JP6769501B2 - 電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法に関する。

液晶装置等の電気光学装置が知られている。液晶装置は、例えばプロジェクターのライトバルブとして用いられる。特許文献１には、液晶装置の一例が開示される。当該液晶装置は、素子基板と、対向基板と、これらの間に配置される液晶層とを有する。素子基板は、基板と、画素ごとに設けられる画素電極と、画素電極に対応して設けられるスイッチング素子とを備える。また、素子基板における光の利用効率の向上を図るために、基板と画素電極との間には、レンズを有するレンズ層が設けられる。レンズ層は、基板に接触しており、レンズ層の屈折率は、基板の屈折率よりも高い。

特開２０１８−１００９９４号公報

レンズ性能を高める観点から、基板とレンズ層との屈折率の差を大きくすることが好ましい。屈折率の差を大きくするためには、例えばレンズ層の屈折率を大きくすることが考えらえる。しかし、一般的に、レンズ層の屈折率を大きくすると、スイッチング素子の形成時におけるアニール処理に対する耐熱性が低下したり、レンズ層に生じ得る反りが増大したりするという傾向がある。その結果、レンズ性能が低下して、光の利用効率が低下してしまうという課題があった。

本発明の電気光学装置の一態様は、透光性および絶縁性を有する絶縁性基体と、前記絶縁性基体に対して離間して配置される画素電極と、前記画素電極に電気的に接続されるスイッチング素子と、を備え、前記絶縁性基体は、基部と、前記基部と前記画素電極との間に位置し、前記画素電極の厚さ方向から見た平面視で前記画素電極と重なるレンズを有するレンズ部と、を備え、前記基部と前記レンズとは、空間を介して配置されており、前記レンズ部は、前記空間に連通する貫通孔を有し、前記絶縁性基体は、前記貫通孔を塞いで配置される、透光性および絶縁性を有する透光層をさらに備える。

本発明の電気光学装置の製造方法の一態様は、透光性および絶縁性を有する絶縁性基体を形成する工程と、前記絶縁性基体上にスイッチング素子を形成する工程と、前記スイッチング素子と電気的に接続される画素電極を形成する工程と、を備え、前記絶縁性基体を形成する工程において、前記絶縁性基体の基部と前記画素電極との間に位置し、前記画素電極の厚さ方向から見た平面視で前記画素電極と重なるレンズを有するレンズ部を形成し、前記レンズ部に貫通孔を形成し、前記貫通孔を用いて、前記基部と前記レンズとの間に空間を形成し、前記貫通孔を塞ぐ、透光性および絶縁性を有する透光層を形成する。

第１実施形態における電気光学装置の平面図である。 第１実施形態における電気光学装置の断面図である。 第１実施形態における素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。 第１実施形態における電気光学装置の一部拡大図である。 第１実施形態における素子基板の断面図である。 第１実施形態における導光部が有するレンズ層を説明するための図である。 第１実施形態における導光部が有する遮光膜を説明するための図である。 第１実施形態における素子基板の製造方法を説明するためのフローである。 第１実施形態における基部形成工程を説明するための断面図である。 第１実施形態における基部形成工程を説明するための平面図である。 第１実施形態における犠牲層形成工程を説明するための断面図である。 第１実施形態における犠牲層形成工程を説明するための断面図である。 第１実施形態における犠牲層形成工程を説明するための断面図である。 第１実施形態における犠牲層形成工程を説明するための平面図である。 第１実施形態におけるレンズ層形成工程を説明するための断面図である。 第１実施形態におけるレンズ層形成工程を説明するための断面図である。 第１実施形態における空間形成工程を説明するための断面図である。 第１実施形態における空間形成工程を説明するための平面図である。 第１実施形態における空間形成工程を説明するための断面図である。 第１実施形態における空間形成工程を説明するための断面図である。 第１実施形態における第１透光層形成工程および遮光膜形成工程を説明するための断面図である。 第２実施形態における電気光学装置の一部拡大図である。 変形例におけるレンズ層を有する構造体を示す断面図である。 電子機器の一例であるパーソナルコンピューターを示す斜視図である。 電子機器の一例であるスマートフォンを示す斜視図である。 電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。

以下、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法や縮尺は実際のものと適宜異なり、理解を容易にするために模式的に示す部分もある。また、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。

１．電気光学装置
１−１．第１実施形態
本発明の電気光学装置の一例として、アクティブマトリックス方式の液晶表示装置を例に説明する。

１−１ａ．基本構成
図１は、第１実施形態における電気光学装置１００の概略平面図である。図２は、第１実施形態における電気光学装置１００の概略断面図であって、図１中のＡ−Ａ線断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、図１および図２のそれぞれに示す互いに直交するｘ軸、ｙ軸、およびｚ軸を適宜用いて説明する。

図１および図２に示す電気光学装置１００は、透過型の液晶表示装置である。図２に示すように、電気光学装置１００は、透光性を有する素子基板２と、透光性を有する対向基板４と、枠状のシール部材８と、「液晶」としての液晶層９とを有する。シール部材８は、素子基板２と対向基板４との間に配置される。液晶層９は、素子基板２、対向基板４およびシール部材８によって囲まれる領域内に配置される。ここで、素子基板２、液晶層９および対向基板４の並ぶ方向がｚ方向であり、素子基板２の表面がｘ−ｙ平面に平行である。また、素子基板２が有する後述のレンズ層２２の厚さ方向に平行なｚ方向からみることを「平面視」と言う。

本実施形態では、電気光学装置１００に対して光ＬＬが素子基板２から入射し、液晶層９を透過して対向基板４から出射される場合を例に説明する。なお、本明細書では、電気光学装置１００に入射する入射光、電気光学装置１００を透過する光、および電気光学装置１００から出射される出射光は、区別せずに光ＬＬとして示す。また、光ＬＬは可視光であり、本明細書において、透光性とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％以上であることをいう。また、図１に示すように、電気光学装置１００は、平面視で、四角形状をなすが、電気光学装置１００の平面視形状はこれに限定されず、例えば、円形等であってもよい。

図１に示すように、素子基板２は、平面視で対向基板４を包含する大きさである。図２に示すように、素子基板２は、絶縁性基体２００と、配線層２６と、複数の画素電極２８と、第１配向膜２９とを有する。絶縁性基体２００、配線層２６、複数の画素電極２８および第１配向膜２９は、この順に並ぶ。第１配向膜２９が最も液晶層９側に位置する。絶縁性基体２００は、基部２１および導光部２０を有する。画素電極２８は、透光性を有しており、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）またはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電材料で構成される。第１配向膜２９は、液晶層９の液晶分子を配向させる。第１配向膜２９の構成材料としては、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等が挙げられる。なお、素子基板２については、後で説明する。

図２に示すように、対向基板４は、基体４１と、絶縁層４２と、対向電極４５と、第２配向膜４６と、を有する。基体４１、絶縁層４２、対向電極４５および第２配向膜４６は、この順に並ぶ。第２配向膜４６が最も液晶層９側に位置する。基体４１は、透光性および絶縁性を有する平板で構成される。基体４１は、例えば、ガラスまたは石英等で構成される。絶縁層４２は、例えば酸化ケイ素等の透光性および絶縁性を有するケイ素系の無機材料で形成される。対向電極４５は、例えばＩＴＯまたはＩＺＯ等の透明導電材料で構成される。第２配向膜４６は、液晶層９の液晶分子を配向させる。第２配向膜４６の構成材料としては、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等が挙げられる。

シール部材８は、例えばエポキシ樹脂等の各種硬化性樹脂を含む接着剤等を用いて形成される。シール部材８は、素子基板２および対向基板４のそれぞれに対して固着される。シール部材８の一部には、液晶分子を含む液晶材を注入するための注入口８１が形成されており、注入口８１は各種樹脂材料を用いて形成される封止材８０により封止される。

液晶層９は、正または負の誘電異方性を有する液晶分子を含む。液晶層９は、液晶分子が第１配向膜２９および第２配向膜４６の双方に接するように素子基板２および対向基板４によって挟持される。液晶層９が有する液晶分子の配向は、液晶層９に印加される電圧に応じて変化する。液晶層９は、印加される電圧に応じて光ＬＬを変調させることで階調表示を可能とする。

また、素子基板２の対向基板４側の面には、図１に示すように、複数の走査線駆動回路１１と信号線駆動回路１２と、複数の外部端子１４とが配置される。外部端子１４には、走査線駆動回路１１および信号線駆動回路１２のそれぞれから引き回される引回し配線１５が接続される。

かかる構成の電気光学装置１００は、画像等を表示する表示領域Ａ１０と、表示領域Ａ１０を平面視で囲む周辺領域Ａ２０と有する。表示領域Ａ１０には、行列状に配列される複数の画素Ｐが設けられる。周辺領域Ａ２０には、走査線駆動回路１１および信号線駆動回路１２等が配置される。

１−１ｂ．電気的な構成
図３は、第１実施形態における素子基板２の電気的な構成を示す等価回路図である。図３に示すように、素子基板２には、ｎ本の走査線２６１とｍ本の信号線２６２とｎ本の容量線２６３とが設けられる。ｎおよびｍはそれぞれ２以上の整数である。ｎ本の走査線２６１とｍ本の信号線２６２との各交差に対応して「スイッチング素子」としてのＴＦＴ２６０が配置される。

ｎ本の走査線２６１は、それぞれｙ方向に延在し、ｘ方向に等間隔で並ぶ。走査線２６１は、ＴＦＴ２６０のゲートに電気的に接続される。また、ｎ本の走査線２６１は、図１に示す走査線駆動回路１１に電気的に接続される。ｎ本の走査線２６１には、走査線駆動回路１１から走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが線順次で供給される。

図３に示すｍ本の信号線２６２は、それぞれｘ方向に延在し、ｙ方向に等間隔で並ぶ。信号線２６２は、ＴＦＴ２６０のソースに電気的に接続される。また、ｍ本の信号線２６２は、図１に示す信号線駆動回路１２に電気的に接続される。ｍ本の信号線２６２には、図１に示す信号線駆動回路１２から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが並行に供給される。

図３に示すｎ本の走査線２６１とｍ本の信号線２６２とは、互いに絶縁され、平面視で格子状をなす。隣り合う２つの走査線２６１と隣り合う２つの信号線２６２とで囲まれる領域が画素Ｐに対応する。１つの画素Ｐには、１つの画素電極２８が形成される。画素電極２８は、ＴＦＴ２６０に電気的に接続される。

ｎ本の容量線２６３は、それぞれｙ方向に延在し、ｘ方向に等間隔で並ぶ。また、ｎ本の容量線２６３は、複数の信号線２６２および複数の走査線２６１と絶縁され、これらに対して離間して形成される。容量線２６３には、グランド電位等の固定電位が印加される。また、容量線２６３と画素電極２８との間には、液晶容量に保持される電荷のリークを防止するために蓄積容量２６４が液晶容量と並列に配置される。

走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが順次アクティブとなり、ｎ本の走査線２６１が順次選択されると、選択される走査線２６１に接続されるＴＦＴ２６０がオン状態となる。すると、ｍ本の信号線２６２を介して表示すべき階調に応じた大きさの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが、選択される走査線２６１に対応する画素Ｐに取り込まれ、画素電極２８に印加される。これにより、画素電極２８と図２に示す対向基板４が有する対向電極４５との間に形成される液晶容量に、表示すべき階調に応じた電圧が印加され、印加される電圧に応じて液晶分子の配向が変化する。また、蓄積容量２６４によって、印加される電圧が保持される。このような液晶分子の配向の変化によって光ＬＬが変調され階調表示が可能となる。

１−１ｃ．電気光学装置１００の具体的な構成
図４は、第１実施形態における電気光学装置１００の一部拡大図であって、図２中の領域Ｂにおける一部拡大図である。図５は、第１実施形態における素子基板２の断面図である。図６は、第１実施形態における導光部２０が有するレンズ層２２を説明するための図である。図７は、第１実施形態における導光部２０が有する遮光膜２０１を説明するための図である。なお、図５および図６に示すレンズ２２１の数は、説明の便宜上、図２における素子基板２でのものと異なる。

１−１ｃＡ．素子基板２の構成
図４に示すように、素子基板２は、絶縁性基体２００と、配線層２６と、画素電極２８と、第１配向膜２９とを有する。絶縁性基体２００は、基部２１と、導光部２０とを有する。

図５に示すように、基部２１は、透光性および絶縁性を有する平板で構成される。基部２１は、例えば、ガラスまたは石英等で構成される。基部２１は、凹部２１１を有する。凹部２１１は、＋ｚ側の表面に形成された窪みである。凹部２１１は、平面視で四角形状をなす。

基部２１上には、導光部２０が配置される。導光部２０は、「レンズ部」としてのレンズ層２２と、「透光層」としての第１透光層２３と、第２透光層２４と、遮光膜２０１とを有する。

レンズ層２２は、基部２１上に配置される。レンズ層２２は、複数のレンズ２２１を有するレンズ集合体２２０を備える。レンズ２２１は、基部２１側に向かって突出し、凸曲面を有する凸レンズで構成される。レンズ２２１は、半球状をなす。複数のレンズ２２１は、互いに密接して配置される。また、レンズ集合体２２０は、凹部２１１の底面と離間している。そのため、レンズ集合体２２０と基部２１との間には、空間Ｓが形成される。なお、レンズ層２２のうち平面視でレンズ集合体２２０よりも外側の部分が、基部２１に接触している。

図６に示すように、レンズ集合体２２０は、平面視で凹部２１１に包含される。すなわち、レンズ集合体２２０は平面視で凹部２１１と重なり、かつ、レンズ集合体２２０の平面視での外形２２０１は凹部２１１の開口縁２１１０よりも小さい。図６では、理解を容易にするために、外形２２０１を太線で示す。また、複数のレンズ２２１は、平面視において、ｘ方向およびｙ方向に行列状に配列される。なお、複数のレンズ２２１の配列は行列状に限定されない。また、レンズ２２１の数は、複数であればよく、図示の数に限定されない。なお、レンズ集合体２２０の平面視での外形２２０１は、長手形状をなすが、これに限定されず任意である。例えば、平面視での外形２２０１は、円形、または四角形以外の多角形等であってもよい。

レンズ層２２は、「貫通孔」としての第１孔２２２と、「第２貫通孔」としての第２孔２２３とを有する。第１孔２２２と第２孔２２３との間には、平面視でレンズ集合体２２０が位置する。第１孔２２２および第２孔２２３は、それぞれ、平面視でレンズ集合体２２０と離間する。また、第１孔２２２および第２孔２２３は、それぞれ、平面視で凹部２１１と重なる。図示では、第１孔２２２のｙ方向に沿った長さＬ１と、第２孔２２３のｙ方向に沿った長さＬ２とは、それぞれ、レンズ集合体２２０のｙ方向に沿った長さＬ０とほぼ等しい。なお、長さＬ１および長さＬ２は、それぞれ、長さＬ０よりも長くても短くてもよい。また、長さＬ１および長さＬ２は、ほぼ等しいが、互いに異なっていてもよい。また、第１孔２２２の幅および第２孔２２３の幅は、ほぼ等しいが、互いに異なっていてもよい。当該幅は、ｘ方向に沿った長さである。

図５に示すように、レンズ層２２上には、第１透光層２３が配置される。第１透光層２３は、透光性および絶縁性を有する。第１透光層２３は、平板状をなす透光性基部２３１と、第１接続部２３２と、第２接続部２３３とを有する。第１接続部２３２は、「接続部」の一例である。透光性基部２３１は、レンズ層２２の＋ｚ軸側の面上に配置される。すなわち、透光性基部２３１と基部２１との間にレンズ層２２が配置される。

第１接続部２３２は、透光性基部２３１の−ｚ軸側の部分から基部２１側に向かって延び、第１孔２２２内を通じて凹部２１１の底面に接触している。同様に、第２接続部２３３は、透光性基部２３１の−ｚ軸側の部分から基部２１側に向かって延び、第２孔２２３内を通じて凹部２１１の底面に接触している。図６に示すように、第１接続部２３２と第２接続部２３３との間には、平面視でレンズ集合体２２０が位置する。また、第１接続部２３２は、第１孔２２２内を埋めている。同様に、第２接続部２３３は、第２孔２２３内を埋めている。

かかる第１透光層２３は、第１孔２２２および第２孔２２３を塞いでいる。そのため、前述の空間Ｓは、気密空間となっている。空間Ｓ内は、空気等の気体、または真空で構成される。なお、空間Ｓは気密空間でなくてもよい。

図５に示すように、第１透光層２３上には、平板状の第２透光層２４が配置される。第２透光層２４は、透光性および絶縁性を有する。第２透光層２４の平面視での形状は、透光性基部２３１の平面視での形状に対応している。具体的には、第２透光層２４は、平面視で四角形状をなす。

第２透光層２４は、レンズ２２１を透過する光ＬＬの光路長を調整する。第２透光層２４の厚さを調整することで、レンズ２２１による光ＬＬの集光位置を所望の位置に調整することができる。なお、第２透光層２４の屈折率が調整されることによって、光ＬＬの光路長が調整されてもよい。また、第２透光層２４の厚さおよび透光性基部２３１の厚さが調整されることによって、光ＬＬの光路長が調整されてもよい。また、第２透光層２４は省略されてもよい。その場合には、透光性基部２３１の厚さが調整されることによって、光ＬＬの光路長が調整されてもよい。

また、前述のレンズ層２２、第１透光層２３および第２透光層２４は、それぞれ透光性を有する材料で構成されていればよいが、具体的には、酸化ケイ素および酸窒化ケイ素等のケイ素系の無機材料で構成されることが好ましい。かかる無機材料を用いられることで、樹脂材料を用いる場合に比べ、光学特性に優れるとともに充分に薄いレンズ層２２が形成され易い。なお、第１透光層２３および第２透光層２４についても同様である。

また、ケイ素系の無機材料の中でも、レンズ層２２、第１透光層２３および第２透光層２４は、それぞれ酸化ケイ素を主として構成されることが好ましい。酸化ケイ素を主として用いることで、例えば窒化ケイ素を用いる場合に比べ、透光性を高くすることができる。また、第２透光層２４が主として酸化ケイ素で構成されることで、主として窒化ケイ素で構成される場合に比べて、製造時に第２透光層２４がそれ以外の他の層に含まれる材料等を吸収することを抑制することができる。そのため、第２透光層２４の膜質の低下を抑制することができる。なお、第１透光層２３および第２透光層２４についても同様である。また、レンズ層２２が窒化ケイ素を主として構成されることで、酸化ケイ素を主として形成される場合に比べ、レンズ性能を高めることができる。また、レンズ層２２、第１透光層２３および第２透光層２４は、それぞれ樹脂材料で構成されてもよい。

また、レンズ層２２、第１透光層２３および第２透光層２４は、互いに異なる材料で構成されてもよいが、同材料で構成されることが好ましい。これらが同材料であることで、これらが互いに異なる材料である場合に比べ、界面反射等を抑制することができる。

また、第１透光層２３と第２透光層２４との間には、遮光性を有する遮光膜２０１が配置される。当該遮光性とは、可視光に対する遮光性を意味し、具体的には、可視光の透過率が１０％以下であること、好ましくは５％以下であることをいう。遮光膜２０１は、例えば、金属または金属化合物で構成される。図７に示すように、遮光膜２０１は、平面視で四角形の枠状をなす。なお、図７では、理解を容易にするために、遮光膜２０１にドットが付されている。遮光膜２０１は、平面視で、レンズ集合体２２０を囲む。また、遮光膜２０１は、平面視で、第１孔２２２および第２孔２２３と重なる。それゆえ、遮光膜２０１は、平面視で、第１接続部２３２および第２接続部２３３と重なる。なお、遮光膜２０１の平面視での形状は、図示の四角形の枠状に限定されない。また、本実施形態では、遮光膜２０１は、平面視でレンズ集合体２２０と重ならないが、遮光膜２０１の一部は、平面視でレンズ集合体２２０と重なってもよい。

図５に示すように、第２透光層２４上には、配線層２６が配置される。配線層２６は、遮光層２６９と、ＴＦＴ２６０、走査線２６１、容量線２６３および信号線２６２等の各種配線と、絶縁体２５とを有する。なお、図５に示すＴＦＴ２６０、走査線２６１、容量線２６３および信号線２６２の並び順は一例であって、これらの並び順は図示の例に限定されない。また、前述のように、信号線２６２はｘ方向に延在するが、図５では、理解を容易にするよう信号線２６２の配置は実際の配置と異なる。また、図５では、静電容量６４等の各種配線等の図示は省略する。なお、図４についても同様である。

絶縁体２５は、透光性および絶縁性を有する。絶縁体２５は、第１層間絶縁膜２５１、第２層間絶縁膜２５２、第３層間絶縁膜２５３、第４層間絶縁膜２５４および第５層間絶縁膜２５５を有する。第１層間絶縁膜２５１は、第２透光層２４上に配置され、遮光性を有する遮光層２６９とＴＦＴ２６０との間に位置する。第２層間絶縁膜２５２は、第１層間絶縁膜２５１上に配置され、ＴＦＴ２６０と走査線２６１との間に位置する。第３層間絶縁膜２５３は、第２層間絶縁膜２５２上に配置され、走査線２６１と容量線２６３との間に位置する。第４層間絶縁膜２５４は、第３層間絶縁膜２５３上に配置され、容量線２６３と信号線２６２との間に配置される。第５層間絶縁膜２５５は、第４層間絶縁膜２５４上に配置され、信号線２６２を覆う。

ＴＦＴ２６０、走査線２６１、容量線２６３および信号線２６２等の各種配線と、遮光層２６９とは、それぞれ、例えば金属または金属化合物等で構成される。また、絶縁体２５が有する各層は、例えば酸化ケイ素等のケイ素系の無機材料で構成される。なお、図示はしないが、基部２１と絶縁体２５との間に、例えば透光性および絶縁性を有するケイ素系の無機材料で構成された層が配置されてもよい。

かかる配線層２６は、光ＬＬが透過する複数の透光領域Ａ１１と、各種配線が配置される配線領域Ａ１２とを有する。透光領域Ａ１１は、平面視でほぼ四角形状をなす。複数の透光領域Ａ１１は、平面視で行列状に配置される。また、配線領域Ａ１２は、光ＬＬを遮断する。配線領域Ａ１２は、平面視で格子状をなす。配線領域Ａ１２は、平面視で透光領域Ａ１１を囲む。

配線層２６上には、複数の画素電極２８が配置される。１つの画素電極２８と１つの透光領域Ａ１１とは、平面視で重なる。１つの画素Ｐに対して、１つの画素電極２８および１つの透光領域Ａ１１が設けられる。

以上説明したように、素子基板２は、透光性および絶縁性を有する絶縁性基体２００と、絶縁性基体２００に対して離間して配置される画素電極２８と、画素電極２８に電気的に接続されるＴＦＴ２６０と、を備える。また、絶縁性基体２００は、基部２１と、基部２１と画素電極２８との間に位置し、画素電極２８の厚さ方向から見た平面視で画素電極２８と重なるレンズ２２１を有するレンズ層２２と、を備える。また、基部２１とレンズ２２１との間には、空間Ｓが設けられる。空間Ｓが設けられていることで、レンズ集合体２２０が基部２１に接触している場合に比べて、レンズ性能を高めることができる。これは、レンズ層２２と空間Ｓとの屈折率の差が、レンズ層２２と基部２１との屈折率の差よりも大きいためである。また、空間Ｓを備えているため、従来のようにレンズ層２２の屈折率を高くしなくても、レンズ２２１と空間Ｓとの屈折率差を充分に大きくすることができる。そのため、ＴＦＴ２６０の形成時におけるアニール処理に対するレンズ層２２の耐熱性の低下が抑制される。さらには、レンズ層２２の屈折率を高くすることによるレンズ層２２の透光性の低下を防ぐことができる。

また、前述のように、レンズ層２２には、空間Ｓに連通する「貫通孔」としての第１孔２２２と、空間Ｓの連通する第２孔２２３とが設けられている。また、絶縁性基体２００は、レンズ層２２上に配置され、第１孔２２２を塞ぐ、透光性および絶縁性を有する「透光層」としての第１透光層２３をさらに備える。第１孔２２２および第２孔２２３を塞ぐ第１透光層２３を備えることで、レンズ性能に優れる素子基板２を容易かつ高精度に製造することができる。なお、製造方法については後で詳述する。また、第１透光層２３を備えることで、空間Ｓ内の状態を好適に維持することができる。なお、第１孔２２２の配置は、図示の例に限定されず任意である。第２孔２２３についても同様である。

また、前述したように、第１透光層２３は、第１孔２２２を通じて基部２１に接続される第１接続部２３２を備える。同様に、本実施形態では、第１透光層２３は、第２孔２２３を通じて基部２１に接続される第２接続部２３３を備える。第１接続部２３２を備えることで、第１孔２２２を好適に塞ぐことができる。同様に、第２接続部２３３を備えることで、第２孔２２３を好適に塞ぐことができる。そのため、第１接続部２３２および第２接続部２３３を備えることで、これらを備えていない場合に比べ、空間Ｓ内の状態が維持され易い。なお、第１透光層２３は、透光性基部２３１のみで構成されてもよい。つまり、第１透光層２３は、第１接続部２３２および第２接続部２３３を備えていなくてもよい。

また、前述したように、本実施形態では、基部２１から画素電極２８に向かって光ＬＬが透過する。別の言い方をすれば、レンズ２２１の凸レンズ面は、空間Ｓからレンズ２２１内に向かって光ＬＬを入射させる入射面として機能する。空間Ｓからレンズ２２１内に向かって光ＬＬが入射することで、光ＬＬを効果的に収束させるよう屈折させることができる。そのため、例えばＴＦＴ２６０が有する半導体層に光ＬＬを当たり難くすることができ、光ＬＬの利用効率を特に高めることができる。

１−１ｃＢ．対向基板４の構成
図４に示すように、対向基板４は、基体４１と、絶縁層４２と、対向電極４５と、第２配向膜４６とを有する。本実施形態では、対向基板４は、光ＬＬを収束または発散させる光学部材を備えていない。電気光学装置１００は、前述の絶縁性基体２００を備える素子基板２を備えているため、素子基板２が光学部材を備えずとも、光ＬＬの利用効率を充分に高めることができる。また、対向基板４が光学部材を備えていないことで、レンズ部材を備えている場合に比べ、電気光学装置１００の薄型化を図ることができる。

なお、対向基板４は、光ＬＬを収束または発散させる光学部材を備えていてもよい。

１−１ｄ．電気光学装置１００の製造方法
次に、電気光学装置１００の製造方法について説明する。まず、電気光学装置１００が有する素子基板２の製造方法について説明する。図８は、第１実施形態における素子基板２の製造方法を示すフローである。図８に示すように、素子基板２の製造方法は、絶縁性基体形成工程Ｓ１０と、配線層形成工程Ｓ１８と、画素電極形成工程Ｓ１９と、第１配向膜形成工程Ｓ２０とを有する。絶縁性基体形成工程Ｓ１０は、基部形成工程Ｓ１１と、犠牲層形成工程Ｓ１２と、レンズ層形成工程Ｓ１３と、空間形成工程Ｓ１４と、第１透光層形成工程Ｓ１５と、遮光膜形成工程Ｓ１６と、第２透光層形成工程Ｓ１７とを有する。

図９は、第１実施形態における基部形成工程Ｓ１１を説明するための断面図である。基部形成工程Ｓ１１では、例えば石英基板に凹部２１１が形成されることにより、図９に示す基部２１が形成される。凹部２１１の形成は、例えば、ドライエッチングまたはウェットエッチングにより行われる。また、凹部２１１は、その深さＤ１が後述の図１５に示すレンズ２２１の厚さＤ２によりも大きくなるように形成される。図１０は、第１実施形態における基部形成工程を説明するための平面図である。図１０に示すように、基部２１の凹部２１１は、例えば平面視で四角形状に形成される。なお、凹部２１１の平面視での形状は図示の形状に限定されない。

図１１〜図１３は、それぞれ、第１実施形態における犠牲層形成工程Ｓ１２を説明するための断面図である。図１４は、それぞれ、第１実施形態における犠牲層形成工程Ｓ１２を説明するための平面図である。犠牲層形成工程Ｓ１２では、まず、図１１に示すように、基部２１上に第１犠牲層５１が形成される。第１犠牲層５１は、基部２１のうち凹部２１１が形成された＋ｚ軸側の面を覆うように形成される。第１犠牲層５１は、例えばＣＶＤ（chemical vapor deposition）法等の蒸着法により形成される。第１犠牲層５１は、例えばシリコンを含む。

次に、図１２に示すように、第１犠牲層５１上に第２犠牲層５２が形成され、その後、第１犠牲層５１および第２犠牲層５２の各＋ｚ軸側の面に対して平坦化処理が行われる。また、第２犠牲層５２は、例えばＣＶＤ法等の蒸着法により形成される。平坦化処理としては、例えばＣＭＰ（chemical mechanical polishing）法等の研磨処理が挙げられる。第２犠牲層５２は、例えば酸化ケイ素を含む。第２犠牲層５２は、第１犠牲層５１とは異なる材料であることが好ましい。

次に、図１３に示すように、第２犠牲層５２の＋ｚ軸側の面に凹レンズ群５１０が形成される。その後、第２犠牲層５２上に第３犠牲層５３が形成される。凹レンズ群５１０は、複数のレンズ用凹部５１１を含む。レンズ用凹部５１１は、レンズ２２１を形成するために、第２犠牲層５２に形成される窪みである。レンズ用凹部５１１は、半球状をなす。図１４に示すように、複数のレンズ用凹部５１１は、平面視において、ｘ方向およびｙ方向に行列状に配列される。また、複数のレンズ用凹部５１１は、平面視において凹部２１１と重なる。複数のレンズ用凹部５１１の形成は、例えばエッチングにより行われる。また、図１３に示すように、第３犠牲層５３は、凹レンズ群５１０を覆うように形成される。第３犠牲層５３は、例えばＣＶＤ法等の蒸着法により形成される。第３犠牲層５３は、例えばシリコンを含む。また、第３犠牲層５３は、第１犠牲層５１と同一材料であることが好ましい。

図１５および図１６は、それぞれ、第１実施形態におけるレンズ層形成工程Ｓ１３を説明するための断面図である。レンズ層形成工程Ｓ１３では、まず、図１５に示すように、第３犠牲層５３上に、複数のレンズ２２１を有するレンズ集合体２２０を備えるレンズ層２２が形成される。レンズ層２２は、例えば酸化ケイ素等を含む。レンズ層２２は、例えばＣＶＤ法等の蒸着法により形成される。次に、図１６に示すように、レンズ層２２に第１孔２２２および第２孔２２３が形成される。第１孔２２２および第２孔２２３の各形成は、例えばエッチングにより行われる。第１孔２２２および第２孔２２３は、これらの間に平面視でレンズ集合体２２０が位置するように形成される。

図１７、図１９および図２０は、それぞれ、第１実施形態における空間形成工程Ｓ１４を説明するための断面図である。図１８は、第１実施形態における空間形成工程Ｓ１４を説明するための平面図である。空間形成工程Ｓ１４では、まず、図１７に示すように、レンズ層２２上に第４犠牲層５４が形成される。その後、第１空間用孔５０２および第２空間用孔５０３が形成される。第４犠牲層５４は、例えばＣＶＤ法等の蒸着法により形成される。第４犠牲層５４は、例えばシリコンを含む。第４犠牲層５４は、第３犠牲層５３と同一材料であることが好ましい。

第１空間用孔５０２および第２空間用孔５０３は、それぞれ、第４犠牲層５４の一部および第３犠牲層５３の一部が除去されることにより形成される。なお、図示では、当該除去の際に、第２犠牲層５２の一部も除去される。第４犠牲層５４の構成材料と第３犠牲層５３の構成材料とを同一とすることで、第４犠牲層５４および第３犠牲層５３を一括して除去することができる。また、図１８に示すように、第１空間用孔５０２は、平面視で第１孔２２２に包含される。すなわち、第１空間用孔５０２は平面視で第１孔２２２と重なり、かつ、第１空間用孔５０２の平面積は第１孔２２２の平面積よりも大きい。同様に、第２空間用孔５０３は、平面視で第２孔２２３に包含される。すなわち、第２空間用孔５０３は平面視で第２孔２２３と重なり、かつ、第２空間用孔５０３の平面積は第２孔２２３の平面積よりも大きい。

次に、図１９に示すように、第１孔２２２、第２孔２２３、第１空間用孔５０２および第２空間用孔５０３を用いて、エッチングにより第２犠牲層５２が除去される。第２犠牲層５２を除去するには後述する第１犠牲層５１および第３犠牲層５３に対して高い選択比を持つガス等による加工が有益である。例えば、第２犠牲層５２が酸化ケイ素で構成される場合、フッ化水素（ＨＦ）等のフッ素系のエッチングガスを用いたガスエッチング、また、フッ化水素（ＨＦ）等のフッ素系のエッチング液を用いたウェットエッチングであることが好ましい。また、当該エッチングの際、第１犠牲層５１、第３犠牲層５３および第４犠牲層５４は、基部２１およびレンズ層２２を保護する保護層として機能する。保護層としての機能を好適に発揮するために、第１犠牲層５１、第３犠牲層５３および第４犠牲層５４の各構成材料は、第２犠牲層５２の構成材料と異なることが好ましい。特に、第２犠牲層５２を除去する際に用いられるエッチングガスに対する第１犠牲層５１のエッチングレートは、当該エッチングガスに対する第２犠牲層５２のエッチングレートよりも遅いことが好ましい。第３犠牲層５３および第４犠牲層５４についても同様である。

次に、図２０に示すように、第１孔４２２および第２孔４２３を用いて、第１犠牲層５１、第３犠牲層５３および第４犠牲層５４がエッチングにより除去される。これにより、レンズ集合体２２０と基部２１との間に空間Ｓが形成される。例えば、第２犠牲層５２がシリコンで構成される場合、六フッ化硫黄（ＳＦ_６）等のフッ素系ガスを用いたドライエッチング、フッ硝酸等を用いたウェットエッチング、または三フッ化塩素（ＣｌＦ_３）等のフッ素系ガスを用いたガスエッチングであることが好ましい。また、第１犠牲層５１の構成材料、第３犠牲層５３の構成材料および第４犠牲層５４の構成材料を同一とすることで、第４犠牲層５４および第３犠牲層５３を一括して除去することができる。なお、上記ガスエッチングとは、単にガスを供給することによるエッチングである。また、上記ドライエッチングとは、プラズマエッチングおよびイオンビームエッチング等を含み、ガスエッチングを含まない。

図２１は、第１実施形態における第１透光層形成工程Ｓ１５および遮光膜形成工程Ｓ１６を説明するための断面図である。第１透光層形成工程Ｓ１５では、レンズ層２２上に第１透光層２３が形成される。第１透光層２３は、例えばＣＶＤ法等の蒸着法により、例えば酸化ケイ素等を含む透光性膜が形成され、当該透光性膜に対してＣＭＰ法等の研磨処理による平坦化処理が行なわれることにより形成される。第１透光層２３の形成の際、第１接続部２３２が形成されるとともに、第２接続部２３３が形成される。第１接続部２３２は、第１孔２２２を通じて、基部２１に接触する。第２接続部２３３は、第２孔２２３を通じて、基部２１に接触する。

次に、遮光膜形成工程Ｓ１６では、第１透光層２３上に遮光膜２０１が形成される。遮光膜２０１は、レンズ集合体２２０を平面視で囲むように形成される。遮光膜２０１は、例えば金属または金属化合物を含む層をＣＶＤ法等の蒸着法により形成され、その後、マスクを用いてパターニングされことにより形成される。

次に、第２透光層形成工程Ｓ１７では、図示はしないが、第１透光層２３上に遮光膜２０１を覆う第２透光層２４が形成される。第２透光層２４は、例えば酸化ケイ素を含む。第２透光層２４は、例えばＣＶＤ法等の蒸着法により透光性膜が形成され、当該透光性膜に対してＣＭＰ法等の研磨処理による平坦化処理が行われることにより形成される。

次に、配線層形成工程Ｓ１８では、図示はしないが、遮光層２６９と、ＴＦＴ２６０、走査線２６１、容量線２６３および信号線２６２等の各種配線と、絶縁体２５とが形成される。具体的には、遮光層２６９および各種配線は、それぞれ、例えば、スパッタリング法または蒸着法により金属膜が形成された後、当該金属膜に対してレジストマスクを用いたエッチングが行なわれることにより形成される。絶縁体２５が有する各層は、それぞれ、ＣＶＤ法等の蒸着法、およびＣＭＰ等の研磨等による平坦化処理を用いて形成される。

次に、画素電極形成工程Ｓ１９では、図示はしないが、配線層２６上に複数の画素電極２８が形成される。具体的には、画素電極２８は、例えば透明電極材料からなる層がＣＶＤ法等の蒸着法により形成された後、当該層がマスクを用いてパターニングされることにより形成される。

次に、第１配向膜形成工程Ｓ２０では、例えば、ポリイミドからなる層がＣＶＤ法等の蒸着法により形成され、その後にラビング処理が施されることにより、第１配向膜２９が形成される。以上により、図５に示す素子基板２が形成される。

なお、図１に示す走査線駆動回路１１等の各種回路等は、前述の工程または工程間で適宜形成される。また、例えば公知の技術を適宜用いて対向基板４が形成され、素子基板２と対向基板４とがシール部材８を介して貼り合わされる。その後、素子基板２、対向基板４およびシール部材８との間に液晶材が注入されて液晶層９が形成され、その後、封止される。このようにして、図１および図２に示す電気光学装置１００を製造することができる。

以上説明したように、電気光学装置１００の製造方法は、絶縁性基体形成工程Ｓ１０と、配線層形成工程Ｓ１８と、画素電極形成工程Ｓ１９とを有する。絶縁性基体形成工程Ｓ１０では、透光性および絶縁性を有する絶縁性基体２００が形成される。配線層形成工程Ｓ１８では、ＴＦＴ２６０が形成される。画素電極形成工程Ｓ１９では、ＴＦＴ２６０と電気的に接続される画素電極２８が形成される。また、絶縁性基体形成工程Ｓ１０は、基部形成工程Ｓ１１と、レンズ層形成工程Ｓ１３と、空間形成工程Ｓ１４とを有する。つまり、絶縁性基体形成工程Ｓ１０では、基部２１と、基部２１と画素電極２８との間に位置し、画素電極２８の厚さ方向から見た平面視で画素電極２８と重なるレンズ２２１を有するレンズ層２２とが形成される。また、基部２１とレンズ２２１との間には、空間Ｓが設けられる。かかる製造方法によれば、基部２１とレンズ２２１との間に空間Ｓが設けられるので、従来のようにレンズ層２２の屈折率を高くしなくても、レンズ２２１と空間Ｓとの屈折率差を充分に大きくすることができる。そのため、ＴＦＴ２６０の形成時におけるアニール処理に対する耐熱性の低下が抑制される。さらには、レンズ層２２の屈折率を高くすることによるレンズ層２２の透光性の低下を防ぐことができる。

また、前述したように、第１透光層２３は、第１孔２２２を通じて基部２１に接続される第１接続部２３２を備える。同様に、本実施形態では、第１透光層２３は、第２孔２２３を通じて基部２１に接続される第２接続部２３３を備える。第１透光層２３が第１接続部２３２および第２接続部２３３を備えることで、第１透光層２３が透光性基部２３１のみで構成される場合に比べ、第２透光層２４等の製造時において、レンズ層２２が撓むことを抑制することができる。

レンズ層２２には、空間Ｓに連通する「第２貫通孔」としての第２孔２２３が設けられる。第１孔２２２に加え、さらに第２孔２２３が設けられることで、エッチングの効率を高めることができる。よって、空間形成工程Ｓ１４をより迅速に行うことができる。

１−２．第２実施形態
次に、本発明の第２実施形態について説明する。図２２は、第２実施形態における電気光学装置１００Ａの一部拡大図である。本実施形態は、素子基板２Ａの構成が第１実施形態と異なる。なお、第２実施形態において第１実施形態と同様の事項については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明が適宜省略される。

図２２に示す電気光学装置１００Ａが有する素子基板２Ａは、画素電極２８と絶縁性基体２００との間に配置され、平面視でレンズ２２１と重なる第２レンズ２７１を有する「第２レンズ部」としての第２レンズ層２７を備える。１つの透光領域Ａ１１、１つのレンズ２２１、１つの第２レンズ２７１および１つの画素電極２８は、平面視で重なる。また、第２レンズ２７１は、絶縁体２５に向かって突出する凸曲面を有する凸レンズで構成される。第２レンズ２７１は、半球状をなす。

第２レンズ２７１を備えることで、レンズ２２１で収束する光ＬＬを、光ＬＬの光軸に対してほぼ平行な状態にすることができる。なお、当該光軸は、ｚ方向に平行である。ほぼ平行な状態にすることで、液晶層９での光ＬＬの収束を抑制できるので、液晶層９における液晶分子に当たる光ＬＬの強度のばらつきを低減することができる。そのため、投射光学系４００３にＦ値の大きいレンズを採用した場合でも、高い光利用効率を得ることが
できる。また、液晶層９を通過する際に、光ＬＬの斜め成分が少なくなるため、コントラストの低下を低減することができる。

１−３．変形例
以上に例示した各形態は多様に変形され得る。前述の各形態に適用され得る具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の態様は、相互に矛盾しない範囲で適宜に併合され得る。

１−３ａ．第１変形例
前述の各実施形態におけるレンズ２２１は、凸曲面を有する凸レンズで構成されるが、凹曲面を有する凹レンズであってもよい。同様に、第２実施形態における第２レンズ２７１は、凸曲面を有する凸レンズで構成されるが、凹曲面を有する凹レンズであってもよい。

１−３ｂ．第２変形例
前述の各実施形態における絶縁性基体２００は、基部２１とレンズ層２２とを備えるが、絶縁性基体２００の構成はこれに限定されない。例えば、基部２１とレンズ層２２とは、一体で構成されてもよい。

１−３ｃ．第３変形例
前述の各実施形態では基部２１は、凹部２１１を有するが、基部２１は凹部２１１を有していなくてもよい。例えば、レンズ層２２の＋ｚ軸側の面に、凹部が設けられてもよい。その場合、例えば当該凹部の底面にレンズ集合体２２０を設けることができる。

１−３ｄ．第４変形例
前述の各実施形態では、絶縁性基体２００は、第１透光層２３を備えるが、第１透光層２３を備えなくてもよい。また、レンズ層２２には、第１孔２２２および第２孔２２３が設けられていなくてもよい。また、例えば、基部２１に、その厚さ方向に貫通する孔が形成されてもよい。

図２３は、変形例におけるレンズ層２２ｘを有する構造体２０ｘを示す断面図である。絶縁性基体２００は、基部２１と、前述の第１孔２２２および第２孔２２３を有していないレンズ層２２ｘとで構成される構造体２０ｘを備えてもよい。図２３に示す構造体２０ｘは、例えば、基部２１に対してレンズ層２２ｘを接着剤により張り合わせることにより形成される。ただし、構造体２０ｘでは、接着剤の厚さにバラつきが生じて、基部２１からレンズ層２２ｘが剥離するおそれがある。そのため、絶縁性基体２００は、図５に示すように、基部２１、レンズ層２２および第１透光層２３を有する構成であることが特に好ましい。基部２１、レンズ層２２および第１透光層２３を有することで、前述のエッチングを用いた方法により空間Ｓを好適に形成することができるので、基部２１にレンズ層２２を接着剤により張り合わせる処理を省略できる。それゆえ、レンズ性能に優れた素子基板２を効率良くかつ高精度に形成することができる。

１−３ｅ．第５変形例
基部２１とレンズ層２２との間には、任意の要素が配置されてもよい。ただし基部２１とレンズ層２２とは、図５に示すように互いに接触する部分を有することが好ましい。同様に、レンズ層２２と第１透光層２３との間には、任意の要素が配置されてもよい。ただし、レンズ層２２と第１透光層２３とは、図５に示すように互いに接触していることが好ましい。

１−３ｆ．第６変形例
第１実施形態において、平面視で第１孔２２２および第２孔２２３との間に、レンズ集合体２２０が配置されたが、第１孔２２２および第２孔２２３の配置はこれに限定されず、任意である。例えば、第１孔２２２および第２孔２２３は、それぞれ、平面視でほぼ四角形状をなす外形２２０１のうちの１辺のみに配置されてもよい。また、例えば、第１孔２２２が、外形２２０１のうちの長辺に沿って配置され、第２孔２２３が外形２２０１のうちの短辺に沿って配置されてもよい。また、エッチング効率の向上の観点から、例えば、第１孔２２２および第２孔２２３が、それぞれ外形２２０１のうちの長辺に沿って配置されてもよい。また、第１実施形態において、第１孔２２２の平面積および第２孔２２３の平面積は、ほぼ等しいが、これらは互いに異なっていてもよい。

１−５ｇ．第７変形例
前述の各実施形態において、「スイッチング素子」は、ＴＦＴ２６０であるが、これに限定されない。「スイッチング素子」は、例えばＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）等であってもよい。

１−５ｈ．第８変形例
前述の各実施形態では、光ＬＬは、素子基板２から入射するが、光ＬＬは、対向基板４から入射してもよい。

２．電子機器
電気光学装置１００は、各種電子機器に用いることができる。

図２４は、電子機器の一例であるパーソナルコンピューター２０００を示す斜視図である。パーソナルコンピューター２０００は、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、電源スイッチ２００１やキーボード２００２が設置された本体部２０１０とを有する。

図２５は、電子機器の一例であるスマートフォン３０００を示す斜視図である。スマートフォン３０００は、操作ボタン３００１と、各種の画像を表示する電気光学装置１００とを有する。操作ボタン３００１の操作に応じて電気光学装置１００に表示される画面内容が変更される。

図２６は、電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。投射型表示装置４０００は、例えば、３板式のプロジェクターである。電気光学装置１ｒは、赤色の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｇは、緑の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｂは、青色の表示色に対応する電気光学装置１００である。すなわち、投射型表示装置４０００は、赤、緑および青の表示色に各々対応する３個の電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂを有する。

照明光学系４００１は、光源である照明装置４００２からの出射光のうち赤色成分ｒを電気光学装置１ｒに供給し、緑色成分ｇを電気光学装置１ｇに供給し、青色成分ｂを電気光学装置１ｂに供給する。各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂは、照明光学系４００１から供給される各単色光を表示画像に応じて変調するライトバルブ等の光変調器として機能する。投射光学系４００３は、各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂからの出射光を合成して投射面４００４に投射する。

前述のパーソナルコンピューター２０００、スマートフォン３０００、および投射型表示装置４０００は、それぞれ、前述の電気光学装置１００を備える。電気光学装置１００を備えるため、パーソナルコンピューター２０００、スマートフォン３０００および投射型表示装置４０００における各表示の品質を高めることができる。

以上、好適な実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は前述の各実施形態に限定されない。また、本発明の各部の構成は、前述の実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成に置換でき、また、任意の構成を付加できる。

なお、本発明の電気光学装置が適用される電子機器としては、例示した機器に限定されず、例えば、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、車載用の表示器、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、およびＰＯＳ（Point of sale）端末等が挙げられる。さらに、本発明が適用される電子機器としては、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、またはタッチパネルを備えた機器等が挙げられる。

また、前述した説明では、本発明の電気光学装置の一例として液晶表示装置について説明したが、本発明の電気光学装置はこれに限定されない。例えば、本発明の電気光学装置は、イメージセンサー等にも適用することができる。また、例えば、有機ＥＬ（electro luminescence）、無機ＥＬまたは発光ポリマー等の発光素子を用いた表示パネルに対しても前述の実施形態と同様に本発明が適用され得る。また、着色された液体と当該液体に分散された白色の粒子とを含むマイクロカプセルを用いた電気泳動表示パネルに対しても前述の実施形態と同様に本発明が適用され得る。

２…素子基板、４…対向基板、８…シール部材、９…液晶層、１１…走査線駆動回路、１２…信号線駆動回路、１４…外部端子、１５…配線、２０…導光部、２１…基部、２２…レンズ層、２３…第１透光層、２４…第２透光層、２５…絶縁体、２６…配線層、２７…第２レンズ層、２８…画素電極、２９…第１配向膜、４１…基体、４２…絶縁層、４５…対向電極、４６…第２配向膜、５１…第１犠牲層、５２…第２犠牲層、５３…第３犠牲層、５４…第４犠牲層、６４…静電容量、８０…封止材、８１…注入口、１００…電気光学装置、２００…絶縁性基体、２０１…遮光膜、２１１…凹部、２２０…レンズ集合体、２２１…レンズ、２２２…第１孔、２２３…第２孔、２３１…透光性基部、２３２…第１接続部、２３３…第２接続部、２５１…第１層間絶縁膜、２５２…第２層間絶縁膜、２５３…第３層間絶縁膜、２５４…第４層間絶縁膜、２５５…第５層間絶縁膜、２６０…ＴＦＴ、２６１…走査線、２６２…信号線、２６３…容量線、２６４…蓄積容量、２６９…遮光層、２７１…第２レンズ、５０２…第１空間用孔、５０３…第２空間用孔、５１０…凹レンズ群、５１１…レンズ用凹部、２１１０…開口縁、２２０１…外形、Ａ１０…表示領域、Ａ１１…透光領域、Ａ１２…配線領域、Ａ２０…周辺領域、ＬＬ…光、Ｐ…画素、Ｓ…空間。

Claims (8)

1. 透光性および絶縁性を有する絶縁性基体と、
   前記絶縁性基体に対して離間して配置される画素電極と、
   前記画素電極に電気的に接続されるスイッチング素子と、を備え、
   前記絶縁性基体は、
   基部と、
   前記基部と前記画素電極との間に位置し、前記画素電極の厚さ方向から見た平面視で前記画素電極と重なるレンズを有するレンズ部と、を備え、
   前記基部と前記レンズとは、空間を介して配置されており、
   前記レンズ部は、前記空間に連通する貫通孔を有し、
   前記絶縁性基体は、前記貫通孔を塞いで配置される、透光性および絶縁性を有する透光層をさらに備えることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記画素電極と前記絶縁性基体との間に配置され、前記平面視で前記レンズと重なる第２レンズを有する第２レンズ部をさらに備える請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記透光層は、前記貫通孔を通じて前記基部に接続される接続部を備える請求項１または２に記載の電気光学装置。
4. 前記レンズ部は、前記空間に連通する第２貫通孔を有する請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
5. 前記基部から前記画素電極に向かって光が透過する請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電気光学装置。
6. 前記絶縁性基体、前記画素電極および前記スイッチング素子を備える素子基板と、
   対向電極を有する対向基板と、
   前記素子基板と前記対向基板との間に配置される液晶と、をさらに備え、
   前記対向基板は、光を収束または発散させる光学部材を備えていない請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電気光学装置。
7. 請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
8. 透光性および絶縁性を有する絶縁性基体を形成する工程と、
   前記絶縁性基体上にスイッチング素子を形成する工程と、
   前記スイッチング素子と電気的に接続される画素電極を形成する工程と、を備え、
   前記絶縁性基体を形成する工程において、
   前記絶縁性基体の基部と前記画素電極との間に位置し、前記画素電極の厚さ方向から見た平面視で前記画素電極と重なるレンズを有するレンズ部を形成し、
   前記レンズ部に貫通孔を形成し、
   前記貫通孔を用いて、前記基部と前記レンズとの間に空間を形成し、
   前記貫通孔を塞ぐ、透光性および絶縁性を有する透光層を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。

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