TWI608657B - 可調整輻射場型的天線結構 - Google Patents

可調整輻射場型的天線結構 Download PDF

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TWI608657B
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施佑霖
杜昆諺
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泓博無線通訊技術有限公司
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Description

可調整輻射場型的天線結構
本發明有關於一種天線,且特別是一種可調整輻射場型的天線結構。
天線的輻射場型依據天線基本工作原理而有所差異,例如偶極天線(dipole antenna)能夠產生全向性(omnidirectional)的輻射場型,平板天線(patch antenna)能夠產生側向(broadside)的輻射場型。各種輻射場型有不同的應用,例如,全向性的輻射場型適用於終端裝置,以讓終端裝置可以接收到各方向的無線訊號。相對而言,基地台天線,如無線網路接取器(wireless access point)的天線,則可能需要能夠產生特定方向的輻射場型,以與位於各種特定位置的終端裝置能更進行無線通訊。傳統上,可使用多個天線,且基於波束形成(Beamforming)技術,可實現特定的波束形狀,以達成輻射場型調整的目的。然而,波束形成(Beamforming)技術需要複雜的演算法及控制電路,會相對增加產品的成本。故,為了節省成本,可針對基地台(如無線網路接取器)所應用的環境,而對應設計具有特定輻射場型的天線。但是,此種針對特定應用環境的設計的單一天線並無法用於其他不同需求的使用環境。
為了解決前述的先前技術問題,本發明實施例提供一種可調整輻射場型的天線結構,利用單一天線設計,以實現輻射場型可調整的效果。
本發明實施例提供一種可調整輻射場型的天線結構,包括主天線、控制單元以及第一反射單元。主天線接受射頻饋入訊號以產生第一極化方向的輻射場型。控制單元受控於第一控制訊號以決定是否利用第一導線與第二導線輸出第一直流控制電壓,第一直流控制電壓使第一導線的直流電位大於第二導線的直流電位。第一反射單元設置於主天線的第一側邊,第一反射單元包括第一上金屬板、第一下金屬板、第一電容與第一二極體。第一上金屬板電性連接第一導線,第一上金屬板的下側具有第一下側連接端與第二下側連接端。第一下金屬板電性連接第二導線,第一下金屬板的上側具有第一上側連接端與第二上側連接端。第一電容具有第一端與第二端,第一電容的第一端連接第一上金屬板的第一下側連接端,第一電容的第二端連接第一下金屬板的第一上側連接端。第一二極體具有陽極端與陰極端,第一二極體的陽極端連接第一上金屬板的第二下側連接端,第一二極體的陰極端連接第一下金屬板的第二上側連接端。當控制單元利用第一導線與第二導線輸出第一直流控制電壓時,第一二極體導通,第一上金屬板、第一下金屬板、第一電容與第一二極體構成第一矩形閉槽孔結構,用以提升相對於第一側邊的第一對向側邊的天線增益,其中第一矩形閉槽孔結構平行於主天線,第一矩形閉槽孔結構的長邊垂直於第一極化方向,第一矩形閉槽孔結構的 長邊的長度是主天線的操作頻率所對應波長的二分之一。當控制單元不利用第一導線與第二導線輸出第一直流控制電壓時,第一二極體不導通,第一上金屬板、第一下金屬板與第一電容構成第一矩形開槽孔結構。
綜上所述,本發明實施例提供一種可調整輻射場型的天線結構,利用控制第一反射單元的二極體導通時,第一反射單元形成二分之一波長的閉槽孔結構,提升相對於第一側邊的第一對向側邊的天線增益,藉以達到天線結構整體的輻射場型可調整的目的。當第一二極體不導通時,第一反射單元形成開槽孔結構,天線結構整體的輻射場型維持與主天線原本的輻射場型相同。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容,請參閱以下有關本發明之詳細說明與附圖,但是此等說明與所附圖式僅是用來說明本發明,而非對本發明的權利範圍作任何的限制。
1‧‧‧處理單元
2‧‧‧無線模組
3‧‧‧具有可調整場型的天線結構
31‧‧‧主天線
32‧‧‧控制單元
33‧‧‧第一反射單元
CT1‧‧‧第一控制訊號
34a‧‧‧第一導線
34b‧‧‧第二導線
V1‧‧‧第一直流控制電壓
X、Y、Z‧‧‧軸
d‧‧‧距離
331‧‧‧第一上金屬板
332‧‧‧第一下金屬板
333‧‧‧第一電容
334‧‧‧第一二極體
331a‧‧‧第一下側連接端
331b‧‧‧第二下側連接端
332a‧‧‧第一上側連接端
332b‧‧‧第二上側連接端
321‧‧‧開關
322‧‧‧直流電源
L、L’‧‧‧長邊
61、71‧‧‧同軸電纜線
62、63、72‧‧‧微波基板
CT2‧‧‧第二控制訊號
34c‧‧‧第三導線
34d‧‧‧第四導線
35‧‧‧第二反射單元
351‧‧‧第二上金屬板
352‧‧‧第二下金屬板
353‧‧‧第二電容
354‧‧‧第二二極體
351a‧‧‧第一下側連接端
351b‧‧‧第二下側連接端
352a‧‧‧第一上側連接端
352b‧‧‧第二上側連接端
圖1是本發明實施例提供的具有可調整輻射場型的天線結構的無線網路接取器的功能方塊圖。
圖2是本發明實施例提供的可調整輻射場型的天線結構的架構示意圖。
圖3是本發明另一實施例提供的用具有可調整輻射場型的天線結構的架構示意圖。
圖4A是本發明實施例提供的可調整輻射場型的天線結構在第一二極體導通狀態的原理示意圖。
圖4B是本發明實施例提供的可調整輻射場型的天線結構在第一二極體不導通狀態的原理示意圖。
圖5A是本發明實施例提供的可調整輻射場型的天線結構在第一二極體導通狀態的輻射場型圖。
圖5B是本發明實施例提供的可調整輻射場型的天線結構在第一二極體不導通狀態的輻射場型圖。
圖6是本發明實施例提供的可調整輻射場型的天線結構其實際應用的結構圖。
圖7是本發明另一實施例提供的可調整輻射場型的天線結構其實際應用的結構。
圖8是本發明另一實施例提供的具有兩個反射單元的可調整輻射場型的天線結構其實際應用的結構圖。
圖9A是圖8實施例的可調整輻射場型的天線結構在第一二極體與第二二極體皆不導通時的輻射場型圖。
圖9B是圖8實施例的可調整輻射場型的天線結構在第一二極體導通時的輻射場型圖。
圖9C是圖8實施例的可調整輻射場型的天線結構在的二二極體導通時的輻射場型圖。
本發明實施例的具有可調整輻射場型的天線結構可應用於各種無線裝置,例如無線網路接取器、無線路由器,可讓無線裝置針對各種應用情境調整收發訊號強弱的方向。圖1以具有可調整輻射場型的天線結構的無線網路接取器的功能方塊圖為例 子作為說明,但本發明並不因此限定具有可調整輻射場型的天線結構的應用產品的種類。無線網路接取器包括處理單元1、無線模組2與具有可調整輻射場型的天線結構3。具有可調整輻射場型的天線結構3包括主天線31、控制單元32與第一反射單元33。處理單元1連接無線模組2與控制單元32,處理單元1控制無線模組2收發訊號(及處理所收發的訊號),且處理單元1經由控制單元32控制第一反射單元33的工作狀態。無線模組2連接主天線31以提供射頻訊號饋入。無線網路接取器的其他相關功能方塊(例如電源電路),在此予以省略,所屬技術領域具有通常知識者應能輕易了解無線網路接取器的主要功能,及其附屬電路方塊,在此不做贅述。
本發明實施例利用切換第一反射單元33的狀態,以達到輻射場型可調整的目的。請參照圖2,圖2是本發明實施例提供的可調整輻射場型的天線結構的架構示意圖。在圖2中,主天線31是偶極天線,但本發明並不因此限定,主天線31也可以例如是閉槽孔天線,如圖3所示。
再參照圖2,主天線31主要產生線性極化的輻射場型,主天線31接受射頻饋入訊號以產生第一極化方向的輻射場型,在圖2中是偶極天線的垂直極化輻射場型(在圖2中,所述垂直極化方向是平行Z軸)。控制單元32受控於第一控制訊號CT1以決定是否利用第一導線34a與第二導線34b輸出第一直流控制電壓V1,第一直流控制電壓V1使第一導線34a的直流電位大於第二導線34b的直流電位。第一反射單元33設置於主天線31的第一側邊(在圖2中是右側邊,位於+Y軸方向的側邊),第一反射單元33包括第一上金屬板331、第一下金屬板332、第一電容333與第一二極體334。 第一上金屬板331電性連接第一導線34a,第一上金屬板331的下側具有第一下側連接端331a與第二下側連接端331b。第一下金屬板332電性連接第二導線34b,第一下金屬板332的上側具有第一上側連接端332a與第二上側連接端332b。第一電容333具有第一端與第二端,第一電容333的第一端連接第一上金屬板331的第一下側連接端331a,第一電容333的第二端連接第一下金屬板332的第一上側連接端332a。第一二極體334具有陽極端與陰極端,第一二極體334的陽極端連接第一上金屬板331的第二下側連接端331b,第一二極體334的陰極端連接第一下金屬板332的第二上側連接端332b。第一反射單元33與主天線31(如偶極天線或閉槽孔天線)的距離d較佳是主天線31的操作頻率所對應波長的0.15倍至0.5倍(即0.15 λ至0.5 λ),但本發明並不因此限定。
控制單元32可包括受控於第一控制訊號CT1的開關321與直流電壓源322,開關321用以切換是否傳送直流電壓源322的第一直流控制電壓V1至第一二極體334。第一直流控制電壓V1的值需要是大於第一二極體334的導通電壓(臨界電壓)。依據第一二極體334的導通與否,第一反射單元33的兩種狀態將於以下說明。
第一反射單元33的第一種狀態如下所述:當控制單元32利用第一導線34a與第二導線34b輸出第一直流控制電壓V1時,第一二極體334導通,參照圖4A,圖4A是本發明實施例提供的可調整輻射場型的天線結構在第一二極體334導通狀態的原理示意圖,第一上金屬板331與第一下金屬板332之間利用第一二極體334彼此導通,並且第一電容334對主天線331的操作頻率而言總 是視為導通,使得對於主天線331的操作頻率而言,第一上金屬板331、第一下金屬板332、第一電容333與第一二極體334構成第一矩形閉槽孔結構,用以提升相對於第一側邊(在圖中是+Y方向)的第一對向側邊(即第一側邊的相反方向,-Y方向)的天線增益,相較於傳統上單獨只有偶極天線時在X-Y平面的全向性輻射場型,可見圖5A所示的輻射場型朝向第一對向側邊(-Y方向)偏移。再參照圖4A,第一矩形閉槽孔結構平行於主天線31,第一矩形閉槽孔結構的長邊L垂直於第一極化方向(在圖中是Z軸),第一矩形閉槽孔結構的長邊L的長度是主天線31的操作頻率所對應波長的二分之一(即0.5 λ)。基於第一矩形閉槽孔的半波長槽孔結構,主天線31會激發第一矩形閉槽孔結構上的電流,使得第一矩形閉槽孔成為共振反射體,因此影響整體的輻射場型,使得第一反射單元產生反射的效果。在實際應用時,例如當主天線是操作在2.4GHz時,第一矩形閉槽孔結構的長邊L約為62公厘(mm)左右(2.4GHz的電磁波在真空中的波長的二分之一),若將第一反射單元33設置於微波基板(例如FR4基板),則可依據微波基板材料的介電系數而進一步縮短長邊L的實際長度。
第一反射單元33的第二種狀態如下所述:當控制單元32不利用第一導線34a與第二導線34b輸出第一直流控制電壓V1時,第一二極體334不導通,請參照圖4B,圖4B是本發明實施例提供的可調整輻射場型的天線結構在第一二極體334不導通狀態的原理示意圖,對於主天線331的操作頻率而言,第一上金屬板331與第一下金屬板332是利用第一電容333彼此導通,故此時第一上金屬板331、第一下金屬板332與第一電容333構成第一矩形開槽孔 結構,其中第一二極體334的位置是此開槽孔的開口處。第一矩形開槽孔結構的長邊L’(近似於第一矩形閉槽孔結構的長邊L)的長度是主天線31的操作頻率的二分之一頻率所對應的波長的四分之一,基於第一矩形開槽孔的四分之一波長開槽孔結構,例如:當主天線是操作在2.4GHz時,第一矩形開槽孔結構是操作頻率為1.2GHz的四分之一波長開槽孔結構,其並不是2.4GHz頻率的共振反射體。因此,主天線31即使激發第一矩形開槽孔結構上的電流,第一矩形開槽孔結構上的電流仍不影響整體的輻射場型。參照圖5B,可見輻射場型仍保持大約為全向性的輻射場型。
請參照圖6,圖6是本發明實施例提供的可調整輻射場型的天線結構其實際應用的結構圖。在實際應用時,主天線31為利用同軸電纜線61饋入的偶極天線,其可設置於微波基板62,例如以蝕刻製程形成於微波基板62。第一反射單元33也可設置於微波基板63(可稱為第一微波基板),第一上金屬板331與第一下金屬板332同樣可藉由蝕刻製程形成於微波基板63,第一電容333與第一二極體334較佳為表面黏著元件,且第一電容333與第一二極體334可錫接第一上金屬板331與第一下金屬板332。主天線31與第一反射單元33之間的定位可以例如用低介電系數的材料元件(例如塑料元件)作為固定,並避免影響輻射場型。更進一步,圖6中的第一導線34a與第二導線34b的走線僅用以示意,本發明並不因此限定。在實際應用情況,為了盡可能避免第一導線34a與第二導線34b影響輻射場型,較佳的,可設定第一導線34a與第二導線34b的走線設置於第一上金屬板331與第一下金屬板332的背後(第一導線34a與第二導線34b透過貫孔方式穿過微波基板以分別連接第 一上金屬板331與第一下金屬板332),使不論第一二極體334是否導通,都不影響所形成的槽孔結構(第一閉槽孔結構或第一開槽孔結構)。並且,較佳的,第一導線34a具有第一端與第二端,使第一導線34a的第一端位於第一上金屬板331的第一下側連接端331a,且第一導線34a的走線由第一導線34a的第一端起始且沿著第一電容333附近而向第一下金屬板332的第一上側連接端332a延伸至第一導線34a的第二端,然後第一導線34a的第二端電性連接控制單元32。換句話說,第一導線34a可由第一下側連接端331a的附近沿著第一電容333的附近延伸至第一上側連接端332a的附近,然後再連接至控制單元32。設置第一導線34a的走線沿著第一電容333的原因是,就主天線31的操作頻率而言,電容333總是視為導通的狀態,故將具有直流高電位的第一導線34a的走線靠近第一電容333,可以避免產生不必要的電流路徑。也就是,使得第一導線34a的走線基本上不影響第一反射單元33所形成的槽孔結構(第一閉槽孔結構或第一開槽孔結構)的電流路徑
在另一個應用的例子,請參照圖7,圖7是本發明另一實施例提供的可調整輻射場型的天線結構其實際應用的結構。主天線31為利用同軸電纜線71饋入的閉槽孔天線,其可設置於微波基板72,例如以蝕刻製程形成於微波基板72。第一反射單元33也可設置於微波基板73(可稱為第一微波基板),第一上金屬板331與第一下金屬板332同樣可藉由蝕刻製程形成於微波基板73,第一電容333與第一二極體334較佳為表面黏著元件,且第一電容333與第一二極體334可錫接第一上金屬板331與第一下金屬板332。主天線31與第一反射單元33彼此之間的定位可以例如用低介電系數的 材料作為固定,並避免影響輻射場型。
以下將進一步說明,利用兩個反射單元進行場型控制的實施例。請參照圖8,圖8是本發明另一實施例提供的具有兩個反射單元的可調整輻射場型的天線結構其實際應用的結構圖。相較於圖6的應用例子,圖8的實施例中的天線結構更包括第二反射單元35。第二反射單元35大致與第一反射單元33相同,其差異僅在於第二反射單元35所設置的位置與第一反射單元33所設置的位置不相同,且第二反射單元35與第一反射單元33彼此獨立的受控於控制單元32。詳細的說,控制單元32受控於第二控制訊號CT2以決定是否利用第三導線34c與第四導線34d輸出第二直流控制電壓V2,第二直流控制電壓V2使第三導線34c的直流電位大於第四導線34d的直流電位。第二反射單元35設置於主天線31的第二側邊,第二反射單元35包括第二上金屬板351、第二下金屬板352、第二電容353與第二二極體354。第二上金屬板351電性連接第三導線34c,第二上金屬板351的下側具有第一下側連接端351a與第二下側連接端351b。第二下金屬板352電性連接第四導線34c,第二下金屬板352的上側具有第一上側連接端352a與第二上側連接端352b。第二電容353具有第一端與第二端,第二電容353的第一端連接第二上金屬板351的第一下側連接端351a,第二電容353的第二端連接第二下金屬板352的第一上側連接端352a。第二二極體354具有陽極端354a與陰極端354b,第二二極體354的陽極端354a連接第二上金屬板351的第二下側連接端351b,第二二極體354的陰極端354b連接第二下金屬板352的第二上側連接端352b。當控制單元32利用第三導線34c與第四導線34d輸出第二直流控制電壓V2 時,第二二極體354導通,第二上金屬板351、第二下金屬板352、第二電容353與第二二極體354構成第二矩形閉槽孔結構,用以提升相對於第二側邊的第二對向側邊的天線增益,在圖8中因為第一反射單元33與第二反射單元35彼此相對,故圖8的實施例中的第二對向側邊恰好是的第一反射單元33的第一側邊,但本發明並不因此限定。其中,第二矩形閉槽孔結構平行於主天線31,第二矩形閉槽孔結構的長邊(L)垂直於第一極化方向,第二矩形閉槽孔結構的長邊(L)的長度是主天線31的操作頻率所對應波長的二分之一。其中,當控制單元32不利用第三導線34c與第四導線34d輸出第二直流控制電壓V2時,第二二極體354不導通,第二上金屬板351、第二下金屬板352與第二電容353構成第二矩形開槽孔結構。當第二上金屬板351、第二下金屬板352與第二電容353構成第二矩形開槽孔結構時,第二矩形開槽孔結構的長邊(L’)的長度是主天線31的操作頻率的二分之一頻率所對應的波長的四分之一。類似於第一導線34a的較佳設置方式,第三導線34c的較佳設置方式描述如下,第三導線34c具有第一端與第二端,第三導線34c的第一端位於第二上金屬板351的第一下側連接端351a,且第三導線34c的走線由第三導線34c該第一端起始且沿著第二電容353附近而向第二下金屬板352的第一上側連接端352a延伸至第三導線34c的第二端,第三導線34c的第二端電性連接控制單元32。在實際應用時,第二反射單元35可設置於微波基板(在此稱為第二微波基板),第二上金屬板351與第二下金屬板352藉由蝕刻製程形成於此第二微波基板,第二電容353與第二二極體354為表面黏著元件。第二反射單元35的原理與第一反射單元33的原理大致相同,不再贅述。以 下將說明,依據第一反射單元33與第二反射單元35的第一二極體334與第二二極體354的導通情況,輻射場型可以分為三種應用,分別對應圖9A、圖9B與圖9C所示的輻射場型。請參照圖9A,圖9A是圖8實施例的可調整輻射場型的天線結構在第一二極體334與第二二極體354皆不導通時的輻射場型圖,此時輻射場型維持全向性的輻射場型。而圖9B是圖8實施例的可調整輻射場型的天線結構在第一二極體334導通時(第二二極體354不導通)的輻射場型圖,輻射場型朝向第二反射單元35偏移(-Y方向)。接著,參照圖9C,圖9C是圖8實施例的可調整輻射場型的天線結構在第二二極體354導通時(第一二極體334不導通)的輻射場型圖,輻射場型朝向第一反射單元33偏移(+Y方向)。
更進一步,本發明實施例所提供的可調整輻射場型的天線結構可具有超過兩個反射單元,且可依據使用需要而選擇反射單元的數量以及每一個反射單元的位置,上述的具有一個反射單元與兩個反射單元的實施例僅用以幫助說明原理,可依此類推至具有三個或三個以上的反射單元的情況。
綜上所述,本發明實施例所提供的可調整輻射場型的天線結構利用導通第一反射單元的第一二極體,使第一反射單元形成二分之一波長的閉槽孔結構,提升相對於第一側邊的第一對向側邊的天線增益,藉以達到天線結構整體的輻射場型可調整的目的。當第一二極體不導通時,第一反射單元形成開槽孔結構,天線結構整體的輻射場型維持與主天線原本的輻射場型相同。同理,當具有第二反射單元時,利用導通第二反射單元的第二二極體,可提升相對於第二側邊的第二對向側邊的天線增益。依此類 推,本發明實施例的可調整輻射場型的天線結構可推廣應用於具有多個反射單元的情況,藉以達到輻射場型及增益可多方向調整的效果。
以上所述僅為本發明之實施例,其並非用以侷限本發明之專利範圍。
31‧‧‧主天線
32‧‧‧控制單元
33‧‧‧第一反射單元
CT1‧‧‧第一控制訊號
34a‧‧‧第一導線
34b‧‧‧第二導線
V1‧‧‧第一直流控制電壓
X、Y、Z‧‧‧軸
d‧‧‧距離
331‧‧‧第一上金屬板
332‧‧‧第一下金屬板
333‧‧‧第一電容
334‧‧‧第一二極體
331a‧‧‧第一下側連接端
331b‧‧‧第二下側連接端
332a‧‧‧第一上側連接端
332b‧‧‧第二上側連接端
321‧‧‧開關
322‧‧‧直流電源

Claims (10)

  1. 一種可調整輻射場型的天線結構,包括:一主天線,接受一射頻饋入訊號以產生一第一極化方向的輻射場型;一控制單元,受控於一第一控制訊號以決定是否利用一第一導線與一第二導線輸出一第一直流控制電壓,該第一直流控制電壓使該第一導線的直流電位大於該第二導線的直流電位;以及一第一反射單元,設置於該主天線的一第一側邊,該第一反射單元包括:一第一上金屬板,電性連接該第一導線,該第一上金屬板的一下側具有一第一下側連接端與一第二下側連接端;一第一下金屬板,電性連接該第二導線,該第一下金屬板的一上側具有一第一上側連接端與一第二上側連接端;一第一電容,具有一第一端與一第二端,該第一電容的該第一端連接該第一上金屬板的該第一下側連接端,該第一電容的該第二端連接該第一下金屬板的該第一上側連接端;以及一第一二極體,具有一陽極端與一陰極端,該第一二極體的該陽極端連接該第一上金屬板的該第二下側連接端,該第一二極體的該陰極端連接該第一下金屬板的該第二上側連接端;其中,當該控制單元利用該第一導線與該第二導線輸出該第一直流控制電壓時,該第一二極體導通,該第一上金屬板、該第一下金屬板、該第一電容與該第一二極體構成一第一矩形閉槽孔結構,用以以提升相對於該第一側邊的一第一對向側邊的天線增益,其中該第一矩形閉槽孔結構平行於該主天線,該 第一矩形閉槽孔結構的長邊垂直於該第一極化方向,該第一矩形閉槽孔結構的長邊的長度是該主天線的操作頻率所對應波長的二分之一;其中,當該控制單元不利用該第一導線與該第二導線輸出該第一直流控制電壓時,該第一二極體不導通,該第一上金屬板、該第一下金屬板與該第一電容構成一第一矩形開槽孔結構。
  2. 根據請求項第1項所述之可調整輻射場型的天線結構,其中該第一反射單元與該主天線的距離是該主天線的操作頻率所對應波長的0.15倍至0.5倍。
  3. 根據請求項第1項所述之可調整輻射場型的天線結構,其中該主天線是閉槽孔天線或耦極天線。
  4. 根據請求項第1項所述之可調整輻射場型的天線結構,其中該第一反射單元設置於一第一微波基板,該第一上金屬板與該第一下金屬板藉由蝕刻製程形成於該第一微波基板,該第一電容與該第一二極體為表面黏著元件。
  5. 根據請求項第1項所述之可調整輻射場型的天線結構,其中當該第一上金屬板、該第一下金屬板與該第一電容構成該第一矩形開槽孔結構時,該第一矩形開槽孔結構的長邊的長度是該主天線的操作頻率的二分之一頻率所對應的波長的四分之一。
  6. 根據請求項第1項所述之可調整輻射場型的天線結構,其中該第一導線具有一第一端與一第二端,該第一導線的該第一端位於該第一上金屬板的該第一下側連接端,且該第一導線的走線由該第一導線的該第一端起始且沿著該第一電容附近而向該第一下金 屬板的該第一上側連接端延伸至該第一導線的該第二端,該第一導線的該第二端電性連接該控制單元。
  7. 根據請求項第1項所述之可調整輻射場型的天線結構,其中該控制單元受控於一第二控制訊號以決定是否利用一第三導線與一第四導線輸出一第二直流控制電壓,該第二直流控制電壓使該第三導線的直流電位大於該第四導線的直流電位,該可調整輻射場型的天線結構更包括:一第二反射單元,設置於該主天線的一第二側邊,該第二反射單元包括:一第二上金屬板,電性連接該第三導線,該第二上金屬板的一下側具有一第一下側連接端與一第二下側連接端;一第二下金屬板,電性連接該第四導線,該第二下金屬板的一上側具有一第一上側連接端與一第二上側連接端;一第二電容,具有一第一端與一第二端,該第二電容的該第一端連接該第二上金屬板的該第一下側連接端,該第二電容的該第二端連接該第二下金屬板的該第一上側連接端;以及一第二二極體,具有一陽極端與一陰極端,該第二二極體的該陽極端連接該第二上金屬板的該第二下側連接端,該第二二極體的該陰極端連接該第二下金屬板的該第二上側連接端;其中,當該控制單元利用該第三導線與該第四導線輸出該第二直流控制電壓時,該第二二極體導通,該第二上金屬板、該第二下金屬板、該第二電容與該第二二極體構成一第二矩形閉槽孔結構,用以提升相對於該第二側邊的一第二對向側邊的天線增益,其中該第二矩形閉槽孔結構平行於該主天線,該第 二矩形閉槽孔結構的長邊垂直於該第一極化方向,該第二矩形閉槽孔結構的長邊的長度是該主天線的操作頻率所對應波長的二分之一;其中,當該控制單元不利用該第三導線與該第四導線輸出該第二直流控制電壓時,該第二二極體不導通,該第二上金屬板、該第二下金屬板與該第二電容構成一第二矩形開槽孔結構。
  8. 根據請求項第7項所述之可調整輻射場型的天線結構,其中當該第二上金屬板、該第二下金屬板與該第二電容構成該第二矩形開槽孔結構時,該第二矩形開槽孔結構的長邊的長度是該主天線的操作頻率的二分之一頻率所對應的波長的四分之一。
  9. 根據請求項第7項所述之可調整輻射場型的天線結構,其中該第三導線具有一第一端與一第二端,該第三導線的該第一端位於該第二上金屬板的該第一下側連接端,且該第三導線的走線由該第三導線的該第一端起始且沿著該第二電容附近而向該第二下金屬板的該第一上側連接端延伸至該第三導線的該第二端,該第三導線的該第二端電性連接該控制單元。
  10. 根據請求項第7項所述之可調整輻射場型的天線結構,其中該第二反射單元設置於一第二微波基板,該第二上金屬板與該第二下金屬板藉由蝕刻製程形成於該第二微波基板,該第二電容與該第二二極體為表面黏著元件。
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