52が設けられ、基板本体19と遮光部18との間に第1レンズ部51が設けられている。このため、液晶装置1からの出射光量を増やすことができるとともに、液晶装置1から出射される光線の傾きを適正化することができる。
図21は、本発明の第10実施形態に係る液晶装置1の説明図である。図21には、液晶装置1の断面を拡大して模式的に示してある。図22は、図11に示す傾斜面76の説明図である。図20に示すように、本実施形態の液晶装置1でも、第1実施形態と同様、第2基板10には、遮光部18と画素電極9aとの間に、空隙Sと界面を構成する第2レンズ面520を有する第2レンズ部52が設けられ、基板本体19と遮光部18との間に第1レンズ部51が設けられている。このため、液晶装置1からの出射光量を増やすことができるとともに、液晶装置1から出射される光線の傾きを適正化することができる。
また、第5実施形態と同様、液晶装置1には、第2レンズ部52より光の入射側に光学補償部70が設けられている。本実施形態においては、光学補償部70を構成するにあたって、例えば、基板本体29の一方面29sには、複数の画素電極9aの各々に対応するように傾斜面76が形成されており、傾斜面76には、光学補償部70を構成する無機膜71が略一定の厚さで形成されている。従って、光学補償部70は、傾斜面76に沿って設けられている。傾斜面76の傾斜方向は、図1に示す配向方向Pに対応する。また、光学補償部70を覆うように透光層28が形成されており、透光層28の光学補償部70とは反対側の面は平面になっている。
光学補償部70を構成する無機膜71は、酸化シリコン等の低屈折率層と、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、チタン酸化膜、シリコン窒化膜、酸窒化シリコン等の高屈折率層とを交互に積層した多層膜からなる。
かかる構造は、基板本体29からなる下地にグレイスケールマスク等によりエッチングマスクを形成した後、エッチングを行い、傾斜面76を形成する。その際、さらに、エッチング等を利用して、傾斜面76の形状を整えることもある。次に、光学補償部70をCVD法やPVD法によって形成した後、透光層28を形成する。次に、透光層28の表面を平坦化する。なお、本実施形態では、傾斜面76が形成される下地が基板本体29であったが、酸化シリコン等の透光層であってもよい。また、本実施形態では、傾斜面76を備えた光学補償部70を第1基板20に形成したが、第6実施形態に示すように、第2基板10に対して、傾斜面76を備えた光学補償部70を設けてもよい。
[他の実施形態]
第5実施形態から第10実施形態等では、第1実施形態に光学補償部70を設けたが、第2実施形態から第4実施形態のいずれかの実施形態に光学補償部70を設けてもよい。第1実施形態等では、第1レンズ面510を基板本体19に向けて凹んだ凹曲面としたが、第1レンズ面510を画素電極9aの側に突出した凸曲面としてもよく、この場合、第1レンズ部51が正のパワーを有するように、界面を構成する媒質の屈折率を設定する。また、第2実施形態等では、第3レンズ面530を基板本体19に向けて凹んだ凹曲面としたが、第3レンズ面530を画素電極9aに向けて凹んだ凸曲面としてもよく、この場合、第3レンズ部53が正のパワーを有するように、界面を構成する媒質の屈折率を設定する。
第5実施形態から第10実施形態等では、第1実施形態に光学補償部70を設けたが、第2実施形態から第4実施形態のいずれかの実施形態に光学補償部70を設けてもよい。第1実施形態等では、第1レンズ面510を基板本体19に向けて凹んだ凹曲面としたが、第1レンズ面510を画素電極9aの側に突出した凸曲面としてもよく、この場合、第1レンズ部51が正のパワーを有するように、界面を構成する媒質の屈折率を設定する。また、第2実施形態等では、第3レンズ面530を基板本体19に向けて凹んだ凹曲面としたが、第3レンズ面530を画素電極9aに向けて凹んだ凸曲面としてもよく、この場合、第3レンズ部53が正のパワーを有するように、界面を構成する媒質の屈折率を設定する。
第5実施形態等では、第2レンズ部52に対して光の入射側の1箇所に光学補償部70を設けたが、例えば、1つの液晶装置1に、図16に示す光学補償部70と、図20に示す光学補償部70とを設ける等、1つの液晶装置1の複数個所に光学補償部70を設けてもよい。
上記実施形態では、防塵用の第1透光性基板61および第2透光性基板62が設けられている場合を例示したが、第1透光性基板61および第2透光性基板62の一方あるいは双方が設けられていない液晶装置1に本発明を適用してもよい。上記実施形態では、VAモードの液晶装置に本発明を適用したが、TNモード、IPSモード、FFSモード、OCBモードの液晶装置に本発明を適用してもよい。また、上記の実施形態において、レンズ部を構成するにあたっては、下地に凹曲面を形成し、下地より屈折率の大きなレンズ層によって凹曲面を覆ったが、下地に凸曲面を形成し、下地より屈折率の小さなレンズ層によって凸曲面を覆うことによって、レンズ部を構成してもよい。
[電子機器への搭載例]
図23は、本発明を適用した液晶装置1を用いた投射型表示装置の概略構成図である。図23を参照して説明するように、投射型表示装置210では、互いに異なる波長域の光が供給される赤色用ライトバルブ1(R)、緑色用ライトバルブ1(G)、および青色用ライトバルブ1(B)が用いられているが、いずれのライトバルブにも、本発明を適用した液晶装置1が用いられる。その際、液晶装置1に対し、第1偏光板110および第2偏光板120がクロスニコルに配置される。
図23は、本発明を適用した液晶装置1を用いた投射型表示装置の概略構成図である。図23を参照して説明するように、投射型表示装置210では、互いに異なる波長域の光が供給される赤色用ライトバルブ1(R)、緑色用ライトバルブ1(G)、および青色用ライトバルブ1(B)が用いられているが、いずれのライトバルブにも、本発明を適用した液晶装置1が用いられる。その際、液晶装置1に対し、第1偏光板110および第2偏光板120がクロスニコルに配置される。
投射型表示装置210は、前方に設けられたスクリーン211に映像を投射する前方投影型のプロジェクターである。投射型表示装置210は、光源部212と、ダイクロイックミラー213、214と、3つのライトバルブ(赤色用ライトバルブ1(R)、緑色用ライトバルブ1(G)、および青色用ライトバルブ1(B))と、投射光学系218と、色合成光学系としてのクロスダイクロイックプリズム219と、リレー系230とを備えている。
光源部212は、例えば、赤色光、緑色光および青色光を含む光源光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー213は、光源部212からの赤色光LRを透過させるとともに緑色光LGおよび青色光LBを反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー214は、ダイクロイックミラー213で反射された緑色光LGおよび青色光LBのうち青色光LBを透過させるとともに緑色光LGを反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー213、214は、光源部212から出射された光を赤色光LRと緑色光LGと青色光LBとに分離する色分離光学系を構成する。ダイクロイックミラー213と光源部212との間には、インテグレーター221および偏光変換素子222が光源部212から順に配置されている。インテグレーター221は、光源部212から照射された光の照度分布を均一化する。偏光変換素子222は、光源部212からの光を例えばs偏光のような特定の振動方向を有する直線偏光に変換する。
赤色用ライトバルブ1(R)は、ダイクロイックミラー213を透過して反射ミラー223で反射した赤色光LRの照明光を画像信号に応じて変調し、赤色光LRの変調光をクロスダイクロイックプリズム219に向けて出射する。
緑色用ライトバルブ1(G)は、ダイクロイックミラー213で反射した後にダイクロイックミラー214で反射した緑色光LGの照明光を、画像信号に応じて緑色光LGを変調し、緑色光LGの変調光をクロスダイクロイックプリズム219に向けて出射する。
青色用ライトバルブ1(B)は、ダイクロイックミラー213で反射し、ダイクロイックミラー214を透過した後でリレー系230を経た青色光LBの照明光を画像信号に応じて変調し、青色光LBの変調光をクロスダイクロイックプリズム219に向けて出射する。
青色用ライトバルブ1(B)は、ダイクロイックミラー213で反射し、ダイクロイックミラー214を透過した後でリレー系230を経た青色光LBの照明光を画像信号に応じて変調し、青色光LBの変調光をクロスダイクロイックプリズム219に向けて出射する。
リレー系230は、リレーマイクロレンズ224a、224bと反射ミラー225a、225bとを備えている。リレーマイクロレンズ224a、224bは、青色光LBの光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。リレーマイクロレンズ224aは、ダイクロイックミラー214と反射ミラー225aとの間に配置されている。
リレーマイクロレンズ224bは、反射ミラー225a、225bの間に配置されている。反射ミラー225aは、ダイクロイックミラー214を透過してリレーマイクロレンズ224aから出射した青色光LBをリレーマイクロレンズ224bに向けて反射するように配置されている。反射ミラー225bは、リレーマイクロレンズ224bから出射した青色光LBを青色用ライトバルブ1(B)に向けて反射するように配置されている。
クロスダイクロイックプリズム219は、2つのダイクロイック膜219a、219bをX字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜219aは青色光LBを反射して緑色光LGを透過する。ダイクロイック膜219bは赤色光LRを反射して緑色光LGを透過する。
従って、クロスダイクロイックプリズム219は、赤色用ライトバルブ1(R)、緑色用ライトバルブ1(G)、および青色用ライトバルブ1(B)の各々で変調された赤色光LRと緑色光LGと青色光LBとを合成し、投射光学系218に向けて出射するように構成されている。投射光学系218は、投影レンズ(図示略)を有しており、クロスダイクロイックプリズム219で合成された光をスクリーン211に投射するように構成されている。
[他の電子機器]
本発明を適用した液晶装置1は、投射型表示装置において、光源部として、各色の光を出射するLED光源、レーザー光源等を用い、かかる光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
本発明を適用した液晶装置1は、投射型表示装置において、光源部として、各色の光を出射するLED光源、レーザー光源等を用い、かかる光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
また、液晶装置1は、投射画像を観察する側から投射する前方投射型プロジェクターに限らず、投射画像を観察する側とは反対の側から投射する後方投射型プロジェクターに用いてもよい。
また、液晶装置1を適用可能な電子機器は、投射型表示装置210に限定されない。液晶装置1は、例えば、投射型のHUD(ヘッドアップディスプレイ)や直視型のHMD(ヘッドマウントディスプレイ)、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、POSなどの情報端末機器の表示部として用いてもよい。
1…液晶装置、1(R)…赤色用ライトバルブ、1(G)…緑色用ライトバルブ、1(B)…青色用ライトバルブ、3a…走査線、5a…容量線、6a…データ線、8a、27a…遮光層、9a…画素電極、10…第2基板、10a…表示領域、11…第1部材、12…第2部材、13…第3部材、17…導通部、18…遮光部、19、29…基板本体、20…第1基板、21…対向電極、30…スイッチング素子、31a…半導体層、40、15…レンズ層、50…液晶層、50a…液晶分子、51…第1レンズ部、52…第2レンズ部、53…第3レンズ部、61…第1透光性基板、62…第2透光性基板、70…光学補償部、71…無機膜、76…傾斜面、100…液晶パネル、110…第1偏光板、120…第2偏光板、173…プラグ、180…透光領域、210…投射型表示装置、212…光源部、218…投射光学系、510…第1レンズ面、520…第2レンズ面、530…第3レンズ面、P…配向方向、S…空隙。
Claims (10)
- 光の入射側に配置された第1基板と、
前記第1基板に対して光の出射側に配置された第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に設けられた液晶層と、
を備え、
前記第2基板は、基板本体と、前記基板本体と前記液晶層との間に設けられた画素電極と、前記基板本体と前記画素電極との間に設けられた遮光部と、前記基板本体と前記遮光部との間に設けられた第1レンズ部と、前記遮光部と前記画素電極との間に空隙および前記空隙と界面を構成するレンズ面を有する第2レンズ部と、を有することを特徴とする液晶装置。 - 請求項1に記載の液晶装置において、
前記遮光部と前記第1レンズ部との間、および前記遮光部と前記第2レンズ部との間の一方に第3レンズ部を有することを特徴とする液晶装置。 - 請求項1または2に記載の液晶装置において、
前記第2レンズ部より前記入射側に光学補償部を有することを特徴とする液晶装置。 - 請求項3に記載の液晶装置において、
前記光学補償部は、前記第1基板より前記入射側に設けられることを特徴とする液晶装置。 - 請求項3に記載の液晶装置において、
前記光学補償部は、前記第1基板に設けられた対向電極と、前記第1基板の基板本体との間に設けられることを特徴とする液晶装置。 - 請求項3に記載の液晶装置において、
前記光学補償部は、前記第2レンズ部と前記画素電極との間に設けられることを特徴とする液晶装置。 - 請求項3に記載の液晶装置において、
前記光学補償部は、前記画素電極に対応して設けられた斜面に沿って設けられることを特徴とする液晶装置。 - 請求項3から7までの何れか一項に記載の液晶装置において、
前記光学補償部は、負の一軸性屈折率異方性を有する光学補償部、正の一軸性屈折率異方性を有する光学補償部、および第1基板の基板本体の一方面に対して一軸性または二軸性の屈折率楕円体が傾斜した光学補償部のいずれかであることを特徴とする液晶装置。 - 請求項1から8までの何れか一項に記載の液晶装置を備えていることを特徴とする電子機器。
- 請求項9に記載の電子機器において、
前記液晶装置に入射する照明光を出射する光源部と、前記液晶装置から出射された変調光を投射する投射光学系と、を有することを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2020070868A JP2021167884A (ja) | 2020-04-10 | 2020-04-10 | 液晶装置および電子機器 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US11982915B1 (en) | 2022-10-27 | 2024-05-14 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
-
2020
- 2020-04-10 JP JP2020070868A patent/JP2021167884A/ja active Pending
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