JP2021165794A - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents
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Description
1.全体構成
図1は、本発明の第1実施形態に係る電気光学装置100の平面構成を示す説明図である。図2は、図1に示す電気光学装置100をH−H′線に沿って切断した断面図である。図1および図2に示す電気光学装置100は、液晶装置であり、液晶パネル110を有している。液晶パネル110は、第1基板10と、第1基板10に対向する第2基板20とを有しており、第1基板10と第2基板20とは、枠状のシール材40を介して貼り合わされている。第1基板10と第2基板20との間のうち、シール材40で囲まれた空間内には液晶層からなる電気光学層60が保持されている。
図3は、図1に示す電気光学装置100の電気的な構成を示す説明図である。図3に示すように、電気光学装置100は、少なくとも画素領域EにおいてX軸方向に延在する複数の走査線3aと、Y軸方向に延在する複数のデータ線6aとを有しており、走査線3aとデータ線6aとは、第1基板10において、互いに絶縁された状態にある。本実施形態において、第1基板10は、データ線6aに沿って延在する容量線3bを有している。また、複数の走査線3aと複数のデータ線6aとの各交差に対応して画素Pが設けられている。複数の画素Pは各々、画素電極15、TFT(Thin Film Transistor)からなるスイッチング素子30、および蓄積容量16を備えている。走査線3aはスイッチング素子30のゲートに電気的に接続され、データ線6aはスイッチング素子30のソースに電気的に接続されている。画素電極15はスイッチング素子30のドレインに電気的に接続されている。
図4は、図2に示す断面の一部を拡大して模式的に示す説明図である。図5は、図4に示すレンズ50等の平面的な配置を示す説明図である。図4において、基板本体19と画素電極15の間には、酸化シリコン等からなる透光性の層間絶縁膜41、42、43、44が順に積層されており、基板本体19と層間絶縁膜41との間や、層間絶縁膜41、42、43、44の層間に各種配線や各種電極が配置される。例えば、基板本体19と層間絶縁膜41との間には走査線3aが形成されている。層間絶縁膜41と層間絶縁膜42との間には、スイッチング素子30が形成されている。層間絶縁膜42と層間絶縁膜43との間には容量線3bが形成されている。層間絶縁膜43と層間絶縁膜44との間にはデータ線6aが形成されている。層間絶縁膜44と電気光学層60との間に画素電極15が形成されている。走査線3a、容量線3bおよびデータ線6aは、平面視において格子状となる遮光部材18を構成している。平面視において、遮光部材18は、隣り合う画素電極15の間に沿って延在し、スイッチング素子30の半導体層31aに重なっている。従って、遮光部材18は、半導体層31aに光が入射することを抑制し、スイッチング素子30での光リーク電流の発生を抑制している。
図6は、図2に示す電気光学装置100の製造方法を示す工程断面図である。図7は、図2に示す電気光学装置100の製造方法を示す工程断面図である。図6および図7には、電気光学装置100の製造工程のうち、図4に示すレンズ50の形成工程を模式的に示してある。なお、図6および図7では、レンズ面501、支柱70および突出部531を形成する過程が分かりやすいように、それらの縮尺や位置関係をずらしてある。例えば、複数のレンズ面501を通る位置で第1部材51を切断したときには、支柱70の断面が現れないが、図6および図7では、支柱70の断面も示してある。
以上説明したように、本実施形態の電気光学装置100は、透光性の第1部材51と、第1部材51に空間Sを介して対向する透光性の第2部材52とを有し、第2部材52の第1部材51と対向する面には凸曲面からなるレンズ面501が形成されており、レンズ面501は空間Sと接している。従って、レンズ50では、レンズ面501と空間Sとの界面での屈折率の差が大きい。しかも、空間Sは透光性が高い。それ故、屈折率が大きいが、透光性が低い材料を用いなくても、大きな正のパワーを有する等、レンズ性能に優れたレンズ50を実現することができる。
図8、図9および図10は、本発明の第2実施形態の説明図である。図8、図9および図10には、電気光学装置100の製造工程のうち、図4に示すレンズ50の形成工程を模式的に示してある。なお、本形態の基本的な構成は第1実施形態と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。図8、図9および図10では、レンズ面501、支柱70および突出部531を形成する過程が分かりやすいように、それらの縮尺や位置関係をずらしてある。例えば、複数のレンズ面501を通る位置で第1部材51を切断したときには、支柱70の断面が現れないが、図8、図9および図10では、支柱70の断面も示してある。
図11は、本発明の第3実施形態の説明図である。図11には、電気光学装置100の製造工程のうち、図4に示すレンズ50の形成工程の一部を模式的に示してある。なお、本形態の基本的な構成は第1実施形態と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。図11では、レンズ面501、支柱70および突出部531を形成する過程が分かりやすいように、それらの縮尺や位置関係をずらしてある。例えば、複数のレンズ面501を通る位置で第1部材51を切断したときには、支柱70の断面が現れないが、図11では、支柱70の断面も示してある。
図12は、本発明の第4実施形態の説明図である。なお、本形態の基本的な構成は第1実施形態と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。図12に示すように、本形態の電気光学装置100の第1基板10では、基板本体19と遮光部材18との間に、空間Sと接するレンズ面501を備えたレンズ50が形成されているとともに、遮光部材18と画素電極15との間には、画素電極15と平面視で重なるレンズ55が設けられている。
図13は、本発明の第4実施形態の説明図である。なお、本形態の基本的な構成は第1実施形態と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。上記の実施形態では、レンズ50が第1基板10に設けられていたが、本形態では、図13に示すように、第2基板20に、空間Sと接するレンズ面501を備えたレンズ50が形成されている。また、第2基板20の側から光が入射する。本実施形態において、第1部材51が基板本体29に相当し、第2部材52および第3部材53は透光膜であり、レンズ50は、第1実施形態および第2実施形態で説明した方法と同様な方法で製造することができる。かかる構成の場合には、第2基板20の側から入射した光のうち、遮光部材18に向かおうとする光を透光領域180に導くことができる。それ故、画像を表示する際の光の利用効率を高めることができる。
図14は、本発明の第6実施形態の説明図である。なお、本形態の基本的な構成は第1実施形態と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。上記の実施形態では、第1部材51に形成した凹部511の底部512と対向する第2部材52にレンズ面501が形成されていたが、本実施形態では、凹部511の底部512にレンズ面501が形成されている。かかる構成は、凹部511の底部512に半球状のフォトレジストを形成した後、フォトレジストおよび底部512をドライエッチングすることにより実現することができる。
上記実施形態では、第1部材51が基板本体であったが、第1部材51は透光膜であってもよい。例えば、図4に示す複数の層間絶縁膜を第1部材51、第2部材52、および第3部材53とし、層間絶縁膜の間にレンズ50を設ける場合に本発明を適用してもよい。
本発明を適用した電気光学装置100は、各種電子機器に用いることができる。図15は、電子機器の一例であるパーソナルコンピューター2000を示す斜視図である。パーソナルコンピューター2000は、各種の画像を表示する電気光学装置100と、電源スイッチ2001やキーボード2002が設置された本体部2010とを有する。
Claims (10)
- 透光性の第1部材と、
前記第1部材に空間を介して対向する透光性の第2部材と、
前記第2部材に対して前記第1部材とは反対側に設けられた複数の画素電極と、
前記第1部材の前記第2部材と対向する面、および第2部材の前記第1部材と対向する面の一方の面に設けられ、前記複数の画素電極に各々、平面視で重なる凸曲面からなる複数のレンズ面と、
前記空間を貫通して前記第1部材および前記第2部材と接する支柱と、
を有することを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1に記載の電気光学装置において、
前記支柱は、前記レンズ面で囲まれた領域と平面視で重なる位置に設けられていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1または2に記載の電気光学装置において、
前記支柱の側面には保護層が積層されていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項3に記載の電気光学装置において、
前記保護層は、前記支柱の側面での反射を抑制する反射抑制膜であることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1から4までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記支柱は、前記第1部材から前記第2部材に向けて突出した柱状の凸部を含むことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1から5までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記第1部材の前記第2部材と対向する面には、前記画素電極が配列された画素領域と平面視で重なる領域に前記第2部材と反対側に凹んだ凹部が設けられており、
前記複数のレンズ面は、前記凹部の底部と平面視で重なる領域に設けられていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1から6までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記第2部材には、前記画素電極が配列された画素領域の外側に平面視で前記空間と重なる貫通穴が設けられ、
前記第2部材に対して前記第1部材と反対側には、透光性の第3部材が設けられ、
前記第3部材の一部は、前記貫通穴および前記空間を貫通して前記第1部材と接する位置まで突出していることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1から7までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記画素電極、および前記画素電極に電気的に接続されたスイッチング素子が設けられた第1基板と、
前記第1基板に電気光学層を介して対向する第2基板と、
を有し、
前記第1基板および前記第2基板のうちの少なくとも一方の基板に、前記第1部材、前記空間、および前記第2部材が設けられていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1から8までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記第1部材は、透光性の基板本体であり、
前記第2部材は、透光膜であることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1から9までの何れか一項に記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
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