JP2024046971A - アンテナ素子及びアンテナ装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】誘電体基板の製造を容易にすることができるアンテナ素子及びアンテナ装置を提供すること。【解決手段】アンテナ素子は、複数の放射素子を有する放射素子基板と、誘電体基板と、前記誘電体基板に設けられ、それぞれの前記放射素子に接続する複数の導体パターンと、を備える。少なくとも一部の前記導体パターンは、前記誘電体基板の第1の主面に形成された第1の導体部と、前記誘電体基板の第2の主面に形成された第2の導体部と、前記誘電体基板の側面に形成され、前記第1の導体部と前記第2の導体部とを導通する導通部と を備える。【選択図】図3

Description

本開示はアンテナ素子及びアンテナ装置に関する。
特許文献1にアンテナ素子及びアンテナ装置が開示されている。アンテナ素子は、例えば、複数の放射素子を有する放射素子基板と、誘電体基板とを備える。誘電体基板に導体部が形成される。導体部は放射素子に接続する。
特開2015-33116号公報
誘電体基板の一方の主面に第1の導体部を形成するとともに、誘電体基板の反対の主面に第2の導体部を形成することがある。この場合、アンテナ素子の特性を向上させるために、第1の導体部と第2の導体部とを導通させることが好ましい。第1の導体部と第2の導体部とを導通させる方法として誘電体基板にスルーホールを形成する方法がある。
しかしながら、誘電体基板の形状と、スルーホールを形成する場所によっては、誘電体基板の製造が困難になることがある。本開示の1つの局面では、誘電体基板の製造を容易にすることができるアンテナ素子及びアンテナ装置を提供することが好ましい。
本開示の1つの局面は、複数の放射素子を有する放射素子基板と、誘電体基板と、前記誘電体基板に設けられ、それぞれの前記放射素子に接続する複数の導体パターンと、を備えるアンテナ素子である。
少なくとも一部の前記導体パターンは、前記誘電体基板の第1の主面に形成された第1の導体部と、前記誘電体基板の第2の主面に形成された第2の導体部と、前記誘電体基板の側面に形成され、前記第1の導体部と前記第2の導体部とを導通する導通部と、を備える。
本開示の1つの局面であるアンテナ素子では、誘電体基板の側面に形成され導通部により、第1の導体部と第2の導体部とを導通することができる。そのため、導通部を設けた部分には、スルーホールを形成しなくてもよい。そのため、本開示の1つの局面であるアンテナ素子では、誘電体基板の製造が容易である。
図1Aは、アンテナ装置の外観を表す斜視図である。図1Bは、アンテナ装置の内部に配列された複数のアンテナ素子を表す斜視図である。 アンテナ素子の構成を表す斜視図である。 カバーを取り除いた状態のアンテナ素子の構成を表す斜視図である。 カバー及び放射素子基板を取り除いた状態のアンテナ素子の構成を表す斜視図である。 カバー及び放射素子基板を取り除いた状態のアンテナ素子の構成を表す斜視図である。 カバー及び放射素子基板を取り除いた状態のアンテナ素子の構成を表す斜視図である。 カバー及び放射素子基板を取り除いた状態のアンテナ素子の構成を表す斜視図である。 カバーを取り除いた状態のアンテナ素子の構成を表す斜視図である。 方向Z1から見たときのアンテナ素子を表す説明図である。 本開示のアンテナ素子についてシミュレーションによりVSWRを計算した結果を表すグラフである。 比較例1のアンテナ素子についてシミュレーションによりVSWRを計算した結果を表すグラフである。 比較例2のアンテナ素子についてシミュレーションによりVSWRを計算した結果を表すグラフである。
本開示の例示的な実施形態について図面を参照しながら説明する。
<第1実施形態>
1.アンテナ装置1の構成
図1A及び図1Bに基づき、アンテナ装置1の構成を説明する。なお、図1Bでは、アンテナ素子4の一部である放射素子基板41及びカバー97の記載を省略している。アンテナ装置1は、例えば携帯電話基地局用のアンテナ装置として用いられる。
図1Aに示すように、アンテナ装置1は、円筒状のレドーム22と、アンテナキャップ23a、23bとを備える。レドーム22の両端は、アンテナキャップ23a、23bによって閉塞されている。
アンテナ装置1は、取付金具21a、21bを備える。アンテナ装置1は、その長手方向が鉛直方向となるように、取付金具21a、21bでアンテナ塔等に取り付けられる。
アンテナ装置1は、同軸ケーブルアダプタ25a、25bを備える。同軸ケーブルアダプタ25a、25bは、高周波信号送受信端子として機能する。同軸ケーブルアダプタ25a、25bは、アンテナキャップ23bから外部へ突出している。図1Bに示すように、アンテナ装置1は、複数のアンテナ素子4を備える。複数のアンテナ素子4は、レドーム22の内部に収容されている。
アンテナ装置1は、レドーム22の内部に、底板31を備える。複数のアンテナ素子4は、底板31上に1列に配置されている。底板31における幅方向の両側に、側板34a、34bが設けられている。幅方向とは、アンテナ装置1の長手方向に直交する方向である。底板31は、アンテナ素子4から放射される電磁波を反射する反射板としての機能を有している。
2.アンテナ素子4の構成
アンテナ素子4の構成を、図2~図9に基づき説明する。アンテナ素子4は、図2、図3、図9に示す放射素子基板41を備える。放射素子基板41は、基板本体43と、4つの放射素子45A、45B、45C、45Dとを備える。基板本体43は、誘電体から成る矩形の板である。
放射素子45A、45B、45C、45Dは、基板本体43の主面のうち、図2に示す方向Z1の側にある主面に形成された導体パターンである。主面とは、板状の部材において、他の面よりもはるかに面積が大きい面である。方向Z1は、基板本体43の厚さ方向に平行である。
放射素子45A、45B、45C、45Dは、基板本体43の中心47を囲むように配置されている。中心47は、方向Z1から見たときの中心である。放射素子45Aは、中心47から、図2に示す方向X1に延びている。方向X1は、基板本体43の主面と平行であり、方向Z1と直交する方向である。
放射素子45Bは、中心47から、図2に示す方向X2に延びている。方向X2は、方向X1の反対方向である。放射素子45Cは、中心47から、図2に示す方向Y1に延びている。方向Y1は、基板本体43の主面と平行であり、方向Z1、方向X1、及び方向X2と直交する方向である。放射素子45Dは、中心47から、図2に示す方向Y2に延びている。方向Y2は、方向Y1の反対方向である。
放射素子基板41は、貫通孔49A、49B、49C、49Dを備える。貫通孔49A、49B、49C、49Dは、放射素子基板41を厚さ方向に貫通する。貫通孔49Aは、放射素子45Aのうち、中心47の側の位置に形成されている。貫通孔49Aの形状は、方向X1が長手方向である細長い形状である。
貫通孔49Bは、放射素子45Bのうち、中心47の側の位置に形成されている。貫通孔49Bの形状は、方向X2が長手方向である細長い形状である。貫通孔49Cは、放射素子45Cのうち、中心47の側の位置に形成されている。貫通孔49Cの形状は、方向Y1が長手方向である細長い形状である。貫通孔49Dは、放射素子45Dのうち、中心47の側の位置に形成されている。貫通孔49Dの形状は、方向Y2が長手方向である細長い形状である。
図3に示すように、アンテナ素子4は、誘電体基板51を備える。誘電体基板51は、放射素子基板41を基準として、方向Z2の側にある。方向Z2は、方向Z1の反対方向である。誘電体基板51は、図8に示すように、放射素子基板41における方向Z2の側の主面に接している。誘電体基板51は、図4~図7に示すように、単位基板53A、53B、53C、53Dを備える。
図6、図7に示すように、単位基板53Aは、方向Z1から見たとき、誘電体基板51の中心57から、方向X1に延びる板状の部分である。中心57は、方向Z1から見たときの中心である。方向Z1から見たとき、中心57は、放射素子基板41の中心47と一致する。また、単位基板53Aは、方向Z1から見たとき、中心57から、放射素子基板41の外周側に延びている。
単位基板53Aの厚さ方向は、方向Y1及び方向Y2と平行である。単位基板53Aの基本的な形態は矩形である。単位基板53Aは、方向Z1の側、且つ中心57の側に、凸部59Aを備える。凸部59Aは、方向Z1に突出している。凸部59Aの形状は矩形である。単位基板53Aはスルーホール60Aを備える。スルーホール60Aの位置は、凸部59Aに近く、凸部59Aよりは方向Z2の側にある位置である。
図4、図5に示すように、単位基板53Bは、方向Z1から見たとき、中心57から、方向X2に延びる板状の部分である。また、単位基板53Bは、方向Z1から見たとき、中心57から、放射素子基板41の外周側に延びている。単位基板53Bの厚さ方向は、方向Y1及び方向Y2と平行である。単位基板53Bの基本的な形態は矩形である。単位基板53Bは、方向Z1の側、且つ中心57の側に、凸部59Bを備える。凸部59Bは、方向Z1に突出している。凸部59Bの形状は矩形である。単位基板53Bはスルーホール60Bを備える。スルーホール60Bの位置は、凸部59Bに近く、凸部59Bよりは方向Z2の側にある位置である。
図5、図6に示すように、単位基板53Cは、方向Z1から見たとき、中心57から、方向Y1に延びる板状の部分である。また、単位基板53Cは、方向Z1から見たとき、中心57から、放射素子基板41の外周側に延びている。単位基板53Cの厚さ方向は、方向X1及び方向X2と平行である。単位基板53Cの基本的な形態は矩形である。単位基板53Cは、方向Z1の側、且つ中心57の側に、凸部59Cを備える。凸部59Cは、方向Z1に突出している。凸部59Cの形状は矩形である。
図4、図7に示すように、単位基板53Dは、方向Z1から見たとき、中心57から、方向Y2に延びる板状の部分である。また、単位基板53Dは、方向Z1から見たとき、中心57から、放射素子基板41の外周側に延びている。単位基板53Dの厚さ方向は、方向X1及び方向X2と平行である。単位基板53Dの基本的な形態は矩形である。単位基板53Dは、方向Z1の側、且つ中心57の側に、凸部59Dを備える。凸部59Dは、方向Z1に突出している。凸部59Dの形状は矩形である。
方向Z1から見たとき、単位基板53Aと単位基板53Bとは、中心57を通り、方向X1及びX2に平行な一直線上に並んでいる。方向Z1から見たとき、単位基板53Cと単位基板53Dとは、中心57を通り、方向Y1及びY2に平行な一直線上に並んでいる。
図3~図8に示すように、誘電体基板51は、底部55を備える。底部55は矩形の板状の部材である。底部55は、単位基板53A~53Dにおける方向Z2の側の側面に接続している。側面とは、板状の部材の表面のうち、一方の主面と、反対側の主面との間にある表面である。底部55の厚さ方向は方向Z1及びZ2と平行である。底部55は、貫通孔65、67を備える。貫通孔65、67は、底部55を厚さ方向に貫通している。
誘電体基板51に、連続した導体パターン61が設けられている。導体パターン61は、信号伝送用の導体パターンである。図6に示すように、導体パターン61は、第1部61-1を含む。第1部61-1は、底部55における方向Z1の側の主面に形成されている。第1部61-1は、貫通孔65から単位基板53Cまで延びている。
図6に示すように、導体パターン61は、第2部61-2を含む。第2部61-2は、単位基板53Cにおける方向X1の側の主面71に形成されている。第2部61-2は、第1部61-1と接続し、単位基板53Dまで延びている。
図7に示すように、導体パターン61は、第3部61-3を含む。第3部61-3は、単位基板53Dにおける方向X1の側の主面73に形成されている。第3部61-3は、第2部61-2と接続し、凸部59Dまで延びている。第3部61-3が形成されている範囲は、凸部59Dを含んでいる。第3部61-3と第2部61-2との接続部は、単位基板53Aを貫通している。また、第3部61-3は、方向Z2の側にも延びている。
図6に示すように、導体パターン61は、第4部61-4を含む。第4部61-4は、凸部59Dにおける方向Y1の側の側面74に形成されている。側面74は、単位基板53Dにおける中心57の側の側面であり、凸部59Dにおける中心57の側の側面である。第4部61-4は、第3部61-3のうち、凸部59Dに形成されている部分と接続している。
図4に示すように、導体パターン61は、第5部61-5を含む。第5部61-5は、単位基板53Dにおける方向X2の側の主面75に形成されている。図9に示すように、主面75は、単位基板53Dにおける主面のうち、主面73とは反対側の主面である。第5部61-5は、第4部61-4と接続している。第4部61-4は第3部61-3と第5部61-5とを導通する。図4に示すように、第5部61-5は、単位基板53Dのうち、方向Z1の側に形成されている。第5部61-5が形成されている範囲は、凸部59Dを含んでいる。
なお、主面73は第1の主面に対応する。第3部61-3は第1の導体部に対応する。主面75は第2の主面に対応する。第5部61-5は第2の導体部に対応する。第4部61-4は導通部に対応する。
誘電体基板51に、連続した導体パターン63が設けられている。導体パターン63は、信号伝送用の導体パターンである。図7に示すように、導体パターン63は、第1部63-1を含む。第1部63-1は、底部55における方向Z1の側の主面に形成されている。第1部63-1は、貫通孔67から単位基板53Aまで延びている。
図7に示すように、導体パターン63は、第2部63-2を含む。第2部63-2は、単位基板53Aにおける方向Y2の側の主面77に形成されている。第2部63-2は、第1部63-1と接続し、単位基板53Bまで延びている。
図4に示すように、導体パターン63は、第3部63-3を含む。第3部63-3は、単位基板53Bにおける方向Y2の側の主面79に形成されている。第3部63-3は、第2部63-2と接続し、凸部59Bまで延びている。第3部63-3が形成されている範囲は、凸部59B及びスルーホール60Bを含んでいる。第3部63-3と第2部63-2との接続部は、単位基板53Dを貫通している。また、第3部63-3は、方向Z2の側にも延びている。
図5に示すように、導体パターン63は、第4部63-4を含む。第4部63-4は、単位基板53Bにおける方向Y1の側の主面81に形成されている。第4部63-4が形成されている範囲は、凸部59B及びスルーホール60Bを含んでいる。第4部63-4は、スルーホール60Bを介して、第3部63-3と接続している。
誘電体基板51に、連続した導体パターン83が設けられている。導体パターン83は、GND用の導体パターンである。図5に示すように、導体パターン83は、第1部83-1を含む。第1部83-1は、単位基板53Cにおける方向X2の側の主面91に形成されている。第1部83-1は、主面91の大部分を覆っている。第1部83-1が形成されている範囲は、凸部59Cを含む。
図4に示すように、導体パターン83は、第2部83-2を含む。第2部83-2は、凸部59Cにおける方向Y2の側の側面93に形成されている。側面93は、単位基板53Cにおける中心57の側の側面であり、凸部59Cにおける中心57の側の側面である。第2部83-2は、第1部83-1のうち、凸部59Cに形成されている部分と接続している。
図6に示すように、導体パターン83は、第3部83-3を含む。第3部83-3は、主面71に形成されている。図9に示すように、主面71は、単位基板53Cにおける主面のうち、主面91とは反対側の主面である。第3部83-3は、第2部83-2と接続している。第2部83-2は、第1部83-1と第3部83-3とを導通する。図6に示すように、第3部83-3は、単位基板53Cのうち、方向Z1の側に形成されている。第3部83-3が形成されている範囲は、凸部59Cを含んでいる。
なお、主面91は第1の主面に対応する。第1部83-1は第1の導体部に対応する。主面71は第2の主面に対応する。第3部83-3は第2の導体部に対応する。第2部83-2は導通部に対応する。
誘電体基板51に、連続した導体パターン85が設けられている。導体パターン85は、GND用の導体パターンである。図6に示すように、導体パターン85は、第1部85-1を含む。第1部85-1は、単位基板53Aにおける方向Y1の側の主面95に形成されている。第1部85-1は、主面95の大部分を覆っている。第1部85-1が形成されている範囲は、凸部59A及びスルーホール60Aを含む。
図7に示すように、導体パターン85は、第2部85-2を含む。第2部85-2は、主面77に形成されている。第2部85-2は、スルーホール60Aを介して、第1部85-1と接続している。第2部85-2は、単位基板53Aのうち、方向Z1の側に形成されている。第2部85-2が形成されている範囲は、凸部59Aを含んでいる。
第2部61-2と、単位基板53Cと、第1部83-1とは、マイクロストリップ線路を構成する。第2部61-2は信号伝送用の導体パターンである。第1部83-1はGND用の導体パターンである。
第2部63-2と、単位基板53Aと、第1部85-1とは、マイクロストリップ線路を構成する。第2部63-2は信号伝送用の導体パターンである。第1部85-1はGND用の導体パターンである。
単位基板53Bと、第3部63-3とは、平衡-不平衡変換器として機能する。単位基板53Dと、第3部61-3とは、平衡-不平衡変換器として機能する。平衡-不平衡変換器の機能は、不平衡回路であるマイクロストリップ線路と、平衡回路である放射素子45A、45B、45C、45Dとの平衡性のバランスを保ち、マイクロストリップ線路からのコモンモードノイズの発生を抑制することである。
図2、図3、及び図9に示すように、凸部59Aは、貫通孔49Aに差し込まれている。凸部59Aの先端は、放射素子基板41よりも方向Z1の側にある。凸部59Aに形成されている第1部85-1の一部、及び第2部85-2の一部は、放射素子基板41よりも方向Z1の側にある。第1部85-1及び第2部85-2のうち、凸部59Aに形成されている部分は、半田付けにより、放射素子45Aに接続している。
図2、図3、及び図9に示すように、凸部59Bは、貫通孔49Bに差し込まれている。凸部59Bの先端は、放射素子基板41よりも方向Z1の側にある。凸部59Bに形成されている第3部63-3の一部、及び第4部63-4の一部は、放射素子基板41よりも方向Z1の側にある。第3部63-3及び第4部63-4のうち、凸部59Bに形成されている部分は、半田付けにより、放射素子45Bに接続している。
図2、図3、及び図9に示すように、凸部59Cは、貫通孔49Cに差し込まれている。凸部59Cの先端は、放射素子基板41よりも方向Z1の側にある。凸部59Cに形成されている第1部83-1の一部、及び第2部83-2の一部は、放射素子基板41よりも方向Z1の側にある。第1部83-1及び第2部83-2のうち、凸部59Cに形成されている部分は、半田付けにより、放射素子45Cに接続している。
図2、図3、及び図9に示すように、凸部59Dは、貫通孔49Dに差し込まれている。凸部59Dの先端は、放射素子基板41よりも方向Z1の側にある。凸部59Dに形成されている第3部61-3の一部、及び第5部61-5の一部は、放射素子基板41よりも方向Z1の側にある。第3部61-3及び第5部61-5のうち、凸部59Dに形成されている部分は、半田付けにより、放射素子45Dに接続している。
図2に示すように、アンテナ素子4はカバー97を備える。カバー97は、方向Z1及び方向Z2において開口した角筒状の形態を有する。カバー97は、放射素子基板41と底部55との間に位置する。カバー97は底部55に接している。カバー97と放射素子基板41との間には隙間が存在する。単位基板53A、53B、53C、53Dはカバー97の内部に収容されている。カバー97は、例えば、アルミ等の金属製の部材である。
図8に示すように、アンテナ素子4は接続部材101、103を備える。接続部材101は、誘電体から成る矩形の板状の部材である。接続部材101は底部55よりも方向Z2の側に位置し、底部55に接続している。図5に示すように、接続部材101は、方向Z1の側に凸部105を備える。凸部105は貫通孔65に差し込まれている。図6、図8に示すように、接続部材101の一方の主面には導体パターン111が形成され、反対側の主面には導体パターン112が形成されている。導体パターン111は導体パターン61と接続している。接続部材101はマイクロストリップ線路である。導体パターン111は信号伝送用の導体パターンである。導体パターン112はGND用の導体パターンである。
接続部材103は、誘電体から成る矩形の板状の部材である。接続部材103は底部55よりも方向Z2の側に位置し、底部55に接続している。図4、図6に示すように、接続部材103は、方向Z1の側に凸部107を備える。凸部107は貫通孔67に差し込まれている。図7、図8に示すように、接続部材103の一方の主面には導体パターン113が形成され、反対側の主面には導体パターン114が形成されている。導体パターン113は導体パターン63と接続している。接続部材103はマイクロストリップ線路である。導体パターン113は信号伝送用の導体パターンである。導体パターン114はGND用の導体パターンである。
同軸ケーブルアダプタ25aで受信した高周波信号は、図示しない中間経路と、接続部材101と、導体パターン61とを経て、放射素子45Dに送られる。同軸ケーブルアダプタ25bで受信した高周波信号は、図示しない中間経路と、接続部材103と、導体パターン63とを経て、放射素子45Bに送られる。
誘電体基板51は、例えば、射出成形により製造することができる。導体パターン61、63、81、83は、例えば、MID(Molded Interconnected Device、成形回路部品)技術により形成することができる。なお、導体パターン61、63、81、83は、複数の導体パターンに対応する。
3.アンテナ素子4が奏する効果
(1A)アンテナ素子4は、単位基板53Dの側面74に第4部61-4を備える。第4部61-4は、単位基板53Dの主面73にある第3部61-3と、単位基板53Dの主面75にある第5部61-5とを導通する。
また、アンテナ素子4は、単位基板53Cの側面93に第2部83-2を備える。第2部83-2は、単位基板53Cの主面91にある第1部83-1と、単位基板53Cの主面71にある第3部83-3とを導通する。
そのため、アンテナ素子4は、VSWR(Voltage Standing Wave Ratio、電圧定在波比)の測定結果が良好である。VSWRは、無線周波数電力が電源から伝送線を通ってアンテナへどれだけ効率よく伝送されるかを示す計測値である。
(1B)アンテナ素子4は、第4部61-4により、単位基板53Dの主面73にある第3部61-3と、単位基板53Dの主面75にある第5部61-5とを導通することができる。そのため、単位基板53Dにスルーホールを形成しなくてもよい。
また、アンテナ素子4は、第2部83-2により、単位基板53Cの主面91にある第1部83-1と、単位基板53Cの主面71にある第3部83-3とを導通することができる。そのため、単位基板53Cにスルーホールを形成しなくてもよい。そのため、誘電体基板51の製造が容易である。
単位基板53A、53Bと、単位基板53C、53Dとは、方向Z1から見たとき直交するので、単位基板53A、53Bにスルーホールを形成するとともに、単位基板53C、53Dにもスルーホールを形成した場合、誘電体基板51を射出成形により製造することは困難であるが、アンテナ素子4においては、単位基板53C、53Dにスルーホールが無いので、誘電体基板51を射出成形により製造することが容易になる。
(1C)第4部61-4は、単位基板53Dにおける中心57の側の側面74に形成されている。また、第2部83-2は、単位基板53Cにおける中心57の側の側面93に形成されている。そのため、アンテナ素子4は、VSWRの測定結果が一層良好である。
(1D)第4部61-4は、凸部59Dにおける中心57の側の側面74に形成されている。また、第2部83-2は、凸部59Cにおける中心57の側の側面93に形成されている。そのため、アンテナ素子4は、VSWRの測定結果が一層良好である。
4.VSWRのシミュレーション
アンテナ素子4について、シミュレーションによりVSWRを計算した。シミュレーションは2種類の解析モデルS(1、1)、S(2、2)により行った。計算結果を図10に示す。図10の横軸は測定周波数であり、縦軸はVSWRである。VSWRの値が低いほど、特性が良好である。アンテナ素子4の場合、3.5~5GHzで良好な結果であった。
また、比較例1、2のアンテナ素子についても、同様にVSWRを計算した。比較例1のアンテナ素子は、アンテナ素子4と基本的には同様であるが、第4部61-4を設けず、スルーホールにより、単位基板53Dの主面73にある第3部61-3と、単位基板53Dの主面75にある第5部61-5とを導通した。また、比較例1のアンテナ素子では、第2部83-2を設けず、スルーホールにより、単位基板53Cの主面91にある第1部83-1と、単位基板53Cの主面71にある第3部83-3とを導通した。比較例2のアンテナ素子は、基本的にはアンテナ素子4と同様であるが、第4部61-4及び第2部83-2を設けず、スルーホールも設けなかった。
比較例1の計算結果を図11に示し、比較例2の計算結果を図12に示す。比較例1の計算結果は、アンテナ素子4の計算結果と同等であった。ただし、比較例1のアンテナ素子では、単位基板53A、53B、53C、53Dがそれぞれスルーホールを備えるので、誘電体基板51を射出成形により製造することが困難である。比較例2の計算結果は、アンテナ素子4の計算結果に比べて、顕著に劣っていた。
<他の実施形態>
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上述の実施形態に限定されることなく、種々変形して実施することができる。
(1)アンテナ素子4は、スルーホール60Aを備えなくてもよい。この場合、単位基板53Aの側面に形成した導体部により、第2部85-2と第1部85-1とを導通することができる。
また、アンテナ素子4は、スルーホール60Bを備えなくてもよい。この場合、単位基板53Bの側面に形成した導体部により、第4部63-4と第3部63-3とを導通することができる。
(2)第2部83-2を形成する位置は、凸部59Cでなくてもよい。例えば、単位基板53Cにスリットを形成する。スリットは、単位基板53Cにおける方向Z1の側の端部で開口し、方向Z2に延びる。そのスリットの内面に第2部83-2を形成する。第4部61-4を形成する位置も、凸部59Dではなく、単位基板53Dに上記のように形成されたスリットの内面であってもよい。
(3)上記各実施形態における1つの構成要素が有する機能を複数の構成要素に分担させたり、複数の構成要素が有する機能を1つの構成要素に発揮させたりしてもよい。また、上記各実施形態の構成の一部を省略してもよい。また、上記各実施形態の構成の少なくとも一部を、他の上記実施形態の構成に対して付加、置換等してもよい。
(4)上述したアンテナ素子4の他、当該アンテナ素子4を構成要素とするシステム、アンテナ素子4の製造方法等、種々の形態で本開示を実現することもできる。
1…アンテナ装置、4…アンテナ素子、21a、21b…取付金具、22…レドーム、23a、23b…アンテナキャップ、25a、25b…同軸ケーブルアダプタ、31…底板、34a、34b…側板、41…放射素子基板、43…基板本体、45A、45B、45C、45D…放射素子、47…中心、49A、49B、49C、49D…貫通孔、51…誘電体基板、53A、53B、53C、53D…単位基板、55…底部、57…中心、59A、59B、59C、59D…凸部、60A、60B…スルーホール、61…導体パターン、61-1…第1部、61-2…第2部、61-3…第3部、61-4…第4部、61-5…第5部、63…導体パターン、63-1…第1部、63-2…第2部、63-3…第3部、63-4…第4部、65、67…貫通孔、71、73、75、77、79、81、91、95…主面、74、93…側面、83…導体パターン、83-1…第1部、83-2…第2部、83-3…第3部、85…導体パターン、85-1…第1部、85-2…第2部、97…カバー、101、103…接続部材、105、107…凸部、111、112、113、114…導体パターン

Claims (4)

  1. 複数の放射素子を有する放射素子基板と、
    誘電体基板と、
    前記誘電体基板に設けられ、それぞれの前記放射素子に接続する複数の導体パターンと、
    を備え、
    少なくとも一部の前記導体パターンは、
    前記誘電体基板の第1の主面に形成された第1の導体部と、
    前記誘電体基板の第2の主面に形成された第2の導体部と、
    前記誘電体基板の側面に形成され、前記第1の導体部と前記第2の導体部とを導通する導通部と、
    を備える、
    アンテナ素子。
  2. 請求項1に記載のアンテナ素子であって、
    複数の前記放射素子は、前記放射素子基板の中心を囲むように配置され、
    前記誘電体基板は、前記放射素子基板の厚さ方向から見たとき、前記中心の側から前記放射素子基板の外周側に延びる単位基板を備え、
    前記導通部は、前記単位基板における前記中心の側の前記側面に形成された、
    アンテナ素子。
  3. 請求項2に記載のアンテナ素子であって、
    前記放射素子基板は、前記放射素子基板を厚さ方向に貫通する貫通孔を、前記放射素子ごとに備え、
    前記単位基板は、前記貫通孔に差し込まれる凸部を備え、
    前記放射素子は、前記凸部に形成された前記第1の導体部及び前記第2の導体部と接続するように構成され、
    前記導通部は、前記凸部における前記中心の側の前記側面に形成された、
    アンテナ素子。
  4. 請求項1~3のいずれか1項に記載のアンテナ素子を備えるアンテナ装置。
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