JP2024035997A - シールド構造及びシールドコネクタ - Google Patents

Abstract

【課題】より確実に電磁波シールド効果を発揮することができるシールド構造及びシールドコネクタを提供する。【解決手段】シールド構造４は、基板２に実装されるコネクタ１及びコネクタ１を介して基板２に電気的に接続されるメモリモジュール３の電磁波シールドを形成し、導電性のシェル４０と、導電性の蓋部４１と、を備える。シェル４０は、メモリモジュール３を出し入れ可能で、コネクタ１に対してメモリモジュール３の脱着操作が可能な開口部４０ｃが基板２の実装面２ａに対向して形成される。蓋部４１は、開口部４０ｃを開閉可能で、開口部４０ｃを塞いだ状態でシェル４０と接触する。シェル４０は、基板２の実装面２ａの法線方向に見てコネクタ及びメモリモジュール３を囲むように側壁部４０ａを有する。開口部４０ｃは、側壁部４０ａにおいて法線方向に関して実装面２ａに近接する一方の端部の反対の他方の端部を含む仮想平面Ｓに形成される。【選択図】図３

Description

本発明は、シールド構造及びシールドコネクタに関する。

特許文献１には、メモリモジュール用のコネクタが開示されている。この文献では、コネクタに取り付けられた金属のカバーが、コネクタ内外で漏洩又は進入する電磁波を抑制する電磁波シールド効果を発揮することが開示されている。

特開２００１－１１８６１８号公報

しかしながら、上記特許文献１に開示されたコネクタのカバーは、メモリモジュールの上面を塞いでいるに過ぎないため、その電磁波シールド効果には限界がある。

本発明は、上記実情の下になされたものであり、より確実に電磁波シールド効果を発揮することができるシールド構造及びシールドコネクタを提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の第１の観点に係るシールド構造は、
基板に実装されるコネクタ及び前記コネクタを介して前記基板に電気的に接続される接続対象物の電磁波シールドを形成するシールド構造であって、
前記基板と電気的に接続し、前記接続対象物を出し入れ可能で、前記コネクタに対して前記接続対象物の脱着操作が可能な開口部が前記基板の実装面に対向して形成される導電性のシェルと、
前記開口部を開閉可能で、前記開口部を塞いだ状態で前記シェルと接触する導電性の蓋部と、
を備え、
前記シェルは、
前記基板の実装面の法線方向に見て前記コネクタ及び前記接続対象物を囲むように前記基板の実装面上に立設される側壁部を有し、
前記開口部は、前記側壁部において前記法線方向に関して前記実装面に近接する一方の端部の反対の他方の端部を含む仮想平面に形成される。

この場合、前記蓋部は、前記シェルに対して回動可能に連結され、
前記蓋部の回動により、前記蓋部が前記開口部を開閉する、
こととしてもよい。

前記蓋部は、
前記開口部を閉じたときに前記開口部を塞ぐ蓋上板部と、
前記蓋上板部の外辺から延出する張り出し部と、
を備え、
前記蓋部の回動により、前記蓋上板部が前記開口部を開閉し、前記蓋上板部が前記開口部を塞いだときに前記張り出し部が前記側壁部の一部を覆う、
こととしてもよい。

前記シェルに、前記基板の実装面に平行な方向に延びる仮想的な回転軸の軸方向に先端が突出する一対の突出部が設けられ、
前記蓋部に、前記突出部にそれぞれ嵌合し、前記突出部に対して前記回転軸回りに相対的に回転可能な一対の穴部が設けられ、
前記一対の突出部及び前記一対の穴部とで、前記側壁部に対して前記蓋部を前記回転軸回りに回動させる回動機構が形成される、
こととしてもよい。

前記シェルに、前記基板の実装面に平行な方向に延びる仮想的な回転軸の軸方向に開口する一対の穴部が設けられ、
前記蓋部に、前記回転軸の軸方向に先端が突出して前記穴部にそれぞれ嵌合し、前記穴部に対して前記回転軸回りに相対的に回転可能な一対の突出部が設けられ、
前記一対の穴部及び前記一対の突出部とで、前記側壁部に対して前記蓋部を前記回転軸回りに回動させる回動機構が形成される、
こととしてもよい。

前記シェルでは、
前記一方の端部に連結され、前記基板と電気的に接続する基板接続部が形成されるとともに、
前記他方の端部に連結され、前記仮想平面に沿って配置されたシェル上板部が形成され、
前記シェル上板部に前記開口部が形成される、
こととしてもよい。

前記基板接続部、前記側壁部及び前記シェル上板部が、継ぎ目なしに連結された構造を有する、
こととしてもよい。

前記蓋上板部及び前記張り出し部が、継ぎ目なしに連結された構造を有する、
こととしてもよい。

本発明の第２の観点に係るシールドコネクタは、
接続対象物を基板に電気的に接続するコネクタと、
前記コネクタ及び前記接続対象物の電磁波シールドを形成する第１の観点に係るシールド構造と、
を備え、
前記コネクタは、絶縁性のハウジングを有し、
前記シールド構造を構成する導電性のシェルが、前記ハウジングに係止される。

本発明によれば、より確実に電磁波シールド効果を発揮することができる。

（Ａ）は、本発明の実施の形態１に係るコネクタを示す斜視図である。（Ｂ）は、メモリモジュールが接続されたコネクタの斜視図である。 メモリモジュールの斜視図である。 （Ａ）は、本発明の実施の形態１に係るシールドコネクタ（蓋部が開いた状態）を示す斜視図である。（Ｂ）は、（Ａ）のシールドコネクタ（蓋部が閉じた状態）を示す斜視図である。 （Ａ）は、シェルの上面図である。（Ｂ）は、シェルの斜視図である。 ハウジングの一部の拡大斜視図である。 図３（Ａ）のシールドコネクタの一部の拡大斜視図である。 本発明の実施の形態２に係るシールドコネクタ（蓋部が開いた状態）を示す斜視図である。 図７のシールドコネクタにおける回動機構の斜視図である。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。各図面においては、同一又は同等の部分に同一の符号を付す。

［実施の形態１］
まず、本発明の実施の形態１について説明する。図１（Ａ）に示すように、コネクタ１は、基板２に実装される。コネクタ１が実装される基板２の主面を実装面２ａとする。コネクタ１は、例えば、実装面２ａにその長手方向が沿った状態で、実装面２ａ上に半田付け等で固定され、基板２に形成された回路と電気的に接続する。

図１（Ｂ）に示すように、基板２に実装されるコネクタ１には、接続対象物としてのメモリモジュール３が接続される。メモリモジュール３は矩形平板状の実装用のチップ基板を有しており、基板２の実装面２ａに沿って（例えば平行に）、コネクタ１に接続される。メモリモジュール３は、コネクタ１を介して基板２に電気的に接続される。

図２に示すように、メモリモジュール３は、データを記憶するメモリ３ａと、メモリ３ａと電気的に接続された複数の接点３ｂと、を有している。メモリ３ａは、チップ基板を挟むように、その両面に設けられている。複数の接点３ｂは、チップ基板の一方の外辺に沿って同一の間隔で一列に配列されている。複数の接点３ｂは、コネクタ１を介して基板２に形成された回路と電気的に接続される。この接続により、例えば、基板２に実装された読み出し回路（不図示）がメモリ３ａからデータを読み出し可能となり、基板２に実装された書き込み回路（不図示）がメモリ３ａにデータを書き込み可能となる。

図１（Ａ）及び図１（Ｂ）では、ＸＹＺ直交座標系を規定している。基板２の実装面２ａがＸＹ平面に平行であり、基板２の実装面２ａの法線方向がＺ軸方向となる。以下では、Ｚ軸方向を「法線方向」とし、＋Ｚ方向を「上方向」とし、－Ｚ方向を「下方向」とする。コネクタ１は、Ｘ軸方向を長手方向として、基板２に実装される。また、メモリモジュール３は、コネクタ１に対してＹ軸方向に脱着される。以下では、Ｘ軸方向を「長手方向」とし、＋Ｘ方向を「右方向」とし、－Ｘ方向を「左方向」とする。また、Ｙ軸方向を「前後方向」とし、＋Ｙ方向を「前方向」とし、－Ｙ方向を「後方向」とする。

［コネクタ］
図１（Ａ）に示すように、コネクタ１は、絶縁性のハウジング１１と、導電性のコンタクト１２と、弾力性を有する部材で構成される支持部１３と、を備える。

図１（Ａ）に示すように、ハウジング１１は、コネクタ１のベースとなる構成要素であり、ハウジング１１の長手方向がコネクタの長手方向に一致している。ハウジング１１は、例えば樹脂の成型加工により形成される。ハウジング１１は、前後方向に開口する差込口１１ａを有する。この差込口１１ａにメモリモジュール３の接点３ｂが差し込まれる。

図１（Ａ）に示すように、コンタクト１２は、ハウジング１１に対して圧入又はインサート成形されている。コンタクト１２は、複数設けられており、同一の間隔で、長手方向に配列されている。コンタクト１２は、基板２の実装面２ａ上に形成された電極と電気的に接続する一方、ハウジング１１の差込口１１ａにメモリモジュール３が差し込まれると、複数の接点３ｂ（メモリモジュール３にコンタクト１２が配列された間隔と同じ間隔で配置されている）がコンタクト１２に接触する。これにより、メモリモジュール３のメモリ３ａと、基板２の回路とが電気的に接続される。

図１（Ａ）に示すように、支持部１３は、ハウジング１１の長手方向の両端にそれぞれ１つずつ圧入又はインサート成形されている。一対の支持部１３は、同型であり、コネクタ１のＹＺ面に平行な中心面に対してそれぞれが互いに面対称となるように配置されている。支持部１３は、メモリモジュール３を支持する支持片１３ａを有する。図１（Ｂ）に示すように、メモリモジュール３が差込口１１ａに差し込まれると、接点３ｂがコンタクト１２と接触すると同時に、支持部１３の支持片１３ａが一対となってメモリモジュール３を支持する。

図２に示すように、メモリモジュール３には、長手方向の両端に切り欠き３ｃが設けられている。図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、支持部１３は、ハウジング１１の差込口１１ａに差し込まれた状態で、切り欠き３ｃに係止される係止片１３ｂを有している。係止片１３ｂによる係止は、手動による支持部１３の操作により行われる。また、メモリモジュール３の係止は、支持部１３の手動操作により解除可能である。

［シールド構造］
図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示すように、基板２上のコネクタ１及びメモリモジュール３は、導電性のシールド構造４で覆われている。シールド構造４は、全体として矩形平板状の箱型のカバーである。シールド構造４は、コネクタ１及びメモリモジュール３の電磁波シールドを形成する。すなわち、シールド構造４は、コネクタ１及びメモリモジュール３から外部に漏洩する電磁波と、外部からコネクタ１及びメモリモジュール３に進入する電磁波による影響を抑制する。コネクタ１及びシールド構造４を備えるシールドコネクタ１０という。

図３（Ａ）に示すように、シールド構造４は、導電性のシェル４０と、同じく導電性の蓋部４１と、を備える。図３（Ｂ）に示すように、シェル４０は基板２上に実装されたシールド構造４の本体であり、蓋部４１はシールド構造４の上蓋として機能する。

［シェル］
図４（Ａ）に示すように、シェル４０は、基板２の実装面２ａから見て矩形平板状の側壁部４０ａと、基板２の実装面２ａに接する基板接続部４０ｂと、を有する。図４（Ｂ）に示すように、側壁部４０ａは矩形枠状の部材である。図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すように、側壁部４０ａは、基板２の実装面２ａの法線方向に見てコネクタ１及びメモリモジュール３を囲むように基板２の実装面２ａ上に立設される。基板接続部４０ｂは、半田付け又は他の方法により、基板２と電気的に接続される。これにより、シェル４０全体が基板２と電気的に接続される。基板接続部４０ｂは、図４（Ａ）に示すように、実装面２ａに沿って、側壁部４０ａの外方に突出している。

図３（Ａ）に示すように、シェル４０には、側壁部４０ａの立設によって形成され、且つ、基板２の実装面２ａに対向して形成された開口部４０ｃが設けられている。具体的には、開口部４０ｃは、側壁部４０ａにおいて法線方向に関して実装面２ａに近接する一方の端部の反対の他方の端部を含む仮想平面Ｓに形成される。開口部４０ｃは、シェル４０内に対して手動によりメモリモジュール３を出し入れ可能なサイズを有する。開口部４０ｃを介して、コネクタ１に対するメモリモジュール３の脱着操作が可能である。このため、開口部４０ｃは、支持部１３の係止片１３ｂと、メモリモジュール３の切り欠き３ｃとの係止及び係止解除を手動で操作できるように開口している（図１（Ｂ）参照）。

上述のように、シェル４０では、側壁部４０ａにおいて実装面２ａの法線方向に関して実装面２ａに近接する一方の端部に、基板接続部４０ｂが形成される。さらに、シェル４０では、実装面２ａの法線方向に関して一方の端部の反対の側壁部４０ａの他方の端部に、基板２の実装面２ａに対向して仮想平面Ｓに沿って配置されたシェル上板部４０ｄが形成される。シェル上板部４０ｄに開口部４０ｃが形成される。なお、シェル４０に、シェル上板部４０ｄが設けられていなくてもよい。この場合、開口部４０ｃは、側壁部４０ａの上方の縁部によって形成される。

図１（Ａ）、図１（Ｂ）及び図５に示すように、ハウジング１１の長手方向の両端の上面には、係止穴１１ｂが設けられている。一方、図４（Ｂ）に示すように、シェル４０には、係止穴１１ｂに対応する箇所に、下向きに突出する係止片４０ｅが設けられている。さらに、図５に示すように、ハウジング１１の長手方向の両端の側面には、凸状の係止凸部１１ｃが設けられている。一方、図４（Ｂ）に示すように、シェル４０には、係止凸部１１ｃに対応する箇所に、係止穴４０ｆが設けられている。図６に示すように、係止穴１１ｂに係止片４０ｅが挿入され、係止凸部１１ｃが係止穴４０ｆに挿入されることにより、シールド構造４を構成する導電性のシェル４０が、ハウジング１１に係止される。このように、シェル４０とハウジング１１とは、直交する２つの方向の凹凸で嵌合しているため、強固に結合している。

なお、係止片４０ｅと係止穴１１ｂとの間の位置ずれ（形成誤差）に対応すべく、係止片４０ｅは、係止穴１１ｂに対して余裕をもって凸の部分が凹部の開口よりも小さく形成されるのが望ましい。また、係止凸部１１ｃと係止穴４０ｆとの間の位置ずれ（形成誤差）に対応すべく、係止穴４０ｆは、係止凸部１１ｃに対して余裕をもって凸の部分が凹部の開口よりも大きく形成されるのが望ましい。

シェル４０は、金属平板に対して、絞り加工を行うことにより形成される。具体的には、金属板をダイとしわ押えとで挟持し、角筒型のパンチでプレスすることにより、シェル４０が形成される。絞り加工が行われた後、シェル４０は、開口部４０ｃ等を形成するための穴開け加工が行われた後、他の部分の折り曲げ加工が行われ、図４（Ｂ）に示す形状となる。なお、金属板をダイとしわ押えとで挟持された部分が基板接続部４０ｂとなり、パンチでプレスされた部分がシェル上板部４０ｄとなり、絞り加工で形成される側面が側壁部４０ａとなる。これにより、シェル４０において、基板接続部４０ｂ、側壁部４０ａ及びシェル上板部４０ｄは、折り曲がった部分においても継ぎ目なしに連結された構造を有する。側壁部４０ａ同士も同様である。継ぎ目とは、異なる部材がつなぎ合わせて形成される部分をいう。

［蓋部］
図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示すように、蓋部４１は、開口部４０ｃを開閉可能で、開口部４０ｃを塞いだ状態でシェル４０と接触する。蓋部４１は、シェル４０に対して回動可能に連結され、蓋部４１の回動により、蓋部４１が開口部４０ｃを開閉する。

蓋部４１は、開口部４０ｃを塞ぐ蓋上板部４１ａと、蓋上板部４１ａの外辺から延出する張り出し部４１ｂと、を備える。蓋部４１の回動により、蓋上板部４１ａが開口部４０ｃを開閉する。蓋上板部４１ａが開口部４０ｃを塞いだときに、張り出し部４１ｂは、側壁部４０ａの一部、右方向（＋Ｘ方向）、左方向（－Ｘ方向）及び後方向（－Ｙ方向）を覆うように配置される。

図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示すように、蓋部４１は、シェル４０に対して、基板２の実装面２ａに平行な仮想的な回転軸ＡＸを中心に回動する。回転軸ＡＸの軸方向は長手方向と一致する。

図６に示すように、シェル４０には、突出部５０が設けられている。突出部５０は、基板接続部４０ｂから上方向に折れ曲がって延び、さらに左方向（－Ｘ方向）に折れ曲がって延びて、その先端が回転軸ＡＸの軸方向に突出している。図４（Ａ）に示すように、突出部５０は、長手方向の両端に１つずつ設けられている。一対の突出部５０は、ＹＺ平面に平行なシェル４０の中心面に対して面対称に配置されている。

また、蓋部４１には、突出部５０に嵌合し、突出部５０に対して回転軸ＡＸ回りに回転可能な穴部５１が設けられている。穴部５１には、突出部５０が挿入される。図４（Ｂ）に示すように、シェル４０には、穴部４０ｇが開けられている。図４（Ｂ）及び図６に示すように、突出部５０の先端は、蓋部４１の穴部５１に挿入された後、さらに、シェル４０の穴部４０ｇに挿入され、ハウジング１１の溝部１１ｄまで達している。

図４（Ｂ）に示すように、穴部４０ｇは、突出部５０に対応して一対のものが設けられている。この構成により、蓋部４１を側壁部４０ａと突出部５０とで挟むことができるので、蓋部４１がシェル４０から脱落するのを防ぐことができる。

一対の突出部５０及び一対の穴部５１とで、側壁部４０ａに対して蓋部４１を回転軸ＡＸ回りに回動させる回動機構が形成されている。これにより、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示すように、シェル４０に対して蓋部４１を回転可能とし、開口部４０ｃを開閉することができる。

また、蓋部４１は、１枚の金属平板が折り曲げられて形成される。これにより、蓋部４１は、蓋上板部４１ａ及び張り出し部４１ｂが、継ぎ目なしで連結された構造を有する。また、蓋部４１では、隣接する張り出し部４１ｂ同士の間において、板同士が重なるように構成されているので、電磁波が通りにくくなっている。なお、蓋部４１も、シェル４０と同様に、絞り加工により形成されてもよい。この場合、張り出し部４１ｂ同士も継ぎ目なしとなる。

この他、図４（Ｂ）に示すように、シェル４０には、凹部４０ｈが形成されている。また、図３（Ａ）に示すように、蓋部４１には、蓋部４１が開口部４０ｃを塞いだときに、凹部４０ｈと嵌合する凸部４１ｃが形成されている。凹部４０ｈと凸部４１ｃとの嵌合により、蓋部４１が不用意に回転し、開口部４０ｃが開くのが防止されている。

また、蓋部４１には、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示すように、一対のつまみ４１ｄが形成されている。つまみ４１ｄは、蓋部４１を開閉する際に、操作者の操作を容易にするために設けられている。

メモリモジュール３をシールドコネクタ１０に接続する場合、まず、手動で蓋部４１を回転させ、開口部４０ｃを開けた状態とする。この状態で、メモリモジュール３を開口部４０ｃから挿入し、ハウジング１１の差込口１１ａに接点３ｂを差し込んでコンタクト１２と接触させつつ、切り欠き３ｃに支持部１３の係止片１３ｂを係止させるとともに、支持部１３の支持片１３ａにメモリモジュール３を支持させる。これにより、メモリモジュール３の接続が完了する。ここで、シールドコネクタ１０は、図３（Ａ）に示す状態となる。

つまみ４１ｄをつまんで、蓋部４１を回転させ、開口部４０ｃを閉じると、凹部４０ｈと凸部４１ｃとが嵌合し、シールドコネクタ１０は、図３（Ｂ）に示す状態となる。これにより、シェル４０の電磁波シールドが形成される。この電磁波シールドは、上方向のみならず、右方向、左方向、前方向、後方向にも配置されており、基板２の実装面２ａを除く５つの面で、電磁波を遮蔽することができる。

なお、シールドコネクタ１０からメモリモジュール３を取り出す場合、例えば、つまみ４１ｄをつまんで、蓋部４１を回転させ、図３（Ａ）に示す状態とする。そして、支持部１３の先端部を長手方向に開いて係止片１３ｂによる係止を解除すれば、メモリモジュール３を開口部４０ｃから取り出すことができる。なお、コネクタ１では、支持部１３の係止片１３ｂによる係止を解除すると、メモリモジュール３の後方向の部分が開口部４０ｃを通って浮き上がるようになっていてもよい。

［実施の形態２］
次に、本発明の実施の形態２について説明する。図７に示すように、本実施の形態に係るシールド構造４がシェル４０及び蓋部４１を備える点は、上記実施の形態１に係るシールド構造４及びシールドコネクタ１０と同じである。シェル４０が、側壁部４０ａ、基板接続部４０ｂ、開口部４０ｃ及びシェル上板部４０ｄを備える点も上記実施の形態１に係るシールド構造４及びシールドコネクタ１０と同じである。

図７に示すように、蓋部４１は、側壁部４０ａに対して、基板２の実装面２ａに平行な仮想的な回転軸ＡＸを中心に回動する。図８に示すように、側壁部４０ａには、回転軸ＡＸの長手方向に開口する穴部５２が設けられている。穴部５２は、長手方向の両端に１つずつ設けられている。

また、蓋部４１には、突出部５３が設けられている。突出部５３は、蓋部４１の張り出し部４１ｂから前方に延出した部分が、回転軸ＡＸの軸方向に折れ曲がって先端がその方向（回転軸ＡＸの軸方向）に突出する形状を有する。突出部５３は、蓋部４１の前後方向に延びる中心線に対して面対称に一対のものが設けられている。穴部５２は、突出部５３に対応して一対のものが設けられている。突出部５３は、穴部５２にそれぞれ嵌合し、穴部５２に対して回転軸ＡＸ回りに回転可能である。一対の穴部５２及び一対の突出部５３とで、側壁部４０ａに対して蓋部４１を回動させる回動機構が形成されている。

以上詳細に説明したように、上記実施の形態によれば、コネクタ１及びメモリモジュール３から外部に向けて漏洩する電磁波及び、コネクタ１及びメモリモジュール３に向けて外部から進入する電磁波をより確実に抑制することができる。

また、上記実施の形態では、開口部４０ｃの開閉操作を容易とするために、シェル４０に対して蓋部４１を回転させるようにしている。しかしながら、これには限られない。シールド構造４は、シェル４０に対して蓋部４１を実装面２ａに平行な方向にスライドして開口部４０ｃを開閉する構成となっていてもよい。

また、上記実施の形態では、蓋部４１が張り出し部４１ｂを有するものとしている。このようにすれば、側壁部４０ａと張り出し部４１ｂとで二重の電磁波シールドを形成することができるので、シールド構造４の電磁波遮蔽能力をさらに高めることができる。

また、上記実施の形態では、シェル４０及び蓋部４１に形成された突出部５０，５３と穴部５１，５２とを嵌合させる構成で、蓋部４１の回転機構を形成している。このようにすれば、シェル４０及び蓋部４１以外に回転機構を新たに付け加えることなく、シェル４０及び蓋部４１で回転機構を構成して開口部４０ｃの開閉が可能となるので、シールド構造４の構成を簡素化することができる。なお、側壁部４０ａに互いに逆向きに突出する一対の突出部を設け、蓋部４１にその突出部に嵌合する一対の穴部を設け、それらを嵌合させて回転機構を構成するようにしてもよい。

また、本実施の形態では、シェル４０には、シェル上板部４０ｄが設けられている。これにより、シェル４０と蓋部４１とで二重に電磁波を遮蔽する領域を増やすことができるので、シールド構造４の電磁波遮蔽能力を高めることができる。

また、上記実施の形態では、シェル４０が、基板接続部４０ｂ、側壁部４０ａ及びシェル上板部４０ｄが、継ぎ目なしに連結された構造を有する。すなわち、基板接続部４０ｂ、側壁部４０ａ及びシェル上板部４０ｄは、１枚の金属平板が折り曲げられて形成されており、異なった部材が連結されて構成されたものではない。これにより、隙間をつくらずに電磁波を確実に遮蔽することができる。なお、基板接続部４０ｂ、側壁部４０ａ及びシェル上板部４０ｄの間に、隙間があってもよい。ただし、この隙間は、対象となる周波数帯の電磁波が通ることができない程度の大きさとする必要がある。このことは、蓋部４１における蓋上板部４１ａと張り出し部４１ｂとの間についても同様である。

なお、本実施の形態では、接続対象物をメモリモジュール３としている。しかしながら、これには限られない。接続対象物は、他のものであってもよい。カード状の基板に電子チップが取り付けられた電子モジュール、電池（乾電池、ボタン電池など種類は問わない）、ヒューズ、各種ＩＣカードなど、コネクタ１に配置されたコンタクト１２と電気的に接続可能であればどのようなものであってもよい。

本実施の形態に係るシールドコネクタ１０の外形は、矩形平板状であるが、これに限定されない。五角形等の他の多角形状であってもよいし、円板状であってもよい。

この発明は、この発明の広義の精神と範囲を逸脱することなく、様々な実施の形態及び変形が可能とされるものである。また、上述した実施の形態は、この発明を説明するためのものであり、この発明の範囲を限定するものではない。すなわち、この発明の範囲は、実施の形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。そして、特許請求の範囲内及びそれと同等の発明の意義の範囲内で施される様々な変形が、この発明の範囲内とみなされる。

本発明は、接続対象物と、その接続対象物と基板とを接続するコネクタとを含む構造物から外部へ漏洩する電磁波と、外部からその構造物の内部へ進入する電磁波とを抑制するのに適用することができる。

１ コネクタ、２ 基板、２ａ 実装面、３ メモリモジュール、３ａ メモリ、３ｂ 接点、３ｃ 切り欠き、４ シールド構造、１０ シールドコネクタ、１１ ハウジング、１１ａ 差込口、１１ｂ 係止穴、１１ｃ 係止凸部、１１ｄ 溝部、１２ コンタクト、１３ 支持部、１３ａ 支持片、１３ｂ 係止片、４０ シェル、４０ａ 側壁部、４０ｂ 基板接続部、４０ｃ 開口部、４０ｄ シェル上板部、４０ｅ 係止片、４０ｆ 係止穴、４０ｇ 穴部、４０ｈ 凹部、４１ 蓋部、４１ａ 蓋上板部、４１ｂ 張り出し部、４１ｃ 凸部、４１ｄ つまみ、５０ 突出部、５１ 穴部、５２ 穴部、５３ 突出部、ＡＸ 回転軸、Ｓ 仮想平面

Claims (9)

1. 基板に実装されるコネクタ及び前記コネクタを介して前記基板に電気的に接続される接続対象物の電磁波シールドを形成するシールド構造であって、
   前記基板と電気的に接続し、前記接続対象物を出し入れ可能で、前記コネクタに対して前記接続対象物の脱着操作が可能な開口部が前記基板の実装面に対向して形成される導電性のシェルと、
   前記開口部を開閉可能で、前記開口部を塞いだ状態で前記シェルと接触する導電性の蓋部と、
   を備え、
   前記シェルは、
   前記基板の実装面の法線方向に見て前記コネクタ及び前記接続対象物を囲むように前記基板の実装面上に立設される側壁部を有し、
   前記開口部は、前記側壁部において前記法線方向に関して前記実装面に近接する一方の端部の反対の他方の端部を含む仮想平面に形成される、
   シールド構造。
2. 前記蓋部は、前記シェルに対して回動可能に連結され、
   前記蓋部の回動により、前記蓋部が前記開口部を開閉する、
   請求項１に記載のシールド構造。
3. 前記蓋部は、
   前記開口部を閉じたときに前記開口部を塞ぐ蓋上板部と、
   前記蓋上板部の外辺から延出する張り出し部と、
   を備え、
   前記蓋部の回動により、前記蓋上板部が前記開口部を開閉し、前記蓋上板部が前記開口部を塞いだときに前記張り出し部が前記側壁部の一部を覆う、
   請求項２に記載のシールド構造。
4. 前記シェルに、前記基板の実装面に平行な方向に延びる仮想的な回転軸の軸方向に先端が突出する一対の突出部が設けられ、
   前記蓋部に、前記突出部にそれぞれ嵌合し、前記突出部に対して前記回転軸回りに相対的に回転可能な一対の穴部が設けられ、
   前記一対の突出部及び前記一対の穴部とで、前記側壁部に対して前記蓋部を前記回転軸回りに回動させる回動機構が形成される、
   請求項２に記載のシールド構造。
5. 前記シェルに、前記基板の実装面に平行な方向に延びる仮想的な回転軸の軸方向に開口する一対の穴部が設けられ、
   前記蓋部に、前記回転軸の軸方向に先端が突出して前記穴部にそれぞれ嵌合し、前記穴部に対して前記回転軸回りに相対的に回転可能な一対の突出部が設けられ、
   前記一対の穴部及び前記一対の突出部とで、前記側壁部に対して前記蓋部を前記回転軸回りに回動させる回動機構が形成される、
   請求項２に記載のシールド構造。
6. 前記シェルでは、
   前記一方の端部に連結され、前記基板と電気的に接続する基板接続部が形成されるとともに、
   前記他方の端部に連結され、前記仮想平面に沿って配置されたシェル上板部が形成され、
   前記シェル上板部に前記開口部が形成される、
   請求項１に記載のシールド構造。
7. 前記基板接続部、前記側壁部及び前記シェル上板部が、継ぎ目なしに連結された構造を有する、
   請求項６に記載のシールド構造。
8. 前記蓋上板部及び前記張り出し部が、継ぎ目なしに連結された構造を有する、
   請求項３に記載のシールド構造。
9. 接続対象物を基板に電気的に接続するコネクタと、
   前記コネクタ及び前記接続対象物の電磁波シールドを形成する請求項１から８のいずれか一項に記載のシールド構造と、
   を備え、
   前記コネクタは、絶縁性のハウジングを有し、
   前記シールド構造を構成する導電性のシェルが、前記ハウジングに係止される、
   シールドコネクタ。

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